一種基于壓控振蕩電路的高頻檢波系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于壓控振蕩電路的高頻檢波系統(tǒng)，其特征在于：主要由處理芯片U，帶通濾波電路，串接在帶通濾波電路和處理芯片U的IN管腳之間的電阻R6，正極經(jīng)電阻R7后與處理芯片U的C1管腳相連接、負(fù)極接分別與帶通濾波電路和處理芯片U的GND管腳相連接的電容C3，正極與處理芯片U的C2管腳相連接、負(fù)極與處理芯片U的GND管腳相連接的電容C4，P極與處理芯片U的C3管腳相連接、N極接地的二極管D5等組成。本發(fā)明可以對高頻信號的頻率進(jìn)行調(diào)整，從而使本發(fā)明輸出的高頻信號更加穩(wěn)定。
【專利說明】
一種基于壓控振蕩電路的高頻檢波系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種檢波系統(tǒng)，具體是指一種基于壓控振蕩電路的高頻檢波系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]檢波器可以檢出波動(dòng)信號中某種有用信息，其是用于識別振蕩信號存在或變化的器件，也可用于提取外界所攜帶的信息。目前檢波器已被廣泛應(yīng)用于地質(zhì)勘探和工程測量或測量設(shè)備運(yùn)行時(shí)的噪音等，其給人們帶來了很大的便利。
[0003]然而，目前市面上的檢波器所使用的檢波系統(tǒng)無法準(zhǔn)確的識別出高頻信號，嚴(yán)重影響了檢波器的勘探結(jié)果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有的檢波系統(tǒng)無法準(zhǔn)確的識別出高頻信號的缺陷，提供一種基于壓控振蕩電路的尚頻檢波系統(tǒng)。
[0005]本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種基于壓控振蕩電路的高頻檢波系統(tǒng)，主要由處理芯片U，帶通濾波電路，串接在帶通濾波電路和處理芯片U的IN管腳之間的電阻R6，正極經(jīng)電阻R7后與處理芯片U的Cl管腳相連接、負(fù)極接分別與帶通濾波電路和處理芯片U的GND管腳相連接的電容C3，正極與處理芯片U的C2管腳相連接、負(fù)極與處理芯片U的GND管腳相連接的電容C4，P極與處理芯片U的C3管腳相連接、N極接地的二極管D5，正極與處理芯片U的FO管腳相連接、負(fù)極與二極管05的_及相連接的電容C7，N極與處理芯片U的VCC管腳相連接、P極接電源的二極管D4，負(fù)極經(jīng)電阻R8后與二極管D4的P極相連接、正極則與帶通濾波電路相連接的電容C5，與處理芯片U的OUT管腳相連接的壓控振蕩電路，以及與壓控振蕩電路相連接的線性放大電路組成;所述處理芯片U的GND管腳接地。
[0006]進(jìn)一步的，所述壓控振蕩電路由三極管VT4，場效應(yīng)管M0S，負(fù)極與三極管VT4的基極相連接、正極則作為該壓控振蕩電路的輸入端的電容C9，P極與電容C9的正極相連接、N極經(jīng)電阻R14后與三極管VT4的發(fā)射極相連接的二極管D6，正極與電容C9的負(fù)極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R13后與二極管06的_及相連接的電容ClO，負(fù)極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、正極經(jīng)電阻R12后與二極管D6的P極相連接的電容C12，串接在電容C12的正極和三極管VT4的集電極之間的電阻Rl 5，串接在三極管VT4的發(fā)射極和場效應(yīng)管MOS的柵極之間的電阻Rl6，P極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、N極作為該壓控振蕩電路的輸出端的二極管D7，以及正極與二極管D6的N極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R17后與二極管D7的N極相連接的電容Cl I組成;所述二極管06的_及還接地;所述場效應(yīng)管MOS的源極與電容Cl I的負(fù)極相連接;所述壓控振蕩電路的輸入端與處理芯片U的OUT管腳相連接、其輸出端則與線性放大電路相連接。
[0007]所述帶通濾波電路由放大器Pl，三極管VTl，三極管VT2，N極與放大器Pl的正極相連接、P極則作為該帶通濾波電路的輸入端的二極管Dl，串接在放大器Pl的正極和輸出端之間的電阻R2，正極與放大器Pl的輸出端相連接、負(fù)極接地的電容Cl，串接在放大器Pl的負(fù)極和電容Cl的負(fù)極之間的電阻Rl，P極與放大器PI的輸出端相連接、N極則與三極管VTI的基極相連接的穩(wěn)壓二極管D2，P極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、N極經(jīng)電阻R3后與電容Cl的負(fù)極相連接的二極管D3，串接在三極管VTl發(fā)射極和電容C3的負(fù)極之間的電阻R4，負(fù)極與三極管VTl的集電極相連接、正極接地的電容C2，以及串接在三極管VT2的集電極和電容C2的正極之間的電阻R5組成;所述三極管VT2的基極與三極管VTl的集電極相連接、其發(fā)射極經(jīng)電阻R6后與處理芯片U的IN管腳相連接;所述電容C2的正極與電容C5的正極相連接。
[0008]所述線性放大電路由放大器P2，放大器P3，三極管VT3，正極與壓控振蕩電路的輸出端相連接、負(fù)極則與放大器P3的負(fù)極相連接的電容C6，串接在放大器P2的負(fù)極和放大器P3的輸出端之間的電阻Rll，串接在放大器P2的輸出端和放大器P3的正極之間的電阻RlO，一端與放大器P2的正極相連接、另一端接地的電阻R9，以及正極與放大器P2的輸出端相連接、負(fù)極則與三極管VT3的集電極相連接的電容C8組成;所述三極管VT3的基極與放大器P3的輸出端相連接、其發(fā)射極接地;所述放大器P2的輸出端則作為該死線性放大電路的輸出端。
[0009]所述處理芯片U為CX20106A集成芯片。
[0010]本發(fā)明較現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:
[0011](I)本發(fā)明采用CX20106A集成芯片與新穎的外圍電路相結(jié)合，可以有效的對輸入的檢測信號進(jìn)行處理，并很好的對檢測信號中的高頻信號進(jìn)行識別，從而使本發(fā)明可以準(zhǔn)確的識別出檢測信號中的高頻信號，極大的提高了檢波器的勘測精度。
[0012](2)本發(fā)明可以對高頻信號的頻率進(jìn)行調(diào)整，從而使本發(fā)明輸出的高頻信號更加穩(wěn)定。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖2為本發(fā)明的壓控振蕩電路的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于此。
[0016]實(shí)施例
[0017]如圖1所示，本發(fā)明的基于壓控振蕩電路的高頻檢波系統(tǒng)，主要由處理芯片U，帶通濾波電路，電阻R6，電容C5，電阻R8，二極管D4，電阻R7，電容C3，電容C4，電容C7，二極管D5，壓控振蕩電路以及線性放大電路組成。
[0018]其中，電阻R6串接在帶通濾波電路和處理芯片U的IN管腳之間。電容C3的正極經(jīng)電阻R7后與處理芯片U的Cl管腳相連接、其負(fù)極接分別與帶通濾波電路和處理芯片U的GND管腳相連接。電容C4的正極與處理芯片U的C2管腳相連接、其負(fù)極與處理芯片U的GND管腳相連接。二極管D5的P極與處理芯片U的C3管腳相連接、其N極接地。電容C7的正極與處理芯片U的FO管腳相連接、其負(fù)極與二極管05的_及相連接。二極管D4的N極與處理芯片U的VCC管腳相連接、其P極接電源。電容C5的負(fù)極經(jīng)電阻R8后與二極管D4的P極相連接、其正極則與帶通濾波電路相連接。壓控振蕩電路與處理芯片U的OUT管腳相連接。線性放大電路則與壓控振蕩電路的輸出端相連接。所述處理芯片U的GND管腳接地。為了更好的實(shí)施本發(fā)明，所述處理芯片U優(yōu)選CX20106A集成芯片來實(shí)現(xiàn)。
[0019]該帶通濾波電路由放大器Pl，三極管VTl，三極管VT2，電阻Rl，電阻R2，電阻R3，電阻R4，電阻R5，二極管Dl，二極管D2，二極管D3，電容Cl以及電容C2組成。
[0020]連接時(shí)，二極管Dl的N極與放大器Pl的正極相連接、其P極則作為該帶通濾波電路的輸入端并與外部的信號采集設(shè)備相連接。電阻R2串接在放大器Pl的正極和輸出端之間。電容Cl的正極與放大器Pl的輸出端相連接、其負(fù)極接地。電阻Rl串接在放大器Pl的負(fù)極和電容Cl的負(fù)極之間。穩(wěn)壓二極管D2的P極與放大器Pl的輸出端相連接、其N極則與三極管VTl的基極相連接。二極管D3的P極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、其N極經(jīng)電阻R3后與電容Cl的負(fù)極相連接。電阻R4串接在三極管VTl發(fā)射極和電容C3的負(fù)極之間。電容C2的負(fù)極與三極管VTI的集電極相連接、其正極接地。電阻R5串接在三極管VT2的集電極和電容C2的正極之間。
[0021]同時(shí)，所述三極管VT2的基極與三極管VTl的集電極相連接、其發(fā)射極經(jīng)電阻R6后與處理芯片U的IN管腳相連接。所述電容C2的正極與電容C5的正極相連接。
[0022]另外，該線性放大電路由放大器P2，放大器P3，三極管VT3，電阻R9，電阻RlO，電阻R11，電容C6以及電容C8組成。
[0023]連接時(shí)，電容C6的正極與壓控振蕩電路的輸出端相連接、其負(fù)極則與放大器P3的負(fù)極相連接。電阻Rl I串接在放大器P2的負(fù)極和放大器P3的輸出端之間。電阻RlO串接在放大器P2的輸出端和放大器P3的正極之間。電阻R9的一端與放大器P2的正極相連接、其另一端接地。電容C8的正極與放大器P2的輸出端相連接、其負(fù)極則與三極管VT3的集電極相連接。所述三極管VT3的基極與放大器P3的輸出端相連接、其發(fā)射極接地。所述放大器P2的輸出端則作為該死線性放大電路的輸出端并與外部顯示設(shè)備相連接。
[0024]如圖2所示，壓控振蕩電路由三極管VT4，場效應(yīng)管M0S，電阻R12，電阻R13，電阻尺14，電阻1?15，電阻1?16，電阻1?17，二極管06，二極管07，電容09，電容(:10，電容(:11以及電容Cl 2組成。
[0025]連接時(shí)，電容C9的負(fù)極與三極管VT4的基極相連接、其正極則作為該壓控振蕩電路的輸入端并與處理芯片U的OUT管腳相連接。二極管D6的P極與電容C9的正極相連接、其N極經(jīng)電阻R14后與三極管VT4的發(fā)射極相連接。電容ClO的正極與電容C9的負(fù)極相連接、其負(fù)極經(jīng)電阻R13后與二極管06的_及相連接。電容C12的負(fù)極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、其正極經(jīng)電阻R12后與二極管D6的P極相連接。電阻R15串接在電容C12的正極和三極管VT4的集電極之間。電阻R16串接在三極管VT4的發(fā)射極和場效應(yīng)管MOS的柵極之間。二極管07的卩極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、其N極作為該壓控振蕩電路的輸出端并與電容C6的正極相連接。電容Cll的正極與二極管06的_及相連接、其負(fù)極經(jīng)電阻R17后與二極管07的~極相連接。同時(shí)，所述二極管06的財(cái)及還接地;所述場效應(yīng)管MOS的源極與電容Cl I的負(fù)極相連接。
[0026]檢測信號輸入到本發(fā)明后由本發(fā)明對檢測信號中的干擾信號進(jìn)行隔離，并識別出高頻信號，同時(shí)高頻信號的頻率進(jìn)行調(diào)整，使其頻率更加穩(wěn)定，最后再對高頻信號進(jìn)行放大后輸出給外部的顯示設(shè)備；如此則可以使本發(fā)明準(zhǔn)確的識別出檢測信號中的高頻信號，極大的提高了檢波器的勘測精度。
[0027]如上所述，便可很好的實(shí)施本發(fā)明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于壓控振蕩電路的高頻檢波系統(tǒng)，其特征在于:主要由處理芯片U，帶通濾波電路，串接在帶通濾波電路和處理芯片U的IN管腳之間的電阻R6，正極經(jīng)電阻R7后與處理芯片U的Cl管腳相連接、負(fù)極接分別與帶通濾波電路和處理芯片U的GND管腳相連接的電容C3，正極與處理芯片U的C2管腳相連接、負(fù)極與處理芯片U的GND管腳相連接的電容C4，P極與處理芯片U的C3管腳相連接、N極接地的二極管D5，正極與處理芯片U的FO管腳相連接、負(fù)極與二極管05的_及相連接的電容C7，N極與處理芯片U的VCC管腳相連接、P極接電源的二極管D4，負(fù)極經(jīng)電阻R8后與二極管D4的P極相連接、正極則與帶通濾波電路相連接的電容C5，與處理芯片U的OUT管腳相連接的壓控振蕩電路，以及與壓控振蕩電路相連接的線性放大電路組成;所述處理芯片U的GND管腳接地。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于壓控振蕩電路的高頻檢波系統(tǒng)，其特征在于:所述壓控振蕩電路由三極管VT4，場效應(yīng)管M0S，負(fù)極與三極管VT4的基極相連接、正極則作為該壓控振蕩電路的輸入端的電容C9，P極與電容C9的正極相連接、N極經(jīng)電阻Rl 4后與三極管VT4的發(fā)射極相連接的二極管D6，正極與電容C9的負(fù)極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻Rl 3后與二極管D6的N極相連接的電容ClO，負(fù)極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、正極經(jīng)電阻R12后與二極管D6的P極相連接的電容Cl2，串接在電容C12的正極和三極管VT4的集電極之間的電阻Rl5，串接在三極管VT4的發(fā)射極和場效應(yīng)管MOS的柵極之間的電阻R16，P極與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、N極作為該壓控振蕩電路的輸出端的二極管D7，以及正極與二極管06的_及相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R17后與二極管07的_及相連接的電容Cll組成;所述二極管06的~極還接地;所述場效應(yīng)管MOS的源極與電容Cll的負(fù)極相連接;所述壓控振蕩電路的輸入端與處理芯片U的OUT管腳相連接、其輸出端則與線性放大電路相連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于壓控振蕩電路的高頻檢波系統(tǒng)，其特征在于:所述帶通濾波電路由放大器Pl，三極管VTl，三極管VT2，N極與放大器Pl的正極相連接、P極則作為該帶通濾波電路的輸入端的二極管Dl，串接在放大器Pl的正極和輸出端之間的電阻R2，正極與放大器PI的輸出端相連接、負(fù)極接地的電容CI，串接在放大器PI的負(fù)極和電容CI的負(fù)極之間的電阻Rl，P極與放大器Pl的輸出端相連接、N極則與三極管VTl的基極相連接的穩(wěn)壓二極管D2，P極與三極管VT2的發(fā)射極相連接、N極經(jīng)電阻R3后與電容Cl的負(fù)極相連接的二極管D3，串接在三極管VTI發(fā)射極和電容C3的負(fù)極之間的電阻R4，負(fù)極與三極管VTI的集電極相連接、正極接地的電容C2，以及串接在三極管VT2的集電極和電容C2的正極之間的電阻R5組成;所述三極管VT2的基極與三極管VTl的集電極相連接、其發(fā)射極經(jīng)電阻R6后與處理芯片U的IN管腳相連接;所述電容C2的正極與電容C5的正極相連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于壓控振蕩電路的高頻檢波系統(tǒng)，其特征在于:所述線性放大電路由放大器P2，放大器P3，三極管VT3，正極與壓控振蕩電路的輸出端相連接、負(fù)極則與放大器P3的負(fù)極相連接的電容C6，串接在放大器P2的負(fù)極和放大器P3的輸出端之間的電阻Rl I，串接在放大器P2的輸出端和放大器P3的正極之間的電阻RlO，一端與放大器P2的正極相連接、另一端接地的電阻R9，以及正極與放大器P2的輸出端相連接、負(fù)極則與三極管VT3的集電極相連接的電容C8組成;所述三極管VT3的基極與放大器P3的輸出端相連接、其發(fā)射極接地;所述放大器P2的輸出端則作為該死線性放大電路的輸出端。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于壓控振蕩電路的高頻檢波系統(tǒng)，其特征在于:所述處理芯片U為CX20106A集成芯片。
【文檔編號】G01V1/18GK105954793SQ201610369558
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年5月28日
【發(fā)明人】李洪軍
【申請人】成都尼奧爾電子科技有限公司