專利名稱：Ic標(biāo)簽用插件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及IC標(biāo)簽用插件(inlet)的制造技術(shù)，尤其涉及有效應(yīng)用于將超小型半導(dǎo)體芯片連接在天線上的IC標(biāo)簽用插件的制造的技術(shù)。
背景技術(shù)：
使用微波等讀取寫入到半導(dǎo)體芯片中的數(shù)據(jù)的無線識別IC標(biāo)簽也一皮稱為RFID ( Radio Frequency Identification:射頻識另'J )標(biāo)簽，其-波廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。
這種IC標(biāo)簽使數(shù)據(jù)存儲在半導(dǎo)體芯片內(nèi)的存儲電路中，因此與利用條碼的標(biāo)簽等相比，具有能存儲大容量的數(shù)據(jù)的優(yōu)點，但由于結(jié)構(gòu)復(fù)雜，因此制造成本較高，這成為妨礙廣泛普及的主要原因。
因此，近年來正在進(jìn)行簡化了結(jié)構(gòu)的廉價的IC標(biāo)簽用插件(以下，有時也簡稱為插件)的開發(fā)。該IC標(biāo)簽用插件包括由較薄的Al(鋁)箔構(gòu)成的天線、和安裝在該天線的表面的半導(dǎo)體芯片(以下，有時也簡稱為芯片)。半導(dǎo)體芯片的外形尺寸為0.3mm角~ 0.4mm角，厚度為數(shù)十Mm左右，但最近隨著插件的小型化和薄型化的要求，開發(fā)了外形尺寸為0.15mm角以下、厚度10nm以下的超小型IC標(biāo)簽用半導(dǎo)體芯片。
但是，上述超小型半導(dǎo)體芯片的尺寸極小，因此無法象現(xiàn)有的半導(dǎo)體芯片那樣用鑷子(tweezer)夾著來安裝到天線上。因此，為了廉價且大量地生產(chǎn)使用超小型半導(dǎo)體芯片的IC標(biāo)簽用插件，需要能夠高效處理(handling)超小型半導(dǎo)體芯片的技術(shù)。
在日本特開平10-033969號公報(專利文獻(xiàn)1)和日本特許第3326462號(專利文獻(xiàn)2)中公開了如下技術(shù)在滴落管內(nèi)溶解從原料供給裝置供給的顆粒狀的硅，形成圓球狀的硅結(jié)晶，然后冷卻回收的球狀半導(dǎo)體器件的制造方法中，根據(jù)需要在滴落管內(nèi)流過氣體。另
外，在日本特開平07-283098號公報(專利文獻(xiàn)3)中公開了如下標(biāo)準(zhǔn)粒子發(fā)生裝置過飽和狀態(tài)的乙醇蒸汽(疏水性有機(jī)氣體)作為凝縮核凝集微粒子，生長為nm尺寸的粒子。
專利文獻(xiàn)1:日本特開平10-033969號公報
專利文獻(xiàn)2:日本特許第3326462號
專利文獻(xiàn)3:日本特開平07-283098號公報

發(fā)明內(nèi)容
如上所述，IC標(biāo)簽用半導(dǎo)體芯片的尺寸極小，因此在現(xiàn)有的處理技術(shù)中，無法高效地安裝在天線上。尤其是外型尺寸為0.15mm角以下、厚度為10Mm以下的超小型半導(dǎo)體芯片的外觀為粉末狀，表面積與體積之比較大，因此還產(chǎn)生由于靜電、范德瓦爾斯力而使芯片彼此集聚、附著在使芯片排列的夾具上而難以分離的問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種技術(shù)，能夠廉價地量產(chǎn)使用了超小型IC標(biāo)簽用半導(dǎo)體芯片的IC標(biāo)簽用插件。
本發(fā)明的上述以及其他目的和新的特征根據(jù)本說明書的記載和附圖而得以明確。
筒單說明本申請公開的發(fā)明中的代表性技術(shù)方案的概要如下。(1 )本申請的發(fā)明是一種IC標(biāo)簽用插件的制造方法，該IC標(biāo)簽用插件包括在主面上形成有集成電路和第一電極并且在背面上形成有第二電極的半導(dǎo)體芯片、與上述第一電極和上述第二電極中的一方相連接的第一天線、與上述第一電極和上述第二電極中的另一方相連接的第二天線、覆蓋被上述第一天線和上述第二天線夾持的上述半導(dǎo)體芯片的支承樹脂，該制造方法包括以下工序(a) ~ (f)。
工序(a)，在主面上形成有集成電路和第一電極并且在背面上形成有第二電極的半導(dǎo)體晶片的上述主面上覆蓋支承樹脂；
工序(b),將上述半導(dǎo)體晶片的背面粘貼在切割帶上；工序(C),通過切割粘貼在上述切割帶上的上述半導(dǎo)體晶片來將
其單片化為主面被上述支承樹脂所覆蓋的多個半導(dǎo)體芯片；
工序(d)，通過對覆蓋上述多個半導(dǎo)體芯片各自的主面的上述
支承樹脂進(jìn)行加熱、溶融，從而用上述支承樹脂覆蓋上述多個半導(dǎo)體
芯片各自的整個面；
工序(e)，在上述工序(d)之后，將由上述支承樹脂所覆蓋的
上述多個半導(dǎo)體芯片的每一個夾入上述第一天線和第二天線之間；以
及
工序(f)，在上述工序(e)之后，通過對上述支承樹脂進(jìn)行溶融、加壓，來使上述多個半導(dǎo)體芯片各自的上述第一電極與上述第一天線和上述第二天線中的一方電連接，并使上述第二電極與上述第一天線和上述第二天線中的另 一方電連接。
(2)本申請的發(fā)明是一種IC標(biāo)簽用插件的制造方法，該IC標(biāo)簽用插件包括在主面上形成有集成電路和第一電極并且在背面上形成有第二電極的半導(dǎo)體芯片、與上述第一電極和上述第二電極中的一方相連接的第一天線、與上述第一電極和上述第二電極中的另一方相連接的第二天線、覆蓋被上述第一天線和上述第二天線夾持的上述半導(dǎo)體芯片的支承樹脂，該制造方法包括以下工序(a) ~ (g)。
工序(a),將在主面上形成有集成電路和第一電極并且在背面上形成有第二電極的半導(dǎo)體晶片的上述背面粘貼在切割帶上；
工序(b)，通過切割粘貼在上述切割帶上的上述半導(dǎo)體晶片來將其單片化為多個半導(dǎo)體芯片；
工序(c),在將上述切割帶粘貼在支承膜上之后，通過除去上述切割帶，從而統(tǒng)一將上述多個半導(dǎo)體芯片轉(zhuǎn)貼到上述支承膜一側(cè)；
工序(d),在上述工序(c)之后，通過將上述支承膜從其中心向外周方向拉伸，從而擴(kuò)大上述多個半導(dǎo)體芯片彼此的間隔；
工序(e),在上述工序(d)之后，用支承樹脂覆蓋上述半導(dǎo)體芯片的每一個；
工序(f),在從上述支承膜剝離由上述支承樹脂所覆蓋的上述多個半導(dǎo)體芯片之后，將上述多個半導(dǎo)體芯片的每一個夾入第一天線和
第二天線之間；以及
工序(g),在上述工序(f)之后，通過對上述支承樹脂進(jìn)行溶 融、加壓來使上述多個半導(dǎo)體芯片各自的上述第一電極與上述第一天 線和上述第二天線中的一方電連接，并使上述第二電極與上述第一天 線和上述第二天線中的另一方電連接。
簡單說明根據(jù)本申請公開的發(fā)明中的代表性技術(shù)方案獲得的效 果如下。
通過用樹脂覆蓋超小型半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片的實際體積增 大，其處理變得容易，因此能夠有效地進(jìn)行將半導(dǎo)體芯片安裝在天線 上的作業(yè)。


圖1是表示作為本發(fā)明一個實施方式的IC標(biāo)簽用插件的剖視圖。 圖2是表示圖1所示的IC標(biāo)簽用插件上安裝的半導(dǎo)體芯片的電
路結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖3是表示圖1所示的IC標(biāo)簽用插件上安裝的半導(dǎo)體芯片的一
部分的剖視圖。
圖4是表示在完成了前面的工序的半導(dǎo)體晶片的主面上涂覆支承
樹脂后的狀態(tài)的 一部分剖視圖。
圖5是表示從半導(dǎo)體晶片單片化的半導(dǎo)體芯片的剖視圖。
圖6是表示從切割帶剝離的半導(dǎo)體芯片的剖視圖。
圖7是表示使支承樹脂溶融、球狀化的裝置的概略圖。
圖8是表示由球狀的支承樹脂覆蓋的半導(dǎo)體芯片的剖視圖。
圖9是表示由球狀的支承樹脂和外皮樹脂覆蓋的半導(dǎo)體芯片的剖視圖。
圖10是表示將由球狀的支承樹脂覆蓋的半導(dǎo)體芯片插入排列夾 具的吸附溝后的狀態(tài)的立體圖。
圖11是表示在表面排列多個天線后的天線片的立體圖。圖12是表示在天線之上安裝插入排列夾具的吸附溝的半導(dǎo)體芯 片后的狀態(tài)的立體圖。
圖13是表示在天線之上安裝半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)的剖視圖。
圖14是表示用上側(cè)天線和下側(cè)天線夾住由支承樹脂覆蓋的半導(dǎo) 體芯片的狀態(tài)的剖視圖。
圖15是表示使被上側(cè)天線和下側(cè)天線夾入的支承樹脂溶融、并 且對其進(jìn)行加壓后的狀態(tài)的剖視圖。
圖16是表示在覆蓋半導(dǎo)體芯片主面的支承樹脂的表面設(shè)置凹凸 后的狀態(tài)的剖視圖。
圖17是表示在半導(dǎo)體芯片的主面上隔著薄型樹脂形成支承樹脂 后的狀態(tài)的剖視圖。
圖18 (a)是表示在支承膜的表面粘貼切割半導(dǎo)體晶片而得到的 多個半導(dǎo)體芯片后的狀態(tài)的俯視圖，圖18(b)是表示沿圖18(a) 的A-A線的剖視圖。
圖19 (a)是表示朝外周方向拉圖18所示的支承膜后的狀態(tài)的俯 視圖，圖19 (b)是表示沿圖19 (a)的B-B線的剖視圖。
圖20 (a)是表示由支承樹脂覆蓋粘貼在圖19所示的支承膜的表 面上的半導(dǎo)體芯片101的狀態(tài)的俯視圖，圖20 (b)是沿圖20 (a) 的C-C線的剖視圖。
圖21是表示用上側(cè)天線和下側(cè)天線夾住由支承樹脂覆蓋的半導(dǎo) 體芯片的狀態(tài)的剖視圖。
圖22是表示用上側(cè)天線和下側(cè)天線夾住由支承樹脂覆蓋的半導(dǎo) 體芯片的狀態(tài)的其他例子的剖視圖。
圖23是表示使被上側(cè)天線和下側(cè)天線夾入的支承樹脂溶融、并 對其進(jìn)行加壓后的狀態(tài)的剖視圖。
具體實施例方式
以下，根據(jù)附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式。在用于說明實施方 式的全部附圖中，原則上對相同部件標(biāo)以相同的附圖符號，省略其反復(fù)說明。
(實施方式1 )
圖1是表示作為本發(fā)明一個實施方式的IC標(biāo)簽用插件的剖視圖。
本實施方式的IC標(biāo)簽用插件100由兩面設(shè)有電極的半導(dǎo)體芯片101、 從上下兩面夾持該半導(dǎo)體芯片101的上側(cè)天線102和下側(cè)天線103、 覆蓋半導(dǎo)體芯片101的支承樹脂104構(gòu)成。支承樹脂104與半導(dǎo)體芯 片IOI相同，由上側(cè)天線102和下側(cè)天線103夾持。
半導(dǎo)體芯片101由外形尺寸為0.15mm角以下、例如0.1mm角左 右的、厚度為10)am左右的單晶硅襯底構(gòu)成。如圖2所示，在半導(dǎo)體 芯片101的主面上形成有整流電路153、電容器154、時鐘電路155、 上電復(fù)位(power on reset)電路157、存儲電路156等數(shù)字電路。整 流電路153對從天線輸入的電磁波進(jìn)行整流，產(chǎn)生直流電壓。電容器 154由電壓來積蓄電荷。時鐘電路155從電磁波上運載的信號中抽取 時鐘。上電復(fù)位電路157接受時鐘信號，設(shè)定存儲電路156的初始值。 存儲電路156由計數(shù)器、解碼器、存儲單元、寫入電路等構(gòu)成。這些 數(shù)字電路與時鐘信號同步工作。時鐘信號是對電磁波的被調(diào)制的信號 進(jìn)行解調(diào)而產(chǎn)生的。調(diào)制方式包括由振幅進(jìn)行調(diào)制的ASK、由頻率進(jìn) 行調(diào)制的FSK以及由相位進(jìn)行調(diào)制的PSK方式等。
如圖3所示，在半導(dǎo)體芯片101的主面和背面上形成有連接在這 些電路上的一對電極(上部電極132和下部電極133)。半導(dǎo)體芯片 101例如由p型的硅村底134構(gòu)成，在其主面上形成有作為上述電路 的結(jié)構(gòu)要素的n型擴(kuò)散層135、多晶硅膜136、氧化硅膜137等。上 部電極132連接在圖1所示的上側(cè)天線102上，下部電極133連接在 下側(cè)天線103上。
上述半導(dǎo)體芯片101的電極位于兩面上，因此其特征在于與上 側(cè)天線102和下側(cè)天線103連4妄時，即4吏主面和背面的朝向相反，也 能進(jìn)行連接，對橫向偏離或旋轉(zhuǎn)偏離的容許度也較大。因此，在制造 IC標(biāo)簽用插件100時，用上側(cè)天線102和下側(cè)天線103夾住半導(dǎo)體芯 片101的作業(yè)變得容易。另外，能夠同時統(tǒng)一處理大量的半導(dǎo)體芯片101。
上述半導(dǎo)體芯片101的尺寸極小，因此難以以原樣來進(jìn)行處理。 另外，由于靜電、范德瓦爾斯力而產(chǎn)生如下問題半導(dǎo)體芯片101彼 此集聚，附著在芯片排列夾具等上而難以離開。對此，在用支承樹脂 104覆蓋了半導(dǎo)體芯片IOI的情況下，半導(dǎo)體芯片IOI的實際體積變 大，因此處理變得容易，并且也不會發(fā)生由靜電、范德瓦爾斯力引起 的上述問題。另外，支承數(shù)據(jù)104兼具作為保護(hù)連接在上側(cè)天線102 和下側(cè)天線103上的半導(dǎo)體芯片101的密封樹脂的功能、和作為將半
導(dǎo)體芯片101固定在上側(cè)天線102和上側(cè)天線103之間的粘接層的功
妙 jq匕。
使用圖4~圖15說明上述IC標(biāo)簽用插件100的制造方法的一個 例子。首先，如圖4所示，將切割帶117粘貼在完成了前面工序的半 導(dǎo)體芯片116的背面上。另外，將支承樹脂104作為涂層固化在半導(dǎo) 體晶片116的主面上。支承樹脂104例如由熱可塑性的環(huán)氧類樹脂等 構(gòu)成。支承樹脂104的可以為任意厚度，根據(jù)切斷的效率和為球狀時 的尺寸來決定。
接著，如圖5所示，沿半導(dǎo)體晶片116的切割線切斷支承樹脂104， 然后切割半導(dǎo)體晶片116,由此單片化為多個半導(dǎo)體芯片101。支承 樹脂10 4例如通過以光致抗蝕劑膜為掩模的干法蝕刻或濕法蝕刻來進(jìn) 行切斷。
然后，通過從切割帶117上剝離半導(dǎo)體芯片101,如圖6所示， 的搭配主面由支承樹脂104所覆蓋的半導(dǎo)體芯片101。對于切割帶117 和半導(dǎo)體晶片的粘接優(yōu)選使用紫外線固化樹脂。此時，在切割半導(dǎo)體
晶片116形成半導(dǎo)體芯片101之后，當(dāng)對切割帶117照射紫外線時， 紫外線固化樹脂固化而粘接力降低，因此能夠同時從切割帶117上剝 離多個半導(dǎo)體芯片101。
接著，使用圖7所示的裝置而使支承樹脂104溶融，并使其球狀 化。該裝置利用如上述專利文獻(xiàn)3所公開的那樣的原理過飽和狀態(tài) 的疏水性有機(jī)氣體作為凝縮核凝集微粒子，生長為粒子。漏斗狀的上部貯存裝置105大量收容從切割帶U7剝離的半導(dǎo)體 芯片101。這些半導(dǎo)體芯片101—點點落到上部貯存裝置105的下部 的管嘴106，在位于管嘴106的最上部的加熱部107中進(jìn)行加熱。此 時，覆蓋半導(dǎo)體芯片101的主面的支承樹脂104溶融，因表面張力而 成為球狀的溶融樹脂。在管嘴106的內(nèi)部填充過飽和狀態(tài)的疏水性有 機(jī)氣體，在管嘴106的中央的凝集部108中，該疏水性有機(jī)氣體作為 凝縮核來凝集球狀的溶融數(shù)據(jù)，生長為粒子。
在管嘴106的最下部設(shè)有冷卻部109，覆蓋半導(dǎo)體芯片101的溶 融樹脂在該冷卻部109內(nèi)急速冷卻而成為固態(tài)樹脂，并收容在下部貯 存裝置110內(nèi)。在圖7所示的裝置中，管嘴106的形狀為直線狀，但 為了有效確保半導(dǎo)體芯片101落下的路徑，也可以使管嘴106的形狀 為螺旋狀。
這樣，通過使主面被支承樹脂104所覆蓋的半導(dǎo)體芯片101沿著 管嘴106的加熱部107、凝集部108以及冷卻部109移動，能夠大量 制造整體被球狀的支承樹脂104所覆蓋的半導(dǎo)體芯片101。另外，通 過使用上述裝置，可以控制覆蓋半導(dǎo)體芯片101的支承樹脂104的直徑。
圖8示出由球狀的支承樹脂104覆蓋的半導(dǎo)體芯片101。在此， 半導(dǎo)體芯片101不需要一定位于支承樹脂104的中心部。這是由于， 在由支承樹脂104覆蓋的半導(dǎo)體芯片101連接在上側(cè)天線102、下側(cè) 天線103上時，支承樹脂104溶融，上側(cè)天線102和半導(dǎo)體芯片101 之間、下側(cè)天線103和半導(dǎo)體芯片101之間沒有殘留支承樹脂104， 因此在半導(dǎo)體芯片IOI被球狀的支承樹脂104覆蓋的時刻，在其位置 和角度上可以具有自由度。
在用樹脂覆蓋半導(dǎo)體芯片101時，如圖9所示，在球狀的支承樹 脂104的外側(cè)還可以形成外皮樹脂111。通過在支承樹脂104的外側(cè) 形成外皮樹脂111，覆蓋半導(dǎo)體芯片IOI樹脂的直徑變大，因此半導(dǎo) 體芯片IOI的處理變得更容易。
然后，如圖IO所示，將由球狀的支持樹脂104所覆蓋的半導(dǎo)體芯片101插入排列夾具112的吸附溝113內(nèi)。在設(shè)置于排列夾具112 上的多個吸附溝113內(nèi)分別僅插入一個支承樹脂104，另外，各個吸 附溝113的內(nèi)部被抽成真空。因此，在將大量支承樹脂104散布在排 列夾具112的上表面上之后，通過使排列夾具112振動，能夠在短時 間內(nèi)將多個半導(dǎo)體芯片IOI排列在吸附溝113的上表面。此時，插入 吸附溝113中的支承樹脂104即使在排列夾具112中傾斜，也不會飛 出吸附溝113的外側(cè)。而未插入吸附溝113中的支承樹脂104由于在 排列夾具112中傾斜，所以容易被取除。
圖11示出在表面排列多個下側(cè)天線103后的天線片114。排列在 天線片114上的下側(cè)天線103的間隔與設(shè)置在上述排列夾具112上的 吸附溝113的間隔相同。接著，如圖12和圖13所示，使排列夾具112 反轉(zhuǎn)，將插入吸附溝113內(nèi)的支承樹脂104安裝在形成于天線片114 的表面上的下側(cè)天線103之上。
接著，如圖14所示，使天線片115在天線片114之上重合，在 形成于天線片115上的上側(cè)天線102和形成于天線片114上的下側(cè)天 線103之間夾入支承樹脂104。然后，如圖15所示，夾入、溶融支承 樹脂104，并從上下兩方向?qū)μ炀€片114和天線片115進(jìn)行加壓。
并且，對天線片114、 115進(jìn)行加壓，直到形成在半導(dǎo)體芯片101 的主面上的上部電極132連接在上側(cè)天線102上、形成在背面上的下 部電極133連接在下側(cè)天線103上為止，然后取除天線片114、 115， 由此完成上述圖1所示的本實施方式的IC標(biāo)簽用插件100。
這樣，通過用支承樹脂104覆蓋超小型的半導(dǎo)體芯片101的周圍， 半導(dǎo)體芯片IOI的處理變得容易，并且能夠防止半導(dǎo)體芯片101彼此 集聚、附著在排列夾具112等上而難以分離這樣的隱患，因此能夠高 效地進(jìn)行將半導(dǎo)體芯片101電連接在上側(cè)天線102和下側(cè)天線103上 的作業(yè)。由此，IC標(biāo)簽用插件100的生產(chǎn)率提高，因此能夠廉價地 批量生產(chǎn)IC標(biāo)簽用插件100。 (實施方式2)
圖16是示出覆蓋半導(dǎo)體芯片101的主面的支承樹脂104的剖視圖。在使支承樹脂104涂敷在粘貼于切割帶117上的半導(dǎo)體晶片116 的主面上并使之固化之后，切斷支承樹脂104，進(jìn)而通過切割半導(dǎo)體 晶片116來得到該半導(dǎo)體芯片101。
與上述實施方式1的半導(dǎo)體芯片IOI的不同點在于，在覆蓋半導(dǎo) 體芯片101的主面的支承樹脂104的表面設(shè)置多個凹凸118。凹凸118 是在將支承樹脂104涂敷在半導(dǎo)體晶片116的主面上之后，在切斷支 承樹脂104的工序之前，通過蝕刻支承樹脂104的表面并實施側(cè)噴處 理來形成的。
通過在支承樹脂104的表面設(shè)置多個凹凸118，能夠在使用上述 圖7所示的裝置使支承樹脂104球狀化時，防止覆蓋上述貯存裝置105 中大量收納的半導(dǎo)體芯片101的支承樹脂104彼此因范德化力、靜電 等而相互附著的隱患，因此半導(dǎo)體芯片IOI的處理變得更容易。
如圖17所示，可以在半導(dǎo)體芯片101的主面上隔著薄型樹脂119 形成支承樹脂104。此時，首先將薄型樹脂U9和支承樹脂104涂敷 在粘貼于上述圖2所示的切割帶117上的半導(dǎo)體晶片116的表面上并 使之固化。接著，在切斷支承樹脂104之后，統(tǒng)一切割薄型樹脂119 和半導(dǎo)體晶片116來形成半導(dǎo)體芯片101。
當(dāng)在半導(dǎo)體芯片101的主面上隔著薄型樹脂119來形成了支承樹 脂104時，半導(dǎo)體芯片101的整個主面被薄型樹脂119所覆蓋，因此 當(dāng)在上述圖7所示的裝置的上部貯存裝置105中收納大量半導(dǎo)體芯片 101等時候，能夠防止未被支承樹脂104覆蓋的半導(dǎo)體芯片101的角 部發(fā)生缺損的隱患。另外，此時也能夠通過在支承樹脂104的表面設(shè) 置多個凹凸118,從而防止覆蓋半導(dǎo)體芯片101的支承樹脂104彼此 因范德化力、靜電等而相互附著的隱患。 (實施方式3)
使用圖18~圖23耒說明本實施方式的IC標(biāo)簽用插件100的制造 方法。在圖18~圖20的各圖中，(a)是支承膜的俯視圖，(b)是 沿(a)的A-A線、B-B線、C-C線的剖視圖。
首先，如圖18所示，將通過切割半導(dǎo)體晶片116而獲得的多個半導(dǎo)體芯片101粘貼在支承膜200的表面上。為將半導(dǎo)體芯片101粘 貼在支承膜200的表面上，先切割粘接在上述圖2所示那樣的切割帶 117的表面上的半導(dǎo)體晶片116來形成多個半導(dǎo)體芯片101。接著， 在將該切割帶117的表面粘貼在支承膜200的表面上之后，除去切割 帶117,從而統(tǒng)一將多個半導(dǎo)體芯片101轉(zhuǎn)貼到支承膜200的表面一 側(cè)。此時，半導(dǎo)體芯片101在其主面與支承膜200相對的狀態(tài)下粘接 在支承膜200上。
然后，如圖19所示，通過對支承膜200從其中心向外周方向進(jìn) 行拉伸，擴(kuò)大半導(dǎo)體芯片IOI彼此的間隔。拉伸支承膜200的方向為 360度或X-Y方向，但只要是半導(dǎo)體芯片IOI彼此的間隔的偏差最 小的方法，則可以是任何方法。
另外，當(dāng)拉伸支承膜200時，預(yù)先加熱支承膜200能有效地使拉 伸變得容易。而且，在一次拉伸工序無法充分拉伸支承膜200的情況 下，通過重復(fù)將半導(dǎo)體芯片101轉(zhuǎn)載到其他支承膜上進(jìn)一步進(jìn)行拉伸 這樣的工序，可以充分?jǐn)U大半導(dǎo)體芯片IOI彼此的間隔。
接著，如圖20所示，使用絲網(wǎng)印刷法等來用支持樹脂120覆蓋 各個半導(dǎo)體芯片101之后，使支承樹脂120固化。然后，將由支承樹 脂120所覆蓋的半導(dǎo)體芯片101從支承膜200剝離后，如圖21所示， 將該半導(dǎo)體芯片101夾入上側(cè)天線102和下側(cè)天線103之間。半導(dǎo)體 芯片101在其兩面上形成有電極(上部電極132、下部電極133)， 因此在將半導(dǎo)體芯片101夾入上側(cè)天線102和下側(cè)天線103之間時， 不需要考慮半導(dǎo)體芯片IOI的上下朝向。即，半導(dǎo)體芯片101既可以 是上述圖21所示那樣的朝向，也可以是圖22所示那樣的朝向。在從 支承膜200剝離半導(dǎo)體芯片101的工序之前，通過在支承樹脂120的 表面設(shè)置多個凹凸，半導(dǎo)體芯片IOI的處理變得容易。
然后，如圖23所示，使支承樹脂120溶融、并對其進(jìn)行加壓， 同時/人上下兩方向?qū)ι蟼?cè)天線102和下側(cè)天線103進(jìn)4亍加壓。由此， 形成半導(dǎo)體芯片101的兩面上的電極(上部電極132、下部電極133) 中的一個電連接在上側(cè)天線102上，另一個電連接在下側(cè)天線103上，完成IC標(biāo)簽用插件100。
根據(jù)本實施方式，通過用支承樹脂104覆蓋超小型半導(dǎo)體芯片101 的周圍，能夠防止產(chǎn)生半導(dǎo)體芯片101彼此集聚、附著在排列夾具112 等上而難以分離這樣的問題，使半導(dǎo)體芯片IOI的處理變得容易，因 此能夠有效進(jìn)行將半導(dǎo)體芯片101連接在上側(cè)天線102和下側(cè)天線 103上的作業(yè)。由此，IC標(biāo)簽用插件100的生產(chǎn)率提高，因此能廉價 地大批量生產(chǎn)IC標(biāo)簽用插件100。
以上，根據(jù)實施方式具體說明了本發(fā)明人完成的發(fā)明，但本發(fā)明 并不限定于上述實施方式，當(dāng)然在不脫離其主旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各 種變更。
工業(yè)上的可利用性
本發(fā)明能夠適用于使用尺寸較小的半導(dǎo)體芯片的IC標(biāo)簽用插件 的制造中。
權(quán)利要求
1. 一種IC標(biāo)簽用插件的制造方法，該IC標(biāo)簽用插件包括在主面上形成有集成電路和第一電極且在背面上形成有第二電極的半導(dǎo)體芯片；與上述第一電極和上述第二電極中的一方相連接的第一天線；與上述第一電極和上述第二電極中的另一方相連接的第二天線；以及覆蓋被上述第一天線和上述第二天線夾持的上述半導(dǎo)體芯片的支承樹脂，該制造方法的特征在于，包括工序(a)，在主面上形成有集成電路和第一電極且在背面上形成有第二電極的半導(dǎo)體晶片的上述主面上覆蓋支承樹脂；工序(b)，將上述半導(dǎo)體晶片的背面粘貼在切割帶上；工序(c)，通過切割粘貼在上述切割帶上的上述半導(dǎo)體晶片來將其單片化為主面被上述支承樹脂所覆蓋的多個半導(dǎo)體芯片；工序(d)，通過對覆蓋上述多個半導(dǎo)體芯片各自的主面的上述支承樹脂進(jìn)行加熱、溶融，來用上述支承樹脂覆蓋上述多個半導(dǎo)體芯片各自的整個面；工序(e)，在上述工序(d)之后，將被上述支承樹脂所覆蓋的上述多個半導(dǎo)體芯片的每一個夾入上述第一天線和第二天線之間；以及工序(f)，在上述工序(e)之后，通過對上述支承樹脂進(jìn)行溶融、加壓，來使上述多個半導(dǎo)體芯片各自的上述第一電極與上述第一天線和上述第二天線中的一方電連接，并使上述第二電極與上述第一天線和上述第二天線中的另一方電連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC標(biāo)簽用插件的制造方法，其特征在于在上述工序(c)之前，在上述支承樹脂的表面形成凹凸。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC標(biāo)簽用插件的制造方法，其特征在于上述半導(dǎo)體芯片的外形尺寸為0.15mm角以下、厚度為lOiam以下。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC標(biāo)簽用插件的制造方法，其特征在于在上述工序(d)中，通過在過飽和狀態(tài)的有機(jī)氣體環(huán)境中加熱、 溶融上述支承樹脂，來控制覆蓋上述半導(dǎo)體芯片的整個面的上述支承 樹脂的直徑。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC標(biāo)簽用插件的制造方法，其特征在于在上述工序(d)之后、上述工序(e)之前，用外皮樹脂覆蓋上 述支承樹脂的外側(cè)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC標(biāo)簽用插件的制造方法，其特征在于在上述工序(a)中，在上述半導(dǎo)體晶片的主面上隔著第二樹脂而 覆蓋支承樹脂，在上述工序(c)中，在分割上述支承樹脂之后，統(tǒng) 一切割上述第二樹脂和上述半導(dǎo)體晶片。
7. —種IC標(biāo)簽用插件的制造方法，該IC標(biāo)簽用插件包括 在主面上形成有集成電路和第一電極且在背面上形成有第二電極的半導(dǎo)體芯片；與上述第一電極和上述第二電極中的一方相連接的第一天線； 與上述第一電極和上述第二電極中的另一方相連接的第二天線；以及覆蓋被上述第一天線和上述第二天線夾持的上述半導(dǎo)體芯片的 支承樹脂，該制造方法的特征在于，包括工序(a)，將在主面上形成有集成電路和第一電極且在背面上形 成有第二電極的半導(dǎo)體晶片的上述背面粘貼在切割帶上；工序(b),通過切割粘貼在上述切割帶上的上述半導(dǎo)體晶片來將其單片化為多個半導(dǎo)體芯片；工序(C),在將上述切割帶粘貼在支承膜上之后，通過除去上述切割帶來統(tǒng)一將上述多個半導(dǎo)體芯片轉(zhuǎn)貼到上述支承膜一側(cè)；工序(d),在上述工序(c)之后，通過將上述支承膜從其中心向外周方向拉伸來擴(kuò)大上述多個半導(dǎo)體芯片彼此的間隔；工序(e),在上述工序(d)之后，用支承樹脂覆蓋上述多個半 導(dǎo)體芯片的每一個；工序(f),在從上述支承膜上剝離被上述支承樹脂所覆蓋的上述 多個半導(dǎo)體芯片之后，將上述多個半導(dǎo)體芯片的每一個夾入第一天線 和第二天線之間；以及工序(g),在上述工序(f)之后，通過對上述支承樹脂進(jìn)行溶 融、加壓來使上述多個半導(dǎo)體芯片各自的上述第一電極與上述第一天 線和上述第二天線中的一方電連接，并使上述第二電極與上述第一天 線和上述第二天線中的另一方電連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的IC標(biāo)簽用插件的制造方法，其特征在于在上述工序(e)之后、上述工序(f)之前，在上述支承樹脂的 表面形成凹凸。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的IC標(biāo)簽用插件的制造方法，其特征在于上述半導(dǎo)體芯片的外形尺寸為0.15mm角以下、厚度為10um以下。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的IC標(biāo)簽用插件的制造方法，其特征在于在上述工序(e)中，使用絲網(wǎng)印刷法來用支承樹脂覆蓋上述多個 半導(dǎo)體芯片的每一個。
全文摘要
該IC標(biāo)簽用插件(100)由從上下兩面夾持具有上部電極(132)和下部電極(133)的半導(dǎo)體芯片(101)的上側(cè)天線(102)以及下側(cè)天線(103)、和覆蓋半導(dǎo)體芯片(101)的支承樹脂(104)構(gòu)成。半導(dǎo)體芯片(101)是外形尺寸為0.15mm角以下、厚度為10μm以下的超小型芯片。在IC標(biāo)簽用插件(100)的制造工序中，為了容易處理半導(dǎo)體芯片(101)，在將半導(dǎo)體芯片(101)夾入上側(cè)天線(102)和下側(cè)天線(103)之間的工序之前，用支承樹脂(104)覆蓋半導(dǎo)體芯片(101)的整個面，使實際體積變大。
文檔編號G06K19/07GK101460962SQ20068005482
公開日2009年6月17日 申請日期2006年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月2日
發(fā)明者宇佐美光雄 申請人:株式會社日立制作所