本實(shí)用新型涉及一種性價(jià)比高的車載電子裝置低端驅(qū)動(dòng)及其反饋電路。
背景技術(shù):
在電動(dòng)汽車快速發(fā)展的時(shí)代背景下,電動(dòng)汽車產(chǎn)品正在快速普及,但由此出現(xiàn)的電動(dòng)汽車安全事故也隨之增加。隨之而來的,就是對(duì)電動(dòng)車用車載電子裝置自身的安全性和可靠性提出了要求,同時(shí)為能快速定位故障,需要車載電子裝置知道自身的功能狀態(tài)。目前采用集成芯片方式進(jìn)行低端驅(qū)動(dòng)繼電器及對(duì)驅(qū)動(dòng)器件進(jìn)行監(jiān)測,較為復(fù)雜成本較貴。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種性價(jià)比高的低端驅(qū)動(dòng)電路及其反饋電路,能夠采用較為簡單的方式實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載繼電器的驅(qū)動(dòng),并能有效的對(duì)主驅(qū)動(dòng)MOSFET的狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)測。
為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種性價(jià)比高的車載電子裝置低端驅(qū)動(dòng)及其反饋電路,所述低端驅(qū)動(dòng)及其反饋電路包括低端驅(qū)動(dòng)輸出電路、輸出反饋電路,所述低端驅(qū)動(dòng)輸出驅(qū)動(dòng)電路輸出端與輸出反饋電路輸入端電性連接。
在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中,所述低端驅(qū)動(dòng)輸出電路包括第一電阻、第二電阻、第一電容、第一MOSFET,所述第一電阻第一端形成低端驅(qū)動(dòng)輸出電路的輸入端,第一電阻的第二端與第二電阻的第一端、第一電容的第一端、第一MOSFET的第一端連接在一起,第二電阻的第二端、第一電容的第二端分別與地線連接,第一MOSFET的第二端形成低端驅(qū)動(dòng)輸出電路的輸出端,第一MOSFET的第三端與地線連接。
在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中,所述輸出反饋電路包括第一二極管、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第二電容、第二三極管,所述第一二極管的陰極形成輸出反饋電路的輸入端,第一二極管的陽極和第三電阻的第一端、第四電阻的第一端、第二電容的第一端、第二三極管的第一端連接在一起,第三電阻的第二端連接第一電源,第四電阻的第二端、第二電容的第二端分別連接地線,第二三極管的第二端與第五電阻的第一端連接并形成輸出反饋電路的輸出端,第五電阻的第二端連接第二電源。
本實(shí)用新型具有以下有益效果:所述低端驅(qū)動(dòng)輸出電路能夠可靠的驅(qū)動(dòng)負(fù)載繼電器,所述輸出反饋電路能夠?qū)崟r(shí)的監(jiān)測主MOSFET的工作狀態(tài),同時(shí)不會(huì)影響負(fù)載繼電器的開通與關(guān)斷。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型性價(jià)比高的車載電子裝置低端驅(qū)動(dòng)及其反饋電路的電路圖;
附圖中各部件的標(biāo)記如下:R1、第一電阻,R2、第二電阻,R3、第三電阻, R4、第四電阻,R5、第五電阻,C1、第一電容,C2、第二電容,Q1、第一MOSFET, Q2、第二三極管。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述,以使本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解,從而對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
請(qǐng)參閱圖1,本實(shí)用新型實(shí)施例包括:
一種性價(jià)比高的車載電子裝置低端驅(qū)動(dòng)及其反饋電路,包括:低端驅(qū)動(dòng)輸出電路、輸出反饋電路,所述低端驅(qū)動(dòng)輸出電路輸出端與輸出反饋電路輸入端電性連接。所述低端驅(qū)動(dòng)輸出電路包括第一電阻R1、第二電阻R2、第一電容 C1、第一MOSFET Q1,所述第一電阻R1第一端形成低端驅(qū)動(dòng)輸出電路的輸入端,第一電阻R1的第二端與第二電阻R2的第一端、第一電容C1的第一端、第一MOSFET Q1的第一端連接在一起,第二電阻R2的第二端、第一電容C1 的第二端分別與地線連接,第一電阻R1、第一電容C1形成第一RC濾波電路,能夠減少交流信號(hào)的串?dāng)_,第一MOSFET的第二端形成低端驅(qū)動(dòng)輸出電路的輸出端,第一MOSFET的第三端與地線連接。
在本實(shí)施例中,所述輸出反饋電路包括第一二極管D1、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第二電容C2、第二三極管Q2,所述第一二極管D1的陰極形成輸出反饋電路的輸入端,第一二極管D1的陽極和第三電阻R3的第一端、第四電阻R4的第一端、第二電容C2的第一端、第二三極管Q2的第一端連接在一起,第三電阻R3的第二端連接第一電源VCC,第四電阻R4的第二端、第二電容C2的第二端分別連接地線,第三電阻R3和第四電阻R4組成分壓電路,為第二三極管Q2的導(dǎo)通提供驅(qū)動(dòng)電壓,同時(shí)第四電阻R4與第二電容C2 形成第二RC濾波,能夠減小其他交流電的干擾,第二三極管Q2的第二端與第五電阻R5的第一端連接并形成輸出反饋電路的輸出端,第五電阻R5的第二端連接第二電源VCC。
主MOSFET正常工作時(shí),當(dāng)主驅(qū)動(dòng)MOSFET導(dǎo)通,輸出反饋電路檢測驅(qū)動(dòng)輸出電平為低,向MCU輸出高電平,當(dāng)主驅(qū)動(dòng)MOSFET關(guān)斷,輸出反饋電路因第一二極管的存在而使得MCU收到的反饋輸出電平為低,第一二極管同時(shí)為反饋電路不影響負(fù)載繼電器的工作狀態(tài)提供了可能。
以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例,并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍,凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。