專利名稱：用于檢測(cè)有機(jī)物蒸汽和懸粒氣體的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及借助表面電離檢測(cè)有機(jī)物蒸汽和懸粒氣體的一種方法和一個(gè)裝置。它特別涉及檢測(cè)有機(jī)物蒸汽、懸粒氣體和由燃燒物生成的揮發(fā)物質(zhì)。
在燃燒時(shí)產(chǎn)生的有機(jī)物蒸汽和懸粒氣體可通過(guò)不同公知的方法加以檢測(cè)，其中，被應(yīng)用的一種方法是在商場(chǎng)可買(mǎi)到的煙霧檢測(cè)器，和另外的實(shí)驗(yàn)檢測(cè)儀器。關(guān)于商場(chǎng)上可買(mǎi)到的煙霧檢測(cè)器，就是所謂的電離煙霧檢測(cè)器，其中，在電離腔中的空氣借助一個(gè)放射源被電離，而產(chǎn)生的離子通過(guò)施加一電場(chǎng)形成離子流被檢測(cè)。在電離腔中存在懸粒氣體時(shí)就導(dǎo)致離子流減小。在另外的商品化煙霧檢測(cè)器以及測(cè)量?jī)x器中，懸粒氣體和蒸汽通過(guò)光學(xué)的檢測(cè)方法被檢測(cè)，例如通過(guò)檢測(cè)光學(xué)的透射率，檢測(cè)光譜的吸收率或者檢測(cè)在懸粒氣體中散射的光。一個(gè)較少應(yīng)用的方法是借助表面電離的檢測(cè)，其中，在一個(gè)被加熱的表面上要檢測(cè)的分子被加熱而電離；產(chǎn)生的離子在一個(gè)施加的電場(chǎng)中作為離子流被檢測(cè)。
在應(yīng)用這種檢測(cè)方法中通常希望，對(duì)于選定的方法，可以相同的靈敏度檢測(cè)不同發(fā)生的蒸汽和懸粒氣體。這種借助電離式煙霧檢測(cè)器檢測(cè)懸粒氣體的方法，在大多數(shù)燃燒時(shí)產(chǎn)生的蒸汽和懸粒氣體可在短時(shí)間內(nèi)導(dǎo)致離子流減小的情況下應(yīng)用是可靠的。但是，為產(chǎn)生離子流必需的放射源在商業(yè)化應(yīng)用中是很困難的，由于例如在制造和維修這種檢測(cè)器時(shí)放射性的排放要設(shè)法防護(hù)。
通過(guò)測(cè)量在懸粒氣體中的散射光實(shí)現(xiàn)的光學(xué)檢測(cè)方法，對(duì)于在燃燒時(shí)產(chǎn)生不同的懸粒氣體來(lái)說(shuō)具有不同的靈敏性。對(duì)于淺色的懸粒氣體可使射入的光線強(qiáng)烈地散射，而暗色的懸粒氣體使射入的光線相對(duì)較少地散射。亦即這種光散射和懸粒氣體的類型相關(guān)。
一種光透射率的測(cè)量，就均勻地檢測(cè)不同的懸粒類型而言是有效的，但是在這種實(shí)施方案中，特別在檢測(cè)較小的濃度時(shí)是很成問(wèn)題的。一個(gè)對(duì)較小濃度的檢測(cè)則要求一種經(jīng)過(guò)長(zhǎng)的測(cè)量距離的測(cè)量，或者當(dāng)僅存在一個(gè)短的測(cè)量距離時(shí)則要求一種具有很高靈敏度的測(cè)量。這種測(cè)量方法的兩種方案都證明了花費(fèi)昂貴和僅僅在有限的場(chǎng)合可以應(yīng)用。
一種光譜吸收率的測(cè)量大多與巨大的成本消耗相關(guān)聯(lián)，因?yàn)楸匦杼厥獾墓庠?、過(guò)濾器和檢測(cè)器。還有，用相同的測(cè)量裝置檢測(cè)不同的懸粒氣體時(shí)要求更換構(gòu)件，因此，這個(gè)測(cè)量方法的應(yīng)用局限在實(shí)驗(yàn)測(cè)量?jī)x器中。
在借助表面電離檢測(cè)蒸汽和懸粒氣體時(shí)，它們的分子首先聚集在一個(gè)導(dǎo)電的表面上。而分子的一部分還會(huì)被表面所吸附。通過(guò)加熱該表面至數(shù)百攝氏度，則分子被電離，正的以及負(fù)的離子就從表面發(fā)射。為測(cè)量發(fā)射的離子，它們就被一個(gè)在表面上方安置的反電極所截獲。按照要被檢測(cè)的離子之電荷，正的或負(fù)的，該電極被施加一個(gè)相應(yīng)的負(fù)的或正的電位。通過(guò)測(cè)量總的離子流，可電離的分子在該測(cè)量裝置之周?chē)h(huán)境中的存在情況就被檢測(cè)出來(lái)。
借助表面電離檢測(cè)懸粒氣體的有效性首先取決地分子的電離度。而電離度一方面依賴于要電離之表面的溫度，另一方面和表面材料的逸出功相比還取決于粒子的電離電位(在正離子時(shí))和電極吸附性(在負(fù)離子時(shí))。當(dāng)電離電位是低時(shí)，最利于產(chǎn)生正離子，而當(dāng)電極吸附性是高時(shí)，則最利于產(chǎn)生負(fù)離子。
其蒸汽和懸粒氣體可借助表面電離檢測(cè)的物質(zhì)，也就是說(shuō)在一導(dǎo)電表面上可電離的物質(zhì)，指的是胺、肼和含氮的化合物如三乙基胺、三甲胺、烷基胺、丁基胺、胺酸、醋酸、苯酚、苯胺和含胺物。特別是由燃燒的纖維素產(chǎn)生的懸粒氣體和蒸汽，用這種方法都是可檢測(cè)的。
在US 4176311中描述了一個(gè)用于檢測(cè)煙微粒的裝置。該裝置具有一個(gè)由鎢或鉑制成的導(dǎo)線和一個(gè)柱形或半柱形的反電極。在該導(dǎo)線上連續(xù)地流過(guò)一股電流，為的是使它的溫度上升到500℃，這樣，煙微粒就被加熱電離，因此產(chǎn)生一個(gè)可測(cè)量的到反電極的離子流。在這個(gè)裝置中的缺點(diǎn)，特別是對(duì)于一個(gè)商業(yè)化應(yīng)用的情況，就是加熱導(dǎo)線之有限的使用壽命。此外，這種裝置的靈敏度作為時(shí)間的函數(shù)連續(xù)下降，因?yàn)椋搶?dǎo)線越來(lái)越被污染。另外，功率消耗由于導(dǎo)線的連續(xù)加熱而變得相當(dāng)高了。
本發(fā)明任務(wù)就是設(shè)置一種方法和一個(gè)實(shí)施它的裝置，其用于借助表面電離檢測(cè)有機(jī)物蒸汽和懸粒氣體，特別是胺、肼和含氮的化合物和由燃燒生成的蒸汽和懸粒。它能避免前述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，亦即本方法要求一個(gè)較小的功率消耗和本裝置具有一個(gè)和現(xiàn)有技術(shù)相比延長(zhǎng)的高效能的使用壽命，并且其結(jié)構(gòu)成本低廉；它能以自動(dòng)化方式大量生產(chǎn)和可與電氣構(gòu)件集合一體。
該任務(wù)通過(guò)本方法如此解決，其中，要檢測(cè)的有機(jī)物蒸汽和懸粒氣體之可電離的分子在室溫下聚集和/或吸附在一導(dǎo)電裝置上并借助一電阻或加熱件通過(guò)脈沖方式加熱該導(dǎo)電裝置從而其上的分子被加熱電離；然后被導(dǎo)電的裝置發(fā)射和在一集電極上被截獲；這樣產(chǎn)生的離子流通過(guò)一信號(hào)制備電路放大和被檢測(cè)。在每個(gè)離子發(fā)射以后，該導(dǎo)電的裝置被如此長(zhǎng)地繼續(xù)加熱到該離子流又下降至該穩(wěn)定的值上，其對(duì)應(yīng)于不存在分子了。這就意味著，該裝置從這一時(shí)刻起與其余物質(zhì)無(wú)關(guān)并在其冷卻以后，重新存在的分子又在其上聚集和被檢測(cè)。因?yàn)楸苊饬嗽撗b置的污染，這種檢測(cè)按此方式可確保運(yùn)行一個(gè)較長(zhǎng)的時(shí)間。通過(guò)脈沖方式加熱該裝置，使得該方法要求一個(gè)較小的按時(shí)間平均的功率消耗。當(dāng)存在可電離的分子時(shí)，則通過(guò)表面電離引起的離子流具有一個(gè)在nA數(shù)量范圍內(nèi)的值，它大約與在純凈空氣中測(cè)得的離子流值之千倍相一致。
解決上述任務(wù)的本裝置包括一個(gè)導(dǎo)電的具有一離子發(fā)射表面的裝置和一個(gè)用于截獲所發(fā)射離子的集電極，其安置在導(dǎo)電的裝置之上方，同時(shí)，該導(dǎo)電的裝置具有一個(gè)電阻式加熱件，它設(shè)置在一個(gè)氮化硅-膜(Si3N4)上，而該膜置于一個(gè)被腐蝕的硅芯片之一開(kāi)口的上方。在導(dǎo)電裝置的另一實(shí)施方案中，一個(gè)用絕緣層所隔離的導(dǎo)電層安裝在該電阻式加熱件上。
該電阻式加熱件由一個(gè)用貴金屬制的薄層蛇曲形材料構(gòu)成，例如鉑。這個(gè)蛇曲形薄層通過(guò)施加電流脈沖而被加熱。同時(shí)通過(guò)這種電流脈沖，可實(shí)現(xiàn)一個(gè)很高的加熱率。在導(dǎo)電裝置的第一實(shí)施方案中，該電阻式加熱件用于加熱和同時(shí)作為離子發(fā)射的表面。這種強(qiáng)烈的加熱就導(dǎo)致在該表面上吸附的分子發(fā)生電離并實(shí)現(xiàn)發(fā)射這樣產(chǎn)生的離子。在導(dǎo)電裝置的第二實(shí)施方案中，一個(gè)附加的導(dǎo)電層用作離子發(fā)射表面；該電阻式加熱件用于其加熱。通過(guò)一個(gè)薄的電絕緣材料層，該發(fā)射離子的導(dǎo)電層就與電阻式加熱件分開(kāi)。和導(dǎo)電裝置的第一實(shí)施方案相比較，該導(dǎo)電層與其間安置的絕緣層可實(shí)現(xiàn)一個(gè)均勻地加熱該發(fā)射離子的表面。
該導(dǎo)電層、絕緣層、電阻式加熱件和氮化硅(Si3N4)-膜，應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)芯片制造技術(shù)如掩膜薄層和真空薄層技術(shù)，作為薄層設(shè)置在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)硅片上，這樣可在一個(gè)自動(dòng)化的制造流程中大量生產(chǎn)這一裝置。當(dāng)該裝置安置在一個(gè)硅芯片上時(shí)，那些對(duì)于測(cè)量離子流的信號(hào)制備電路所必須的電構(gòu)件就可集合在同一個(gè)硅片上。該電子組件還可以這種集合的形式按自動(dòng)化制作方式設(shè)置在該芯片上。
這種脈沖方式對(duì)導(dǎo)電裝置的加熱首先可實(shí)現(xiàn)離子流脈沖形式的離子發(fā)射，該離子流脈沖開(kāi)始很陡地上升，然后慢慢地下降。在加熱件上的電壓則在合成的離子流脈沖的整個(gè)延續(xù)期間保持常數(shù)。因此，該導(dǎo)電的裝置和發(fā)射離子的表面在所述離子流脈沖的最大值以后仍保持加熱。在這個(gè)時(shí)間內(nèi)，在發(fā)射離子的表面上，其余停留的物質(zhì)則通過(guò)燃燒，催化的燃燒，汽化或解吸作用而從其脫離，并直至該離子脈沖下降到一個(gè)穩(wěn)定值上。一旦該表面與其余物質(zhì)無(wú)關(guān)和不再有電壓施加在加熱件時(shí)，該表面就冷卻下來(lái)，并且，發(fā)生一個(gè)重新的分子聚集。這種重復(fù)地使該表面被其余物質(zhì)所釋放就避免了它的被污染和因此確保了本裝置一個(gè)延長(zhǎng)的使用壽命。
下面借助附

圖1-6詳細(xì)闡述本方法和實(shí)施其的裝置。
圖1a和1b表明通過(guò)本導(dǎo)電裝置之第一和第二實(shí)施方案的層狀結(jié)構(gòu)放大截面圖；圖2表明圖1b之導(dǎo)電裝置俯視圖；圖3表明本裝置具有截獲離子之集電極的側(cè)視圖；圖4表明本裝置俯視圖，其中設(shè)有所屬的電路以用于在集成芯片(IC)的標(biāo)準(zhǔn)殼體中制備信號(hào)；圖5表明用于本方法的一電路簡(jiǎn)圖；和圖6a)-e)表明本裝置運(yùn)行信號(hào)和總的離子流信號(hào)隨時(shí)間的變化曲線；圖1a表明一個(gè)硅-芯片1，其在中央具有一個(gè)矩形的開(kāi)口2，它通過(guò)覆置一層氮化硅(Si3N4)3和有選擇地腐蝕硅料而制成。該Si3-N4層3作為薄膜3蓋在開(kāi)口2的上方并用于導(dǎo)電裝置4的支承層。該Si3N4膜3的厚度例如為0.6μm。在Si3N4膜3上置有一第二層5(陰影線表示的)，它的表面伸展稍小于在硅片1中的開(kāi)口2，該層5為電阻的加熱件，它由可以電阻加熱的材料制成，并被制成一個(gè)薄層時(shí)可很好地粘附在Si3N4上。對(duì)此，適宜的有貴金屬如鉑。該層5，亦即電阻加熱件5被覆置成蛇曲形，它的端部具有電接觸表面。在該電阻加熱件5上表明了其上聚集的和/或吸附的分子6。
圖1b表明本導(dǎo)電裝置的第二實(shí)施方案并具有一電絕緣層7，它以超出開(kāi)口2區(qū)域的方式覆蓋住該電阻加熱件5。它例如由一層Si3N4制成或由兩層Si3N4和SiO2(二氧化硅)疊置而成。該層7將電阻加熱件5與一導(dǎo)電層(陰影線表示)8隔絕，在其表面上產(chǎn)生離子并被發(fā)射。該導(dǎo)電層8具有和電阻加熱件5相同的表面寬度，且最好由鉑制成，因?yàn)榘凑战?jīng)驗(yàn)這種金屬適于表面電離。還可能適宜的是半導(dǎo)體材料。在導(dǎo)電層8上也表明有聚集的分子6，該導(dǎo)電層8可在加熱脈沖之間散熱冷卻。
該硅芯片1，如標(biāo)準(zhǔn)硅片具有0.38mm的厚度。其上設(shè)置的層3，5，7和8分別具有厚度為幾個(gè)100納米。如果對(duì)于這些層結(jié)構(gòu)選用另外材料時(shí)，則按照材料，另外相應(yīng)的層厚適當(dāng)多一些，并且在各層之間需要粘接層，以便確保一個(gè)足夠的粘附性。
圖2表明圖1b之導(dǎo)電裝置俯視圖，其具有硅芯片1，Si3N4膜3和帶有用于運(yùn)行的電接觸表面的蛇曲形電阻加熱件5。在加熱件5的上方(陰影線)置有發(fā)射離子的、帶有電氣接觸面的導(dǎo)電層8。(為了顯示簡(jiǎn)單，此處該電絕緣層7未標(biāo)明)。該加熱件5加熱導(dǎo)電層8時(shí)盡可能在其整個(gè)表面上均勻。為此，加熱件之蛇曲形的導(dǎo)電路徑設(shè)置得盡可能緊密地經(jīng)過(guò)整個(gè)表面。在蛇曲形結(jié)構(gòu)的180°轉(zhuǎn)彎處路徑寬度總是大于在直線延伸處的寬度。依此，在轉(zhuǎn)彎處(其位于導(dǎo)電層8的外邊)的加熱功率小于位于導(dǎo)電層8下方的直線延伸段的加熱功率。該路徑寬度在蛇曲形的直線延伸段處約為40μm，而在轉(zhuǎn)彎處約250μm。
圖3中裝置的側(cè)視圖表明了硅片1帶有上述提及的層結(jié)構(gòu)3，5，7和8。在硅片1的上方安置一個(gè)弓形夾形式的集電極9。弓形夾的腳固定在一個(gè)用導(dǎo)電材料涂層的輔助基片10上。通過(guò)輔助基片10的導(dǎo)電層施加一個(gè)用于截獲離子的電壓。如果從導(dǎo)電裝置的表面發(fā)射正的離子時(shí)，在導(dǎo)電裝置和集電極9之間的距離d為0.8mm情況下，則在集電極9上的電壓例如計(jì)為-100伏和在導(dǎo)電裝置上的電壓約0伏。(在導(dǎo)電裝置的第一實(shí)施方案中，其上施加的電壓等于為其加熱所施加的電壓；在第二實(shí)施方案中，在導(dǎo)電層8上施加的電壓為0伏)。根據(jù)距離d和希望的電場(chǎng)強(qiáng)度，所述電壓被相應(yīng)地選擇。該硅片1和輔助基片10置于一個(gè)導(dǎo)電的優(yōu)選是鍍金的表面11上，其上安置信號(hào)制備電路12。代替離散地安裝該信號(hào)制備電路，還可以在硅芯片1上實(shí)現(xiàn)它們的集成。
圖4表明本裝置在一個(gè)商品化的IC-殼體13中的結(jié)構(gòu)配置。該電氣接觸表面14用于信號(hào)制備電路12，加熱件5的運(yùn)行和用于將電壓施加到集電極9上。該導(dǎo)電的、鍍金的表面11置于IC-殼體13的絕緣材料上。
在圖5中的電路簡(jiǎn)圖表明了用于電阻式加熱件5的電路，它可實(shí)現(xiàn)在導(dǎo)電的裝置4上發(fā)射正的離子。該正離子被集電極9所截獲，并通過(guò)跨接阻抗電路15使該離子流放大和被測(cè)定。在存有可電離的有機(jī)物蒸汽和懸粒氣體情況下一個(gè)典型的離子流具有nA的數(shù)量級(jí)，并且一個(gè)具有系數(shù)為109V/A的放大作用就可獲得伏特范圍內(nèi)的測(cè)量值。該跨接阻抗電路15的運(yùn)算放大器為了抑制泄漏電流具有一個(gè)高的為1015Ω的輸入電阻。一個(gè)施加的從-15伏到-100伏的偏壓就可實(shí)現(xiàn)必須的電場(chǎng)以用于使發(fā)射的離子轉(zhuǎn)向集電極9。
圖6a)表明了在電阻式加熱件上施加的電壓隨時(shí)間的變化曲線。該加熱件例如通過(guò)9V的脈沖而時(shí)間延續(xù)為40ms，并且每隔5秒運(yùn)行一次。在這種對(duì)導(dǎo)電裝置進(jìn)行脈沖方式的加熱作用情況下，必須的按時(shí)間平均的功率消耗小于2mW。圖6b)表明了總的通過(guò)加熱件流過(guò)的電流脈沖；和圖6c)表明了對(duì)加熱件溫度曲線的估算。在約10ms內(nèi)，溫度可達(dá)到約650℃，因此，可實(shí)現(xiàn)一個(gè)加熱率約為60000℃/s。在40ms結(jié)束以后，該溫度在約10ms內(nèi)就又下降到室溫；圖6d)表明了離子流信號(hào)，而該信號(hào)證明了懸粒氣體的存在，并且該懸粒氣體聚集在導(dǎo)電裝置上。這個(gè)例子表明了煙霧氣體的存在證明。在電流脈沖開(kāi)始后不久，離子從導(dǎo)電裝置的表面被發(fā)射并且在幾個(gè)ms期間就可測(cè)得一個(gè)離子流，這個(gè)離子流首先很陡的上升；而在達(dá)到它的最大值2nA以后慢慢地衰減下去。在離子流脈沖衰減期間，用于加熱的電壓則保持不變并直至該離子流脈沖返回到該離子流的穩(wěn)定值上。在這個(gè)時(shí)間內(nèi)，導(dǎo)電裝置的表面不存在通過(guò)其余物質(zhì)持續(xù)地加熱作用。在電流脈沖結(jié)束以后并直至下一個(gè)脈沖開(kāi)始，不再施加電壓，因此，該表面被冷卻和新的分子在其上聚集。圖6e)表明了一個(gè)典型的靜止流，該離子流信號(hào)在純凈空氣時(shí)約為2PA。
權(quán)利要求
1.借助表面電離作用檢測(cè)有機(jī)物蒸汽和懸粒氣體的方法，依此，要檢測(cè)的蒸汽和懸粒氣體的可電離分子在一個(gè)導(dǎo)電的裝置(4)上聚集和/或吸附；在加熱該導(dǎo)電裝置(4)以后，其上的可電離分子被加熱電離并且產(chǎn)生的離子被發(fā)射和被一個(gè)集電極(9)所截獲；該合成的離子流被一個(gè)信號(hào)制備電路(12)放大和檢測(cè)，其特征在于該導(dǎo)電裝置(4)通過(guò)將電流脈沖施加到一個(gè)電阻式加熱件(5)上而被加熱以用于蒸汽和懸粒氣體的電離；因此，產(chǎn)生一個(gè)離子流脈沖，它被該信號(hào)制備電路(12)放大并被測(cè)定。
2.按權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該導(dǎo)電的裝置(4)通過(guò)電流脈沖在一個(gè)加熱率大于10000℃/每秒的情況下被加熱。
3.按權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于一個(gè)加熱導(dǎo)電裝置(4)的電流脈沖要延續(xù)到所產(chǎn)生的離子流脈沖又下降到一個(gè)穩(wěn)定值上，在此期間，該導(dǎo)電的裝置與其余物質(zhì)無(wú)關(guān)；并且在電流脈沖結(jié)束之后，該導(dǎo)電的裝置(4)冷卻下來(lái)而新的有機(jī)物蒸汽和懸粒氣體在室溫情況下就在其(4)上聚集和/或吸附。
4.按權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于該方法具有一個(gè)按時(shí)間平均的功率消耗為小于2mW。
5.按權(quán)利要求4所述的方法其特征在于該導(dǎo)電的裝置(4)每隔5秒就通過(guò)施加一個(gè)電壓在至少30毫秒期間被加熱。
6.按權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于該有機(jī)的蒸汽和懸粒氣體是胺、肼、含氮的化合物，和/或由燃燒物組成的蒸汽和懸粒氣體。
7.實(shí)施權(quán)利要求1方法的裝置具有一導(dǎo)電的裝置(4)和一個(gè)于其上安置的集電極(9)，其特征在于該導(dǎo)電的裝置(4)具有一個(gè)電阻式的加熱件(5)，它作為薄的層料安置在一個(gè)薄膜上，而該薄膜安置在一個(gè)被腐蝕的硅-芯片(1)的開(kāi)口(2)上方。
8.按權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于該薄膜(3)由Si3N4構(gòu)成。
9.按權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于該電阻式加熱件(5)具有薄層蛇曲形的形狀，該蛇曲形結(jié)構(gòu)均勻地經(jīng)過(guò)被加熱的導(dǎo)電裝置(4)的表面。
10.按權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于該電阻式加熱件(5)由貴金屬構(gòu)成。
11.按權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于在該電阻式加熱件(5)上安置一個(gè)用電絕緣層(7)隔離的導(dǎo)電層(8)。
12.按權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于該導(dǎo)電層(8)由金屬或半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
13.按權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于該電絕緣層(7)由Si3N4和/或SiO2構(gòu)成。
14.按權(quán)利要求10或13所述的裝置，其特征在于該硅-芯片(1)，用于集電極(9)的輔助基片(10)和信號(hào)制備電路(12)安置在一個(gè)位于標(biāo)準(zhǔn)-IC-殼體(13)中的導(dǎo)電表面(11)上。
15.按權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于該信號(hào)制備電路(12)集成在硅-芯片(1)上。
全文摘要
借助表面電離檢測(cè)有機(jī)物蒸汽和懸粒氣體的方法,相關(guān)的分子聚焦在一導(dǎo)電裝置(4)上,它通過(guò)電流脈沖施加到一電阻式加熱件(5)上被加熱,因此,聚集的分子被加熱電離。所產(chǎn)生的離子流被一集電極(9)截獲和總的離子流脈沖被一跨接阻抗電路(15)放大。用于加熱該導(dǎo)電裝置(4)的電流脈沖要延續(xù)至該離子流脈沖衰減;而該導(dǎo)電裝置(4)與其余物質(zhì)無(wú)關(guān)。
文檔編號(hào)G01N33/00GK1176385SQ9710106
公開(kāi)日1998年3月18日 申請(qǐng)日期1997年2月3日 優(yōu)先權(quán)日1996年2月3日
發(fā)明者M·勒菲, D·韋澤, P·萊澤 申請(qǐng)人:塞比盧斯有限公司