一種用于限制電流過沖的裝置制造方法
【專利摘要】本申請涉及電流過沖限制電路。除其他情況之外，本申請討論了使用開關(guān)反饋電路對連接到電子元件上的晶體管的柵極進行預(yù)處理以限制電子元件中的電流過沖的裝置和系統(tǒng)。
【專利說明】—種用于限制電流過沖的裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本申請一般地涉及用于限制電流過沖的電路，尤其涉及使用開關(guān)反饋電路實現(xiàn)限制電流過沖的電路。
【背景技術(shù)】
[0002]超過合規(guī)水平的輸入電流可能損壞電子元件(例如，發(fā)光二極管(LEDs))。電流源驅(qū)動器能夠提供用于電子元件工作的基本恒定的電流。因此，電流源驅(qū)動器一般用于電子元件(例如，LEDs)的工作中。
實用新型內(nèi)容
[0003]然而，像許多電流源一祥，在最初被啟動的系統(tǒng)上，電流源驅(qū)動器或許會產(chǎn)生伴隨有很大的電壓或電流擺動的瞬變電壓或瞬變電流。所述電子元件本身可通過抵制電壓或電流的變化而促進這樣的擺動。雖然這些電流源驅(qū)動器能夠穩(wěn)定到ー恒定電壓，系統(tǒng)的啟動所產(chǎn)生的擺動或許會在所述電子元件中產(chǎn)生能夠損壞所述電子元件的電流過沖。
[0004]除其他情況之外，本申請討論了使用開關(guān)反饋電路對連接到所述電子元件上的晶體管的柵極進行預(yù)處理以限制電子元件中的電流和/或電壓過沖的裝置、系統(tǒng)和方法。
[0005]根據(jù)ー個方面，提供了一種用于限制電流過沖的裝置。所述裝置可包括:放大器，包括輸入端和輸出端，所述輸出端被配置為提供輸出電壓；檢測晶體管，包括連接到所述放大器的所述輸出端處的檢測柵極，且被配置為使用第一輸入電壓提供檢測電壓；吸收晶體管，包括連接到所述放大器的所述輸出端處的吸收柵極，所述吸收晶體管連接到電子元件上且被配置為使用第二輸入電壓提供吸收電壓；開關(guān)反饋電路，被配置為通過基于所述第二輸入電壓選擇性地將所述檢測電壓和所述吸收電壓連接到所述放大器的所述輸入端處，利用所述放大器的所述輸出電壓對所述檢測柵極和所述吸收柵極進行預(yù)處理；其中，所述第二輸入電壓被配置為選擇性地被啟動，所述第二輸入電壓被配置為當(dāng)所述第二輸入電壓被啟動時，從初始電壓變化到最終電壓；以及其中，所述開關(guān)反饋電路被配置為選擇性地將所述檢測電壓連接到所述放大器的所述輸入端處，以限制所述電子元件中的電流過沖。
[0006]此概述意在提供本專利申請主題的概述。并不g在提供本實用新型專用的或全面的說明?！揪唧w實施方式】包含用于提供有關(guān)本專利申請的更多信息。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]在附圖(其不一定按比例繪制)中，相似的附圖標記可在不同的視圖中描述相似的部件。具有不同字母后綴的相似附圖標記可表示同類部件的不同例子。附圖以示例而非限制的方式大體示出了本文中所論述的各個實施例。
[0008]圖1大體示出了電流源驅(qū)動器的一個實施例，所述電流源驅(qū)動器被配置為驅(qū)動電子元件(例如，發(fā)光二極管(LED))；
[0009]圖2大體示出了電流源驅(qū)動器的一個實施例，所述電流源驅(qū)動器被配置為預(yù)處理并在減小的過沖下驅(qū)動電子元件(如發(fā)光二極管(LED));
[0010]圖3大體示出了電子元件中的電流過沖的實施例；
[0011]圖4大體不出了包括放大器的第一輸出電壓的輸出電壓的實施例；
[0012]圖5大體出了電子元件的負極電壓的實施例。
【具體實施方式】
[0013]本申請涉及一種技術(shù)，該技術(shù)能夠大大限制電流源驅(qū)動器(例如，發(fā)光二極管(LED)發(fā)光驅(qū)動器)中的電流過沖量。在一個實施例中，電流可被建立在檢測場效晶體管(FET)中，所述檢測場效晶體管(FET)使驅(qū)動放大器的的初始驅(qū)動放大器的初始輸出和輸入穩(wěn)定到接近于輸出和輸入的最終值。當(dāng)在電子元件(例如，LED)上施加足夠的驅(qū)動電壓以維持發(fā)光電流時，該反饋回路可從所述檢測FET轉(zhuǎn)換到連接到所述電子元件上的吸收FET。
[0014]圖1大體示出了電流源驅(qū)動器100的一個實施例，所述電流源驅(qū)動器100包括放大器105和吸收晶體管110，所述吸收晶體管110被配置為驅(qū)動電子元件(例如，發(fā)光二極管(LED) 115)。所述電流源驅(qū)動器100可配置為接收來自第一電源(例如，電池(Vbat) 120)的電壓，并且參考電流(IKEF)125可配置為在參考電阻器130上建立參考電壓(VKEF)，所述參考電壓(Vkef)被提供給所述放大器105的非反相輸入端。
[0015]在圖1中的實施例中，所述LED115可配置為接收來自第二電源(例如，電源(Pvdd)135)的電壓。在所述PVDD135升高(例如，在起始時，等等)直到達到閾值電壓期間，只有很小的電流甚至沒有電流通過所述LED115。因此，所述吸收晶體管110的源極電壓和所述放大器105的反相輸入電壓為O伏。相應(yīng)地，所述放大器105能夠嘗試使用高電壓驅(qū)動所述吸收晶體管110的柵極并使得所述放大器105的反相輸入與所述非反相輸入相等。
[0016]當(dāng)Pvdd135進一步上升至閾值電壓之上則所述LED115允許電流流動且在所述放大器125的反相輸入端上建立電壓，回路將穩(wěn)定，并提供經(jīng)過所述LED115和吸收電阻器140到達地的電流。然而，在某些實施例中，流過所述LED115的電流在穩(wěn)定之前或許會高于所述LED115的合規(guī)水平(如，高出所述合規(guī)水平達到50%之多，等等)。
[0017]圖2大體示出了電流源驅(qū)動器200的一個實施例，所述電流源驅(qū)動器200被配置為預(yù)處理并在相對于所述電流源驅(qū)動器100的減少的過沖下驅(qū)動電子元件(例如，發(fā)光二極管(LED) 115)。所述電流源驅(qū)動器200可包括放大器105，檢測晶體管145，吸收晶體管110，比較器160和開關(guān)155。
[0018]由于所述第一電源(如，Vbat120)可以被啟動或者總的來說具有提前于所述電流源驅(qū)動器200的電壓，可以很快達到所述檢測晶體管145的源極處的電壓。相比之下，由于所述第二電源(如，PVDD135)在啟動時包括一個變化階段，且進一步由于所述第二電源可連接到所述電子元件上，所述吸收晶體管110的源極處的電壓可能花費較長時間達到穩(wěn)態(tài)值。
[0019]在一個實施例中，當(dāng)PVDD135低于閾值電壓時(例如，起始時，等等)，所述開關(guān)155可配置為將所述檢測晶體管145的源極連接到所述放大器105的反相輸入端處。在一個實施例中，可選擇所述檢測晶體管145和所述檢測電阻器150的大小以在所述放大器105的輸出端處提供大致與提供給所述LED115的最終的穩(wěn)態(tài)電壓相同的輸出電壓，且相對于所述電流源驅(qū)動器100減少了所述LED115中的電流過沖量。
[0020]在一個實施例中，在PVDD135升高時(如，在所述閾值電壓之上，等等)，所述LED115的負極處可產(chǎn)生一電壓。比較器160可配置為將所述LED115的負極處的電壓與參考電壓(Veef) 165進行比較且通過所述比較控制所述開關(guān)155。當(dāng)所述LED115的所述負極電壓升至Vkef165的電壓電平時，所述開關(guān)155能夠?qū)⑺鑫站w管110的源極連接到所述放大器105的反相輸入端處。在該實施例中，因為使用所述檢測晶體管145將所述放大器105的所述輸出穩(wěn)定到與其最終的穩(wěn)態(tài)電壓值接近的電壓值處，所以與所述電流源驅(qū)動器100對t匕，所述LED115中的電流有很小的過沖甚至沒有過沖。
[0021 ] 在一個實施例中，所述檢測晶體管和吸收晶體管145、110可包括η溝道晶體管(例如，η溝道場效晶體管(FETs))，或一個或多個其他類型的晶體管，包括但不限制于，金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFETs)，耗盡型MOSFETs和η溝道結(jié)型場效晶體管(JFETs)。在一個實施例中，可以對所述檢測晶體管和檢測電阻器145、150以及所述吸收晶體管和吸收電阻器110、140的大小分別進行設(shè)置以在穩(wěn)態(tài)下在所述開關(guān)155處產(chǎn)生幾乎相等的電壓，還減小了所述第一電源(如，VBAT120)的電流消耗。在這樣的實施例中，例如所述檢測晶體管145的大小為所述吸收晶體管110的1/m，以減少所述第一電源的電流消耗，例如所述檢測晶體管150的大小可為所述吸收電阻器140的m倍，以獲得與所述檢測晶體管和吸收晶體管145、110處于穩(wěn)態(tài)時的源極處的電壓幾乎相同的電壓。
[0022]可選擇變量m使得通過所述檢測晶體管145的電流最小。然而，減小所述檢測晶體管145的大小或許會放大所述檢測晶體管145的制造中的工藝偏差。其結(jié)果是，盡管增大所述變量m或許會產(chǎn)生通過所述檢測晶體管145的更小的電流，然而增大所述變量m或許引起所述檢測晶體管145的源極電壓的變化(如，由于工藝偏差)?？紤]到所述電流源驅(qū)動器200的各種實施方式的特殊環(huán)境，減小的電流和精確的電壓的好處可被抵消。在一個實施例中，所述變量m可選擇1000。在其他實施例中,可選擇一個或多個其他變化量,如100或 10000。
[0023]圖3大體示出了電子元件(如，所述LEDl 15)中的電流過沖300的實施例，所述電流過沖300包括通過使用圖1所示的所述電流源驅(qū)動器100的所述電子元件的第一電流301，以及通過使用圖2所示的所述電流源驅(qū)動器200的所述電子元件的第二電流302。通過所述電流源驅(qū)動器100的所述第一電流301中的初始過沖超過所述穩(wěn)態(tài)電流至少50%。相反地，通過所述電流源驅(qū)動器200的所述第二電流302中的初始過沖超過穩(wěn)態(tài)電流少于10%。
[0024]圖4大體示出了輸出電壓400的實施例，所述輸出電壓400包括圖1所示的所述電流源驅(qū)動器100的所述放大器105的第一輸出電壓401和圖2所示的所述電流源驅(qū)動器200的所述放大器105的第二輸出電壓402。由于所述放大器105的反相輸入端處的電壓最初較低，所述第一輸出電壓401在穩(wěn)定到穩(wěn)態(tài)電壓之前可推到很高。與所述第一輸出電壓401相對比，所述第二輸出電壓402上升到與所述穩(wěn)態(tài)電壓大致相同的初始電壓處。在圖4所示的實施例中，所述第二輸出電壓402的初始值與穩(wěn)態(tài)值之間的變化小于所述第一輸出電壓401的所述初始值與穩(wěn)態(tài)值的變化的1/10。
[0025]圖5大體示出了電子元件(如，所述LED115)的負極電壓500的實施例，所述負極電壓500包括圖1所示的所述電流源驅(qū)動器100的電子元件的第一負極電壓501和圖2所示的所述電流源驅(qū)動器200的電子元件的第二負極電壓502。
[0026]附加注釋
[0027]在實施例1中，一種裝置包括放大器，所述放大器包括輸入端和輸出端，所述輸出端被配置為提供輸出電壓，檢測晶體管包括連接到所述放大器的所述輸出端處的檢測柵極且被配置為使用第一輸入電壓提供檢測電壓，吸收晶體管包括連接到所述放大器的所述輸出端處的吸收柵極，所述吸收晶體管連接到電子元件上且被配置為使用第二輸入電壓提供吸收電壓，以及開關(guān)反饋電路被配置為通過基于所述第二輸入電壓選擇性地將所述檢測電壓和所述吸收電壓連接到所述放大器的所述輸入端處，利用所述放大器的所述輸出電壓選擇性地對所述檢測柵極和所述吸收柵極進行預(yù)處理，其中，所述第二輸入電壓被配置為選擇性地被啟動，所述第二輸入電壓被配置為當(dāng)所述第二輸入電壓被啟動時從初始電壓變化到最終電壓，其中，所述開關(guān)反饋電路被配置為選擇性地將所述檢測電壓連接到所述放大器的所述輸入端處以限制所述電子元件中的電流過沖。
[0028]在實施例2中，實施例1中所述的吸收晶體管的大小可選地大于所述檢測晶體管的大小。
[0029]在實施例3中，實施例1-2中的任一個或多個所述的檢測晶體管可選地連接到第一電阻器上且所述吸收晶體管連接到第二電阻器上，實施例1-2中的任一個或多個所述的吸收晶體管的大小可選地與所述檢測晶體管的大小以ー比例成正比，且實施例1-2中的任一個或多個所述的第二電阻器可選地與所述第一電阻器的大小以所述比例成反比。
[0030]在實施例4中，實施例1-3中的任一個或多個所述的吸收電壓可選地基于所述電子元件上的電壓降。
[0031]在實施例5中，實施例1-4中的任一個或多個所述的電子元件中的電流過沖可選地基于超過所述電子元件的合規(guī)電壓的電子元件上的電壓降。
[0032]在實施例6中，實施例1-5的任一個或多個所述的開關(guān)反饋電路可選地包括比較器和開關(guān)，所述比較器被配置為產(chǎn)生輸出電壓且連接到所述吸收晶體管和所述電子元件之間，所述開關(guān)連接到所述比較器和所述檢測晶體管及所述吸收晶體管之間，所述開關(guān)被配置為選擇性地與所述檢測晶體管和所述吸收晶體管中的至少ー個進行連接以基于或至少部分基于所述比較器的輸出將所述檢測電壓和所述吸收電壓中的至少ー個提供給所述放大器的所述輸入端。
[0033]在實施例7中，實施例1-6中的任一個或多個所述的開關(guān)可選地為ニ元開關(guān)，所述ニ元開關(guān)被配置為在任何時候選擇性地將所述檢測晶體管和所述吸收晶體管中的僅ー個連接到所述放大器輸入端處。
[0034]在實施例8中，實施例1-7中的任一個或多個所述的比較器可選地被配置為將基于所述吸收電壓的比較電壓和參考電壓進行比較以產(chǎn)生所述輸出。
[0035]在實施例9中，電壓源被配置為可選地施加實施例1-8中的任一個或多個所述的第二輸入電壓。
[0036]在實施例10中，實施例1-9中的任一個或多個所述的電壓源可選地被配置為將所述第二輸入電壓的幅度從所述初始電壓増大到所述最終電壓。
[0037]在實施例11中，實施例1-10中的任一個或多個所述的電子元件可選地包括發(fā)光ニ極管(LED)。
[0038]在實施例12中，實施例1-11中的任一個或多個所述的第一輸入電壓可選地通過電池產(chǎn)生。
[0039]在實施例13中，ー種方法,包括從放大器的輸出端處提供輸出電壓,使用第一輸入電壓通過檢測晶體管提供檢測電壓，使用第二輸入電壓通過連接到電子元件上的吸收晶體管提供吸收電壓，所述開關(guān)反饋電路通過基于所述第二輸入電壓選擇性地將所述檢測電壓和所述吸收電壓連接到所述放大器的的所述輸入端處利用所述放大器的所述輸出電壓對所述檢測晶體管上的檢測柵極和所述吸收晶體管上的吸收柵極進行預(yù)處理，選擇性地啟動所述第二輸入電壓，當(dāng)所述第二輸入電壓被啟動后所述第二輸入電壓從初始電壓變化到最終電壓，且使用所述開關(guān)反饋電路選擇性地將所述檢測電壓連接到所述放大器的所述輸入端處以限制所述電子元件中的電流過沖。
[0040]在實施例14中，提供實施例1-13中的任一個或多個所述的檢測電壓和吸收電壓可選地基于大于所述檢測晶體管的大小的所述吸收晶體管的大小。
[0041]在實施例15中，提供實施例1-14中的任一個或多個所述的所述檢測電壓和所述吸收電壓可選地基于連接到第一電阻器上的所述檢測晶體管以及連接到第二電阻器上的所述吸收晶體管，實施例1-14中的任一個或多個所述的吸收晶體管的大小可選地與所述檢測晶體管的大小以一比例成正比，且實施例1-14中的任一個或多個所述的第二電阻器的大小可選地與所述第一電阻器的大小以所述比例成反比。
[0042]在實施例16中，提供實施例1-15中的任一個或多個所述的庫電壓可選地基于所述電子元件上的電壓降。
[0043]在實施例17中，通過選擇性地將所述檢測電壓連接到輸入端處，實施例1-16中的任一個或多個所述的電子元件中的所述電流過沖可選地基于超過所述電子元件的合規(guī)電壓的所述電子元件上的電壓降。
[0044]在實施例18中，使用實施例1-17中的任一個或多個所述的開關(guān)反饋回路的比較器產(chǎn)生輸出電壓，可選地連接到所述吸收晶體管和所述電子元件之間，且選擇性地將所述檢測晶體管和所述吸收晶體管中的至少一個與比較器及實施例1-17中的任一個或多個所述的檢測晶體管和吸收晶體管之間的所述開關(guān)反饋電路的開關(guān)相連接，可選地將所述檢測電壓和所述吸收電壓中的至少一個提供給基于或至少部分基于所述比較器的輸出端的所述放大器的所述輸入端。
[0045]在實施例19中，實施例1-18中的任一個或多個所述的開關(guān)選擇性地為二元開關(guān)，且選擇性的與實施例1-18中的任一個或多個所述的開關(guān)連接可選地隨時將所述檢測電壓和所述吸收晶體管中的僅一個連接到所述放大器輸入端。
[0046]在實施例20中，通過實施例1-19中的任一個或多個所述的比較器產(chǎn)生輸出選擇性地產(chǎn)生以所述吸收電壓和參考電壓相比較為基礎(chǔ)的比較電壓，以產(chǎn)生所述輸出。
[0047]在實施例21中，施加實施例1-20中的任一個或多個所述的第二輸入電壓可選地使用電壓源。
[0048]在實施例22中，實施例1-21中的任一個或多個可選地將所述第二輸入電壓的幅度從所述初始電壓增加到所述最終電壓。
[0049]在實施例23中，實施例1-22中的任一個或多個所述的電子元件可選地包括發(fā)光二極管(LED)。
[0050]在實施例24中，實施例1-23中的任一個或多個所述的第一電壓可選地利用電池產(chǎn)生。
[0051]在實施例25中，一種系統(tǒng)，包括放大器，檢測晶體管，電壓源，吸收晶體管以及開關(guān)反饋電路，所述放大器包括輸入端和輸出端，所述輸出端被配置為提供輸出電壓，所述檢測晶體管包括連接到所述放大器的所述輸出端處的檢測柵極且被配置為使用電池提供的第一輸入電壓提供檢測電壓，所述電壓源被配置為選擇性地提供第二輸入電壓，所述第二輸入電壓被配置為當(dāng)所述第二輸入電壓被啟動時從初始電壓變化到最終電壓，所述吸收晶體管包括連接到所述放大器的所述輸出端處的吸收柵極，所述吸收晶體管通過被配置為連接到發(fā)光二極管(LED)上且被配置為使用所述第二輸入電壓提供吸收電壓，開關(guān)反饋電路被配置為通過選擇性地將所述檢測電壓和所述吸收電壓連接到所述放大器的基于所述第二輸入電壓的所述輸入端處，利用所述放大器的所述輸出電壓對所述檢測柵極和所述吸收柵極進行預(yù)處理，以及選擇性地將所述檢測電壓連接到所述放大器的所述輸入端處以限制所述電子元件中的電流過沖。
[0052]在實施例26中，實施例1-25中的任一個或多個所述的庫晶體管的大小可選地大于所述檢測晶體管的大小，實施例1-25中的任一個或多個所述的檢測晶體管可選地連接到第一電阻器上且所述吸收晶體管連接到第二電阻器上，實施例1-25中的任一個或多個所述的吸收晶體管可選地與所述檢測晶體管以一比例成正比，且實施例1-25中的任一個或多個所述的第二電阻器的大小可選地與所述第一電阻器的大小以所述比例成反比。
[0053]在實施例27中，一種系統(tǒng)或裝置包括，或可選的為實施例1-26中的任一個或多個的任一部分或任意結(jié)合以包括，實施例1-26的功能中的任一個或多個的裝置，或包括指令的機器可讀介質(zhì)，所述指令為，當(dāng)被機器執(zhí)行時，使得所述機器執(zhí)行實施例1-26中的功能的任一個或多個。
[0054]上述【具體實施方式】包括對附圖的參考，附圖形成【具體實施方式】的一部分。附圖以舉例說明的方式示出了本實用新型能夠用以實踐的具體實施例。于此，這些實施例也稱為“示例”。這樣的實施例能夠包括所解釋或者描述的之外的部件。然而，本發(fā)明人還是對提供了所說明或描述的部件的實施例進行考慮。而且，本發(fā)明人對利用這些所說明或描述的部件組合或者變換(或其一個或者多個方面)的實施例進行了思考，不論是特殊的實施例(或其一個或者多個方面)或者是此處所解釋或者描述的其它實施例(或其一個或者多個方面)。
[0055]本申請所涉及的所有出版物、專利及專利文件全部作為本申請的參考內(nèi)容，盡管它們是分別加以參考的。如果本申請與參考文件之間存在用途差異，則將參考文件的用途視作本申請的用途的補充，若兩者之間存在不可調(diào)和的差異，則以本申請的用途為準。
[0056]在本申請中，與專利文件通常使用的一樣，術(shù)語“一”或“某一”表示包括一個或兩個以上，不同于“至少一個”或“一個或更多”的其它例子或用法。在本申請中，除非另外指明，否則使用術(shù)語“或”指無排他性的或者是，“A或B”包括:“A但不是B”、“B但不是A”以及“A和B”。在所附的權(quán)利要求中，術(shù)語“包含”和“在其中”等同于各個術(shù)語“包括”和“其中”的通俗英語而使用。而且，在下述權(quán)利要求中，術(shù)語“包含”和“包括”是開放性的，即，包括除了權(quán)利要求中這樣的術(shù)語之后所列出的那些要素以外的要素的系統(tǒng)、裝置、物品或步驟，依然視為落在該項權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。而且，在下述權(quán)利要求中，術(shù)語“第一”、“第二”和“第三”等僅僅用作標識，并非對其對象有數(shù)量要求。
[0057]此處所描述的方法的示例能夠至少在某種程度上由機器或計算機完成。一些示例能夠包括計算機可讀介質(zhì)或機器可讀介質(zhì)，所述計算機可讀介質(zhì)或機器可讀介質(zhì)由可操作指令進行編碼以配置電子器件用以按照以上示例所述執(zhí)行所述方法。這些方法的實現(xiàn)能夠包括代碼，比如，微代碼、匯編代碼、高級語言代碼或類似代碼。這樣的代碼能夠包括用于執(zhí)行不同方法的計算機可讀指令。這些代碼可以來自于計算機程序產(chǎn)品的一部分。而且，所屬代碼能夠真實地存儲于一個或多個易失性或非易失性的有形的計算機可讀介質(zhì)中，比如在執(zhí)行期間或者其它時候。這些有形的計算機可讀介質(zhì)的示例能夠包括，但并不僅限于，硬盤、可移動磁盤、可移動光盤(例如，高密度磁盤以及數(shù)字化視頻光盤)，只讀存儲器(ROMs)以及類似物品。
[0058]以上實施方式g在解釋說明而非限制。在其它實施例中，以上實施方式的示例(或其ー個或多個方面)可以相互結(jié)合使用。例如，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通過回顧以上實施方式可以使用其他實施例。摘要被提供以符合37C.F.R.§1.72 (b)，從而使得讀者能夠快速確定技術(shù)實用新型的類型。應(yīng)當(dāng)理解的是，該摘要將不用于解釋或限制權(quán)利要求的范圍或意義。而且，在以上的【具體實施方式】中，各種特征可組合在一起以簡化本實用新型。這不應(yīng)理解為未要求的公開特征對任何權(quán)利要求來說是必不可少的。相反，創(chuàng)造性的主題可以以比特定公開實施例的所有特征更少的特征而存在。因而，下述的權(quán)利要求以每個權(quán)利要求作為單獨實施例的方式并入【具體實施方式】中。本實用新型的范圍應(yīng)當(dāng)參照所附的權(quán)利要求以及與這些權(quán)利要求的所屬相 當(dāng)?shù)恼麄€范圍來確定。
【權(quán)利要求】
1.一種用于限制電流過沖的裝置，包括: 放大器，包括輸入端和輸出端，所述輸出端被配置為提供輸出電壓； 檢測晶體管，包括連接到所述放大器的所述輸出端處的檢測柵極，且被配置為使用第一輸入電壓提供檢測電壓； 吸收晶體管，包括連接到所述放大器的所述輸出端處的吸收柵極，所述吸收晶體管連接到電子元件上且被配置為使用第二輸入電壓提供吸收電壓； 開關(guān)反饋電路，被配置為通過基于所述第二輸入電壓選擇性地將所述檢測電壓和所述吸收電壓連接到所述放大器的所述輸入端處，利用所述放大器的所述輸出電壓對所述檢測柵極和所述吸收柵極進行預(yù)處理； 其中，所述第二輸入電壓被配置為選擇性地被啟動，所述第二輸入電壓被配置為當(dāng)所述第二輸入電壓被啟動時，從初始電壓變化到最終電壓；以及 其中，所述開關(guān)反饋電路被配置為選擇性地將所述檢測電壓連接到所述放大器的所述輸入端處，以限制所述電子元件中的電流過沖。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述吸收晶體管的大小大于所述檢測晶體管的大小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述檢測晶體管連接到所第一電阻器上且所述吸收晶體管連接到第二電阻器上； 其中，所述吸收晶體管的大小與所述檢測晶體管的大小以一比例成正比； 其中，所述第二電阻器的大小與所述第一電阻器的大小以所述比例成反比。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任一項所述的裝置，其中，所述吸收電壓基于所述電子元件上的電壓降。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述電子元件中的電流過沖基于超過所述電子元件的合規(guī)電壓的所述元件上的電壓降。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任一項所述的裝置，其中，所述開關(guān)反饋電路包括: 比較器，被配置為產(chǎn)生輸出且連接到所述吸收晶體管和所述電子元件之間；以及 開關(guān)，連接到所述比較器和所述檢測晶體管及所述吸收晶體管之間，所述開關(guān)被配置為選擇性地將所述檢測晶體管和所述吸收晶體管中的至少一個進行連接，以基于或至少部分基于所述比較器的輸出將所述檢測電壓和所述吸收電壓中的至少一個提供給所述放大器的所述輸入端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述開關(guān)為二元開關(guān)，所述二元開關(guān)被配置為在任何時候選擇性地將所述檢測電壓和所述吸收晶體管中的僅一個連接到所述放大器輸入端處。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述比較器被配置為將基于所述吸收電壓的比較電壓和參考電壓進行比較以產(chǎn)生所述輸出電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的裝置，包括電壓源，所述電壓源配置為施加所述第二輸入電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述電壓源被配置為將所述第二輸入電壓的幅度從所述初始電壓增大到所述最終電壓。
【文檔編號】G05F1/56GK203386098SQ201320311774
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2013年5月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月31日
【發(fā)明者】C·科佐里諾, 蒂莫西·艾倫·迪伊薇特 申請人:快捷半導(dǎo)體(蘇州)有限公司, 快捷半導(dǎo)體公司