具有脈沖式均衡磁場梯度的磁共振設備的制作方法
【專利摘要】為了利用MR成像序列檢測在MR設備的測量場中的檢查對象的檢查區(qū)域中的MR信號，利用極化場B0產(chǎn)生檢查對象中的磁化。MR設備具有磁體，用于產(chǎn)生具有在測量場上第一場非均勻性的極化場B0。至少一個HF脈沖（31,32）被入射到檢查區(qū)域中。接通至少一個第一磁場梯度（33-36）用于MR信號的位置編碼。接通至少一個脈沖式均衡磁場梯度（37,38），其由時間上變化的電流產(chǎn)生，該電流在MR成像序列的持續(xù)時間上變化并且其在均衡時間段（43,44）上被接通，該均衡時間段小于成像序列的整個持續(xù)時間，由此在所述均衡時間段（43,44）期間第一場非均勻性被降低到在測量場上的更小的第二場非均勻性。
【專利說明】具有脈沖式均衡磁場梯度的磁共振設備
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于利用MR成像序列檢測在MR設備的測量場中的檢查對象的檢查區(qū)域中的MR信號的方法，以及一種為此的MR設備。
【背景技術】
[0002]使用超導磁體用于建立極化場BO的公知的MR設備通常具有球形或圓柱形的測量場，其體積為大約50cm直徑。在該測量場中需要極化場BO的高均勻性用于建立MR圖像。用于提供極化場BO的磁體結構的開銷非常大。例如需要許多線圈元件和其他屏蔽線圈元件，其將極化場限制到MR設備的內(nèi)部。因為超導磁體利用氦冷卻，所以需要開銷大的裝置用于冷卻許多存在的超導線圈。每個線圈元件具有多個繞組，其位置和與其他繞組的距離取決于不同的標準來計算，例如目的是，減少超導導線的量。MR設備中的另一個成本方面的因素是需要氦用于冷卻超導線圈。
[0003]盡管如此，對于MR測量有時需要進一步改善基本場均勻性。為此使用所謂的勻場線圈(Shimspule),其在室溫下被提供恒定電流以進一步減小剩余的BO非均勻性。如果檢查對象被移入MR設備中，則可以通過所謂的靜態(tài)勻場確定通過勻場線圈的電流，其然后對于成像保持恒定。為了進一步改善均勻性，也可以在每個MR成像序列之前匹配勻場電流。然而在勻場線圈中使用的電流在成像序列的持續(xù)時間上是恒定的。該勻場線圈通常能夠均衡處于IOppm或更小的數(shù)量級的磁場非均勻性。特別地進行該校正，以便校正當檢查對象被移入MR設備中時通過磁化效應產(chǎn)生的BO非均勻性。
[0004]除了 MR設備本身的高成本之外還存在一個問題，S卩，為了在測量場上提供均勻的極化場，用于移入檢查對象的開口應當盡可能小。由于MR磁體中狹窄的空間條件，對于許多人來說檢查是不舒服的，而且對于患有幽閉恐怖癥的患者的檢查由于狹窄的空間條件而被拒絕。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]由此期望，提供一種MR設備，其由于較小的磁體而總體上具有較低的制造成本，其中在超導磁體的情況下使用較少的氦。同時期望，擴大在磁體中對于檢查對象存在的空間。
[0006]這一點通過如在獨立權利要求中詳細描述的方法和MR設備實現(xiàn)。其他實施方式在從屬權利要求中給出。
[0007]按照本發(fā)明的一個方面，提供一種用于利用MR成像序列檢測在MR設備的測量場中的檢查對象的檢查區(qū)域中的MR信號的方法。MR設備具有磁體，用于產(chǎn)生極化場B0，其在測量場上具有第一場非均勻性。在該方法的步驟中，利用極化場BO在檢查對象中產(chǎn)生磁化。此外至少一個HF脈沖被入射到檢查區(qū)域中用于偏轉磁化，其中該偏轉的磁化被用于產(chǎn)生MR信號。此外接通至少一個第一磁場梯度用于MR信號的位置編碼。附加地，接通至少一個脈沖式的均衡磁場梯度，其由時間上變化的電流產(chǎn)生，該電流在MR成像序列的持續(xù)時間上變化。此外，均衡磁場梯度在均衡時間段上被接通，該均衡時間段小于成像序列的整個持續(xù)時間，由此在均衡時間段期間第一場非均勻性被降低到在測量場上的更小的第二場非均勻性。然后可以檢測MR信號。
[0008]通過使用脈沖式均衡磁場梯度，可以使用具有比現(xiàn)有的MR設備更小的場均勻性，即，更大的場非均勻性的MR設備。當在MR成像序列期間需要在測量場上的較大的均勻性時，可以接通脈沖式均衡磁場梯度，其在期望的時間段上明顯降低固有存在的較大的磁場非均勻性。由此可以使用簡單構造的磁體。在超導磁體的情況下可以使用較少的線圈元件，由此需要較少的冷卻液。此外可以使用開放式結構，因為對基本場均勻性提出較小的要求。
[0009]本發(fā)明還涉及一種用于利用MR成像序列產(chǎn)生MR信號的MR設備。MR設備具有用于產(chǎn)生具有第一場非均勻性的極化場BO的磁體。此外設置HF單元，其構造為，將至少一個HF脈沖入射到檢查區(qū)域中以偏轉磁化。利用偏轉的磁化然后可以產(chǎn)生MR信號。設置梯度單元，其構造為，接通用于MR信號的位置編碼的至少一個第一磁場梯度和至少一個脈沖式均衡磁場梯度。該脈沖式均衡磁場梯度由時間上變化的非恒定電流產(chǎn)生，該電流在成像序列的持續(xù)時間上變化并且其在比成像序列的整個持續(xù)時間更小的均衡時間段上被接通。梯度單元可以構造為，用于接通第一磁場梯度和脈沖式均衡磁場梯度，如上所述。
[0010]例如可以的是，在測量場上的，即，在其中可以產(chǎn)生MR圖像的、MR磁體的內(nèi)部的區(qū)域上的第一場非均勻性，大于lmT，優(yōu)選大于IOmT并且更優(yōu)選大于20mT。
[0011]此外可以的是，第二場非均勻性比第一場非均勻性小了 100倍。這意味著，第二場非均勻性以比第一場非均勻性小了 100倍。但是倍數(shù)也可以為值500或1000。這意味著，通過脈沖式均衡磁 場梯度，場非均勻性被減小了位于100和1000之間的倍數(shù)。
[0012]可以的是，至少一個第一磁場梯度和至少一個脈沖式均衡磁場梯度分別通過線性梯度和高階梯度的加權線性組合確定。脈沖式均衡磁場梯度以及用于信號的位置編碼或讀出的第一磁場梯度可以看作為級數(shù)展開，其中為了描述精確的梯度曲線不僅使用線性項而且使用高階項。梯度曲線由此也可以具有平方和立方項。應用的梯度、即用于位置編碼的磁場梯度和脈沖式均衡磁場梯度，都可以是線性梯度、例如在GxGyGz方向上，和高階梯度、例如 Gz2> Gzx、Gzy、GX2-Y2> Gxz、Gz2x、Gz2y、Gx3> Gy3、…的線性組合。
[0013]優(yōu)選地，當接通至少一個脈沖式均衡磁場梯度時在測量場上主導的第二場非均勻性小于20微特斯拉。此外其也可以小于10微特斯拉或5微特斯拉。
[0014]可以的是，在第一時間段上接通至少一個HF脈沖，其中在基本上相應于第一時間段的均衡時間段期間接通脈沖式均衡磁場梯度。在該實施方式中，脈沖式均衡磁場梯度基本上與HF脈沖被入射的時間段同時接通。對于例如一個特定的層的激勵，需要的是，在期望的待激勵的層中的自旋具有位于HF激勵脈沖的帶寬中的頻率。這一點可以通過如下來實現(xiàn)，即，對于HF脈沖的入射，接通脈沖式均衡磁場梯度，以便實現(xiàn)極化場的期望的均勻性，由此可以激勵檢查對象中預定義的層輪廓。該層輪廓可以是平面的，或者彎曲的，例如用于激勵特定的解剖結構。
[0015]此外可以的是，在MR成像序列的持續(xù)時間上基本上總是或者接通第一磁場梯度，和/或脈沖式均衡磁場梯度。因為基本場均勻性比常規(guī)的磁體情況下可以小很多，所以可以需要的是，在成像序列期間接通用于位置編碼的梯度或均衡磁場梯度，以減小橫向磁化的太強的信號衰減。[0016]如果例如在成像序列中入射多個HF脈沖，則這些均衡磁場梯度可以與多個HF脈沖的入射同時接通，但是其中均衡磁場梯度在成像序列的整個持續(xù)時間上不是持續(xù)恒定地接通。但是脈沖式均衡磁場梯度的接通不限于如下時間段，在該時間段的情況下在MR成像序列中入射HF脈沖。在HF脈沖和信號讀出之間需要一定的可變延遲時間的成像序列情況下，可以的是，也接通時間上變化的均衡磁場梯度，以達到信號讀出之前的一定延遲。
[0017]此外可以的是，計算BO場圖，其示出了在測量場上第一場非均勻性的位置依賴性，其中計算取決于位置的均衡磁場，其是利用至少一個脈沖式均衡磁場梯度產(chǎn)生的，以便將第一場非均勻性降低到第二場非均勻性。
[0018]上面描述的方法可以對于不同的空間方向為了產(chǎn)生第一磁場梯度和均衡磁場梯度使用多個梯度線圈。如果同時接通第一磁場梯度和脈沖式均衡磁場梯度，則可以將對于各個梯度線圈的加權線性組合的加權系數(shù)單個地計算并且算術地相加，以便總體上計算在不同的梯度線圈中需要的電流強度。這就是說，將用于確定在各個空間方向上的、由加權線性組合而計算的梯度的加權系數(shù)，分別對于第一磁場梯度和脈沖式均衡磁場梯度計算和算術地相加。上面描述的技術也可以與多個HF發(fā)送通道組合。在將具有線性項和更高次項的梯度曲線和多個HF發(fā)送通道的使用相組合的情況下，可以實現(xiàn)檢查對象中磁化的任意激勵特征。
[0019]此外可以的是，第一場非均勻性通過非線性梯度曲線來描述，其空間曲線通過以下等式來描述:
[0020]G(x, y, z)=z2_(x2+y2)/2。
[0021]均衡磁場梯度可以具有按照上述等式的該曲線。非線性梯度的使用在信號讀出的情況下也可以作為所謂的O空間編碼方法公知并且在W02010/0682991中詳細描述。在本情況下該梯度曲線在均衡梯度情況下被應用。
[0022]此外，多個接收線圈可以同時檢測MR信號，其中接收線圈分別具有接收線圈靈敏度，其中，按照O空間方法或按照零空間方法來設置或計算接收線圈靈敏度、磁場均衡梯度和用于MR信號的位置編碼的第一磁場梯度。零空間技術在W02011/087847A2中以2階或3階梯度詳細描述。
[0023]MR信號可以是自旋回波信號，其中在第一時間段上將90° HF脈沖并且在第二時間段上將180° HF脈沖入射到檢查區(qū)域中。脈沖式均衡磁場梯度然后可以在與第一時間段和第二時間段相應的均衡時間段上被接通，其中均衡時間段可以限制到這兩個時間段，如果不是再次接通均衡磁場梯度，以實現(xiàn)在信號激勵和讀出之間的特定延遲時間。
[0024]信號也可以是梯度回波，其中在第一時間段上將α脈沖入射到檢查區(qū)域中。脈沖式均衡磁場梯度然后在與第一時間段相應的均衡時間段上被接通。
[0025]可以的是，磁體是總體上僅具有四個線圈元件的超導磁體，其利用在ζ方向上在磁體的一端處的兩個第一線圈元件和在ζ方向上在磁體的另一端處的另外兩個線圈元件產(chǎn)生在ζ方向上的極化場?？偣菜膫€線圈元件中可以存在兩個線圈元件，其主要產(chǎn)生極化場Β0，其中設置另外兩個線圈元件，其向外實現(xiàn)磁場的有效勻場。
[0026]此外梯度單元可以使用梯度線圈，其在極化場BO的方向上利用兩個互相分離的線圈部分構造。通過梯度線圈的這些部分，進一步擴大對于檢查對象的視場，由此可以進一步減小在磁體中可能產(chǎn)生的空間恐懼。此外可以的是，磁體具有在極化場的方向上非常短的結構。由此產(chǎn)生的極化場的高的非均勻性可以通過梯度線圈來補償，其具有如下大小，該大小在極化場的方向上在兩側超出了產(chǎn)生極化場的線圈元件。通過如下事實:場BO的較大的場非均勻性被允許，也可以擴大對于檢查對象的開口。由此可以更好地檢查具有空間恐懼的人。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]以下借助附圖詳細解釋本發(fā)明。附圖中:
[0028]圖1示意性示出了以脈沖式均衡磁場梯度工作的MR設備，
[0029]圖2示意性示出了在使用均衡磁場梯度的條件下梯度回波序列的序列流程，
[0030]圖3示意性示出了在使用脈沖式均衡磁場梯度的條件下自旋回波序列的序列圖，
[0031]圖4示出了通過MR設備的按照本發(fā)明的實施方式的示意性橫截面，
[0032]圖5示出了通過MR設備的另一個按照本發(fā)明的實施方式的示意性橫截面，
[0033]圖6示出了通過MR設備的另一個按照本發(fā)明的實施方式的示意性橫截面，
[0034]圖7示出了通過按照本發(fā)明的MR設備的另一個實施方式的示意性橫截面，
[0035]圖8示出了通過MR設備的另一個按照本發(fā)明的實施方式的示意性橫截面，
[0036]圖9示出了另一個按照本發(fā)明的MR設備的示意圖，其中磁體是拉制弧(Ziehbogen)0
【具體實施方式】
[0037]圖1示意性示出了 MR設備1，其中可以使用具有比通常使用的更大的場非均勻性的極化場，其中場非均勻性在需要較大的場均勻性的時刻通過附加接通脈沖式均衡磁場梯度來實現(xiàn)。MR設備I具有磁體11，其例如由分別在磁體的前端和后端存在的兩個線圈元件組成。由此可以將磁體例如向上開口或也側面開口地構造。兩個線圈元件的下面的元件可以封閉，以便在磁體的下部Ilc中提供對于兩個線圈元件所需的冷卻。前面的和后面的線圈元件可以安置在兩個分離的部分IIa和Ilb中。布置在臥榻10上的檢查對象12位于磁體中，使得通過在檢查對象中的極化場BO產(chǎn)生在極化場BO的方向上的得到的磁化。示意性示出梯度線圈13，利用其首先接通用于MR信號的位置編碼的第一磁場梯度。也可以使用梯度線圈13來接通脈沖式均衡磁場梯度，其將由磁體11產(chǎn)生的極化場BO在如下程度上均勻化，即，使得可以產(chǎn)生MR圖像。MR信號可以如通常的那樣通過示意性在圖1中同樣示出的接收線圈14來檢測。MR設備還具有用于產(chǎn)生HF脈沖的HF單元15，利用所述HF脈沖可以偏轉在檢查對象12中的磁化。梯度單元16計算對于MR信號的位置編碼所需的磁場梯度并且還計算脈沖式均衡磁場梯度，后者被接通，以便將固有的磁場非均勻性由第一磁場非均勻性減小到更小的第二磁場非均勻性。梯度本身的產(chǎn)生通過梯度線圈13進行。圖像序列控制器17利用梯度單元16和HF單元15的控制來控制MR成像序列的流程，以便協(xié)調(diào)HF脈沖的入射和梯度的接通的時序。通過輸入單元18，未示出的操作人員可以操作MR設備，可以選擇圖像序列、調(diào)整成像參數(shù)、可以選擇測量平面等等。MR圖像可以在顯示單元19上被顯示。存儲單元20可以存儲產(chǎn)生的MR圖像、以及成像序列和對于檢查對象的MR圖像的產(chǎn)生所需的其他信息。
[0038]原則上可以如何通過HF脈沖和用于MR信號的位置編碼的梯度的順序來產(chǎn)生MR圖像，對于專業(yè)人員來說是公知的并且在此不詳細解釋。然而梯度線圈13被構造為使得其可以在脈沖式運行模式下工作并且可以均衡在測量場上位于毫特斯拉范圍中的磁場非均勻性。
[0039]通過磁體11產(chǎn)生的極化場例如可以具有第一非均勻性，其在MR設備的測量場上，例如圖4的測量場21上，具有超過20mT、超過50mT的場非均勻性。
[0040]在圖4中示例性示出了 MR設備的橫截面。在示出的情況下MR設備是其中通過超導磁體產(chǎn)生磁場的MR設備。但是如后面還要結合圖9解釋的，本發(fā)明不限于超導磁體。在圖4所示的實施方式中超導磁體具有兩個線圈元件或繞組，即主要產(chǎn)生極化場BO的主繞組40，以及向外屏蔽磁場的有效屏蔽繞組41。兩個繞組分別安置在兩個部分Ila和Ilb中，以及下面的共同部分Ilc中。共同部分Ilc具有共同的真空區(qū)域42，用于冷卻線圈元件40和屏蔽繞組41。梯度線圈13是有效屏蔽的梯度線圈并且該梯度線圈能夠除了用于編碼的第一磁場梯度之外還產(chǎn)生脈沖式均衡磁場梯度，利用其盡可能將極化場均勻化并且利用其均衡非均勻性。如上所述，沒有接通附加的均衡磁場梯度，在測量場21上的場非均勻性可以在毫特斯拉的范圍內(nèi)。通過接通附加的均衡磁場梯度，該磁場非均勻性可以被減小到位于微特斯拉范圍的第二場非均勻性，從而場非均勻性以可以被降低在1000范圍內(nèi)的倍數(shù)。當然也可以的是，該倍數(shù)也可以為值100或500，以及值2000。
[0041]在圖4中可以看出，與公知的超導磁體相比，僅需使用很小數(shù)量的線圈元件，因為對基本場均勻性的要求更低。
[0042]參考圖2示出了，在圖1或4-9中示出的MR設備如何工作，以便均衡固有的第一磁場非均勻性。在圖2中示出了梯度回波序列。如公知的，在梯度回波序列情況下在接通層選擇梯度23期間接 通α脈沖22。為了信號讀出，接通讀出梯度24。
[0043]除了公知的接通的梯度，還接通脈沖式均衡磁場梯度25，其表示為GH或超梯度。在梯度回波序列的示出的實施例中，該均衡磁場梯度25在與其中接通α脈沖22的時間段相應的均衡時間段27期間被接通。通過接通該梯度25，例如可以選擇定義的層輪廓的自旋，因為通過接通均衡磁場梯度25，將BO場的和由此將自旋的拉莫爾頻率的均勻性這樣均勻化，使得通過入射的α脈沖的帶寬所定義的、在層輪廓中的自旋被激勵。梯度GH25可以作為除了線性梯度分量之外還具有高階的梯度分量的函數(shù)的線性組合來描述。同樣可以的是，該函數(shù)一般地作為級數(shù)展開或作為第η階的多項式來描述，其中對于每一階和方向，使用對于各個階的加權的系數(shù)。例如可以使用對于階X、1、Ζ、z2、zx、zy、x2_y2、xy、z2x、z2y、x3、y3的十二個系數(shù)。
[0044]
?PWrIfm1 (χ, Y, ζ)
--ζζ
--χχ
?~--Y
[0045]
【權利要求】
1.一種用于利用MR成像序列檢測在MR設備的測量場(21)中的檢查對象(12)的檢查區(qū)域中的MR信號的方法，其中所述MR設備具有磁體(11 )，用于產(chǎn)生極化場B0，其在測量場上具有第一場非均勻性，該方法具有以下步驟: -利用極化場BO在檢查對象(12)中產(chǎn)生磁化， -將至少一個HF脈沖(22，31，32)入射到檢查區(qū)域中用于偏轉磁化，該磁化被用于產(chǎn)生MR信號， -接通至少一個第一磁場梯度(23，24, 33-36)用于MR信號的位置編碼， -接通至少一個脈沖式均衡磁場梯度(25，37，38)，其由時間上變化的電流產(chǎn)生，該電流在MR成像序列的持續(xù)時間上變化并且其在均衡時間段(27，43，44)上被接通，該均衡時間段小于成像序列的整個持續(xù)時間，由此在所述均衡時間段(27，43，44)期間第一場非均勻性被降低到在測量場上的更小的第二場非均勻性，以及 _檢測MR彳目號。
2.根據(jù) 權利要求1所述的方法，其特征在于，在測量場(21)上的所述第一場非均勻性大于lmT，優(yōu)選大于IOmT并且更優(yōu)選大于20mT。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二場非均勻性比所述第一場非均勻性小了 100倍，優(yōu)選小了 500倍，更優(yōu)選小了 1000倍。
4.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述至少一個第一磁場梯度(23，24，33-36)和至少一個脈沖式均衡磁場梯度(25，37，38)分別通過線性梯度和高階梯度的加權線性組合確定。
5.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在接通至少一個脈沖式均衡磁場梯度期間在測量場上的第二場非均勻性小于20 μ Τ,優(yōu)選小于10 μ Τ。
6.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述至少一個HF脈沖(22，31，32)在第一時間段上被接通，其中所述至少一個脈沖式均衡磁場梯度在基本上相應于所述第一時間段的所述均衡時間段(27，43，44)期間被接通。
7.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在MR成像序列的持續(xù)時間上基本上總是或者接通第一磁場梯度或者接通脈沖式均衡磁場梯度。
8.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，計算BO場圖，其示出了所述第一場非均勻性的位置依賴性，其中計算取決于位置的均衡磁場，其是利用所述至少一個脈沖式均衡磁場梯度產(chǎn)生的，以便將所述第一場非均勻性降低到所述第二場非均勻性。
9.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述MR信號是自旋回波，其中在第一時間段上將90° HF脈沖(31)并且在第二時間段上將180° HF脈沖(32)入射到檢查區(qū)域中，其中脈沖式均衡磁場梯度在與所述第一時間段和所述第二時間段相應的所述均衡時間段(37，38 )上被接通。
10.根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的方法，其特征在于，所述MR信號是梯度回波，其中在第一時間段上將α脈沖(22)入射到檢查區(qū)域中，并且α <90°，其中所述脈沖式均衡磁場梯度在與所述第一時間段相應的所述均衡時間段(27)上被接通。
11.根據(jù)權利要求4至10中任一項所述的方法，其特征在于，所述至少一個磁場梯度(24，32，33)和所述至少一個脈沖式均衡磁場梯度(23，24，33-36)通過多個梯度線圈(13)產(chǎn)生，其中在同時接通所述第一磁場梯度和所述脈沖式均衡磁場梯度的情況下將用于各個梯度線圈的加權線性組合的加權系數(shù)單個地計算并且算術地相加，以便計算在不同的梯度線圈中需要的電流強度。
12.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，為了偏轉磁化同時使用多個HF發(fā)送通道，以便產(chǎn)生在檢查區(qū)域中的磁化的期望偏轉。
13.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述第一磁場梯度是層選擇梯度或讀出梯度，其是線性梯度和高階梯度的加權線性組合。
14.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述第一場非均勻性通過非線性梯度曲線來描述，其空間曲線通過以下等式來描述:
G(x, y, z)=z2-(x2+y2)/2o
15.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，多個接收線圈同時檢測所述MR信號，其中所述接收線圈分別具有接收線圈靈敏度，其中，按照O空間方法或按照零空間方法來計算所述接收線圈靈敏度、所述磁場均衡梯度和用于MR信號的位置編碼的所述第一磁場梯度。
16.一種用于利用MR成像序列產(chǎn)生檢查對象的檢查區(qū)域中的MR信號的MR設備(1)，其具有 -磁體(11)，用于產(chǎn)生具有在測量場上極化場BO的第一場非均勻性的極化場BO和用于產(chǎn)生檢查對象中的磁化， -HF單元(15)，其被構造為，將至少一個HF脈沖入射到檢查區(qū)域中以偏轉所述磁化，所述磁化被用于產(chǎn)生所述MR信號， -梯度單元(16)，其被構造為，接通用于MR信號的位置編碼的至少一個第一磁場梯度(23，24，33-36)和至少一個脈沖式均衡磁場梯度(25，37，38)，其由時間上變化的電流產(chǎn)生，該電流在成像序列的持續(xù)時間上變化并且其在比成像序列的整個持續(xù)時間更小的均衡時間段(27，43，44)上被接通，由此在所述均衡時間段期間將所述第一場非均勻性降低到在所述測量場上的更小的第二場非均勻性。
17.根據(jù)權利要求16所述的MR設備，其特征在于，所述梯度單元(16)被構造為，將至少一個第一磁場梯度和至少一個脈沖式均衡磁場梯度通過線性梯度和高階梯度的加權線性組合來計算。
18.根據(jù)權利要求16或17所述的MR設備，其中，所述HF單元被構造為，將所述至少一個HF脈沖在第一時間段上接通，其中所述梯度單元被構造為，將所述至少一個脈沖式均衡磁場梯度在基本上相應于所述第一時間段的所述均衡時間段期間接通。
19.根據(jù)權利要求16至18中任一項所述的MR設備，其特征在于，所述梯度單元(16)被構造為，在MR成像序列的持續(xù)時間上基本上總是或者接通第一磁場梯度(23，24，33-36)或者接通脈沖式均衡磁場梯度(25，37，38)。
20.根據(jù)權利要求16至19中任一項所述的MR設備，其特征在于，所述梯度單元(16)被構造為，計算BO場圖，該BO場圖示出了所述第一場非均勻性的位置依賴性，并且計算取決于位置的均衡磁場，該均衡磁場是利用所述至少一個脈沖式均衡磁場梯度產(chǎn)生的，以便將所述第一場非均勻性降低到所述第二場非均勻性。
21.根據(jù)權利要求16至20中任一項所述的MR設備，其特征在于，所述磁體(11)是具有產(chǎn)生在z方向上的極化場BO的4個線圈元件的超導磁體，具有在z方向上在磁體的第一端的2個第一線圈元件和在z方向上在磁體的另一端上的2個第二線圈元件。
22.根據(jù)權利要求16至21中任一項所述的MR設備，其特征在于，所述梯度單元具有梯度線圈(50)，其在極化場BO的方向上具有兩個互相分離的線圈部分。
23.根據(jù)權利要求21或22所述的MR設備，其特征在于，所述梯度單元具有梯度線圈(50)，其大小在極化場BO的方向上在兩側超出用于產(chǎn)生極化場的線圈元件。
【文檔編號】G01R33/385GK103983929SQ201410022435
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年1月17日 優(yōu)先權日:2013年2月12日
【發(fā)明者】S.波派斯庫 申請人:西門子公司