基于信息系統(tǒng)的低功耗電源檢測裝置的制造方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及嵌入式系統(tǒng)技術(shù)領域，特別涉及一種基于信息系統(tǒng)的低功耗電源檢測
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]信息系統(tǒng)是由計算機硬件、網(wǎng)絡和通訊設備、計算機軟件、信息資源、信息用戶和規(guī)章制度組成的以處理信息流為目的的人機一體化系統(tǒng)，其主要任務是最大限度地利用現(xiàn)代計算機及網(wǎng)絡通訊技術(shù)加強企業(yè)的信息管理，通過對企業(yè)擁有的人力、物力、財力、設備、技術(shù)等資源的調(diào)查了解建立正確的數(shù)據(jù)，加工處理并編制成各種信息資料及時提供給管理人員，以便進行正確的決策，不斷提高企業(yè)的管理水平和經(jīng)濟效益。信息系統(tǒng)處理的各種數(shù)據(jù)(用戶數(shù)據(jù)、系統(tǒng)數(shù)據(jù)、業(yè)務數(shù)據(jù)等)在維持系統(tǒng)正常運行上起著至關重要的作用，一旦數(shù)據(jù)遭到破壞(泄漏、修改、毀壞)，都會在不同程度上造成影響，從而危害到整個信息系統(tǒng)的正常運行。
[0003]目前針對數(shù)據(jù)安全的攻擊方式有很多，電源毛刺電壓攻擊就是一種常用的攻擊方式。電源毛刺電壓攻擊是通過快速改變系統(tǒng)供電電壓的一種缺陷注入攻擊方式，為了保證信息交互系統(tǒng)的安全，系統(tǒng)的供電電壓檢測電路要能夠適應供電電壓的變化和能夠檢測毛刺電壓信號。申請?zhí)枮椤?00910088706.7”的中國發(fā)明專利公開了一種防電源毛刺攻擊的檢測電路，該檢測電路采用電阻網(wǎng)絡來采集電源毛刺電壓。采用電阻網(wǎng)絡采集電源毛刺電壓不僅存在直流功耗，且電阻網(wǎng)絡只能采集電源上的低頻信號，對于電源上的高頻信號無法實現(xiàn)同比例采集，受到毛刺攻擊電壓幅度和頻率的限制，而該結(jié)構(gòu)的檢測電路正常工作時還會受到被檢測的電壓的直流值影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的問題是提供一種基于信息系統(tǒng)的低功耗電源檢測裝置，提高正向電源毛刺電壓的頻率采集范圍，減小系統(tǒng)靜態(tài)功耗。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種基于信息系統(tǒng)的低功耗電源檢測裝置，包括第一電容、第二電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管以及第四PMOS管；
所述第一電容的一端連接電源負極，所述第一電容的另一端連接所述第一電阻的一端、所述第三電阻的一端以及所述第二 NMOS管的柵極，所述第二電容的一端連接電源正極，所述第二電容的另一端連接所述第二電阻的一端、所述第三電阻的另一端以及所述第一 NMOS管的柵極，所述第一電阻的另一端適于接收第一偏置電流，所述第二電阻的另一端、所述第四NMOS管的源極、所述第五NMOS管的源極、所述第六NMOS管的源極以及所述第七NMOS管的源極接地；
所述第一 NMOS管的漏極連接所述第三NMOS管的漏極、所述第三NMOS管的柵極、所述第一 PMOS管的漏極、所述第一 PMOS管的柵極以及所述第三PMOS管的柵極，所述第一 NMOS管的源極連接所述第二 NMOS管的源極和所述第四NMOS管的漏極，所述第四NMOS管的柵極連接所述第五NMOS管的柵極和所述第五NMOS管的漏極并適于接收第二偏置電流，所述第二 NMOS管的漏極連接所述第三NMOS管的源極、所述第二 PMOS管的漏極、所述第二 PMOS管的柵極以及所述第四PMOS管的柵極，所述第三PMOS管的漏極連接所述第六NMOS管的漏極、所述第六NMOS管的柵極以及所述第七NMOS管的柵極，所述第四PMOS管的漏極連接所述第七NMOS管的漏極并適于輸出第一檢測信號，所述第一 PMOS管的源極、所述第二 PMOS管的源極、所述第三PMOS管的源極以及所述第四PMOS管的源極適于接收工作電壓。
[0006]可選的，所述第三電阻為可調(diào)電阻。
[0007]可選的，所述基于信息系統(tǒng)的低功耗電源檢測裝置還包括緩沖器；所述緩沖器適于對所述第一檢測信號進行放大處理以產(chǎn)生第二檢測信號
可選的，所述緩沖器包括第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管以及第七PMOS管；
所述第八NMOS管的柵極連接所述第五PMOS管的柵極并適于接收所述第一檢測信號，所述第八NMOS管的漏極連接所述第五PMOS管的漏極、所述第九NMOS管的柵極以及所述第六PMOS管的柵極，所述第九NMOS管的漏極連接所述第六PMOS管的漏極、所述第十NMOS管的柵極以及所述第七PMOS管的柵極，所述第十NMOS管的漏極連接所述第七PMOS管的漏極并適于輸出所述第二檢測信號，所述第八NMOS管的源極、所述第九NMOS管的源極以及所述第十NMOS管的源極接地，所述第五PMOS管的源極、所述第六PMOS管的源極以及所述第七PMOS管的源極適于接收工作電壓。
[0008]可選的，所述基于信息系統(tǒng)的低功耗電源檢測裝置還包括鎖存器；所述鎖存器適于對所述第二檢測信號進行鎖存處理以產(chǎn)生報警信號。
[0009]可選的，所述鎖存器包括延時電路、二選一數(shù)據(jù)選擇器、第一反相器以及第二反相器;
所述延時電路的輸入端連接所述二選一數(shù)據(jù)選擇器的第一輸入端并適于接收所述第二檢測信號，所述延時電路的輸出端連接所述二選一數(shù)據(jù)選擇器的控制端，所述二選一數(shù)據(jù)選擇器的輸出端連接所述第一反相器的輸入端并適于輸出所述報警信號，所述第一反相器的輸出端連接所述第二反相器的輸入端，所述第二反相器的輸出端連接所述二選一數(shù)據(jù)選擇器的第二輸入端。
[0010]可選的，所述的基于信息系統(tǒng)的低功耗電源檢測裝置還包括偏置電流產(chǎn)生電路；所述偏置電流產(chǎn)生電路適于提供所述第一偏置電流和所述第二偏置電流。
[0011]可選的，所述偏置電流產(chǎn)生電路包括第^^一 NMOS管、第十二 NMOS管、第十三NMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第^^一 PMOS管、第十二 PMOS管、第十三PMOS管以及第四電阻；
所述第十一 NMOS管的柵極連接所述第十一 NMOS管的漏極、所述第八PMOS管的漏極以及所述第九PMOS管的柵極，所述第十一 NMOS管的源極、所述第十二 NMOS管的源極以及所述第四電阻的一端接地，所述第八PMOS管的柵極適于接收啟動信號，所述第八PMOS管的源極、所述第九PMOS管的源極、所述第十PMOS管的源極、所述第十一 PMOS管的源極、所述第十二 PMOS管的源極以及所述第十三PMOS管的源極適于接收工作電壓； 所述第十二 NMOS管的柵極連接所述第十二 NMOS管的漏極、所述第九PMOS管的漏極、所述第十PMOS管的漏極以及所述第十三NMOS管的柵極，所述第十三NMOS管的源極連接所述第四電阻的另一端，所述第十三NMOS管的漏極連接所述第十PMOS管的柵極、所述第十一PMOS管的柵極、所述第十一 PMOS管的漏極、所述第十二 PMOS管的柵極以及所述第十三PMOS管的漏極，所述第十二 PMOS管的漏極適于輸出所述第一偏置電壓，所述第十三PMOS管的漏極適于輸出所述第二偏置電壓。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
本發(fā)明提供的基于信息系統(tǒng)的低功耗電源檢測裝置，采用電容來采集電源上的正向毛刺信號，能夠隔離直流供電電壓，因而不存在直流功耗。并且，電容能夠無失真地采集高頻交流信號，使得被檢測的毛刺電壓信號的范圍變寬。通過電容的隔直作用，電源提供的直流供電電壓發(fā)生變化不會對本檢測電路產(chǎn)生影響，因而本檢測電路使用靈活。
【附圖說明】
[0013]圖1是本發(fā)明實施例的基于信息系統(tǒng)的低功耗電源檢測裝置的電路圖；
圖2是本發(fā)明實施例的緩沖器的電路圖；
圖3是本發(fā)明實施例的鎖存器的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4是本發(fā)明實施例的偏置電流產(chǎn)生電路的電路圖。