一種溫度檢測(cè)系統(tǒng)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種溫度檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，主要由處理芯片U1，溫度傳感器U，串接在溫度傳感器U和處理芯片U1的IN+管腳之間的基極觸發(fā)電路，正極順次經(jīng)電阻R9和電阻R8后與處理芯片U1的V+管腳相連接、負(fù)極與處理芯片U1的BALANCE管腳相連接的電容C4，串接在處理芯片U1的BALANCE管腳和BAL管腳之間的電阻R10等組成。本發(fā)明可以對(duì)檢測(cè)信號(hào)的頻率進(jìn)行處理，使檢測(cè)信號(hào)的頻率更加穩(wěn)定，從而可以使輸入的檢測(cè)信號(hào)的波形與輸出的檢測(cè)信號(hào)的波形相同，保持檢測(cè)信號(hào)的保真度，避免信號(hào)失真而影響溫度檢測(cè)精度。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種溫度檢測(cè)系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種檢測(cè)系統(tǒng)，具體是指一種溫度檢測(cè)系統(tǒng)。【背景技術(shù)】
[0002]在工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程和科研工作中，很多時(shí)候都需要對(duì)生產(chǎn)設(shè)備或者生產(chǎn)環(huán)境的溫度進(jìn)行檢測(cè)并根據(jù)需求對(duì)溫度進(jìn)行控制，從而提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品的質(zhì)量。然而，現(xiàn)有的溫度檢測(cè)系統(tǒng)在對(duì)檢測(cè)信號(hào)處理時(shí)容易使檢測(cè)信號(hào)失真，從而導(dǎo)致其無(wú)法準(zhǔn)確的檢測(cè)出溫度值，無(wú)法滿(mǎn)足生產(chǎn)需求。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服目前的溫度檢測(cè)系統(tǒng)在對(duì)檢測(cè)信號(hào)處理時(shí)容易使檢測(cè)信號(hào)失真的缺陷，提供一種溫度檢測(cè)系統(tǒng)。
[0004]本發(fā)明的目的用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種溫度檢測(cè)系統(tǒng)，主要由處理芯片U1，溫度傳感器U，串接在溫度傳感器U和處理芯片U1的IN+管腳之間的基極觸發(fā)電路，正極順次經(jīng)電阻R9和電阻R8后與處理芯片U1的V+管腳相連接、負(fù)極與處理芯片U1的BALANCE管腳相連接的電容C4,串接在處理芯片U1的BALANCE管腳和BAL管腳之間的電阻R10,正極與處理芯片U1 的BAL管腳相連接、負(fù)極則與處理芯片U1的GND管腳相連接的同時(shí)接地的電容C5，負(fù)極接地、 正極經(jīng)電阻R6后與處理芯片U1的IN-管腳相連接的電容C3,以及與處理芯片U1的OUT管腳相連接的射極輸出電路組成;所述處理芯片U1的V-管腳與電容C3的正極相連接;所述電阻R8 和電阻R9的連接點(diǎn)與基極觸發(fā)電路相連接的同時(shí)接電源。
[0005]進(jìn)一步的，所述基極觸發(fā)電路由三極管VT1，三極管VT2,場(chǎng)效應(yīng)管M0S，正極與三極管VT1的發(fā)射極相連接、負(fù)極順次經(jīng)電阻R2和電阻R7后與處理芯片U1的IN+管腳相連接的電容C1，N極經(jīng)電阻R5后與場(chǎng)效應(yīng)管M0S的漏極相連接、P極順次經(jīng)電容C2和電阻R1后與三極管 VT2的發(fā)射極相連接的二極管D2，P極與二極管D2的P極相連接的同時(shí)接地、N極經(jīng)電阻R4后與場(chǎng)效應(yīng)管M0S的源極相連接的二極管D1，以及串接在三極管VT2的集電極和場(chǎng)效應(yīng)管M0S 的柵極之間的電阻R3組成;所述三極管VT1的基極與溫度傳感器U的信號(hào)輸入端相連接、其集電極則與三極管VT2的基極相連接;所述場(chǎng)效應(yīng)管M0S的漏極與電阻R8和電阻R9的連接點(diǎn)相連接。
[0006]所述射極輸出電路由放大器P，三極管VT3，P極與處理芯片U1的OUT管腳相連接、N 極與放大器P的正極相連接的二極管D3,串接在二極管D3的N極和三極管VT3的基極之間的電阻R11，以及正極與放大器P的輸出端相連接、負(fù)極作為該射極輸出電路的輸出端的電容 C6組成;所述放大器P的負(fù)極接地、其輸出端與三極管VT3的發(fā)射極相連接;所述三極管VT3 的集電極接地。
[0007]所述處理芯片U1為L(zhǎng)M311集成芯片。
[0008]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:
[0009]本發(fā)明可以對(duì)檢測(cè)信號(hào)的頻率進(jìn)行處理，使檢測(cè)信號(hào)的頻率更加穩(wěn)定，從而可以使輸入的檢測(cè)信號(hào)的波形與輸出的檢測(cè)信號(hào)的波形相同，保持檢測(cè)信號(hào)的保真度，避免信號(hào)失真而影響溫度檢測(cè)精度。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。
[0012]實(shí)施例
[0013]如圖1所示，本發(fā)明主要由處理芯片Ul，溫度傳感器U，串接在溫度傳感器U和處理芯片Ul的IN+管腳之間的基極觸發(fā)電路，正極順次經(jīng)電阻R9和電阻R8后與處理芯片Ul的V+管腳相連接、負(fù)極與處理芯片Ul的BALANCE管腳相連接的電容C4，串接在處理芯片Ul的BALANCE管腳和BAL管腳之間的電阻RlO，正極與處理芯片Ul的BAL管腳相連接、負(fù)極則與處理芯片Ul的GND管腳相連接的同時(shí)接地的電容C5，負(fù)極接地、正極經(jīng)電阻R6后與處理芯片Ul的IN-管腳相連接的電容C3，以及與處理芯片Ul的OUT管腳相連接的射極輸出電路組成;所述處理芯片Ul的V-管腳與電容C3的正極相連接;所述電阻R8和電阻R9的連接點(diǎn)與基極觸發(fā)電路相連接的同時(shí)接電源。為了更好的實(shí)施本發(fā)明，所述處理芯片Ul優(yōu)選LM311集成芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)。該溫度傳感器U則采用北京九純健科技發(fā)展有限公司生產(chǎn)的JCJ100ZGF溫度傳感器來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0014]進(jìn)一步的，基極觸發(fā)電路由三極管VTl，三極管VT2，場(chǎng)效應(yīng)管M0S，電阻Rl，電阻R2，電阻R3，電阻R4，電阻R5，電阻R7，電容Cl，電容C2，二極管Dl以及二極管D2組成。
[0015]連接時(shí)，電容Cl的正極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、其負(fù)極順次經(jīng)電阻R2和電阻R7后與處理芯片Ul的IN+管腳相連接。二極管02的_及經(jīng)電阻R5后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接、其P極與電容C2的負(fù)極相連接。該電容C2的正極則經(jīng)電阻Rl后與三極管VT2的發(fā)射極相連接。二極管Dl的P極與二極管D2的P極相連接的同時(shí)接地、其N(xiāo)極經(jīng)電阻R4后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接。電阻R3串接在三極管VT2的集電極和場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極之間。
[0016]同時(shí)，所述三極管VTl的基極與溫度傳感器U的信號(hào)輸入端相連接、其集電極則與三極管VT2的基極相連接。所述場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極與電阻R8和電阻R9的連接點(diǎn)相連接。
[0017]另外，所述射極輸出電路由放大器P，三極管VT3，電阻RlI，二極管D3以及電容C6組成。二極管D3的P極與處理芯片Ul的OUT管腳相連接、其N(xiāo)極與放大器P的正極相連接。電阻Rl I串接在二極管03的~極和三極管VT3的基極之間。電容C6的正極與放大器P的輸出端相連接、其負(fù)極作為該射極輸出電路的輸出端并接外部顯示器。所述放大器P的負(fù)極接地、其輸出端與三極管VT3的發(fā)射極相連接;所述三極管VT3的集電極接地。
[0018]工作時(shí)，溫度傳感器U采集實(shí)測(cè)對(duì)像的溫度并輸出檢測(cè)信號(hào)給后續(xù)的處理電路，后續(xù)處理電路可以對(duì)檢測(cè)信號(hào)的頻率進(jìn)行處理，使檢測(cè)信號(hào)的頻率更加穩(wěn)定，從而可以使輸入的檢測(cè)信號(hào)的波形與輸出的檢測(cè)信號(hào)的波形相同，保持檢測(cè)信號(hào)的保真度，避免信號(hào)失真而影響溫度檢測(cè)精度。
[0019]如上所述，便可很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種溫度檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，主要由處理芯片U1，溫度傳感器U，串接在溫度傳感 器U和處理芯片U1的IN+管腳之間的基極觸發(fā)電路，正極順次經(jīng)電阻R9和電阻R8后與處理芯 片U1的V+管腳相連接、負(fù)極與處理芯片U1的BALANCE管腳相連接的電容C4,串接在處理芯片 U1的BALANCE管腳和BAL管腳之間的電阻R10，正極與處理芯片U1的BAL管腳相連接、負(fù)極則 與處理芯片U1的GND管腳相連接的同時(shí)接地的電容C5，負(fù)極接地、正極經(jīng)電阻R6后與處理芯 片U1的IN-管腳相連接的電容C3,以及與處理芯片U1的OUT管腳相連接的射極輸出電路組 成;所述處理芯片U1的V-管腳與電容C3的正極相連接;所述電阻R8和電阻R9的連接點(diǎn)與基 極觸發(fā)電路相連接的同時(shí)接電源。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于:所述基極觸發(fā)電路由三極管 VT1，三極管VT2，場(chǎng)效應(yīng)管M0S，正極與三極管VT1的發(fā)射極相連接、負(fù)極順次經(jīng)電阻R2和電 阻R7后與處理芯片U1的IN+管腳相連接的電容C1，N極經(jīng)電阻R5后與場(chǎng)效應(yīng)管M0S的漏極相 連接、P極順次經(jīng)電容C2和電阻R1后與三極管VT2的發(fā)射極相連接的二極管D2，P極與二極管 D2的P極相連接的同時(shí)接地、N極經(jīng)電阻R4后與場(chǎng)效應(yīng)管M0S的源極相連接的二極管D1，以及 串接在三極管VT2的集電極和場(chǎng)效應(yīng)管M0S的柵極之間的電阻R3組成;所述三極管VT1的基 極與溫度傳感器U的信號(hào)輸入端相連接、其集電極則與三極管VT2的基極相連接;所述場(chǎng)效 應(yīng)管M0S的漏極與電阻R8和電阻R9的連接點(diǎn)相連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種溫度檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于:所述射極輸出電路由放大器 P，三極管VT3，P極與處理芯片U1的OUT管腳相連接、N極與放大器P的正極相連接的二極管 D3,串接在二極管03的~極和三極管VT3的基極之間的電阻R11，以及正極與放大器P的輸出 端相連接、負(fù)極作為該射極輸出電路的輸出端的電容C6組成;所述放大器P的負(fù)極接地、其 輸出端與三極管VT3的發(fā)射極相連接;所述三極管VT3的集電極接地。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種溫度檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于:所述處理芯片U1為L(zhǎng)M311集 成芯片。
【文檔編號(hào)】G01K1/00GK106017699SQ201610431698
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年6月15日
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請(qǐng)人】成都特普瑞斯節(jié)能環(huán)?？萍加邢薰?br>