光電化學反應池的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及化學反應裝置領域，特別涉及一種光電化學反應池。
【背景技術】
[0002]光電化學分析是近年來出現并迅速發(fā)展的一種分析方法，其檢測原理是基于在光照下識別元件和目標分子之間的生物識別作用而產生相應電信號的改變。光電化學反應池是光電化學分析測試中一個非常重要的裝置。
[0003]目前，正在使用的光電化學反應池大多使用方形池體，方形池體由有機膠粘合而成，當溶液中含有有機溶劑或強腐蝕性物質會對有機膠造成損害，長時間使用會使整個池體散開。而且，在進行分析測試時，需要使攪拌子在磁力的作用下在方形池體內進行轉動攪拌，當攪拌速度較快時，攪拌子會在離心力的作用下克服磁力的作用而脫離攪拌軌道，從而撞到池體上，對池體造成損壞，而且還會嚴重影響攪拌效果，引起檢測結果出現偏離。
[0004]公開于該【背景技術】部分的信息僅僅旨在增加對本發(fā)明的總體背景的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域一般技術人員所公知的現有技術。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種光電化學反應池，從而克服現有的光電化學反應池容易受到有機溶劑或強腐蝕性物質的損害及攪拌子會脫離攪拌軌道的缺點。
[0006]為實現上述目的，本發(fā)明提供了一種光電化學反應池，其中，包括:底板；池體，其由石英材料通過一體成型制作而成；該池體的內腔的底部凹設有一圓形攪拌室；且該池體的底部設置于所述底板上；頂板，其設置于所述池體的頂部，該頂板與所述底板通過螺栓進行連接；且該頂板向上凸設有一與所述池體的內腔相通的開口環(huán)座；密封蓋，其下端套設于所述頂板的開口環(huán)座上，且該密封蓋設置有一進氣管以及一出氣管；工作電極，其中部套設于所述密封蓋上，且該工作電極的下端向下延伸到所述池體的內腔中；參比電極，其中部套設于所述密封蓋上，且該參比電極的下端向下延伸到所述池體的內腔中；以及對電極，其中部套設于所述密封蓋上，且該對電極的下端向下延伸到所述池體的內腔中。
[0007]優(yōu)選地，上述技術方案中，所述底板、頂板及密封蓋均由聚四氟材料制作而成。
[0008]優(yōu)選地，上述技術方案中，所述工作電極的中部、參比電極的中部以及對電極的中部各通過一個密封螺絲套設于所述密封蓋上。
[0009]優(yōu)選地，上述技術方案中，所述進氣管及出氣管各為外圓周面設置有若干個凹槽的錐形密封管。
[0010]與現有技術相比，本發(fā)明具有如下有益效果:
[0011]1、本發(fā)明的池體為石英材料一體成型，對有機溶劑和其他強腐蝕性物質具有良好的耐受性，除非池體受到摔打、敲擊等巨大外力破壞，否則池體不會損壞。而且，池體的內腔的底部設置有圓形攪拌室，其能夠使攪拌子在高速攪拌下不會脫離攪拌軌道，突破方形池體不易攪拌的禁錮。
[0012]2、本發(fā)明的密封蓋套設于開口環(huán)座上，且工作電極的中部、參比電極的中部以及對電極的中部各通過一個密封螺絲套設于密封蓋上，其能夠提高反應池的密封性能。
[0013]3、本發(fā)明的底板、頂板及密封蓋均由聚四氟材料制作而成，其防腐蝕性好，壽命長，密封效果好。
[0014]4、本發(fā)明的進氣管及出氣管各為外圓周面設置有若干個凹槽的錐形密封管，從而提高進氣和出氣的密封性。
【附圖說明】
[0015]圖1是根據本發(fā)明光電化學反應池的結構示意圖。
[0016]圖2是根據本發(fā)明的池體的立體剖視圖。
[0017]主要附圖標記說明:
[0018]1-池體，11-圓形攪拌室；2-底板；3_頂板，31-開口環(huán)座；4-螺栓；5_密封蓋，51-進氣管，52-出氣管；6_工作電極，7-參比電極；8_對電極；9_密封螺絲。
【具體實施方式】
[0019]下面結合附圖，對本發(fā)明的【具體實施方式】進行詳細描述，但應當理解本發(fā)明的保護范圍并不受【具體實施方式】的限制。
[0020]除非另有其它明確表示，否則在整個說明書和權利要求書中，術語“包括”或其變換如“包含”或“包括有”等等將被理解為包括所陳述的元件或組成部分，而并未排除其它元件或其它組成部分。
[0021]如圖1至圖2所示，根據本發(fā)明【具體實施方式】的一種實施例為:一種光電化學反應池，其包括池體1、底板2、頂板3、密封蓋5、工作電極6、參比電極7以及對電極8，其中:
[0022]如圖2所示，池體I由石英材料通過一體成型制作而成，池體I的內腔的底部凹設有一圓形攪拌室11，攪拌子放置于圓形攪拌室11內，從而使攪拌子的攪拌過程在圓形攪拌室11內進行。池體I為石英整體打磨成型，對有機溶劑和其他強腐蝕性物質具有良好的耐受性，除非受到摔打、敲擊等巨大外力破壞，否則池體不會損壞。而且，圓形攪拌室11能夠使攪拌子在高速攪拌時不會脫離攪拌軌道，突破方形池體不易攪拌的禁錮。
[0023]如圖1所示，池體I的底部設置于底板2上，頂板3設置于池體I的頂部，頂板3與底板2通過螺栓4進行連接，頂板3的四個角分別通過四個螺栓4與底板2進行連接，螺栓4上套設有絕緣套。池體I夾設于底板2和頂板3之間，且其通過底板2進行支撐，從而能夠對池體I作進一步的保護，以防止因癒碰而損傷池體I。
[0024]如圖1所示，頂板3向上凸設有一與池體I的內腔相通的開口環(huán)座31，密封蓋5的下端壓入開口環(huán)座31內，從而固定套設于頂板3的開口環(huán)座31上。優(yōu)選地，底板2、頂板3及密封蓋5均由聚四氟材料制作而成，其防腐蝕性能好，壽命長，密封效果好，從而提高反應池的使用壽命。且密封蓋5上設置有一進氣管51以及一出氣管52，以便于根據需要向池體I內輸入氮氣等氣體。優(yōu)選地，如圖1所示，進氣管51及出氣管52各為外圓周面設置有若干個凹槽的錐形密封管，從而提高進氣和出氣的密封性。
[0025]如圖1所示，工作電極6的中部套設于密封蓋5上，且工作電極6的下端向下延伸到池體I的內腔中。參比電極7的中部套設于密封蓋5上，且參比電極7的下端向下延伸到池體I的內腔中。對電極8的中部套設于密封蓋5上，且對電極8的下端向下延伸到池體I的內腔中。優(yōu)選地，如圖1所示，工作電極6的中部、參比電極7的中部以及對電極8的中部各通過一個密封螺絲9套設于密封蓋5上，以能夠提高反應池的密封性能。
[0026]工作時，將待測溶液轉移至池體I的內腔中，把攪拌子放入圓形攪拌室11內，然后將密封蓋5壓入套設于開口環(huán)座31內，再將工作電極6、參比電極7、及對電極8分別通過密封螺絲9套設于密封蓋5上，最后將三個電極系統(tǒng)接入電化學工作站中。如反應需要通氮氣，將氮氣接入進氣管5。將反應池放入工作臺，以500W疝氣燈作為發(fā)光源，光通過單色器穿過池體I照到工作電極6上，從而通過電化學工作站便可測定光電流信號。
[0027]前述對本發(fā)明的具體示例性實施方案的描述是為了說明和例證的目的。這些描述并非想將本發(fā)明限定為所公開的精確形式，并且很顯然，根據上述教導，可以進行很多改變和變化。對示例性實施例進行選擇和描述的目的在于解釋本發(fā)明的特定原理及其實際應用，從而使得本領域的技術人員能夠實現并利用本發(fā)明的各種不同的示例性實施方案以及各種不同的選擇和改變。本發(fā)明的范圍意在由權利要求書及其等同形式所限定。
【主權項】
1.一種光電化學反應池，其特征在于，包括: 底板； 池體，其由石英材料通過一體成型制作而成；該池體的內腔的底部凹設有一圓形攪拌室；且該池體的底部設置于所述底板上； 頂板，其設置于所述池體的頂部，該頂板與所述底板通過螺栓進行連接；且該頂板向上凸設有一與所述池體的內腔相通的開口環(huán)座； 密封蓋，其下端套設于所述頂板的開口環(huán)座上，且該密封蓋設置有一進氣管以及一出氣管； 工作電極，其中部套設于所述密封蓋上，且該工作電極的下端向下延伸到所述池體的內腔中； 參比電極，其中部套設于所述密封蓋上，且該參比電極的下端向下延伸到所述池體的內腔中；以及 對電極，其中部套設于所述密封蓋上，且該對電極的下端向下延伸到所述池體的內腔中。2.根據權利要求1所述的光電化學反應池，其特征在于，所述底板、頂板及密封蓋均由聚四氟材料制作而成。3.根據權利要求1所述的光電化學反應池，其特征在于，所述工作電極的中部、參比電極的中部以及對電極的中部各通過一個密封螺絲套設于所述密封蓋上。4.根據權利要求1所述的光電化學反應池，其特征在于，所述進氣管及出氣管各為外圓周面設置有若干個凹槽的錐形密封管。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光電化學反應池，其中，包括：底板；池體，其由石英材料通過一體成型制作而成；池體的內腔的底部凹設有圓形攪拌室，且其池體的底部設置于底板上；頂板，其設置于池體的頂部，其與底板通過螺栓連接，且其凸設有開口環(huán)座；密封蓋，其下端套設于開口環(huán)座上，且其設置有進氣管及出氣管；工作電極，其中部套設于密封蓋上，且其下端延伸到池體的內腔中；參比電極，其中部套設于密封蓋上，且其下端延伸到池體的內腔中；以及對電極，其中部套設于密封蓋上，且其下端延伸到池體的內腔中。本發(fā)明的池體為石英材料一體成型，對有機溶劑和其他強腐蝕性物質具有良好的耐受性，且通過設置圓形攪拌室能夠使攪拌子不會脫離攪拌軌道。
【IPC分類】G01N27/416
【公開號】CN105116040
【申請?zhí)枴緾N201510525951
【發(fā)明人】牙禹, 閆飛燕, 莫磊興, 王學彬, 謝麗萍, 王天順, 何潔, 朱俊杰, 廖潔, 范業(yè)賡
【申請人】廣西壯族自治區(qū)農業(yè)科學院農產品質量安全與檢測技術研究所
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年8月25日