一種電能表的校正方法與設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種電能表的校正方法和設(shè)備，該方法應(yīng)用于包含主控計(jì)算機(jī)的檢測平臺，所述檢測平臺與電能表的計(jì)量芯片通信連接，所述計(jì)量芯片包括計(jì)量控制寄存器與校正寄存器，所述方法包括：接收主控計(jì)算機(jī)下發(fā)的第一控制命令和校表數(shù)據(jù)；根據(jù)所述第一控制命令設(shè)置所述計(jì)量控制寄存器的參數(shù)，以使所述計(jì)量控制寄存器進(jìn)行脈沖加速；根據(jù)所述校表數(shù)據(jù)設(shè)置所述校正寄存器的參數(shù)后，分別計(jì)算出對應(yīng)的增益校正、相位校正和Offset校正的校正值；將所述校正值寫入所述計(jì)量芯片以完成校正。本發(fā)明實(shí)施例中，可以在針對電能表的誤差校正過程時(shí)，可以在減少誤差校正時(shí)間的同時(shí)保證誤差校正的準(zhǔn)確度，進(jìn)而提升了電能表誤差校正的精度和效率。
【專利說明】
_種電能表的校正方法與設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及通信檢測技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電能表的校正方法與設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，我國智能電網(wǎng)建設(shè)已經(jīng)全面展開，智能電能表在全國范圍內(nèi)廣泛應(yīng)用， 2011年僅國家電網(wǎng)公司招標(biāo)總量就達(dá)到7600.88萬只智能電能表。面對如此巨大的訂單數(shù) 量，很多生產(chǎn)廠家出現(xiàn)供貨不及時(shí)和個(gè)別電能表誤差超差等問題，智能電能表的誤差校正 是生產(chǎn)智能電能表中關(guān)系生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中智能電能表的誤差校正一般包括增益校正、相位校正和Offset校正。 RN8209芯片可以支持增益校正、相位校正和Off set校正，故大部分的智能電能表內(nèi)置有 RN8209芯片。RN8209芯片還能夠測量有功功率、有功能量，并同時(shí)提供兩路獨(dú)立的有功功率 和電流有效值、電壓有效值、線頻率、過零中斷等，可以實(shí)現(xiàn)靈活的防竊電方案。
[0004] 增益校正是通過配制RN8209芯片中的計(jì)量控制寄存器中來實(shí)現(xiàn)，具體計(jì)算過程包 括:在100% Ib、PF= 1上讀出誤差為 err，求出Pgain = _err/( 1+err)的值;如果 Pgain> = 0， 貝丨jGPQ=INT[Pgain*215]，否則Pgain〈0,貝丨JGPQ=INT[216+Pgain*215]。
[0005] 相位校正也是通過配制RN8209芯片中的計(jì)量控制寄存器中來實(shí)現(xiàn)，具體計(jì)算過程 包括:在100 % lb，PF = 0.5L的時(shí)候讀出誤差err，去掉最大值和最小值，其他的值絕對值相 加求平均值得出err，然后計(jì)算相位補(bǔ)償值0 = Arcsin< _ 彡;如果0> = O，PFSH=INT (9/0.02° )，如果9〈0，PFSH=INT(2~8+9/0.02° )。
[0006] Offset校正是在外部噪聲(PCB噪聲，變壓器噪聲等等)較大，積分所得能量影響到 小信號精度的情況下，提高小信號有功精度的一種有效手段。若外部噪聲對小信號有功精 度影響較小，該步驟可忽略。
[0007] 在實(shí)現(xiàn)本申請的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在如下問題：
[0008] (1) 一般只有在增益校正時(shí)電流使用的是標(biāo)準(zhǔn)電流，而在相位校正和Offset校正 時(shí)電流較小，故誤差顯示需要更長的時(shí)間，從而導(dǎo)致了整個(gè)誤差校正過程時(shí)間比較長，生產(chǎn) 效率不高；
[0009] (2)如為了減少電能表的校表時(shí)間，在相位校正和offset校正時(shí)，選擇只跑一圈脈 沖，由于電流較小，則會導(dǎo)致誤差結(jié)果極不穩(wěn)定，誤差校正需要5分鐘左右，精度和效率均有 待提尚。
[0010] 因此，現(xiàn)有技術(shù)在針對電能表的誤差校正過程時(shí)，無法在減少誤差校正時(shí)間的同 時(shí)保證誤差校正的準(zhǔn)確度，進(jìn)而影響了電能表誤差校正的精度和效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 本發(fā)明提供了一種電能表的校正方法，在針對電能表的誤差校正過程時(shí)，可以在 減少誤差校正時(shí)間的同時(shí)保證誤差校正的準(zhǔn)確度，進(jìn)而提升了電能表誤差校正的精度和效 率。
[0012] 該方法應(yīng)用于包含主控計(jì)算機(jī)的檢測平臺，所述檢測平臺與電能表的計(jì)量芯片通 信連接，所述計(jì)量芯片包括計(jì)量控制寄存器與校正寄存器，該方法包括：
[0013] 接收主控計(jì)算機(jī)下發(fā)的第一控制命令和校表數(shù)據(jù)；
[0014] 根據(jù)所述第一控制命令設(shè)置所述計(jì)量控制寄存器的參數(shù)，以使所述計(jì)量控制寄存 器進(jìn)行脈沖加速；
[0015] 根據(jù)所述校表數(shù)據(jù)設(shè)置所述校正寄存器的參數(shù)后，分別計(jì)算出對應(yīng)的增益校正、 相位校正和Off set校正的校正值；
[0016] 將所述校正值寫入所述計(jì)量芯片以完成校正。
[0017] 優(yōu)選地，計(jì)算出增益校正的校正值，具體為：
[0018] 讀取第一預(yù)設(shè)條件下的第一誤差值；
[0019] 判斷所述第一誤差值是否處于預(yù)設(shè)第一誤差范圍內(nèi)；
[0020] 若是，則結(jié)束增益校正；
[0021] 若否，則獲取所述誤差值并通過預(yù)設(shè)的增益校正公式計(jì)算出所述增益校正的校正 值，并將所述增益校正的校正值寫入所述計(jì)量芯片的增益校正寄存器。
[0022] 優(yōu)選地，計(jì)算出相位校正的校正值，具體為：
[0023] 將所述相位校正的經(jīng)驗(yàn)值寫入所述計(jì)量芯片的相位校正寄存器；
[0024]讀取第二預(yù)設(shè)條件下的第二誤差值；
[0025]判斷所述第二誤差值是否處于預(yù)設(shè)第二誤差范圍內(nèi)；
[0026]若是，則結(jié)束相位校正；
[0027]若否，則獲取所述誤差值并通過預(yù)設(shè)的相位校正公式計(jì)算出所述相位校正的校正 值，并將所述相位校正的校正值寫入所述計(jì)量芯片的相位校正寄存器。
[0028]優(yōu)選地，計(jì)算出Offset校正的校正值，具體為：
[0029]將所述Off set校正的經(jīng)驗(yàn)值寫入所述計(jì)量芯片的相位校正寄存器；
[0030]讀取第三預(yù)設(shè)條件下的第三誤差值；
[0031]判斷所述第三誤差值是否處于預(yù)設(shè)第三誤差范圍內(nèi)；
[0032] 若是，則結(jié)束Off set校正；
[0033]若否，則獲取所述第三誤差值并通過預(yù)設(shè)的Off set校正公式計(jì)算出所述Off set校 正的校正值，并將所述Offset校正的校正值寫入所述計(jì)量芯片的有功偏置校正寄存器。 [0034]優(yōu)選地，所述經(jīng)驗(yàn)值為各自對應(yīng)的校正值樣本數(shù)據(jù)中出現(xiàn)頻率最高的校正值。 [0035]優(yōu)選地，將所述校正值寫入所述計(jì)量芯片以完成校正，具體為：
[0036]所述電能表通過SPI通信修改所述計(jì)量芯片內(nèi)的所述校正值以完成校正。
[0037] 優(yōu)選地，在接收主控計(jì)算機(jī)下發(fā)的第一控制命令和校表數(shù)據(jù)之前，還包括：
[0038] 將計(jì)量控制寄存器進(jìn)行初始化操作。
[0039] 優(yōu)選地，在將所述校正值寫入所述計(jì)量芯片以完成校正之后，還包括：
[0040]接收主控計(jì)算機(jī)下發(fā)的第二控制命令；
[0041]根據(jù)所述第二控制命令設(shè)置所述計(jì)量控制寄存器的參數(shù)，以使所述計(jì)量控制寄存 器退出脈沖加速。
[0042] 優(yōu)選地，所述電能表的計(jì)量芯片為RN8209芯片。
[0043]相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種電能表的校正設(shè)備，該校正設(shè)備應(yīng)用于包含主控計(jì) 算機(jī)的檢測平臺，所述檢測平臺與電能表的計(jì)量芯片通信連接，所述計(jì)量芯片包括計(jì)量控 制寄存器與校正寄存器，該校正設(shè)備包括：
[0044] 接收模塊，接收主控計(jì)算機(jī)下發(fā)的第一控制命令和校表數(shù)據(jù)；
[0045] 脈沖加速模塊，根據(jù)所述第一控制命令設(shè)置所述計(jì)量控制寄存器的參數(shù)，以使所 述計(jì)量控制寄存器進(jìn)行脈沖加速；
[0046]計(jì)算處理模塊，根據(jù)所述校表數(shù)據(jù)設(shè)置所述校正寄存器的參數(shù)后，分別計(jì)算出對 應(yīng)的增益校正、相位校正和Off set校正的校正值；
[0047]校正模塊，將所述校正值寫入所述計(jì)量芯片以完成校正。
[0048] 由此可見，通過應(yīng)用本發(fā)米的技術(shù)方案，可以使計(jì)量控制寄存器進(jìn)行脈沖加速，從 而可以在針對電能表的誤差校正過程時(shí)，可以在減少誤差校正時(shí)間的同時(shí)保證誤差校正的 準(zhǔn)確度，進(jìn)而提升了電能表誤差校正的精度和效率。
【附圖說明】
[0049] 圖1為本申請?zhí)岢龅囊环N電能表的校正方法的流程示意圖；
[0050] 圖2為本申請?zhí)岢龅囊环N電能表的校正設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0051] 有鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本申請?zhí)岢鲆环N電能表的校正方法，應(yīng)用于包含主控 計(jì)算機(jī)的檢測平臺，檢測平臺與電能表的計(jì)量芯片通信連接，計(jì)量芯片包括計(jì)量控制寄存 器與校正寄存器，電能表的計(jì)量芯片為RN8209芯片。本申請技術(shù)方案當(dāng)在針對電能表的誤 差校正過程時(shí)，可以在減少誤差校正時(shí)間的同時(shí)保證誤差校正的準(zhǔn)確度，進(jìn)而提升了電能 表誤差校正的精度和效率。
[0052] 為了進(jìn)一步闡述本發(fā)明的技術(shù)思想，現(xiàn)結(jié)合具體的應(yīng)用場景，對本發(fā)明的技術(shù)方 案進(jìn)行說明。
[0053] 如圖1所示，為本申請?zhí)岢龅挠脩粽埱筇幚矸椒ǖ牧鞒淌疽鈭D，包括以下步驟： [0054] S101，接收主控計(jì)算機(jī)下發(fā)的第一控制命令和校表數(shù)據(jù)。
[0055]本發(fā)明實(shí)施例中，以主控計(jì)算機(jī)作為上位機(jī)向電能表發(fā)出操控命令。所述第一控 制命令和校表數(shù)據(jù)是所述主控計(jì)算機(jī)通過485通信發(fā)送至所述電能表的。
[0056]在步驟S101之前，還包括:將計(jì)量控制寄存器進(jìn)行初始化操作。
[0057] S102,根據(jù)所述第一控制命令設(shè)置所述計(jì)量控制寄存器的參數(shù)，以使所述計(jì)量控 制寄存器進(jìn)行脈沖加速。
[0058] 電能表的計(jì)量芯片(RN8209芯片）中的計(jì)量控制寄存器(EMU⑶N)中bit2-4位正常 配置為000，其中CFSU[ 1:0]為EMUC0N的bit2-3寄存器，CFSEUN為EMUC0N的bit4寄存器。 CFSEUN是PF/QF脈沖輸出加速模塊的控制位，如第一控制命令是將CFSEUN的值設(shè)置為1，則 可以使脈沖加速模塊脈沖的輸出速率提高2 ~ (CFSU[ 1:0 ]+1)倍。故本發(fā)明實(shí)施例中，主控計(jì) 算機(jī)的第一控制命令通過485通道將CFSEUN的值設(shè)置為1，CFSU[1:0]的值設(shè)置為11，這樣可 以將脈沖輸出速率提高16倍。
[0059] S103,根據(jù)所述校表數(shù)據(jù)設(shè)置所述校正寄存器的參數(shù)后，分別計(jì)算出對應(yīng)的增益 校正、相位校正和Offset校正的校正值。
[0060] 本發(fā)明實(shí)施例中，計(jì)算出增益校正的校正值，具體為：
[0061] 讀取第一預(yù)設(shè)條件下的第一誤差值；
[0062] 判斷所述第一誤差值是否處于預(yù)設(shè)第一誤差范圍內(nèi)；
[0063]若是，則結(jié)束增益校正；
[0064]若否，則獲取所述誤差值并通過預(yù)設(shè)的增益校正公式計(jì)算出所述增益校正的校正 值，并將所述增益校正的校正值寫入所述計(jì)量芯片的增益校正寄存器。
[0065]具體的，增益校正可通過如下步驟進(jìn)行：
[0066] a)在100%1]11，100%113，？？ = 1的條件下，獲取檢測平臺上的誤差值6^
[0067] b)根據(jù)誤差值err計(jì)算出增益校正(GPQA)的值；
[0068] c)主控計(jì)算機(jī)通過485通信將GPQA的值發(fā)送給電能表；
[0069] d)電能表通過SPI通信修改RN8209芯片的GPQA寄存器的值；
[0070] e)獲取GPQA值修改后的檢測平臺上的誤差值err，合格（即落入預(yù)設(shè)范圍之內(nèi)）則 結(jié)束增益校正;若不合格，則重復(fù)b-d步驟。
[0071]本發(fā)明實(shí)施例中，計(jì)算出相位校正的校正值，具體為：
[0072]將所述相位校正的經(jīng)驗(yàn)值寫入所述計(jì)量芯片的相位校正寄存器；
[0073]讀取第二預(yù)設(shè)條件下的第二誤差值；
[0074]判斷所述第二誤差值是否處于預(yù)設(shè)第二誤差范圍內(nèi)；
[0075]若是，則結(jié)束相位校正；
[0076]若否，則獲取所述誤差值并通過預(yù)設(shè)的相位校正公式計(jì)算出所述相位校正的校正 值，并將所述相位校正的校正值寫入所述計(jì)量芯片的相位校正寄存器。
[0077] 具體的，相位校正可通過如下步驟進(jìn)行：
[0078] a)將所述相位校正的經(jīng)驗(yàn)值寫入所述計(jì)量芯片的相位校正寄存器；
[0079] b)在100%1]11，100%113，？？ = 0.51的條件下，獲取檢測平臺上的誤差值6^
[0080] c)合格(即落入預(yù)設(shè)范圍之內(nèi)）則結(jié)束校正，若不合格，則轉(zhuǎn)到步驟d;
[0081 ] d)根據(jù)誤差值err計(jì)算出相位校正(PhsA)的值；
[0082] e)主控計(jì)算機(jī)通過485通信將PhsA的值發(fā)送給電能表；
[0083] f)電能表通過SPI通信修改RN8209芯片的PhsA寄存器的值；
[0084] g)獲取PhsA值修改后的檢測平臺上的誤差值err，合格（即落入預(yù)設(shè)范圍之內(nèi)）則 結(jié)束相位校正;若不合格，則重復(fù)d-f步驟。
[0085]本發(fā)明實(shí)施例中，計(jì)算出Offset校正的校正值，具體為：
[0086]將所述Off set校正的經(jīng)驗(yàn)值寫入所述計(jì)量芯片的相位校正寄存器；
[0087]讀取第三預(yù)設(shè)條件下的第三誤差值；
[0088]判斷所述第三誤差值是否處于預(yù)設(shè)第三誤差范圍內(nèi)；
[0089] 若是，則結(jié)束Off set校正；
[0090]若否，則獲取所述第三誤差值并通過預(yù)設(shè)的Off set校正公式計(jì)算出所述Off set校 正的校正值，并將所述Offset校正的校正值寫入所述計(jì)量芯片的有功偏置校正寄存器。 [0091] 具體的，Offset校正可通過如下步驟進(jìn)行：
[0092] a)將所述Offset校正的經(jīng)驗(yàn)值寫入所述計(jì)量芯片的有功偏置校正寄存器；
[0093] b)在100%1]11，5%11^? = 1的條件下，獲取檢測平臺上的誤差值6^
[0094] c)合格(即落入預(yù)設(shè)范圍之內(nèi)）則結(jié)束校正，若不合格，則轉(zhuǎn)到步驟d;
[0095] d)根據(jù)誤差值err計(jì)算出有功偏置校正(AP0SA)的值；
[0096] e)主控計(jì)算機(jī)通過485通信將AP0SA的值發(fā)送給電能表；
[0097] f)電能表通過SPI通信修改RN8209芯片的AP0SA寄存器的值；
[0098] g)獲取AP0SA值修改后的檢測平臺上的誤差值err，合格（即落入預(yù)設(shè)范圍之內(nèi)）則 結(jié)束Offset校正;若不合格，則重復(fù)d-f步驟。
[0099]其中，相位校正和off set校正步驟中的經(jīng)驗(yàn)值為各自對應(yīng)的校正值樣本數(shù)據(jù)中出 現(xiàn)頻率最尚的fe正值。
[0100] 具體的，經(jīng)驗(yàn)值跟電能表的電路設(shè)計(jì)有關(guān)，經(jīng)驗(yàn)值由前期電能表的樣機(jī)制作和小 批試制過程中電能表校正時(shí)的各校正相關(guān)寄存器的數(shù)據(jù)總結(jié)而成，出現(xiàn)次數(shù)最高的數(shù)值即 經(jīng)驗(yàn)值，經(jīng)驗(yàn)值校正法在電能表的量產(chǎn)過程中準(zhǔn)確率達(dá)98 %。例如
【申請人】公司所生產(chǎn)的一 款智能電能表的相位校正和offset校正經(jīng)驗(yàn)值分別為：
[0101] AP0SA：PA_0FFSET[4] = {0x0a, 0x04,0x00,0x00}；
[0102] PhsA：PHASE_A[4]={0xF9,0x00,0x00,0x00}〇 [0103] S104，將所述校正值寫入所述計(jì)量芯片以完成校正。
[0104]其中，將所述校正值寫入所述計(jì)量芯片以完成校正，具體為：
[0105]所述電能表通過SPI通信修改所述計(jì)量芯片內(nèi)的所述校正值以完成校正。
[0106] 優(yōu)選地，在將所述校正值寫入所述計(jì)量芯片以完成校正之后，還包括：
[0107] 接收主控計(jì)算機(jī)下發(fā)的第二控制命令；
[0108] 根據(jù)所述第二控制命令設(shè)置所述計(jì)量控制寄存器的參數(shù)，以使所述計(jì)量控制寄存 器退出脈沖加速。
[0109] 具體的，主控計(jì)算機(jī)的第二控制命令通過485通道將CFSEUN的值設(shè)置為0，CFSU[1: 0 ]的值設(shè)置為〇〇，即可關(guān)閉加速通道。
[0110] 本申請中所提到的電能表的計(jì)量芯片為RN8209芯片。
[0111] 本申請的實(shí)際應(yīng)用場景中，首先根據(jù)第一控制命令設(shè)置計(jì)量控制寄存器的參數(shù)， 以使所述計(jì)量控制寄存器進(jìn)行脈沖加速，可以將脈沖輸出速率提高16倍，將增益校正時(shí)間 縮短至原先校正時(shí)間的1/16,有效提升了校正的速度，另外，在相位校正與Offset校正過程 中通過先寫入經(jīng)驗(yàn)值的方式進(jìn)行預(yù)校正，當(dāng)預(yù)校正未合格在采用傳統(tǒng)的"先計(jì)算再寫入"方 式進(jìn)行校正。因?yàn)樵趯?shí)際應(yīng)用場景中，百分之九十以上的校正過程通過預(yù)校正即可達(dá)到校 正目的，所以通過采用本發(fā)明的技術(shù)方案可以在保證校正準(zhǔn)確率的同時(shí)有效提升校正效 率。
[0112]相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種電能表的校正設(shè)備，該校正設(shè)備應(yīng)用于包含主控計(jì) 算機(jī)的檢測平臺，所述檢測平臺與電能表的計(jì)量芯片通信連接，所述計(jì)量芯片包括計(jì)量控 制寄存器與校正寄存器，該校正設(shè)備包括：
[0113] 接收模塊210,接收主控計(jì)算機(jī)下發(fā)的第一控制命令和校表數(shù)據(jù)；
[0114] 脈沖加速模塊220,根據(jù)所述第一控制命令設(shè)置所述計(jì)量控制寄存器的參數(shù)，以使 所述計(jì)量控制寄存器進(jìn)行脈沖加速；
[0115]計(jì)算處理模塊230,根據(jù)所述校表數(shù)據(jù)設(shè)置所述校正寄存器的參數(shù)后，分別計(jì)算出 對應(yīng)的增益校正、相位校正和Off set校正的校正值；
[0116] 校正模塊240,將所述校正值寫入所述計(jì)量芯片以完成校正。
[0117] 由此可見，通過應(yīng)用本發(fā)米的技術(shù)方案，可以使計(jì)量控制寄存器進(jìn)行脈沖加速以 及通過經(jīng)驗(yàn)值進(jìn)行預(yù)校正，從而可以在針對電能表的誤差校正過程時(shí)，可以在減少誤差校 正時(shí)間的同時(shí)保證誤差校正的準(zhǔn)確度，進(jìn)而提升了電能表誤差校正的精度和效率。
[0118] 通過以上的實(shí)施方式的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到本發(fā)明可以通 過硬件實(shí)現(xiàn)，也可以借助軟件加必要的通用硬件平臺的方式來實(shí)現(xiàn)?；谶@樣的理解，本發(fā) 明的技術(shù)方案可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該軟件產(chǎn)品可以存儲在一個(gè)非易失性存儲 介質(zhì)(可以是CD-R0M，U盤，移動硬盤等）中，包括若干指令用以使得一臺計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是 個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施場景所述的方法。
[0119] 本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解附圖只是一個(gè)優(yōu)選實(shí)施場景的示意圖，附圖中的模塊或 流程并不一定是實(shí)施本發(fā)明所必須的。
[0120] 本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解實(shí)施場景中的裝置中的模塊可以按照實(shí)施場景描述進(jìn) 行分布于實(shí)施場景的裝置中，也可以進(jìn)行相應(yīng)變化位于不同于本實(shí)施場景的一個(gè)或多個(gè)裝 置中。上述實(shí)施場景的模塊可以合并為一個(gè)模塊，也可以進(jìn)一步拆分成多個(gè)子模塊。
[0121] 上述本發(fā)明序號僅僅為了描述，不代表實(shí)施場景的優(yōu)劣。
[0122] 以上公開的僅為本發(fā)明的幾個(gè)具體實(shí)施場景，但是，本發(fā)明并非局限于此，任何本 領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化都應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電能表的校正方法，其特征在于，應(yīng)用于包含主控計(jì)算機(jī)的檢測平臺，所述檢測 平臺與電能表的計(jì)量芯片通信連接，所述計(jì)量芯片包括計(jì)量控制寄存器與校正寄存器，所 述方法包括： 接收主控計(jì)算機(jī)下發(fā)的第一控制命令和校表數(shù)據(jù)； 根據(jù)所述第一控制命令設(shè)置所述計(jì)量控制寄存器的參數(shù)，以使所述計(jì)量控制寄存器進(jìn) 行脈沖加速； 根據(jù)所述校表數(shù)據(jù)設(shè)置所述校正寄存器的參數(shù)后，分別計(jì)算出對應(yīng)的增益校正、相位 校正和Off set校正的校正值； 將所述校正值寫入所述計(jì)量芯片以完成校正。2. 如權(quán)利要求1所述的電能表的校正方法，其特征在于，計(jì)算出增益校正的校正值，具 體為： 讀取第一預(yù)設(shè)條件下的第一誤差值； 判斷所述第一誤差值是否處于預(yù)設(shè)第一誤差范圍內(nèi)； 若是，則結(jié)束增益校正； 若否，則獲取所述誤差值并通過預(yù)設(shè)的增益校正公式計(jì)算出所述增益校正的校正值， 并將所述增益校正的校正值寫入所述計(jì)量芯片的增益校正寄存器。3. 如權(quán)利要求1所述的電能表的校正方法，其特征在于，計(jì)算出相位校正的校正值，具 體為： 將所述相位校正的經(jīng)驗(yàn)值寫入所述計(jì)量芯片的相位校正寄存器； 讀取第二預(yù)設(shè)條件下的第二誤差值； 判斷所述第二誤差值是否處于預(yù)設(shè)第二誤差范圍內(nèi)； 若是，則結(jié)束相位校正； 若否，則獲取所述誤差值并通過預(yù)設(shè)的相位校正公式計(jì)算出所述相位校正的校正值， 并將所述相位校正的校正值寫入所述計(jì)量芯片的相位校正寄存器。4. 如權(quán)利要求1所述的電能表的校正方法，其特征在于，計(jì)算出Off set校正的校正值， 具體為： 將所述Offset校正的經(jīng)驗(yàn)值寫入所述計(jì)量芯片的相位校正寄存器； 讀取第三預(yù)設(shè)條件下的第三誤差值； 判斷所述第三誤差值是否處于預(yù)設(shè)第三誤差范圍內(nèi)； 若是，則結(jié)束Offset校正； 若否，則獲取所述第三誤差值并通過預(yù)設(shè)的Offset校正公式計(jì)算出所述Off set校正的 校正值，并將所述Offset校正的校正值寫入所述計(jì)量芯片的有功偏置校正寄存器。5. 如權(quán)利要求3或4所述的電能表的校正方法，其特征在于，所述經(jīng)驗(yàn)值為各自對應(yīng)的 校正值樣本數(shù)據(jù)中出現(xiàn)頻率最高的校正值。6. 如權(quán)利要求1所述的電能表的校正方法，其特征在于，將所述校正值寫入所述計(jì)量芯 片以完成校正，具體為： 所述電能表通過SPI通信修改所述計(jì)量芯片內(nèi)的所述校正值以完成校正。7. 如權(quán)利要求1所述的電能表的校正方法，其特征在于，在接收主控計(jì)算機(jī)下發(fā)的第一 控制命令和校表數(shù)據(jù)之前，還包括： 將計(jì)量控制寄存器進(jìn)行初始化操作。8. 如權(quán)利要求1所述的電能表的校正方法，其特征在于，在將所述校正值寫入所述計(jì)量 芯片以完成校正之后，還包括： 接收主控計(jì)算機(jī)下發(fā)的第二控制命令； 根據(jù)所述第二控制命令設(shè)置所述計(jì)量控制寄存器的參數(shù)，以使所述計(jì)量控制寄存器退 出脈沖加速。9. 如權(quán)利要求1-4所述的電能表的校正方法，其特征在于，所述電能表的計(jì)量芯片為 RN8209芯片。10. -種電能表的校正設(shè)備，其特征在于，應(yīng)用于包含主控計(jì)算機(jī)的檢測平臺，所述檢 測平臺與電能表的計(jì)量芯片通信連接，所述計(jì)量芯片包括計(jì)量控制寄存器與校正寄存器， 所述校正設(shè)備包括： 接收模塊，接收主控計(jì)算機(jī)下發(fā)的第一控制命令和校表數(shù)據(jù)； 脈沖加速模塊，根據(jù)所述第一控制命令設(shè)置所述計(jì)量控制寄存器的參數(shù)，以使所述計(jì) 量控制寄存器進(jìn)行脈沖加速； 計(jì)算處理模塊，根據(jù)所述校表數(shù)據(jù)設(shè)置所述校正寄存器的參數(shù)后，分別計(jì)算出對應(yīng)的 增益校正、相位校正和Offset校正的校正值； 校正模塊，將所述校正值寫入所述計(jì)量芯片以完成校正。
【文檔編號】G01R35/04GK105911506SQ201610237526
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年4月18日
【發(fā)明人】馬莉莉
【申請人】青島高科通信股份有限公司