專利名稱：為細(xì)線和空間封裝應(yīng)用形成高密度金屬布線的方法及由此形成的結(jié)構(gòu)的制作方法
為細(xì)線和空間封裝應(yīng)用形成高密度金屬布線的方法及由此
形成的結(jié)構(gòu)
背景技術(shù)：
微電子封裝設(shè)計正朝愈加更細(xì)線路發(fā)展，以便滿足更大功能性和更高速度的要 求。這種趨勢對高密度印刷電路板(PCB)和封裝襯底提出增加的要求。使用現(xiàn)有布線技術(shù) 來擴(kuò)展常規(guī)封裝積聚(build up)工藝(process)以滿足更細(xì)線路尺寸在封裝制造中產(chǎn)生 了瓶頸。


雖然本說明書以具體指出并明確主張被認(rèn)為是本發(fā)明的權(quán)利要求書來結(jié)束，但是 通過結(jié)合附圖閱讀以下對本發(fā)明的描述，本發(fā)明的優(yōu)點可更易于確定，附圖中圖Ia-Ih表示根據(jù)本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)。圖2a_2b表示根據(jù)本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)。圖3a_3c表示根據(jù)本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)。圖4a_4c表示根據(jù)本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)。圖5表示根據(jù)本發(fā)明實施例的系統(tǒng)。
具體實施例方式在以下具體實施方式
中，以附圖為參照，附圖以說明方式示出可實施本發(fā)明的具 體實施例。充分詳細(xì)地描述這些實施例，使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。要理解，本發(fā) 明的各個實施例雖然不同，但不一定相互排斥。例如，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況 下，本文中結(jié)合一個實施例所述的具體功能、結(jié)構(gòu)或特性可在其它實施例中實現(xiàn)。另外要理 解，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況下，可修改每個所公開實施例中各個要素的位置或 布置。因此，以下詳細(xì)描述不是限制性的，本發(fā)明的范圍僅由適當(dāng)解釋的隨附權(quán)利要求書以 及授權(quán)給權(quán)利要求書的全部等效范圍定義。附圖中，同樣的標(biāo)號在若干視圖中表示相同或 相似的功能性。描述形成微電子結(jié)構(gòu)的方法。那些方法可包括形成通過積聚結(jié)構(gòu)以及設(shè)置在積 聚結(jié)構(gòu)上的光敏材料的至少一個開口，其中積聚結(jié)構(gòu)包括封裝襯底的一部分；用含金屬納 米膠填充該至少一個開口 ；以及燒結(jié)含金屬納米膠，以在該至少一個開口中形成整體性質(zhì) 金屬結(jié)構(gòu)。例如，本發(fā)明的方法實現(xiàn)供封裝應(yīng)用中使用的細(xì)線/空間布線的制造。例如，圖Ia-Ih示出形成微電子結(jié)構(gòu)的方法、例如用于形成封裝結(jié)構(gòu)的部分的方 法的實施例。圖Ia示出封裝結(jié)構(gòu)100—部分的截面(在一個實施例中，封裝襯底可包括有 機(jī)襯底)。封裝襯底100可例如包括諸如光致抗蝕劑材料的光敏材料102、積聚材料104 (例 如聚合物材料)和核心材料106。可使用其它聚合物材料來代替光致抗蝕劑，只要可通過適 當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)制品/工藝將它從積聚材料104中選擇性地去除。封裝襯底100還可包括至少一 個通孔結(jié)構(gòu)108和至少一個線結(jié)構(gòu)110，它在一些實施例中可包括例如封裝襯底100中導(dǎo)電
4通孔和導(dǎo)電布線的導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)。至少一個開口 112a、112b可在光敏材料102和積聚材料104中/通過光敏材料 102和積聚材料104形成。在一個實施例中，至少一個開口 112a可包括可使觸點111暴露 于至少一個通孔結(jié)構(gòu)108的通孔觸點開口，并且至少一個開口 112b可包括可包含到至少一 個線結(jié)構(gòu)110的觸點113的細(xì)導(dǎo)電線開口。在一些實施例中，至少一個開口 112a、112b可 通過利用激光消融工藝和例如納米壓印工藝的壓印工藝中至少之一來形成。在一個實施例中，納米壓印工具314可用于形成通過光敏材料302和積聚材料304 一部分的至少一個開口 312a(圖3a-3b)。然后，可利用激光消融工藝316來通過光敏材料 302和積聚材料304形成到至少一個線結(jié)構(gòu)310的至少一個開口 312b，其中可暴露到至少 一個線結(jié)構(gòu)310的觸點313 (圖3c)。在形成至少一個開口 312b的激光消融工藝316期間， 通過去除積聚材料304的剩余部分以使到至少一個通孔結(jié)構(gòu)308的觸點311暴露，也可完 成/形成至少一個開口 312a。根據(jù)具體應(yīng)用，光敏材料302和/或積聚材料304的厚度可改變。例如，如果難以 同時制作通過光敏材料302和積聚材料304的壓印，則可僅對光敏材料302執(zhí)行納米壓印， 之后跟隨積聚材料304的激光消融。在另一實施例中，第一激光消融工藝416a可用于形成通過光敏材料402和積聚材 料404 —部分的至少一個開口 412a的一部分(圖4a-4b)。然后，可利用第二激光消融工藝 416b形成通過光敏材料402和積聚材料404 二者的至少一個開口 412b，其中可暴露到至少 一個線結(jié)構(gòu)410的觸點413 (圖4c)。在形成至少一個開口 412b的第二激光消融工藝416b 期間，通過去除積聚材料404的剩余部分以使到至少一個通孔結(jié)構(gòu)408的觸點411暴露，也 可完成/形成至少一個開口 412a。在形成至少一個開口 112a、112b (又參見圖Ic)之后，可用含金屬納米膠118填充 至少一個開口 112a、112b。在一個實施例中，可通過利用擠壓技術(shù)和/或絲網(wǎng)印刷(screen printing)技術(shù)，用含金屬納米膠118填充至少一個開口 112a、112b。在一些實施例中，含 金屬納米膠118可包括可包含納米大小金屬粒子的金屬納米膠。在一個實施例中，含金屬納米膠118可包括銀、金、錫和銅納米粒子中至少之一。 在一些實施例中，任何類型的含金屬納米膠可用于填充至少一個開口 112a、112b，其可包括 產(chǎn)生納米大小粒子的能力。例如，碳納米管(CNT)和金屬納米膠混合膠也可用于產(chǎn)生金屬 和CNT合成結(jié)構(gòu)、例如導(dǎo)線(wire)結(jié)構(gòu)，其中在執(zhí)行后續(xù)燒結(jié)工藝之后具有改進(jìn)的電氣性 質(zhì)和機(jī)械性質(zhì)，本文將要進(jìn)行描述。在一個實施例中，金屬納米粒子可覆蓋有分散劑、反應(yīng)速率控制試劑以及例如溶 劑的某些添加劑以控制粘度。在一些實施例中，可利用例如模版印刷(stencil printing) 和/或噴墨印刷的方法來分配溶劑。在一個實施例中，分散劑可包括鏈烷酸或胺化合物，并 且可用于減小納米金屬粒子的表面張力能量。在一些實施例中，反應(yīng)速率控制試劑在室溫 下會是穩(wěn)定的而不會遇到活化，并且例如可包括胺化合物。在一個實施例中，含金屬納米膠118的納米大小金屬粒子可包括可經(jīng)過后續(xù)燒結(jié) 工藝的金屬。在一個實施例中，納米大小金屬粒子可覆蓋有分散劑，使得它們包括精細(xì)分布 而在含金屬納米膠118中沒有實質(zhì)凝聚。在一個實施例中，含金屬納米膠118可包括可包 含大約5nm的平均直徑的銅納米粒子。納米大小金屬粒子的直徑可根據(jù)具體應(yīng)用而改變，
5但在一些實施例中，可包括大約IOnm或以下。含金屬納米膠118可經(jīng)過燒結(jié)工藝120。例如燒結(jié)溫度和時間條件的具體燒結(jié)工 藝條件120可根據(jù)納米膠材料的具體類型進(jìn)行控制。在一個實施例中，在升高但低于燒結(jié) 溫度的溫度下，反應(yīng)速率控制試劑通過升溫而變成活化，并可開始與含金屬納米膠118中 的分散劑起反應(yīng)，且可從納米金屬粒子去除分散劑。這可引起相互凝聚的納米金屬粒子，并且也會在納米金屬粒子之間發(fā)生互擴(kuò)散增 長，以減小其表面張力能量。隨著溫度增加到燒結(jié)溫度，納米大小金屬粒子可從納米大小粒 子119轉(zhuǎn)換，以便形成整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)122 (圖ld，示出在經(jīng)過燒結(jié)工藝120之后未經(jīng)轉(zhuǎn) 換的含金屬納米膠(a)和經(jīng)轉(zhuǎn)換的含金屬納米膠(b)的一部分)。在一個實施例中，含金屬 納米膠的燒結(jié)溫度可包括比整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)的熔融溫度更低的溫度。在一個實施例中， 整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)122包括很少到?jīng)]有的有機(jī)材料和很少到?jīng)]有的納米大小金屬粒子。因此，含金屬納米膠118中基于有機(jī)物的(organic based)材料(分散劑、反應(yīng)控 制試劑、添加劑)可在燒結(jié)工藝120期間去除，以便形成整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)122。為了有效 去除基于有機(jī)物的材料，可利用各種燒結(jié)工藝。在一個實施例中，可采用空氣誘導(dǎo)燒結(jié)工 藝，其中可應(yīng)用大約100攝氏度至大約280攝氏度之間的燒結(jié)溫度來燒結(jié)含銀和/或金的 納米膠118?？諝庵写嬖诘难蹩蓴U(kuò)散到納米膠118中，并且可易于與待蒸發(fā)的有機(jī)物起反應(yīng)， 由此形成整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)122。在銅和/或錫納米膠的情況下，可控制金屬納米粒子的氧 化。在一個實施例中，可使用還原環(huán)境條件(例如Ar-5% H2混合氣體、N2甲酸汽相混合氣 體等)。環(huán)境壓力也可以是要控制以及控制燒結(jié)工藝時間和溫度以增強(qiáng)燒結(jié)質(zhì)量的關(guān)鍵燒 結(jié)因素中之一。在一個實施例中，燒結(jié)時間可包括大約60分鐘或以下。在一個實施例中，當(dāng)含金屬納米膠118轉(zhuǎn)換成整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)122(圖Ie)時， 可發(fā)生容積變化124。在一些實施例中，整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)122在轉(zhuǎn)換時可遭受容積的減 小。可從積聚材料104去除光敏材料102 (圖If)，并且根據(jù)特定應(yīng)用(圖Ig)，附加積聚材 料104a可形成在積聚材料104上，以便形成封裝結(jié)構(gòu)123。在一個實施例中，整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)122可包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，例如微電子封裝應(yīng)用 中的導(dǎo)電導(dǎo)線(圖lh)。在一個實施例中，相鄰整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)122a、122b、122c可包括 線寬126和相鄰整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)之間、例如整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)122a與122b之間的線間 距128。在一個實施例中，線寬126可包括大約10微米或以下，并且線間距可包括大約10 微米或以下。因此，實現(xiàn)制造小于大約10/10微米的細(xì)線/空間金屬導(dǎo)線的能力。也實現(xiàn)具有 高縱橫比的金屬導(dǎo)線的制造。在高密度封裝襯底和/或母板的常規(guī)積聚工藝中，小于大約 10/10微米的細(xì)線/空間導(dǎo)電布線因為在導(dǎo)線圖案化期間通過化學(xué)蝕刻方法的電鍍金屬 (特別是銅)的均勻直接制造中由于蝕刻副作用遇到的困難而面臨關(guān)鍵難題。本發(fā)明的各 個實施例基于使用含金屬納米膠的鑲嵌技術(shù)對細(xì)線/空間應(yīng)用、例如在高密度封裝襯底或 母板制造中允許金屬導(dǎo)線的制造，而無需已沉積金屬的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)和直接圖案蝕 刻。在另一實施例中，襯底200(例如與圖Ic的襯底100相似)可包括光敏材料202、 積聚材料204和含金屬膠218。在襯底200中填充可提供到襯底200中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的連接的開口之前，(例如但不限于通孔結(jié)構(gòu)和線結(jié)構(gòu))，疏水材料209可應(yīng)用到光敏材料202的頂 表面。疏水材料209可阻止含金屬納米膠218在含金屬納米膠218被填充到開口(未示 出)、例如圖Ib的至少一個開口 112中之后仍然殘留在光敏材料202表面。在一個實施例中，含金屬納米膠218在被擠壓到開口中之后可仍然殘留在光敏材 料202頂表面。光敏材料202頂表面上的含金屬納米膠218則可易于去除(圖2b)，同時含 金屬納米膠218殘留在填充開口、例如在線腔和過孔中，并且發(fā)生表面張力的減小。本發(fā)明的實施例提供許多優(yōu)點。實現(xiàn)以取得高縱橫比的能力交付小于大約10/10 微米的細(xì)線/空間金屬導(dǎo)線。描述與常規(guī)積聚工藝相比通過使用含金屬納米膠的簡單工 藝。根據(jù)本發(fā)明實施例，通過使用允許所制造金屬導(dǎo)線的高縱橫比的溝槽形成技術(shù)、例如鑲 嵌技術(shù)，可預(yù)期顯著的質(zhì)量提高。通過消除處理期間的CMP步驟，以及通過消除對化學(xué)蝕 刻、電鍍、籽晶濺射和電鍍工藝的需要，可實現(xiàn)成本降低。圖5是示出能夠與用于制造微電子結(jié)構(gòu)、例如圖Ig中封裝結(jié)構(gòu)123的方法配合操 作的系統(tǒng)500的簡圖。要理解，當(dāng)前實施例僅僅是其中可使用本發(fā)明中封裝結(jié)構(gòu)的許多可 能系統(tǒng)中之一。在系統(tǒng)500中，封裝結(jié)構(gòu)524可通過I/O總線508在通信上耦合到印刷電路板 (PCB) 518。封裝結(jié)構(gòu)524的通信耦合可通過物理部件、例如通過使用將封裝結(jié)構(gòu)524安裝 到PCB 518的封裝和/或插座連接(例如通過使用芯片封裝、內(nèi)插器和/或連接盤柵格陣列 插座)來建立。封裝結(jié)構(gòu)524還可通過各種無線部件(例如沒有使用到PCB的物理連接) 在通信上耦合到PCB 518，如本領(lǐng)域眾所周知一樣。系統(tǒng)500可包括例如處理器的計算裝置502以及通過處理器總線505在通信上 相互耦合的高速緩沖存儲器504。處理器總線505和I/O總線508可通過主橋506進(jìn)行橋 接。通信上耦合到I/O總線508并且還耦合到封裝結(jié)構(gòu)524的可以是主存儲器512。主存 儲器512的示例可包括但不限于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和/或動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM)和/或某些其它狀態(tài)保存介質(zhì)。系統(tǒng)500還可包括圖形協(xié)處理器513，但是，將圖形 協(xié)處理器513結(jié)合到系統(tǒng)500中對系統(tǒng)500的操作不是必需的。耦合到I/O總線508的還 可以是例如顯示裝置514、大容量存儲裝置520以及鍵盤和指點裝置522。這些要素執(zhí)行其在本領(lǐng)域中眾所周知的常規(guī)功能。具體來說，大容量存儲裝置520 可用于為根據(jù)本發(fā)明實施例形成封裝結(jié)構(gòu)的方法的可執(zhí)行指令提供長期存儲，而主存儲器 512可用于在由計算裝置502的執(zhí)行期間短期存儲根據(jù)本發(fā)明實施例形成封裝結(jié)構(gòu)的方法 的可執(zhí)行指令。另外，指令可存儲在或者以其它方式關(guān)聯(lián)通信上與系統(tǒng)耦合的機(jī)器可訪問 介質(zhì)，例如光盤只讀存儲器(⑶-ROM)、數(shù)字多功能光盤(DVD)和軟盤、載波和/或其它傳播 信號。在一個實施例中，主存儲器512可向計算裝置502(例如，其可以是處理器)提供可 執(zhí)行指令以供執(zhí)行。雖然前面的描述已經(jīng)指定在本發(fā)明方法中使用的某些步驟和材料，但是本領(lǐng)域技 術(shù)人員將領(lǐng)會，可進(jìn)行許多修改和替換。相應(yīng)地，預(yù)計所有這類修改、變更、替換和添加被認(rèn) 為落入隨附權(quán)利要求書所定義的本發(fā)明精神及范圍之內(nèi)。另外要領(lǐng)會，微電子封裝結(jié)構(gòu)的 某些方面在本領(lǐng)域中是眾所周知的。因此要領(lǐng)會，本文所提供的附圖僅示出涉及本發(fā)明實 施的示范微電子封裝結(jié)構(gòu)的部分。因此，本發(fā)明并不局限于本文所述的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
一種方法，包括形成通過積聚結(jié)構(gòu)與設(shè)置在所述積聚結(jié)構(gòu)上的光敏材料的至少一個開口，其中所述積聚結(jié)構(gòu)包括封裝襯底的一部分；用含金屬納米膠填充所述至少一個開口；以及燒結(jié)所述含金屬納米膠，以在所述至少一個開口中形成整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括其中所述至少一個開口包括包含小于大約10微 米的寬度以及相鄰細(xì)導(dǎo)電線之間小于大約10微米的空間的至少一個細(xì)導(dǎo)電線開口。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括其中所述至少一個開口包括至少一個通孔觸點開口。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括其中所述至少一個開口通過利用納米壓印和激 光消融中至少之一來形成。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)包括金屬觸點通孔結(jié)構(gòu)和 金屬導(dǎo)線結(jié)構(gòu)中至少之一。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括其中燒結(jié)溫度包括在不到大約60分鐘小于280 攝氏度。
7.一種方法，包括形成通過光敏材料和積聚結(jié)構(gòu)的至少一個開口，其中所述光敏材料設(shè)置在所述積聚結(jié) 構(gòu)上，以及其中所述積聚結(jié)構(gòu)包括封裝襯底的一部分，并且其中所述至少一個開口包括小 于10微米的寬度和相鄰開口之間小于10微米的空間；用含金屬納米膠填充所述至少一個開口 ；以及燒結(jié)所述含金屬納米膠，以在所述至少一個開口中形成整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括其中所述封裝襯底包括高密度封裝襯底和母板 中至少之一。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括其中所述含金屬納米膠包括納米大小金屬粒子、 分散劑、反應(yīng)速率控制試劑和添加劑。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括其中所述含金屬納米膠包括包含直徑大約6nm 或以下的銅納米粒子，并且其中所述分散劑包括鏈烷酸和胺化合物中至少之一，并且其中 所述反應(yīng)速率控制試劑包括胺化合物，并且其中所述添加劑包括溶劑。
11.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括其中燒結(jié)溫度包括在不到大約60分鐘或以下 小于大約280攝氏度。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括其中所述含金屬納米膠的燒結(jié)溫度包括比所 述整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)的熔融溫度更低的溫度。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括其中所述燒結(jié)從所述含金屬納米膠實質(zhì)去除分 散劑、反應(yīng)速率控制試劑和添加劑，并且其中將所述金屬納米粒子變換成整體性質(zhì)金屬結(jié) 構(gòu)。
14.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括其中用含金屬納米膠填充所述至少一個開口包 括擠壓和絲網(wǎng)印刷中至少之一。
15.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括其中在填充所述至少一個開口之前將疏水材料 應(yīng)用到所述光敏材料。
16.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括其中用激光消融形成所述至少一個開口。
17.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括其中所述整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)包括線寬大約10 微米或以下以及線間距大約10微米或以下的金屬導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
18.一種結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，設(shè)置在積聚材料中，其中所述積聚材料包括封裝襯底的一部分； 第二導(dǎo)電導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，與所述第一導(dǎo)電導(dǎo)線結(jié)構(gòu)相鄰設(shè)置，其中所述第一和第二導(dǎo)電導(dǎo) 線結(jié)構(gòu)包括小于大約10微米的寬度以及所述第一與第二導(dǎo)電導(dǎo)線結(jié)構(gòu)之間小于大約10微 米的間距。
19.如權(quán)利要求18所述的結(jié)構(gòu)，還包括其中所述第一和第二導(dǎo)電導(dǎo)線結(jié)構(gòu)包括包含 整體金屬性質(zhì)的金屬。
20.如權(quán)利要求18所述的結(jié)構(gòu)，還包括其中所述第一和第二導(dǎo)電導(dǎo)線結(jié)構(gòu)包括金屬 導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
21.如權(quán)利要求18所述的結(jié)構(gòu)，還包括其中所述封裝襯底包括高密度封裝襯底和母 板中至少之一。
22.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，還包括與所述第一和第二導(dǎo)電導(dǎo)線結(jié)構(gòu)中至少之一 相鄰的通孔結(jié)構(gòu)，其中所述通孔結(jié)構(gòu)包括與所述第一和第二導(dǎo)電導(dǎo)線結(jié)構(gòu)實質(zhì)相同的材 料。
23.如權(quán)利要求18所述的結(jié)構(gòu)，還包括其中所述第一和第二導(dǎo)電導(dǎo)線結(jié)構(gòu)中至少之 一包括銅、銀、錫和金中至少之一。
24.—種結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，設(shè)置在積聚材料中，其中所述積聚材料包括封裝襯底的一部分；以及第二導(dǎo)電導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，與所述第一互連結(jié)構(gòu)相鄰設(shè)置，其中所述第一與第二導(dǎo)電導(dǎo)線結(jié) 構(gòu)之間的間距包括小于大約10微米。
25.如權(quán)利要求24所述的結(jié)構(gòu)，還包括一種系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括 所述第一和第二導(dǎo)電導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；總線，通信上耦合到所述第一和第二導(dǎo)電導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；以及 DRAM，通信上耦合到所述總線。
全文摘要
描述形成微電子裝置結(jié)構(gòu)的方法。那些方法可包括形成通過積聚結(jié)構(gòu)與設(shè)置在積聚結(jié)構(gòu)上的光敏材料的至少一個開口，其中積聚結(jié)構(gòu)包括封裝襯底的一部分；用含金屬納米膠填充至少一個開口；以及燒結(jié)含金屬納米膠，以在至少一個開口中形成整體性質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)。
文檔編號G05F1/00GK101911293SQ200880123993
公開日2010年12月8日 申請日期2008年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月31日
發(fā)明者C-W·黃, Y·托米塔 申請人:英特爾公司