專利名稱：一種用于密集型閱讀器訪問的超高頻無源標(biāo)簽標(biāo)志位電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于射頻識別技術(shù)領(lǐng)域，涉及
標(biāo)簽標(biāo)志位電路結(jié)構(gòu)。
種支持無源電子標(biāo)簽密集型閱讀器訪問的
背景技術(shù)：
在射頻識別領(lǐng)域，無源電子標(biāo)簽通過天線接收電磁場能量，給芯片供電。當(dāng)密集型閱讀器訪問時(shí)，密集型閱讀器按照時(shí)分的方法訪問標(biāo)簽，在閱讀器間歇狀態(tài)，停止發(fā)送電磁波，無源電子標(biāo)簽沒有能量來源，間歇性斷電。為了防止同一閱讀器重復(fù)讀取同一標(biāo)簽，無源電子標(biāo)簽標(biāo)志位狀態(tài)必須在斷電的情況下依舊保持其狀態(tài)信息時(shí)間大于2秒。當(dāng)閱讀器再次啟動讀取標(biāo)簽時(shí)(間歇時(shí)間小于2s)，閱讀器可以根據(jù)標(biāo)簽標(biāo)志位的狀態(tài)判斷出標(biāo)簽是否已讀。因此標(biāo)志位有以下特點(diǎn) 1)標(biāo)志位有A和B兩種狀態(tài)，閱讀器訪問標(biāo)簽時(shí)可以將標(biāo)志位狀態(tài)設(shè)置為A或者B。 2)當(dāng)閱讀器停止發(fā)送電磁波時(shí)，標(biāo)簽斷電，標(biāo)簽標(biāo)志位依舊可以保持其當(dāng)前狀態(tài)信息大于2s。 3)當(dāng)閱讀器再次啟動讀取標(biāo)簽時(shí)(間歇時(shí)間小于2s)，閱讀器可以根據(jù)標(biāo)簽標(biāo)志位的狀態(tài)判斷出標(biāo)簽是否已讀。 4)當(dāng)超過標(biāo)志位狀態(tài)最大保持時(shí)間時(shí)，標(biāo)志位狀態(tài)自動恢復(fù)到A狀態(tài)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種支持無源電子標(biāo)簽密集型閱讀器訪問的標(biāo)簽標(biāo)志位電路結(jié)構(gòu)。當(dāng)無源電子標(biāo)簽標(biāo)志位狀態(tài)在斷電的情況下依舊保持其狀態(tài)信息時(shí)間大于2秒。當(dāng)閱讀器再次啟動讀取標(biāo)簽時(shí)(間歇時(shí)間小于2s)，閱讀器可以根據(jù)標(biāo)簽標(biāo)志位的狀態(tài)判斷出標(biāo)簽是否已讀。當(dāng)斷電時(shí)間超過標(biāo)志位狀態(tài)最大保持時(shí)間時(shí)，標(biāo)志位狀態(tài)自動恢復(fù)到A狀態(tài)。
如圖1所示，該電路包括兩個(gè)控制信號S1、S2及由這兩個(gè)信號控制的NM0S開關(guān)管M4、M5、M3、M6。控制信號S1、S2可由標(biāo)簽數(shù)字邏輯設(shè)定為'10'或者'01'，在上電復(fù)位信號有效(reset =' 0')或者標(biāo)簽斷電(VDD =' 0')情況下為'00'。 NM0S管M1、M2的柵極連接到電源VDD，PM0S管M7、M8的柵極分別連接到結(jié)點(diǎn)netl、net2。 netl通過電容Cl連接到地、net2通過電容C2連接到地，當(dāng)斷電時(shí)，Ml截止速度比M3速度快，防止存儲在Cl上的電荷瀉放到地。同理M2截止速度比M4速度快，防止存儲在C2上的電荷瀉放到地。當(dāng)斷電時(shí)，M7反向截止，防止存儲在C1上的電荷通過M5、M7瀉放到地，同理M8反向截止，防止存儲在C2上的電荷通過M6、 M8瀉放到地。 該電路通過結(jié)點(diǎn)netl與net2的電壓差保持狀態(tài)信息，該差分信號通過差分放大器放(如圖l所示)大輸出。


圖1無源電子標(biāo)簽密集型閱讀器訪問的標(biāo)簽標(biāo)志位電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2無源電子標(biāo)簽密集型閱讀器訪問的標(biāo)簽標(biāo)志位電路變化結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖具體介紹本發(fā)明工作原理 當(dāng)邏輯設(shè)定控制信號S1、S2 =， 10'時(shí)，Vnetl =， 1'， Vnet2 =， 0'， Vout =， 0'， 電源VDD突然變到'0，時(shí)，控制信號S1、S2 =， 00，，M3-M6開關(guān)管截止，由開關(guān)M3、 M4、 M5、 M6及Ml、 M2、 M8、 M9管子的共同作用，Vnetl保持高電平，Vnet2保持低電平。當(dāng)標(biāo)簽再次 上電時(shí)，控制信號S1、S2 =， 00，，M3、M4、M5、M6開關(guān)管截止，Vnetl與Vet2信號依舊保持。 當(dāng)上電復(fù)位信號有效(reset = O)，輸出Vout ='0'。當(dāng)上電復(fù)位信號無效(reset ='0') 后，Vnetl與Vnet2電壓差通過差分放大器放大，輸出Vout =' 0'。 當(dāng)邏輯設(shè)定控制信號S1、S2 =， 01'時(shí)，Vnetl =， 0'， Vnet2 =， 1'， Vout =， l'。 當(dāng)電源VDD突然變到O時(shí)，控制信號'S1S2' =' 00'， M3、M4、M5、M6開關(guān)管截止，以及M1、 M2、 M8、 M9管子的共同作用，Vnetl依舊保持低電平，Vnet2保持高電平。當(dāng)標(biāo)簽再次上電 時(shí)，控制信號S1、S2 =' 00'，M3、M4、M5、M6開關(guān)管截止，Vnetl與Vet2信號依舊保持。上 電復(fù)位信號有效(reset = 0)，輸出=Vout =' 0'。當(dāng)上電復(fù)位信號無效(reset = ' 1') 后，Vnetl與Vet2電壓差通過差分放大器放大，輸出Vout =' l'。 當(dāng)閱讀器再次啟動讀取標(biāo)簽時(shí)(間歇時(shí)間小于2s)，標(biāo)簽可以保持其上一次標(biāo)志 位狀態(tài)信息，閱讀器可以根據(jù)標(biāo)簽標(biāo)志位的狀態(tài)判斷出標(biāo)簽是否已讀，因此避免了同一標(biāo) 簽重復(fù)讀取。當(dāng)閱讀器再次啟動讀取標(biāo)簽時(shí)(間歇時(shí)間大于2s)，結(jié)點(diǎn)netl、 net2電壓都 為零，上電復(fù)位信號有效(reset ='0')，Vnet3 =' l'，輸出Vout ='0'。當(dāng)上電復(fù)位信號 無效(reset = ' 1')后，M9、 M10保持截止，Vnet3始終為'l'，輸出Vout始終為'0'。
附圖2為無源電子標(biāo)簽密集型閱讀器訪問的標(biāo)簽標(biāo)志位電路變化結(jié)構(gòu)，其中狀態(tài) 信息保持電路中包含兩個(gè)控制信號Sl 、S2， Sl控制NMOS開關(guān)管M3， S2控制NMOS開關(guān)管M2。 NMOS管Ml的柵極連接到電源VDD， PMOS管M4柵極連接到結(jié)點(diǎn)netl， netl通過電容Cl連 接到地，狀態(tài)信號存儲在接點(diǎn)netl，然后通過放大器輸出?？刂菩盘?S1S2'可由標(biāo)簽數(shù)字 邏輯設(shè)定為'10'或者'Ol'，在標(biāo)簽斷電(VDD =' 0')情況下為'00'。 NM0S管M1的柵極 連接到電源VDD。當(dāng)斷電時(shí)(VDD 一0')，M1截止速度比M2速度更快，防止存儲在C1上的 電荷通過M1、 M2瀉放到地。PMOS管M4的柵極連接到結(jié)點(diǎn)netl。當(dāng)斷電時(shí)(VDD =' 0')， M7反向截止，防止存儲在C1上的電荷通過M3、 M4瀉放到地。當(dāng)斷電時(shí)間超高最大保持時(shí) 間時(shí)，netl電壓自動回到零，下次上電時(shí)輸出為高電平。 根據(jù)本發(fā)明所公開的一種用于密集型閱讀器訪問的超高頻無源電子標(biāo)簽標(biāo)志位 電路，標(biāo)簽可以保持其上一次標(biāo)志位狀態(tài)信息，閱讀器可以根據(jù)標(biāo)簽標(biāo)志位的狀態(tài)判斷出 標(biāo)簽是否已讀，因此避免了同一標(biāo)簽重復(fù)讀取。 應(yīng)當(dāng)理解的是，本實(shí)施例僅供說明本發(fā)明之用，而非對本發(fā)明的限制。有關(guān)技術(shù)領(lǐng) 域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以作出各種變換或變化，因此 所有等同的技術(shù)方案也應(yīng)該屬于本發(fā)明的范疇由各權(quán)力要求限定。
權(quán)利要求
一種用于密集型閱讀器訪問的超高頻無源電子標(biāo)簽標(biāo)志位電路，其特征在于該電路由狀態(tài)信息保持電路和差分放大器電路組成，其中狀態(tài)信息保持電路中包含兩個(gè)控制信號S1、S2，S1控制開關(guān)K1、K4，S2控制開關(guān)K2、K3，開關(guān)K1、K2、K3、K4分別控制NMOS開關(guān)管M5、M3、M4、M6，NMOS管M1、M2的柵極連接到電源VDD，PMOS管M7、M8的柵極分別連接到結(jié)點(diǎn)net1、net2，net1通過電容C1連接到地、net2通過電容C2連接到地，控制信號S1、S2由標(biāo)簽數(shù)字邏輯設(shè)定為’10’或者’01’，S1、S2在上電復(fù)位信號有效或者標(biāo)簽斷電情況下為’00’。
2. 如權(quán)利要求1所述的一種用于密集型閱讀器訪問的超高頻無源電子標(biāo)簽標(biāo)志位電路，其特征在于當(dāng)斷電時(shí)，Ml截止速度比M3速度快，防止存儲在C1上的電荷瀉放到地，M2截止速度比M4速度快，防止存儲在C2上的電荷瀉放到地。
3. 如權(quán)利要求1所述的一種用于密集型閱讀器訪問的超高頻無源電子標(biāo)簽標(biāo)志位電路，其特征在于當(dāng)斷電時(shí)，M7反向截止，防止存儲在Cl上的電荷通過M5、M7瀉放到地，M8反向截止，防止存儲在C2上的電荷通過M6、M8瀉放到地，
4. 如權(quán)利要求1所述的一種用于密集型閱讀器訪問的超高頻無源電子標(biāo)簽標(biāo)志位電路，其特征在于該電路其特征在于通過結(jié)點(diǎn)netl與net2的電壓差保持狀態(tài)信息，通過差分放大器放大輸出。
5. 如權(quán)利要求1所述的一種用于密集型閱讀器訪問的超高頻無源電子標(biāo)簽標(biāo)志位電路，其特征在于該電路其特征在于該差分放大器電路中Mll、 M12管由上電復(fù)位信號控制，避免NMOS管Ml7引起的電流瀉放通路，降低電路功耗。
6. 如權(quán)利要求1所述的一種用于密集型閱讀器訪問的超高頻無源電子標(biāo)簽標(biāo)志位電路，該差分電路可以由單邊電路實(shí)現(xiàn)，其中狀態(tài)信息保持電路中包含兩個(gè)控制信號Sl、 S2，Sl控制NMOS開關(guān)管M3， S2控制NMOS開關(guān)管M2， NMOS管Ml的柵極連接到電源VDD， PMOS管M4柵極連接到結(jié)點(diǎn)netl， netl通過電容Cl連接到地，狀態(tài)信號存儲在接點(diǎn)netl，通過放大器輸出。
全文摘要
本發(fā)明用于超高頻無源電子標(biāo)簽密集型閱讀器訪問時(shí)，防止標(biāo)簽被同一閱讀器重復(fù)讀取。當(dāng)密集型閱讀器讀取無源標(biāo)簽時(shí)，無源電子標(biāo)簽間歇性斷電，標(biāo)簽標(biāo)志位狀態(tài)必須在斷電的情況下依舊保持其狀態(tài)信息時(shí)間大于2秒。本電路由對稱狀態(tài)信息保持電路、差分放大器和上電復(fù)位控制電路組成。在標(biāo)簽斷電的情況下，狀態(tài)信息保持在狀態(tài)信息保持電路的電容上面，當(dāng)標(biāo)簽下次上電時(shí)，首先上電復(fù)位信號有效，輸出復(fù)位；當(dāng)上電復(fù)位信號無效時(shí)，狀態(tài)信息經(jīng)過差分放大器放大輸出，保持上一次的信息。
文檔編號G06K7/00GK101751543SQ20081022799
公開日2010年6月23日 申請日期2008年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月4日
發(fā)明者張建平, 沈紅偉, 馬紀(jì)豐 申請人:北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司