一種基于單個(gè)加熱元件的甲烷傳感器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種基于單個(gè)加熱元件的甲烷傳感器，適用于工礦企業(yè)中使用。該甲烷傳感器包括加熱元件、測(cè)量元件、環(huán)境溫度測(cè)量元件。該甲烷傳感器的加熱元件的加熱器和測(cè)量元件的測(cè)量構(gòu)件通過(guò)支撐臂懸置于空氣中，加熱元件單獨(dú)加熱到高溫工作狀態(tài)，測(cè)量元件單獨(dú)用于檢測(cè)瓦斯氣體濃度，環(huán)境溫度測(cè)量元件檢測(cè)片上溫度用于溫度補(bǔ)償。該傳感器的優(yōu)點(diǎn)為：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功耗低、靈敏度高、抗干擾性好、成本低。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種基于單個(gè)加熱元件的甲烷傳感器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種甲烷傳感器，特別是一種工礦物聯(lián)網(wǎng)中使用的基于單個(gè)加熱元件的甲烷傳感器。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，當(dāng)前的甲烷傳感器無(wú)法滿足單兵裝備等對(duì)低功耗、長(zhǎng)壽命、低成本的檢測(cè)低濃度甲烷的甲烷傳感器的需求。
[0003]目前用于煤礦井下檢測(cè)低濃度甲烷的仍多是基于傳統(tǒng)鉬絲加熱的催化燃燒式甲烷傳感器，其原理是基于甲烷氣體的催化燃燒反應(yīng)釋熱效應(yīng)。催化燃燒式甲烷傳感器功耗較大，由于催化劑的使用，該種甲烷傳感器具有積碳、中毒、激活等缺點(diǎn)，且性能不穩(wěn)定、校驗(yàn)時(shí)間短。除此之外，現(xiàn)有催化燃燒式甲烷傳感器采用鉬絲等貴金屬手工或機(jī)械繞制的線圈作為加熱元件，難以批量化生產(chǎn)、且一致性與互換性較差，因此，不能很好的滿足物聯(lián)網(wǎng)對(duì)低功耗高性能甲烷傳感器的應(yīng)用需求。而紅外甲烷傳感器價(jià)格高、傳感元件受粉塵與水汽嚴(yán)重影響；這兩種甲烷傳感器都不能很好的滿足物聯(lián)網(wǎng)對(duì)低功耗甲烷傳感器的應(yīng)用需求。其它的甲烷傳感器亦難以適應(yīng)煤礦井下特殊的使用環(huán)境。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]技術(shù)問(wèn)題:本實(shí)用新型的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不依賴(lài)催化劑，基于單個(gè)加熱元件的能夠檢測(cè)低濃度甲烷的基于單個(gè)加熱元件的甲烷傳感器。
[0005]技術(shù)方案:為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的基于單個(gè)加熱元件的甲烷傳感器包括加熱元件、測(cè)量元件與環(huán)境溫度測(cè)量元件；所述環(huán)境溫度測(cè)量元件設(shè)在支座上；
[0006]所述加熱元件由兩個(gè)固定端、兩個(gè)并排設(shè)置的支撐臂A與加熱器構(gòu)成，兩個(gè)支撐臂A的兩端分別與固定端和加熱器相連接，形成二端子器件；所述每個(gè)支撐臂A的長(zhǎng)度至少300um ;所述測(cè)量元件由兩個(gè)固定端、測(cè)量構(gòu)件和兩個(gè)支撐臂B構(gòu)成，兩個(gè)支撐臂B分別與測(cè)量構(gòu)件的兩端相連接，兩個(gè)支撐臂B的另一端分別與兩個(gè)固定端相連，構(gòu)成二端子器件；所述每個(gè)支撐懸臂B的長(zhǎng)度至少10um ;所述加熱元件的固定端與測(cè)量元件的固定端相互獨(dú)立的設(shè)在支座上，其余部分懸置在空氣中；加熱元件和測(cè)量元件在結(jié)構(gòu)上都為懸臂梁結(jié)構(gòu)；所述加熱元件的加熱器為環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述測(cè)量元件的測(cè)量構(gòu)件為“一”字結(jié)構(gòu)或圓弧狀結(jié)構(gòu)，所述加熱元件的加熱器與測(cè)量元件的測(cè)量構(gòu)件之間不接觸，所述相隔距離為2um至200umo
[0007]所述支座包括襯底與設(shè)在襯底上的隔離氧化硅層，及設(shè)在隔離氧化硅上的頂層單晶硅層；加熱元件、測(cè)量元件與環(huán)境溫度測(cè)量元件采用設(shè)在隔離氧化硅上的頂層單晶硅層加工形成，加熱元件、測(cè)量元件與環(huán)境溫度測(cè)量元件的硅結(jié)構(gòu)分別都與隔離氧化硅上的其它的頂層單晶硅層隔離不相連接；所述襯底為硅或其它可采用MEMS工藝加工的材料；所述設(shè)在支座上的環(huán)境溫度測(cè)量元件包括兩個(gè)電極引出端、及測(cè)量電阻；
[0008]加熱元件與測(cè)量元件的固定端及環(huán)境溫度測(cè)量元件的電極引出端由頂層單晶硅層形加工成，在頂層單晶硅層外有氧化硅層，在氧化硅層上設(shè)有電引出焊盤(pán)金屬；所述固定端與電極引出端的頂層單晶硅層內(nèi)設(shè)有摻雜硅層；所述電引出焊盤(pán)金屬通過(guò)氧化硅層的窗口與固定端的摻雜硅層相接觸構(gòu)成歐姆接觸；
[0009]所述加熱元件的伸出在空氣中的支撐臂A與加熱器以及測(cè)量元件的伸出在空氣中的測(cè)量構(gòu)件、支撐臂B的外表面設(shè)有鈍化保護(hù)層；所述環(huán)境溫度測(cè)量元件的測(cè)量硅電阻的外表面同樣設(shè)有鈍化保護(hù)層；所述鈍化保護(hù)層為氧化硅，或氧化鉿，或氧化硅/氧化鋁復(fù)合層，或氧化鉿/氧化鋁復(fù)合層，或氧化鉿/氮化硅復(fù)合層，或氧化鋁/氮化硅復(fù)合層，或氧化硅/氮化硅復(fù)合層，或氧化硅、氧化鉿、氧化鋁、氮化硅幾種材料組合形成的復(fù)合層；其中氧化娃的厚度至少1nm,氧化鉿的厚度至少為5um,氧化招厚度至少6nm,氮化娃厚度至少10nm，整個(gè)鈍化保護(hù)層的厚度不超過(guò)lum。
[0010]有益效果:本實(shí)用新型提供了一種新型的甲烷傳感器，該甲烷傳感器以硅為加工材料，采用CMOS兼容的MEMS工藝加工，該甲烷傳感器基于單個(gè)加熱元件、單獨(dú)的測(cè)量元件而未采用催化劑實(shí)現(xiàn)對(duì)低濃度甲烷的檢測(cè)，并設(shè)有單獨(dú)的環(huán)境溫度傳感元件檢測(cè)傳感器的片上溫度。由于采用了上述方案，本實(shí)用新型的甲烷傳感器具有以下有效效果:
[0011]1、本實(shí)用新型的甲烷傳感器使用獨(dú)立的加熱元件與測(cè)量元件檢測(cè)低濃度(O?4% )甲烷氣體，未使用催化劑；由于沒(méi)使用催化劑與催化載體，因此，傳感器的性能不受催化劑的影響，不存在催化劑活性降低導(dǎo)致的靈敏度降低、中毒、激活等問(wèn)題；并且無(wú)需對(duì)甲烷進(jìn)行催化燃式反即可實(shí)現(xiàn)甲烷檢測(cè)，也就不需要氧氣的參與，因此本實(shí)用新型的甲烷傳感器對(duì)甲烷的檢測(cè)不受空氣中氧氣的影響；
[0012]2、本實(shí)用新型的甲烷傳感器的加熱元件的加熱器懸在空氣中且遠(yuǎn)離硅襯底，距離大于300um以上，以較低的功率即可將硅加熱器加熱到500°C以上的高溫，相應(yīng)的功耗為80?90mW左右；加熱元件與測(cè)量元件相互獨(dú)立，沒(méi)有直接接觸，即不存在固態(tài)介質(zhì)連接，因此不存在從加熱元件到測(cè)溫元件的熱傳導(dǎo)形式的能量損失路徑，因此也有效的降低了加熱元件工作時(shí)的功耗；并且，本實(shí)用新型的甲烷傳感器只有加熱元件需要加熱到高溫；測(cè)量元件與環(huán)境溫度測(cè)量元件都只需極低的電流即可工作，而無(wú)需加熱至高溫，因此測(cè)量元件與環(huán)境溫度測(cè)量元件的功耗都極低；上述的綜合措施大幅降低了本實(shí)用新型的甲烷傳感器的總體功耗，因此具有低功耗的優(yōu)勢(shì)。
[0013]3、本實(shí)用新型的甲烷傳感器的加熱元件、測(cè)量元件與環(huán)境溫度測(cè)量元件都以單晶硅為原材料加工獲得，使得加工工藝統(tǒng)一、簡(jiǎn)單，且工藝與CMOS兼容，采用CMOS工藝批量生產(chǎn)，成本低廉、還可使加工的甲烷傳感器具有良好的一致性、互換性，易于實(shí)現(xiàn)批量校準(zhǔn)，能進(jìn)一步提高傳感器性能并降低傳感器校準(zhǔn)環(huán)節(jié)的成本。
[0014]4、本實(shí)用新型的甲烷傳感器的加熱元件、測(cè)量元件與環(huán)境溫度測(cè)量元件都以單晶硅加工得到，由于單晶硅在高溫下具有穩(wěn)定的性能，這使本實(shí)用新型的甲烷傳感器在高溫工作狀態(tài)下具有良好的穩(wěn)定性與長(zhǎng)的壽命。單晶硅不存在鉬、鎢等金屬加熱材料在500攝氏度以上的高溫容易揮發(fā)、升華、遷移等缺點(diǎn)、也不存在多晶硅電阻在高溫下晶界電阻易于變化、無(wú)法掌控的缺點(diǎn)。同時(shí)，在本實(shí)用新型的加熱元件、測(cè)量元件與環(huán)境溫度測(cè)量元件的外表面設(shè)置的鈍化層也降低了外界環(huán)境對(duì)上述元器件的影響，從而進(jìn)一步提高了本實(shí)用新型的甲烷傳感器性能的穩(wěn)定性。
[0015]5、本實(shí)用新型的甲烷傳感器的加熱元件、測(cè)量元件與環(huán)境溫度測(cè)量元件結(jié)構(gòu)上的獨(dú)立，便于單獨(dú)調(diào)控加熱元件、同時(shí)單獨(dú)對(duì)測(cè)溫元件進(jìn)行檢測(cè)，使加熱與測(cè)溫之間不存在耦合關(guān)系，不再受傳統(tǒng)的單一元件加熱與測(cè)溫功能復(fù)用的限制，這使本實(shí)用新型的甲烷傳感器可具有多種工作模式，且使調(diào)控配置簡(jiǎn)單、靈活，能進(jìn)一步提高本實(shí)用新型甲烷傳感器的智能化水平及傳感性能。
[0016]6、本實(shí)用新型的甲烷傳感器的環(huán)境溫度測(cè)量元件用于獨(dú)立檢測(cè)本實(shí)用新型的甲烷傳感器的片上溫度，這提供了與加熱元件、測(cè)量元件距離最近、最真實(shí)的溫度數(shù)據(jù)，有利于對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行最佳的溫度補(bǔ)償、同時(shí)也為本實(shí)用新型的甲烷傳感器智能化奠定了基礎(chǔ)。
[0017]7、本實(shí)用新型的甲烷傳感器，尺寸小、功耗低，并且響應(yīng)速度快、可達(dá)40ms左右；加熱元件與測(cè)量元件結(jié)構(gòu)上的獨(dú)立可使測(cè)量元件以極低的自加熱效應(yīng)檢測(cè)甲烷濃度，自身熱噪聲的降低使本實(shí)用新型的傳感器的靈敏度進(jìn)一步得到提升。
[0018]優(yōu)點(diǎn):本實(shí)用新型提供的基于單個(gè)加熱元件的甲烷傳感器，以性能穩(wěn)定的硅為加熱材料，無(wú)需采用催化劑實(shí)現(xiàn)低濃度甲烷的高靈敏度檢測(cè)；這使該甲烷傳感器具有性能穩(wěn)定、長(zhǎng)期穩(wěn)定性好的優(yōu)點(diǎn)，無(wú)中毒、積碳、激活等缺點(diǎn)；本實(shí)用新型的甲烷傳感器的功耗主要由采用的單個(gè)加熱元件的功耗決定，測(cè)量元件及環(huán)境溫度測(cè)量元件消耗的功耗極低，因此傳感器的總體功耗低；本實(shí)用新型的甲烷傳感器有利于采用計(jì)算機(jī)根據(jù)片上集成的環(huán)境溫度測(cè)量元件獲得的環(huán)境溫度靈活的調(diào)節(jié)加熱元件的溫度、完成直接進(jìn)行溫度補(bǔ)償，從而提高傳感器的性能。本實(shí)用新型的甲烷傳感器抗干擾性能好、靈敏度高，批量生產(chǎn)成本低且一致性好，易于批量快速校準(zhǔn)。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為本實(shí)用新型的基于單個(gè)加熱元件的甲烷傳感器的俯視示意圖。
[0020]圖2為本實(shí)用新型的加熱元件和測(cè)量元件的固定端的剖視圖，即圖1中的A-A截面剖視圖。
[0021]圖3為本實(shí)用新型的加熱元件、測(cè)量元件設(shè)置在同一側(cè)時(shí)的俯視示意圖。
[0022]圖中:100-支座，101-加熱元件，102-測(cè)量元件，103-環(huán)境溫度測(cè)量元件，1001-固定端，1012-支撐臂A，1011-加熱器，1021-測(cè)量構(gòu)件，1022-支撐臂B, 1031-電極引出端，1032-測(cè)量電阻，11-襯底，12-隔離氧化硅層，13-頂層單晶硅層，14-鈍化保護(hù)層，22-電引出焊盤(pán)金屬，23-氧化娃層,24-摻雜娃層。

【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例作進(jìn)一步的描述:
[0024]實(shí)施例1:如在圖1、圖2中，該甲烷傳感器包括加熱元件101、測(cè)量元件102與環(huán)境溫度測(cè)量元件103 ;所述環(huán)境溫度測(cè)量元件103設(shè)在支座100上；
[0025]所述加熱元件101由兩個(gè)固定端1001、兩個(gè)并排設(shè)置的支撐臂A1012與加熱器1011構(gòu)成，兩個(gè)支撐臂A1012的兩端分別與固定端1001和加熱器1011相連接，形成二端子器件；所述每個(gè)支撐臂A1012的長(zhǎng)度至少300um ;所述測(cè)量元件102由兩個(gè)固定端1001、測(cè)量構(gòu)件1021和兩個(gè)支撐臂B1022構(gòu)成，兩個(gè)支撐臂B1022分別與測(cè)量構(gòu)件1021的兩端相連接，兩個(gè)支撐臂B1022的另一端分別與兩個(gè)固定端1001相連，構(gòu)成二端子器件；所述每個(gè)支撐懸臂B1022的長(zhǎng)度至少10um ;所述加熱元件101的固定端1001與測(cè)量元件102的固定端1001相互獨(dú)立的設(shè)在支座100上，其余部分懸置在空氣中；加熱元件101和測(cè)量元件102在結(jié)構(gòu)上都為懸臂梁結(jié)構(gòu)；所述加熱元件101的加熱器1011為環(huán)形結(jié)構(gòu)，測(cè)量元件102的測(cè)量構(gòu)件1021為“一”字結(jié)構(gòu)或如圖3中所示的圓弧狀結(jié)構(gòu)；如圖1所示，所述加熱元件101與測(cè)量元件102設(shè)在左右兩側(cè)；所述加熱元件101的加熱器1011與測(cè)量元件102的測(cè)量構(gòu)件1021之間不接觸,所述相隔距離為2um至200um。所述支座101包括襯底11與設(shè)在襯底11上的隔離氧化硅層12，及設(shè)在隔離氧化硅12上的頂層單晶硅層13 ;加熱元件101、測(cè)量元件102與環(huán)境溫度測(cè)量元件103采用設(shè)在隔離氧化硅12上的頂層單晶硅層13加工形成，加熱元件101、測(cè)量元件102與環(huán)境溫度測(cè)量元件103的硅結(jié)構(gòu)分別都與隔離氧化硅12上的其它的頂層單晶硅層13隔離不相連接；所述襯底11為硅或其它可采用MEMS工藝加工的材料；所述設(shè)在支座100上的環(huán)境溫度測(cè)量元件103包括兩個(gè)電極引出端1031、及測(cè)量電阻1032 ；
[0026]加熱元件101與測(cè)量元件102的固定端1001及環(huán)境溫度測(cè)量元件103的電極引出端1031由頂層單晶硅層13加工形成，在頂層單晶硅層13外設(shè)有氧化硅層23，在氧化硅層23上設(shè)有電引出焊盤(pán)金屬22 ;所述固定端1001與電極引出端1031的頂層單晶硅層13內(nèi)設(shè)有摻雜硅層24 ;所述電引出焊盤(pán)金屬22通過(guò)氧化硅層23的窗口與固定端1001的摻雜硅層24相接觸構(gòu)成歐姆接觸；
[0027]所述加熱元件101的伸出在空氣中的支撐臂A1012與加熱器1011以及測(cè)量元件102的伸出在空氣中的測(cè)量構(gòu)件1021、支撐臂B1022的外表面設(shè)有鈍化保護(hù)層14 ;所述環(huán)境溫度測(cè)量元件103的測(cè)量硅電阻1031的外表面同樣設(shè)有鈍化保護(hù)層14 ;所述鈍化保護(hù)層14為氧化硅，或氧化鉿，或氧化硅/氧化鋁復(fù)合層，或氧化鉿/氧化鋁復(fù)合層，或氧化鉿/氮化硅復(fù)合層，或氧化鋁/氮化硅復(fù)合層，或氧化硅/氮化硅復(fù)合層，或氧化硅、氧化鉿、氧化鋁、氮化硅幾種材料組合形成的復(fù)合層；其中氧化硅的厚度至少10nm，氧化鉿的厚度至少為5um，氧化鋁厚度至少6nm，氮化硅厚度至少10nm，整個(gè)鈍化保護(hù)層的厚度不超過(guò)lum。
[0028]一種基于單個(gè)加熱元件的甲烷傳感器的甲烷檢測(cè)應(yīng)用方法，所述基于單個(gè)加熱元件的甲烷傳感器的加熱元件101通以較大電流或施加較大電壓進(jìn)入電流-電阻特性曲線中轉(zhuǎn)折點(diǎn)左側(cè)的工作區(qū)域、加熱器1011的加熱溫度在500°C以上，所述轉(zhuǎn)折點(diǎn)為電阻隨電流或電壓增大而出現(xiàn)的電阻最大點(diǎn)，當(dāng)電流或電壓繼續(xù)增大時(shí)，電阻不再繼續(xù)增大反而減??；測(cè)量元件102與環(huán)境溫度測(cè)量元件103則都通以不產(chǎn)生明顯高于環(huán)境空氣溫度的微小電流；當(dāng)沒(méi)有甲烷氣體時(shí)，測(cè)量元件102受加熱元件101的加熱高溫影響溫度升高，電阻也增大；當(dāng)甲烷氣體出現(xiàn)及濃度增加時(shí)，加熱元件101的溫度降低，獨(dú)立的測(cè)量元件102受其影響溫度也降低，導(dǎo)致自身電阻的降低，通過(guò)電學(xué)測(cè)量方法檢測(cè)測(cè)量元件102的電學(xué)參數(shù)如電阻的變化實(shí)現(xiàn)甲烷濃度的測(cè)量；采用環(huán)境溫度測(cè)量元件103測(cè)量環(huán)境溫度，用以調(diào)整加熱元件101的加熱狀態(tài)，還可用以對(duì)測(cè)量所獲得的數(shù)據(jù)進(jìn)行溫度補(bǔ)償。
【權(quán)利要求】
1.一種基于單個(gè)加熱元件的甲烷傳感器，其特征在于:它包括加熱元件(101)、測(cè)量元件(102)與環(huán)境溫度測(cè)量元件(103);所述環(huán)境溫度測(cè)量元件(103)設(shè)在支座(100)上；所述加熱元件(101)由兩個(gè)固定端(1001)、兩個(gè)并排設(shè)置的支撐臂A (1012)與加熱器(1011)構(gòu)成，兩個(gè)支撐臂A (1012)的兩端分別與固定端(1001)和加熱器(1011)相連接，形成二端子器件；所述每個(gè)支撐臂A (1012)的長(zhǎng)度至少300um ;所述測(cè)量元件(102)由兩個(gè)固定端(1001)、測(cè)量構(gòu)件(1021)和兩個(gè)支撐臂B (1022)構(gòu)成，兩個(gè)支撐臂B (1022)分別與測(cè)量構(gòu)件(1021)的兩端相連接，兩個(gè)支撐臂B (1022)的另一端分別與兩個(gè)固定端(1001)相連，構(gòu)成二端子器件；所述每個(gè)支撐臂B (1022)的長(zhǎng)度至少10um ;所述加熱元件(101)的固定端(1001)與測(cè)量元件(102)的固定端(1001)相互獨(dú)立的設(shè)在支座(100)上，其余部分懸置在空氣中；加熱元件(101)和測(cè)量元件(102)在結(jié)構(gòu)上都為懸臂梁結(jié)構(gòu)；所述加熱元件(101)的加熱器(1011)與測(cè)量元件(102)的測(cè)量構(gòu)件(1021)不接觸，相距2um至200um ；所述支座(101)包括襯底(11)與設(shè)在襯底(11)上的隔離氧化硅層(12)，及設(shè)在隔離氧化硅(12)上的頂層單晶硅層(13);加熱元件(101 )、測(cè)量元件(102)與環(huán)境溫度測(cè)量元件(103)采用設(shè)在隔離氧化硅(12)上的頂層單晶硅層(13)加工形成，加熱元件(101)、測(cè)量元件(102)與環(huán)境溫度測(cè)量元件(103)的硅結(jié)構(gòu)分別都與隔離氧化硅(12)上的其它的頂層單晶硅層(13)隔離不相連接；所述襯底(11)為硅或其它可采用MEMS工藝加工的材料；所述設(shè)在支座(100)上的環(huán)境溫度測(cè)量元件(103)包括兩個(gè)電極引出端(1031 )、及測(cè)量電阻(1032)； 加熱元件(101)與測(cè)量元件(102)的固定端(1001)及環(huán)境溫度測(cè)量元件(103)的電極引出端(1031)由頂層單晶硅層(13)加工形成，在頂層單晶硅層(13)外有氧化硅層(23)，在氧化硅層(23)上設(shè)有電引出焊盤(pán)金屬(22);所述固定端(1001)與電極引出端(1031)的頂層單晶硅層(13)內(nèi)設(shè)有摻雜硅層(24);所述電引出焊盤(pán)金屬(22)通過(guò)氧化硅層(23)的窗口與固定端(1001)的摻雜硅層(24)相接觸構(gòu)成歐姆接觸； 所述加熱元件(101)的伸出在空氣中的支撐臂A (1012)與加熱器(1011)以及測(cè)量元件(102)的伸出在空氣中的測(cè)量構(gòu)件(1021)、支撐臂B (1022)的外表面設(shè)有鈍化保護(hù)層(14);所述環(huán)境溫度測(cè)量元件(103)的測(cè)量硅電阻(1031)的外表面同樣設(shè)有鈍化保護(hù)層(14);所述鈍化保護(hù)層(14)為氧化硅，或氧化鉿，或氧化硅/氧化鋁復(fù)合層，或氧化鉿/氧化鋁復(fù)合層，或氧化鉿/氮化硅復(fù)合層，或氧化鋁/氮化硅復(fù)合層，或氧化硅/氮化硅復(fù)合層，或氧化硅、氧化鉿、氧化鋁、氮化硅幾種材料組合形成的復(fù)合層；其中氧化硅的厚度至少1nm,氧化鉿的厚度至少為5um,氧化招厚度至少6nm,氮化娃厚度至少1nm,整個(gè)鈍化保護(hù)層的厚度不超過(guò)lum。
【文檔編號(hào)】G01N27/14GK204154679SQ201420647114
【公開(kāi)日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
【發(fā)明者】馬洪宇, 劉曉文, 丁恩杰, 趙小虎 申請(qǐng)人:中國(guó)礦業(yè)大學(xué)