一種應力定位傳感器及其制作方法、應力定位方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種應力定位傳感器及其制作方法、應力定位方法，無需使用集成技術就可實現(xiàn)應力的實時定位。所述應力定位傳感器包括：相對設置的兩個基底、導電層和電極，且每個電極覆蓋與其對應的導電層的一端；兩個基底上設置的所述電極之間設置有絕緣膠。所述制作方法包括：提供兩個基底；在每個基底上均形成導電層；在每個基底上的導電層上形成電極，每個電極覆蓋與其對應的導電層的一端；將兩個基底相對設置，并使用絕緣膠將兩個電極粘合。所述應力定位方法包括：獲取待測試應力作用所述應力定位傳感器后，測得的電流；查詢預設的距離與電流之間的映射關系表，獲取所述待測試應力的作用位置。本發(fā)明適用于力電傳感技術領域。
【專利說明】
一種應力定位傳感器及其制作方法、應力定位方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及力電傳感技術領域，特別是指一種應力定位傳感器及其制作方法、應力定位方法。
【背景技術】
[0002]應力傳感器是目前工業(yè)實踐中最為常用的一種傳感器，其廣泛應用于各種工業(yè)自控環(huán)境，涉及水利水電、鐵路交通、智能建筑、生產(chǎn)自控、航空航天等眾多行業(yè)。
[0003]傳統(tǒng)的應力傳感器以機械結構型的器件為主，以彈性元件的形變指示應力，但這種結構尺寸大、質量重，不能提供電學輸出。隨著半導體技術的發(fā)展，半導體應力傳感器也應運而生。其特點是體積小、質量輕、準確度高、溫度特性好。特別是隨著MEMS技術的發(fā)展，半導體傳感器向著微型化發(fā)展，而且其功耗小、可靠性高。然而這些應力傳感器均只能反饋應力的大小幅值，并不能同時反饋應力作用的位置，這使得應力傳感器的應用前景受到極大的限制。
[0004]近年來，隨著新材料與新原理的涌現(xiàn)，具有定位功能的應力傳感器受到廣泛重視并取得初步研究結果?，F(xiàn)有技術中，具有定位功能的應力傳感器為采用PVDF(Polyvinylidene fluoride，聚偏氟乙稀)和銅質小球形成的組合系統(tǒng)，其利用二者摩擦發(fā)電的原理實現(xiàn)銅質小球的二維定位?；蛘?，采用橫豎交錯的上下液態(tài)金屬電極板，也可實現(xiàn)二維應力定位的功能。但發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，這些研究工作都建立在多個器件集成的原理上，而集成就無法避免得需要考慮復雜的外接線路以及相應的信號問題，非常不利于實際應用。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種應力定位傳感器及其制作方法、應力定位方法，以解決現(xiàn)有技術所存在的需要使用集成技術實現(xiàn)應力的實時定位、外接電路復雜問題。
[0006]為解決上述技術問題，本發(fā)明實施例提供一種應力定位傳感器，包括:
[0007]相對設置的兩個基底；
[0008]每個基底的朝向另一個基底的一面上依次層疊設置有導電層和電極，且每個電極覆蓋與其對應的導電層的一端；
[0009]兩個基底上設置的所述電極之間設置有絕緣膠。
[0010]進一步地，所述導電層為石墨烯薄膜；
[0011]所述基底為PET薄膜；
[0012]所述電極為銅電極；
[0013]所述絕緣膠為透明絕緣膠。
[0014]進一步地，所述石墨烯薄膜具有一個原子層。
[0015]進一步地，所述基底的厚度為ΙΟΟμπι?180μπι;
[0016]所述導電層2的厚度為0.4nm?lnm;
[0017]所述電極3和絕緣膠4的厚度之和為120μπι?200μπι。
[0018]本發(fā)明實施例還提供一種應力定位傳感器的制造方法，用于制作權利要求上述任一項所述的應力定位傳感器，所述制作方法包括:
[0019]提供兩個基底；
[0020]在每個基底上均形成導電層；
[0021]在每個基底上的導電層上形成電極，每個電極覆蓋與其對應的導電層的一端；
[0022]將兩個基底相對設置，并使用絕緣膠將兩個電極粘合。
[0023]進一步地，所述導電層為石墨烯薄膜，石墨烯薄膜具有一個原子層；
[0024]所述在每個基底上形成導電層包括:
[0025]采用化學氣相沉積法在預備的銅箔上生長所述石墨烯薄膜；
[0026]將所述石墨烯薄膜轉移至基底上，作為導電層。
[0027]進一步地，所述采用化學氣相沉積法在銅箔上生長石墨烯薄膜包括:
[0028]步驟一、將預備的銅箔清洗吹干后水平放置在管式爐中的石英管中；
[0029]步驟二、將所述石英管中的氣壓抽至預設氣壓；
[0030]步驟三、向所述石英管中通入氫氣；
[0031 ]步驟四、將所述銅箔加熱至其熱退火溫度，并保溫；
[0032]步驟五、向所述石英管中通入甲烷；
[0033]步驟六、使所述石英管保溫；
[0034]步驟七、將所述石英管冷卻至室溫，通入氬氣至常壓，取出附著有所述石墨烯薄膜的所述銅箔。
[0035]進一步地，所述將所述石墨烯薄膜轉移至基底上包括:
[0036]在附著有所述石墨烯薄膜的銅箔上涂覆PMMA膠，在所述PMMA膠固化后，得到PMMA膠/石墨烯薄膜/銅箔的多層結構；
[0037]使用過硫酸銨溶液刻蝕所述銅箔，得到表面附著有所述PMMA膠的所述石墨烯薄膜；
[0038]利用PET薄膜對表面附著有所述PMMA膠的所述石墨烯薄膜進行打撈，得到PMMA膠/石墨烯薄膜/PET薄膜的多層結構；
[0039]利用丙酮溶液去除所述PMMA膠，得到石墨烯薄膜/PET薄膜的雙層結構。
[°04°]本發(fā)明實施例還提供一種應力定位方法，應用權利要求上述任一項所述的應力定位傳感器，所述應力定位方法包括:
[0041]獲取待測試應力作用所述應力定位傳感器后，通過所述應力定位傳感器的電流；
[0042]查詢預設的距離與電流之間的映射關系表，獲取所述待測試應力的作用位置；
[0043]其中，所述映射關系表中的電流為應力作用所述應力定位傳感器后，通過所述應力定位傳感器的電流，所述映射關系表中的距離為應力作用位置與電極之間的距離。
[0044]進一步地，所述查詢預設的距離與電流之間的映射關系表之前，包括:
[0045]將電極所在位置設定為原點；
[0046]選取與所述原點之間距離不同的多個采樣點；
[0047]在兩個電極之間施加固定電壓，獲取在各采樣點上施加相同大小的應力時，通過所述應力定位傳感器的電流；
[0048]根據(jù)各采樣點與所述原點之間的距離，并結合獲取的在各采樣點上施加相同大小的應力時，通過所述應力定位傳感器的電流，建立所述距離與電流之間的映射關系表。
[0049]本發(fā)明的上述技術方案的有益效果如下:
[0050]上述方案中，通過應力定位傳感器測試應力時，應力作用位置的不同會使得通過所述應力定位傳感器的電流的大小不同，進而可以依據(jù)所述電流的大小即可確定應力的作用位置，實現(xiàn)應力的實時定位，因此，能夠達到不需要使用集成技術就可以對應力進行實時定位，且所述應力定位傳感器的結構簡單、工藝精簡、定位精確高，適于可穿戴電子設備中的應力作用位置的探測，具有重大的應用價值和現(xiàn)實意義。
【附圖說明】
[0051 ]圖1為本發(fā)明實施例一提供的應力定位傳感器的結構示意圖；
[0052]圖2為本發(fā)明實施例二提供的應力定位傳感器的制造方法的流程示意圖；
[0053]圖3為本發(fā)明實施例二提供的石墨烯薄膜的Raman圖；
[0054]圖4為本發(fā)明實施例三提供的應力定位傳感器的電阻與位移的響應特性曲線示意圖；
[0055]圖5為本發(fā)明實施例三提供的應力定位傳感器的電阻與時間的響應特性曲線示意圖；
[0056]圖6為本發(fā)明實施例四提供的應力定位方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0057]為使本發(fā)明要解決的技術問題、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0058]本發(fā)明針對現(xiàn)有的需要使用集成技術實現(xiàn)應力的實時定位、外接電路復雜的問題，提供一種應力定位傳感器及其制作方法、應力定位方法。
[0059]實施例一
[0060]如圖1所示為本發(fā)明實施例提供的應力定位傳感器，包括:
[0061]相對設置的兩個基底I;
[0062]每個基底I的朝向另一個基底I的一面上依次層疊設置有導電層2和電極3，且每個電極3僅覆蓋與其對應的導電層2的一端；
[0063]兩個基底上設置的所述電極3之間設置有絕緣膠4。
[0064]本發(fā)明實施例中，使用所述應力定位傳感器測量應力時的連接方式如下:以石墨烯薄膜作為導電層2，以導電層2中間的空氣薄層作為絕緣介質層，從兩個電極3各引出一個外電路金屬引線，構成的應力定位傳感器可以將施加于基底I上的應力作用位置與電極間的距離轉換成因有效長度變化而引起的電阻變化，具體為，應力定位傳感器在非工作狀態(tài)時(即未受到應力作用時)為斷路模式，電阻接近無窮大，在一個基底上施加一定應力后，在應力作用下，上下兩導電層彼此接觸，兩個電極之間導通，形成回路，隨著施加應力的位置逐漸遠離電極，應力定位傳感器的電阻值線性增大，從而使得在使用所述應力定位傳感器測試應力的過程中，應力作用位置的不同會使得所述應力定位傳感器的電阻不同，進而使得在固定電壓的作用下，通過所述應力定位傳感器的電流的大小不同，進而可以依據(jù)所述電流的大小確定應力的作用位置，實現(xiàn)應力的實時定位，因此，能夠達到不需要使用集成技術就可以實現(xiàn)對應力的實時定位的目的。
[0065]本發(fā)明實施例中，為了更好地說明有效長度的含義，將兩個基底I分別用第一基底和第二基底表示;所述有效長度指第一基底上應力的作用點、第一基底上的電極處、第二基底上的電極處與第二基底上應力的作用點的各段長度之和，這段總長度是所述應力定位傳感器工作狀態(tài)時電流流過的有效路徑，即有效長度，所述有效長度等于所述應力定位傳感器工作時接入電路的真正起電阻作用的導電層長度。在理論上，所述有效路徑的長度<第一基底與第二基底上導電層(石墨烯薄膜)的長度和，且所述有效長度的數(shù)值隨著應力作用點的改變而改變。
[0066]本發(fā)明實施例中，由于石墨烯薄膜作為導電性優(yōu)異的柔性電子材料，可以實現(xiàn)單軸應力定位;且石墨烯薄膜具有較強的機械強度，優(yōu)異的導電性以及透明超薄的特性。因此，作為一可選實施例，所述導電層3可以為石墨烯薄膜。
[0067]本發(fā)明實施例中，所述石墨烯薄膜可以具有一個原子層，也可以具有多個原子層，當石墨烯薄膜具有一個原子層時，不同位置的石墨烯薄膜的厚度較為均一，當石墨烯薄膜具有多個原子層時，不同位置的石墨烯薄膜的厚度之間的存在一定的差別，因此，本發(fā)明實施例中，作為又一可選實施例，可以選用具有一個原子層的石墨烯薄膜，以使得應力定位傳感器具有最佳的性能。
[0068]本發(fā)明實施例中，具體的，具有一個原子層的石墨烯薄膜的載流子迀移率為2X105cm2.V—1.s—1，透光率為97.7%，石墨烯的機械強度達到130GPa，是已測試材料中最高的，且平面的石墨烯晶體更容易使用常規(guī)加工技術，為制作各種納米器件帶來了極大的靈活性。并且，石墨烯的大量制備也取得了重要進展，直接用化學氣相沉積(Chemical VaporDeposit1n，CVD)方法合成單層和若干層的石墨稀薄膜(例如，石墨稀透明導電薄膜)技術已經(jīng)十分成熟。
[0069]本發(fā)明實施例中，作為再一可選實施例，所述基底I可以為PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)薄膜，電極3可以為銅電極，絕緣膠4可以為透明絕緣膠，從而使得應力定位傳感器為柔性透明應力定位傳感器，更有利于該應力定位傳感器的集成和應用。
[0070]本發(fā)明實施例中，作為又一可選實施例，所述基底I的厚度為ΙΟΟμπι?180μπι，導電層2的厚度為0.4nm?lnm，電極3和絕緣膠4的厚度之和為120μπι?200μπιο
[0071]由于本發(fā)明實施例中的應力定位傳感器具有如上所述的結構，從而使得使用該應力定位傳感器測試應力的過程中，應力作用位置的不同會使得所述應力定位傳感器的電阻不同，進而使得在固定電壓的作用下，通過所述應力定位傳感器的電流的大小不同，進而可以依據(jù)所述電流的大小即可確定應力的作用位置，實現(xiàn)應力的實時定位，因此，達到不需要使用集成技術就可以實現(xiàn)對應力的實時定位的目的，且所述應力定位傳感器的結構簡單、工藝精簡、定位精確高，適于可穿戴電子設備中的應力作用位置的探測，具有重大的應用價值和現(xiàn)實意義。
[0072]另外，本發(fā)明實施例中的應力定位傳感器還具有低成本、高靈敏度且專一傳感的功能，擴大了碳納米材料在傳感器件領域的應用。
[0073]實施例二
[0074]本發(fā)明實施例提供一種應力定位傳感器的制造方法，用于制作以上所述的應力定位傳感器，如圖2所示，所述應力定位傳感器的制造方法包括:
[0075]SI 1、提供兩個基底。
[0076]S12、在每個基底上均形成導電層；
[0077]本發(fā)明實施例中，作為一可選實施例，所述導電層為石墨烯薄膜，石墨烯薄膜具有一個原子層；
[0078]本發(fā)明實施例中，作為又一可選實施例，所述在每個基底上形成導電層具體可以包括:
[0079]采用化學氣相沉積法在預備的銅箔上生長所述石墨烯薄膜；
[0080]將所述石墨烯薄膜轉移至基底上，所述石墨烯薄膜作為導電層。
[0081]本發(fā)明實施例中，作為再一可選實施例，所述采用化學氣相沉積法在銅箔上生長所述石墨烯薄膜具體可以包括:
[0082]步驟一、將預備的銅箔清洗吹干后水平放置在管式爐中的石英管中；
[0083]步驟二、將所述石英管中的氣壓抽至預設氣壓；
[0084]步驟三、向所述石英管中通入氫氣；
[0085]步驟四、將所述銅箔加熱至其熱退火溫度，并保溫；
[0086]步驟五、向所述石英管中通入甲烷；
[0087]步驟六、使所述石英管保溫；
[0088]步驟七、將所述石英管冷卻至室溫，通入氬氣至常壓，取出附著有所述石墨烯薄膜的所述銅箔。
[0089]本發(fā)明實施例中，可選地，所述銅箔的長度可以為4cm、寬度可以為2cm、厚度可以為25μπι，所述預設氣壓可以為20Pa，所述氫氣的流量可以為20sCCm，所述銅箔的熱退火溫度可以為1000°C，所述銅箔在其熱退火溫度的保溫時間可以為15min，所述甲烷的流量可以為5sccm,所述石英管的保溫溫度可以為1000°C，所述石英管的保溫時間可以為30min，所述氬氣的流量可以為500s ccm。所述參數(shù)可以制作具有一個原子層的石墨稀薄膜，其對應的Raman曲線如圖3所示。
[0090]本發(fā)明實施例中，可選地，所述甲烷氣體的純度可以為99.99%,所述銅箔的純度可以為99.8%。
[0091]本發(fā)明實施例中，作為又一可選實施例，所述將所述石墨烯薄膜轉移至基底上的具體步驟可以包括:
[0092]在附著有所述石墨烯薄膜的銅箔上涂覆PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)膠，在所述PMMA膠固化后，得到PMMA膠/石墨烯薄膜/銅箔的多層結構;其中，PMMA的固化方式可以為:在65°C常壓下烘干25分鐘。
[0093]使用過硫酸銨溶液刻蝕所述銅箔，得到表面附著有所述PMMA膠的所述石墨烯薄膜；
[0094]利用PET薄膜對表面附著有所述PMMA膠的所述石墨烯薄膜進行打撈，得到PMMA膠/石墨烯薄膜/PET薄膜的多層結構；
[0095]利用丙酮溶液去除所述PMMA膠，得到石墨烯薄膜/PET薄膜的雙層結構，實現(xiàn)所述石墨烯薄膜的轉移;其中，丙酮溶液的濃度為99.5%。
[0096]本發(fā)明實施例中，進一步地，可對以上得到的石墨稀薄膜/PET薄膜的雙層結構進行剪裁，得到合適的尺寸。
[0097]S13、在每個基底上的導電層上均形成電極，每個電極僅覆蓋與其對應的導電層的一端。
[0098]S14、將兩個基底相對設置，并使用絕緣膠將兩個電極粘合。
[0099]需要說明的是，在本發(fā)明實施例中的其他細節(jié)，可以參照實施例一。
[0100]本發(fā)明實施例中的應力定位傳感器的制造方法的有益效果與上述應力定位傳感器的有益效果相同，此處不再進行贅述。
[0101]實施例三
[0102]為了便于進一步理解實施例二，本發(fā)明實施例還提供一種具體的應力定位傳感器的制作過程，該制作過程包括:
[0103]I)將25μπι厚的銅箔剪裁成2X4cm2的方形，分別用冰醋酸、去離子水和乙醇沖洗后烘干。將準備好的方形銅箔作為化學氣相沉積的催化劑放入管式爐中，在20Pa低壓下，氫氣流量20sccm，升溫至1000°C，還原15分鐘后，通入甲烷，流量為5sccm，反應時間30分鐘，停止甲烷，在氫氣和氬氣保護下降溫，冷卻至室溫后取出樣品。
[0104]2)將PMMA膠旋涂于長有石墨烯薄膜的銅箔上，得PMMA/石墨烯/銅箔的多層結構，并置于65 Γ烘箱中烘干25分鐘。
[0105]3)將烘干冷卻后的多層結構漂浮于0.5M的過硫酸銨溶液，待下表面銅箔刻蝕完畢后用PET薄膜撈起并放置于65 °C恒溫箱中烘干。
[0106]4)刻蝕后得PMMA/石墨烯/PET三明治層狀結構，放入丙酮溶液浸泡8小時后去除上層PMMA膠，將得到的樣品用乙醇洗凈后烘干裁剪備用。
[0107]5)用直流濺射的銅為電極，制作完成該應力定位傳感器。
[0108]本發(fā)明實施例中，進一步地，可以在兩個電極上通過導線連接到外電路，利用SCS-4200半導體性能測試儀和循環(huán)加力裝置對該應力定位傳感器進行應力、位移等電學性能的測試。上述應力定位傳感器在非工作狀態(tài)時(即未受到應力作用時)為斷路模式，電阻接近無窮大，在一個基底上施加一定應力后，傳感器上下兩層石墨烯彼此接觸，兩個電極之間導通，電阻減小至數(shù)量級為103?104 Ω，隨著施加應力的位置逐漸遠離電極，應力定位傳感器的電阻值線性增大，當施加應力的作用位置與電極處的距離增加到25mm時，應力定位傳感器的電阻增大4倍，由圖4和圖5可知，此應力定位傳感器對應力作用位置的分辨率為455.09Ω.mm—S響應時間為0.3ms，定位精度高，響應速度快。
[0109]實施例四
[0110]如圖6所示，本發(fā)明實施例提供一種應力定位方法，在該應力定位方法中應用如上所述的應力定位傳感器，具體地，所述應力定位方法包括:
[0111]S21，獲取待測試應力作用所述應力定位傳感器后，通過所述應力定位傳感器的電流；
[0112]S22，查詢預設的距離與電流之間的映射關系表，獲取所述待測試應力的作用位置，從而實現(xiàn)所述待測試應力的實時定位；
[0113]其中，所述映射關系表中的電流為應力作用所述應力定位傳感器后，通過所述應力定位傳感器的電流，所述映射關系表中的距離為應力作用位置與電極之間的距離。
[0114]本發(fā)明實施例中，作為一可選實施例，所述查詢預設的距離與電流之間的映射關系表之前，包括:
[0115]將電極所在位置設定為原點；
[0116]選取與所述原點之間距離不同的多個采樣點；
[0117]在兩個電極之間施加固定電壓，獲取在各采樣點上施加相同大小的應力時，通過所述應力定位傳感器的電流；
[0118]根據(jù)各采樣點與所述原點之間的距離，并結合獲取的在各采樣點上施加相同大小的應力時，通過所述應力定位傳感器的電流，建立所述距離與電流之間的映射關系表。
[0119]本發(fā)明實施例中的應力定位方法的有益效果與上述應力定位傳感器的有益效果相同，此處不再進行贅述。
[0120]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權項】
1.一種應力定位傳感器，其特征在于，包括: 相對設置的兩個基底； 每個基底的朝向另一個基底的一面上依次層疊設置有導電層和電極，且每個電極覆蓋與其對應的導電層的一端； 兩個基底上設置的所述電極之間設置有絕緣膠。2.根據(jù)權利要求1所述的應力定位傳感器，其特征在于，所述導電層為石墨烯薄膜； 所述基底為PET薄膜； 所述電極為銅電極； 所述絕緣膠為透明絕緣膠。3.根據(jù)權利要求2所述的應力定位傳感器，其特征在于，所述石墨烯薄膜具有一個原子層。4.根據(jù)權利要求2所述的應力定位傳感器，其特征在于，所述基底的厚度為ΙΟΟμπι?180ym; 所述導電層2的厚度為0.4nm?lnm; 所述電極3和絕緣膠4的厚度之和為120μπι?200μπι。5.—種應力定位傳感器的制造方法，其特征在于，用于制作權利要求1?4任一項所述的應力定位傳感器，所述制作方法包括: 提供兩個基底； 在每個基底上均形成導電層； 在每個基底上的導電層上形成電極，每個電極覆蓋與其對應的導電層的一端； 將兩個基底相對設置，并使用絕緣膠將兩個電極粘合。6.根據(jù)權利要求5所述的應力定位傳感器的制造方法，其特征在于，所述導電層為石墨烯薄膜，石墨烯薄膜具有一個原子層； 所述在每個基底上形成導電層包括: 采用化學氣相沉積法在預備的銅箔上生長所述石墨烯薄膜； 將所述石墨烯薄膜轉移至基底上，作為導電層。7.根據(jù)權利要求6所述的應力定位傳感器的制造方法，其特征在于，所述采用化學氣相沉積法在銅箔上生長石墨烯薄膜包括: 步驟一、將預備的銅箔清洗吹干后水平放置在管式爐中的石英管中； 步驟二、將所述石英管中的氣壓抽至預設氣壓； 步驟三、向所述石英管中通入氫氣； 步驟四、將所述銅箔加熱至其熱退火溫度，并保溫； 步驟五、向所述石英管中通入甲烷； 步驟六、使所述石英管保溫； 步驟七、將所述石英管冷卻至室溫，通入氬氣至常壓，取出附著有所述石墨烯薄膜的所述銅箔。8.根據(jù)權利要求6所述的應力定位傳感器的制造方法，其特征在于，所述將所述石墨稀薄膜轉移至基底上包括: 在附著有所述石墨烯薄膜的銅箔上涂覆PMMA膠，在所述PMMA膠固化后，得到PMMA膠/石墨烯薄膜/銅箔的多層結構； 使用過硫酸銨溶液刻蝕所述銅箔，得到表面附著有所述PMMA膠的所述石墨烯薄膜； 利用PET薄膜對表面附著有所述PMMA膠的所述石墨烯薄膜進行打撈，得到PMMA膠/石墨烯薄膜/PET薄膜的多層結構； 利用丙酮溶液去除所述PMMA膠，得到石墨烯薄膜/PET薄膜的雙層結構。9.一種應力定位方法，其特征在于，應用權利要求1?4任一項所述的應力定位傳感器，所述應力定位方法包括: 獲取待測試應力作用所述應力定位傳感器后，通過所述應力定位傳感器的電流； 查詢預設的距離與電流之間的映射關系表，獲取所述待測試應力的作用位置； 其中，所述映射關系表中的電流為應力作用所述應力定位傳感器后，通過所述應力定位傳感器的電流，所述映射關系表中的距離為應力作用位置與電極之間的距離。10.根據(jù)權利要求9所述的應力定位方法，其特征在于，所述查詢預設的距離與電流之間的映射關系表之前，包括: 將電極所在位置設定為原點； 選取與所述原點之間距離不同的多個采樣點； 在兩個電極之間施加固定電壓，獲取在各采樣點上施加相同大小的應力時，通過所述應力定位傳感器的電流； 根據(jù)各采樣點與所述原點之間的距離，并結合獲取的在各采樣點上施加相同大小的應力時，通過所述應力定位傳感器的電流，建立所述距離與電流之間的映射關系表。
【文檔編號】G01L1/22GK105910737SQ201610516121
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年7月1日
【發(fā)明人】齊俊杰, 徐旻軒, 張躍, 廖新勤, 劉碩, 陳峰嶺, 顧有松, 廖慶亮, 閆小琴
【申請人】北京科技大學