本發(fā)明涉及一種輻射探測(cè)設(shè)備，更具體地涉及一種核探測(cè)器。

背景技術(shù)：

在γ照相機(jī)、正電子發(fā)射計(jì)算機(jī)斷層成像(簡(jiǎn)稱pet，positronemissiontomography)系統(tǒng)、輻射探測(cè)儀和晶體性能檢測(cè)裝置等核探測(cè)設(shè)備中，核探測(cè)器的空間分辨率是體現(xiàn)核探測(cè)設(shè)備性能的一個(gè)重要指標(biāo)。比如在pet系統(tǒng)中，空間分辨率體現(xiàn)了pet系統(tǒng)對(duì)細(xì)微組織的空間辨識(shí)能力，是pet系統(tǒng)中最為重要的兩個(gè)指標(biāo)之一，也同時(shí)是評(píng)價(jià)pet圖像質(zhì)量的重要指標(biāo)之一。pet系統(tǒng)作為一種影像系統(tǒng)最根本的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)是重建圖像的質(zhì)量，高質(zhì)量的重建圖像要求有良好的分辨率，空間分辨率是過去十多年來pet系統(tǒng)開發(fā)中一直重點(diǎn)優(yōu)化的對(duì)象。特別是在動(dòng)物pet系統(tǒng)中，由于動(dòng)物大小的原因，對(duì)系統(tǒng)成像空間分辨率的要求遠(yuǎn)高于臨床pet系統(tǒng)。

現(xiàn)有技術(shù)中通常將晶體條切細(xì)至小于2.0mm的核探測(cè)器稱為高空間分辨率核探測(cè)器，目前的高空間分辨率核探測(cè)器通常采用以下幾種設(shè)計(jì)方案：

第一種，通過位置敏感型光電倍增管(簡(jiǎn)稱pspmt)耦合閃爍晶體陣列的方式實(shí)現(xiàn)高空間分辨率，位置敏感型光電倍增管具有增益高(10⁶)、噪聲低的特點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)非常高的空間分辨率，已經(jīng)有團(tuán)隊(duì)通過該耦合方式實(shí)現(xiàn)了空間分辨率要求很高的小動(dòng)物pet系統(tǒng)(參考文獻(xiàn)luyaowang,junzhu,xiaoliang,mingniu,xiaokewu,chien-minkao,heejongkimandqingguoxie，“performanceevaluationofthelhsystem-alargefovsmall-animalpetsystem”，physicsinmedicineandbiology[j],2014)，達(dá)到了較好的系統(tǒng)性能。

第二種，通過雪崩光電二極管陣列(簡(jiǎn)稱apdarray)與相同尺寸的閃爍晶體陣列直接耦合的方式實(shí)現(xiàn)高空間分辨率，位置敏感型雪崩光電二極管體積小巧，正常工作時(shí)需求的電壓不高，搭建pet探測(cè)器具有較強(qiáng)的靈活性，也可降低一部分系統(tǒng)集成工程難度，已有團(tuán)隊(duì)通過該耦合方式實(shí)現(xiàn)了較高空間分辨率的小動(dòng)物pet探測(cè)器(參考文獻(xiàn)bergeronm,cadorettej,beaudoinjf,etal.performanceevaluationofthelabpetapd-baseddigitalpetscanner[j].ieeetransactionsonnuclearscience,2009,56(1):10-16)。

第三種，通過硅光電倍增管陣列(簡(jiǎn)稱sipmarray)與相同尺寸的閃爍晶體陣列1:1直接耦合的方式來搭建pet探測(cè)器。硅光電倍增管增益為10⁶，與光電倍增管媲美，噪聲低，體積小巧，排列緊實(shí)，時(shí)間性能良好。使用sipmarray搭建pet探測(cè)器時(shí)，前端探測(cè)器輸出信號(hào)的信噪比高，探測(cè)器靈活性強(qiáng)，也可降低系統(tǒng)集成的工程難度。由于是半導(dǎo)體器件，具有大量生產(chǎn)時(shí)價(jià)格低廉的優(yōu)勢(shì)，尤其適合在pet這種探測(cè)器數(shù)量眾多的儀器設(shè)備中。已有團(tuán)隊(duì)通過sipm陣列和閃爍晶體陣列1:1直接耦合的方式實(shí)現(xiàn)了pet探測(cè)器的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)，并且完成了系統(tǒng)集成，得到了2.5mm左右的pet系統(tǒng)空間分辨率(參考文獻(xiàn)daomingxi,jingjingliu,yanzhaoli,junzhu,mingniu,pengxiao,qingguoxie，"investigationofcontinuousscintillator/sipmdetectorforlocalextremelyhighspatialresolutionpet",inconferencerecordofthe2011ieeenuclearsciencesymposiumandmedicalimagingconference[c],pp.4429-4432,2011)

然而，上述的核探測(cè)器設(shè)計(jì)中還存在諸多不足之處，比如第一種基于pspmt耦合陣列閃爍晶體的核探測(cè)器，首先，其光電倍增管十分昂貴，對(duì)于通道數(shù)成千上萬的pet系統(tǒng)而言，使用的探測(cè)器數(shù)量相當(dāng)多，設(shè)備成本太高；其次，光電倍增管本身體積較大，不利于靈活的搭建系統(tǒng)；再次，光電倍增管運(yùn)行時(shí)一般需要一千伏左右的高壓，這會(huì)增加pet系統(tǒng)集成時(shí)的工程難度。對(duì)于第二種通過apd陣列耦合陣列閃爍晶體的核探測(cè)器，由于雪崩光電二極管有著天然的缺陷，增益不夠高，噪聲也較大，會(huì)造成前端探測(cè)器產(chǎn)生的電脈沖信號(hào)的信噪比將低，影響電子學(xué)讀出效果，最終降低pet探測(cè)器的性能。對(duì)于第三種通過硅光電倍增管陣列和相同尺寸的陣列閃爍晶體1:1直接耦合的方式組成的pet探測(cè)器，雖然其能夠獲得較好的能量分辨率和時(shí)間分辨率，但是在該耦合方式下其空間分辨率受限于硅光電倍增管的尺寸，難以通過切細(xì)陣列晶體中晶體條的尺寸進(jìn)一步提高pet探測(cè)器的空間分辨率。

綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)中基于pspmt耦合陣列閃爍晶體的核探測(cè)器不僅成本太高，而且系統(tǒng)集成靈活度不高和工程難度較大，雖然在高空間分辨率的pet系統(tǒng)中可以采用，但付出的研發(fā)成本和生產(chǎn)成本都比較高。基于apd陣列耦合閃爍晶體陣列的核探測(cè)器，其雪崩光電二極管增益較低，信號(hào)的信噪比不好，會(huì)降低高空分辨率pet系統(tǒng)的性能?；趕ipm陣列1:1直接耦合閃爍晶體的pet探測(cè)器兼有上述兩種方式的優(yōu)點(diǎn)，但是受限于sipm陣列中單顆sipm的尺寸，難以獲得晶體條切細(xì)至2mm以下的高空間分辨率核探測(cè)器。

因此，針對(duì)上述技術(shù)問題，有必要提出一種成本低廉、系統(tǒng)集成靈活度高且空間分辨率更高的核探測(cè)器以克服上述缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種核探測(cè)器，從而解決現(xiàn)有技術(shù)中核探測(cè)器的成本高、系統(tǒng)集成靈活度低且空間分辨率不高的問題。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是提供一種核探測(cè)器，所述核探測(cè)器包括閃爍晶體陣列、光導(dǎo)和光電探測(cè)器陣列，所述閃爍晶體陣列包括若干個(gè)依序緊密排列且尺寸相同的閃爍晶體條，所述光電探測(cè)器陣列包括若干個(gè)依序排列的光電探測(cè)器，所述光電探測(cè)器的橫截面積大于所述閃爍晶體條的橫截面積，所述光導(dǎo)包括相對(duì)的頂面、底面和側(cè)面，所述光導(dǎo)的頂面與所述閃爍晶體陣列耦合，所述光導(dǎo)的底面與所述光電探測(cè)器陣列耦合，所述光導(dǎo)的厚度介于0.1mm-40mm之間；所述光導(dǎo)還具有切縫，所述切縫設(shè)置于靠近所述光導(dǎo)的邊緣處，所述切縫自所述光導(dǎo)的頂面向所述光導(dǎo)的底面延伸，所述切縫的深度介于所述光導(dǎo)的厚度的0.1-0.5倍之間。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述光導(dǎo)呈長(zhǎng)方體形狀，所述切縫的延伸方向垂直于所述光導(dǎo)的所述頂面和所述底面。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述切縫距離所述光導(dǎo)的所述側(cè)面的距離介于所述閃爍晶體條的寬度的1.1-1.9倍之間。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述光導(dǎo)呈錐形臺(tái)形狀，所述光導(dǎo)的頂面面積大于所述光導(dǎo)的底面面積，所述切縫的延伸方向平行于所述錐形臺(tái)的側(cè)面。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述切縫包括第一切縫和第二切縫，所述第一切縫距離所述光導(dǎo)的所述側(cè)面的距離等于所述閃爍晶體條的寬度，所述第二切縫距離所述光導(dǎo)的所述側(cè)面的距離等于所述閃爍晶體條的寬度的兩倍，所述第一切縫的深度大于所述第二切縫的深度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述切縫的數(shù)量介于1-40之間，所述切縫自所述光導(dǎo)的側(cè)面向所述光導(dǎo)的中心依次分布，所述切縫的深度自所述光導(dǎo)的側(cè)面處向所述光導(dǎo)的中心依次遞減。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述閃爍晶體條的寬度介于0.5mm-4mm之間。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述閃爍晶體條的側(cè)面涂覆有不透光物質(zhì)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述不透光物質(zhì)為硫酸鋇粉末或者鏡面反射膜。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述切縫中和所述光導(dǎo)的側(cè)面涂覆有不透光物質(zhì)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述不透光物質(zhì)為黑色油漆。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述光導(dǎo)的層數(shù)介于1-4層之間，各層所述光導(dǎo)的累計(jì)厚度介于0.1mm-40mm之間。

本發(fā)明提供的核探測(cè)器，在閃爍晶體陣列中閃爍晶體條的尺寸明顯小于光電探測(cè)器尺寸時(shí)，也就是無法實(shí)現(xiàn)閃爍晶體條和光電探測(cè)器1:1直接耦合的情況下，在兩者之間加入具有切縫的光導(dǎo)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高空間分辨率的核探測(cè)器。由于光導(dǎo)的厚度較小，對(duì)閃爍晶體每次的閃爍光子損失較小，幾乎不損失閃爍光子的信噪比，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)核探測(cè)器的高空間分辨率，而且不會(huì)惡化核探測(cè)器的性能，使得該核探測(cè)的能量分辨率、符合時(shí)間分辨率均滿足高空間分辨率pet探測(cè)器的需要，并且生產(chǎn)方便，制造便捷，成本低廉。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的核探測(cè)器的正面示意圖；

圖2是根據(jù)圖1的核探測(cè)器的光導(dǎo)的立體示意圖；

圖3是根據(jù)圖1的核探測(cè)器的復(fù)用電路的示意圖；

圖4是根據(jù)圖1的核探測(cè)器的晶體位置譜的示意圖；

圖5是根據(jù)圖1的核探測(cè)器的能量譜的示意圖；

圖6是根據(jù)圖5的核探測(cè)器的中心閃爍晶體條的能量譜的示意圖；

圖7是根據(jù)圖5的核探測(cè)器的邊緣閃爍晶體條的能量譜的示意圖；

圖8是根據(jù)圖5的核探測(cè)器的閃爍晶體條的平均能量譜的示意圖，其中閃爍晶體條的平均能量分辨率為14.8％；

圖9是根據(jù)圖5的核探測(cè)器的符合時(shí)間分辨率的示意圖，其中符合時(shí)間分辨率為941.4ps；

圖10是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的核探測(cè)器的正面示意圖；

圖11是根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的核探測(cè)器的正面示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。應(yīng)理解，以下實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而非用于限制本發(fā)明的范圍。

圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的核探測(cè)器的正面示意圖，圖2為根據(jù)圖1的核探測(cè)器的光導(dǎo)的立體示意圖，由圖1結(jié)合圖2可知，本發(fā)明提供的核探測(cè)器包括閃爍晶體陣列10、光導(dǎo)20以及光電探測(cè)器陣列30，光導(dǎo)20設(shè)置于閃爍晶體陣列陣列30和光電探測(cè)器陣列30之間且分別與閃爍晶體陣列陣列30和光電探測(cè)器陣列30耦合。具體地，閃爍晶體陣列10包括m×n個(gè)依序緊密排列且尺寸相同的閃爍晶體條11，m、n均為不小于5的自然數(shù)，單個(gè)的閃爍晶體條11為六面拋光的長(zhǎng)方體，單個(gè)的閃爍晶體條11的側(cè)面涂抹不透光的漫反射物質(zhì)，比如baso4粉末或者鏡面反射膜，單個(gè)的閃爍晶體條11的底面組合形成了閃爍晶體陣列10的底面；如圖2所示，光導(dǎo)20包括光導(dǎo)本體21、第一切縫22和第二切縫23，光導(dǎo)本體21呈長(zhǎng)方體形狀，光導(dǎo)20的頂面與閃爍晶體陣列10的底面耦合，光導(dǎo)20的頂面面積等于閃爍晶體陣列10的底面面積，光導(dǎo)20的頂面上還設(shè)置有四條第一切縫22和四條向第二切縫23，四條第一切縫22分別平行于光導(dǎo)20的頂面的四條邊，四條第二切縫23也分別平行于光導(dǎo)20的頂面的四條邊，第一切縫22和向第二切縫23均自光導(dǎo)20的頂面沿著光導(dǎo)20的厚度方向向光導(dǎo)20內(nèi)部延伸，四條第二切縫23與四條第一切縫22相比更靠近光導(dǎo)20的中心。在圖1的實(shí)施例中，第一切縫22距離光導(dǎo)20邊緣的距離等于單個(gè)閃爍晶體條11的寬度，第一切縫22和第二切縫23之間的距離等于單個(gè)閃爍晶體條11的寬度，第一切縫22的深度大于第二切縫23的深度。光電探測(cè)器陣列30的頂面與光導(dǎo)20的底面耦合，光電探測(cè)器陣列30包括x×y個(gè)依序排列且尺寸相同的光電探測(cè)器31，x、y均為自然數(shù)，單個(gè)光電探測(cè)器31的橫截面積大于單個(gè)閃爍晶體條11的橫截面積，光電探測(cè)器陣列30的頂面面積小于光導(dǎo)20的底面面積。

更具體地，在圖1的實(shí)施例中，閃爍晶體陣列10由13×13個(gè)單獨(dú)的閃爍晶體條11形成，閃爍晶體條11的材質(zhì)為硅酸釔镥閃爍晶體(簡(jiǎn)稱lyso)，單根閃爍晶體條的尺寸為1.89mm×1.89mm×13mm，閃爍晶體陣列10的整體尺寸為26.5mm×26.5mm×13.3mm，各個(gè)閃爍晶體條11之間涂抹baso4粉末。光導(dǎo)20的厚度為1.4mm，第一切縫22的寬度為0.2mm，深度為1.0mm，第二切縫的寬度為0.2mm，深度為0.4mm，第一切縫22和第二切縫23中均填充不透光物質(zhì)，比如黑色不透光的油漆。值得注意的是，為了實(shí)現(xiàn)更好的導(dǎo)光效果，光導(dǎo)20的側(cè)面也涂抹了不透光物質(zhì)。光電探測(cè)器陣列30采用6×6個(gè)硅光電倍增管31，單個(gè)硅光電倍增管31的尺寸為4mm×4mm×0.65mm，相鄰的硅光電倍增管31之間具有縫隙，縫隙的寬度為0.2mm。

圖3為根據(jù)圖1的核探測(cè)器的復(fù)用電路的示意圖，由圖3可知，本發(fā)明的核探測(cè)器的復(fù)用電路采用了均衡電荷分配電路，該電路包括16個(gè)通道，每個(gè)通道的硅光電倍增管31的閃爍脈沖信號(hào)先經(jīng)過兩個(gè)電阻40均衡分配電荷以產(chǎn)生8路加權(quán)信號(hào)50，電阻40的阻值為220歐姆；通過該均衡電荷分配電路可使x×y路的硅光電倍增管31的閃爍脈沖信號(hào)減少為x+y路，最后通過anger算法產(chǎn)生位置譜。值得注意的是，anger算法為本領(lǐng)域的常用技術(shù)手段，在此不再贅述。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的核探測(cè)器的能量譜的示意圖，由圖4可知，硅光電倍增管31產(chǎn)生的閃爍脈沖信號(hào)經(jīng)過復(fù)用電路處理后，進(jìn)一步采用多閾值(mvt)數(shù)字化方法處理。不同于傳統(tǒng)的固定時(shí)間進(jìn)行電壓采樣的adc方法，mvt數(shù)字化方法預(yù)先在系統(tǒng)中設(shè)置多個(gè)電壓閾值，記錄閃爍脈沖信號(hào)到達(dá)各個(gè)電壓閾值時(shí)對(duì)應(yīng)的時(shí)間，進(jìn)一步借助于閃爍脈沖模型的先驗(yàn)知識(shí)，通過擬合即可得到閃爍脈沖信號(hào)的時(shí)間、能量、基線漂移和衰減時(shí)間信息，進(jìn)一步通過能量信息可獲得位置信息，圖4即為通過mvt數(shù)字化方法獲得的圖1的核探測(cè)器的位置譜圖像，由圖4可見，該核探測(cè)器的13×13個(gè)晶體的位置譜清晰可見。

圖5示出了根據(jù)圖1的基于sipm的核探測(cè)器在應(yīng)用了位置查表算法后獲得的13×13個(gè)閃爍晶體條的能量譜，從圖5中可知，通過對(duì)能量譜中光電峰進(jìn)行高斯擬合可得每個(gè)閃爍晶體條上的能量分辨率，單個(gè)閃爍晶體條的能量分辨率介于12.9％-30.1％之間。圖6是根據(jù)圖5的核探測(cè)器的中心閃爍晶體條的能量譜的示意圖，圖7是根據(jù)圖5的核探測(cè)器的邊緣閃爍晶體條的能量譜的示意圖，由圖6對(duì)比圖7可知，位于核探測(cè)器邊緣的閃爍晶體條的能量分辨率與位于核探測(cè)器中心的閃爍晶體條的能量分辨率相比更差。圖8為根據(jù)圖5的核探測(cè)器的閃爍晶體條的平均能量譜的示意圖，由圖8可知，13×13個(gè)閃爍晶體條的平均能量分辨率為14.8％。

圖9是根據(jù)圖5的核探測(cè)器的符合時(shí)間分辨率的示意圖，由圖9可知，對(duì)正對(duì)放置的基于sipm的核探測(cè)器抽取4573對(duì)相鄰的響應(yīng)線(簡(jiǎn)稱lor，lineofresponse)統(tǒng)計(jì)符合時(shí)間分布譜，所有的事件均經(jīng)過350-650kev的能量窗篩選，通過高斯擬合后獲得的符合時(shí)間分辨率為941.4ps。

圖10為根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的核探測(cè)器的正面示意圖，在圖10的實(shí)施例中，核探測(cè)器的閃爍晶體陣列110和光電探測(cè)器陣列130均與圖1所示的實(shí)施例相同，在此不再贅述。不同之處為，圖10的實(shí)施例中，光導(dǎo)120的頂面上僅設(shè)置有四條第一切縫122，該第一切縫122的分別平行于光導(dǎo)120的頂面的四條邊切割，第一切縫122自光導(dǎo)120的頂面沿著光導(dǎo)120的厚度方向向光導(dǎo)120內(nèi)部延伸，四條第一切縫122距離相應(yīng)的光導(dǎo)120的邊緣的距離介于閃爍晶體條寬度的1.1-1.9倍之間，第一切縫122的深度介于光導(dǎo)120的厚度的0.1-0.5倍之間。比如，在圖10的實(shí)施例中，第一切縫122距離相應(yīng)的光導(dǎo)120的邊緣的距離為閃爍晶體條的寬度的1.5倍，第一切縫122的深度為0.4mm，光導(dǎo)120厚度為1.4mm。

圖11是根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的核探測(cè)器的正面示意圖，在圖11的實(shí)施例中，核探測(cè)器的閃爍晶體陣列210和光電探測(cè)器陣列230均與圖1所示的實(shí)施例相同，在此不再贅述。不同之處為，圖11的實(shí)施例中，光導(dǎo)220呈錐形臺(tái)狀，包括相對(duì)的頂面、底面和四個(gè)側(cè)面，光導(dǎo)220的頂面面積大于底面面積，光導(dǎo)220的底面面積等于光電探測(cè)器陣列230的頂面面積；光導(dǎo)220的頂面上設(shè)置有四條第一切縫222和四條第二切縫223，第一切縫222和第二切縫223所在的平面的分別平行于光導(dǎo)220的四個(gè)側(cè)面，四條第一切縫222距離相應(yīng)的光導(dǎo)220的側(cè)面的距離等于單個(gè)閃爍晶體條的寬度，第二切縫223距離相應(yīng)的光導(dǎo)220的側(cè)面的距離等于單個(gè)閃爍晶體條的寬度的兩倍；第一切縫222的深度大于第二切縫223的深度。比如，在圖10的實(shí)施例中，第一切縫222的寬度為0.2mm，深度為1.0mm，第二切縫223的寬度為0.2mm，深度為0.4mm。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，光導(dǎo)采用的材料為普通無機(jī)玻璃、有機(jī)玻璃或者閃爍晶體等透明元件。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，光導(dǎo)的層數(shù)介于2-4層之間，所有光導(dǎo)的累計(jì)厚度介于0.1mm-40mm之間。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，光導(dǎo)還可為圓錐臺(tái)、圓柱體或者類錐形多面體等形狀，光導(dǎo)的寬度或者直徑介于閃爍晶體陣列的寬度和光電探測(cè)器陣列的寬度之間。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，光導(dǎo)的第一切縫或者第二切縫中填充的不透光物質(zhì)還可以為鏡面反射膜(簡(jiǎn)稱esr，enhancedspecularreflector)。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，光導(dǎo)的切縫數(shù)量還可大于2，光導(dǎo)的切縫數(shù)量不超過40個(gè)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，閃爍晶體條為無機(jī)閃爍晶體，包括鍺酸鉍、硅酸镥、溴化鑭、硅酸釔镥、硅酸镥、氟化鋇、碘化鈉和碘化銫等。

根據(jù)本發(fā)明另外的實(shí)施例，閃爍晶體陣列中的單個(gè)閃爍晶體條的寬度介于0.5mm-4mm之間。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，光電探測(cè)器陣列中的光電探測(cè)器還可采用雪崩光電二極管(apd)、多像素光子計(jì)數(shù)器(mppc)和蓋革模式雪崩光電二極管(g-apd)。

本發(fā)明提供的核探測(cè)器，在閃爍晶體陣列中閃爍晶體條的尺寸明顯小于光電探測(cè)器尺寸時(shí)，也就是無法實(shí)現(xiàn)閃爍晶體條和光電探測(cè)器1:1直接耦合的情況下，在兩者之間加入具有切縫的光導(dǎo)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高空間分辨率的核探測(cè)器。由于光導(dǎo)的厚度較小，對(duì)閃爍晶體每次的閃爍光子損失較小，幾乎不損失閃爍光子的信噪比，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)核探測(cè)器的高空間分辨率，而且不會(huì)惡化核探測(cè)器的性能，使得該核探測(cè)的能量分辨率、符合時(shí)間分辨率均滿足高空間分辨率pet探測(cè)器的需要，并且生產(chǎn)方便，制造便捷。

以上所述的，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用以限定本發(fā)明的范圍，本發(fā)明的上述實(shí)施例還可以做出各種變化。即凡是依據(jù)本發(fā)明申請(qǐng)的權(quán)利要求書及說明書內(nèi)容所作的簡(jiǎn)單、等效變化與修飾，皆落入本發(fā)明專利的權(quán)利要求保護(hù)范圍。本發(fā)明未詳盡描述的均為常規(guī)技術(shù)內(nèi)容。