專利名稱：防中子輻射屏蔽材料感生伽瑪放射性的測量裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種測量防中子輻射屏蔽材料感生γ放射性的裝置。
防中子輻射屏蔽材料是一種可保護有關人員不受或少受中子輻射的危害的防護材料。中子輻射與物質作用以后可能產(chǎn)生伽瑪(γ)輻射，這種γ輻射稱為感生γ放射性，不同的物質所產(chǎn)生的感生γ放射性大小也不一樣，作為防護材料，希望產(chǎn)生感生γ放射性越少越好。
申請人曾申報過一種可測量防中子輻射材料屏蔽性能的裝置的專利(見專利號94208221)，但該裝置不能測量物質的感生γ放射性。到目前為止，我們還沒有看到有關測量物質的感生γ放射性的裝置。
有鑒于此，本實用新型將提供一種測量物質感生γ放射性大小的裝置，以用于指導研制防中子輻射屏蔽材料的成分配方。
本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的防中子輻射屏蔽材料感生γ放射性的測量裝置由中子源貯存器、中子源、中子源導管、探測器及其外圍的帶開口的鉛屏蔽體組成。所說中子源裝在所說中子源導管內，中子源導管插在所說中子源貯存器中，所說中子源貯存器有一深及所說中子源導管的準直孔，所說探測器為蓋革計數(shù)管探測器，所說鉛屏蔽體的開口與所說中子源導管的準直孔對準，中子源的中心、準直孔的中心和探測器的幾何中心三者在同一軸線上。
以下結合附圖和實施例對本實用新型進行詳細描述。


圖1是本實用新型的構成示意圖。
如圖所示，本裝置由中子源貯存器1、中子源2、中子源導管3、探測器6及其外圍的鉛屏蔽體7組成。中子源貯存器1為石蠟堆，中子源2采用锎，探測器6采用蓋革(GM)計數(shù)管。
由中子源升降線4挽系的中子源2裝在中子源導管3內，中子源導管3垂直插在中子源貯存器1中，中子源貯存器1有一深及中子源導管3的水平準直孔8。鉛屏蔽體7帶開口，其開口與中子源導管3的準直孔8對準。中子源2的中心、準直孔8的中心和探測器6的幾何中心三者在同一軸線上。
測量時，首先用探測器6測得無被測材料時的計數(shù)值，然后再將被測材料5緊置于中子源導管3的準直孔8的外側，由探測器6測得此時有被測材料5時的另一計數(shù)值，兩計數(shù)值的差值就是該被測材料5的感生γ放射性。
該測量采用的是“在線”測量方式，即在待測材料受中子輻射照射時，測量材料的感生γ放射性。所采用的GM計數(shù)管探測器對γ放射性靈敏而對中子輻射不靈敏。探測器外圍的鉛屏蔽體可避免探測器探測到房間周圍的γ輻射散射，以提高測量精度。
本實用新型的優(yōu)點是1.測量靈敏。由于測量是在中子輻射照射待測材料的情況下進行的，所以存在中子和γ兩種輻射，而一般的探測器不僅對γ輻射靈敏，對中子輻射也靈敏。本實用新型由于采用了只對γ輻射靈敏，而對中子輻射不靈敏的GM計數(shù)管探測器，所以只要有少量的γ放射性都能測出。
2.測量數(shù)據(jù)準確。由于采用了對γ放射性很靈敏的GM計數(shù)管探測器，且探測器外圍的鉛屏蔽體可防止房間周圍的γ輻射散射對計數(shù)器的影響，所以能準確地測出被測材料的感生γ放射性。
3.屬在線測量，可測得半衰期短到幾秒的γ放射性。由于被測材料所含化學元素不同，不同元素與中子作用后，產(chǎn)生的感生γ放射性的半衰期也不同，若“離線”測量，則很難測到半衰期短的感生γ放射性。
本裝置建立后，測量了多種材料的感生γ放射性，取得了很好的效果，為指導研制防中子輻射屏蔽材料的成份配方提供了定量化的依據(jù)。
權利要求1.防中子輻射屏蔽材料感生伽瑪放射性的測量裝置有中子源貯存器(1)、中子源(2)和探測器(6)，其特征在于它還包括中子源導管(3)，所說中子源(2)裝在所說中子源導管(3)內，中子源導管(3)插在所說中子源貯存器(1)中，所說中子源貯存器(1)有一深及所說中子源導管(3)的準直孔(8)，所說探測器(6)為蓋革計數(shù)管探測器，該探測器外圍帶開口的鉛屏蔽體(7)，所說鉛屏蔽體(7)的開口與所說中子源導管(3)的準直孔(8)對準，中子源(2)的中心、準直孔(8)的中心和探測器(6)的幾何中心三者在同一軸線上。
專利摘要本裝置由中子源貯存器、中子源、中子源導管、探測器及其外圍的鉛屏蔽體組成。中子源裝在中子源導管內，中子源導管插在中子源貯存器中，中子源貯存器有一深及中子源導管的準直孔，探測器為蓋革計數(shù)管探測器，探測器外圍帶開口的鉛屏蔽體，該開口與準直孔對準，中子源的中心、準直孔的中心和探測器的幾何中心在同一軸線上。它測量靈敏、測量數(shù)據(jù)準確，可測得半衰期短γ放射性，可用于指導研制防中子輻射屏蔽材料的成分配方。
文檔編號G01T1/00GK2227344SQ9520129
公開日1996年5月15日 申請日期1995年1月25日 優(yōu)先權日1995年1月25日
發(fā)明者鄭金美, 王炳林, 寧靜, 張蔭芬 申請人:北京市射線應用研究中心