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Gjb181-86電源特性測試裝置制造方法

文檔序號:6210192閱讀:927來源:國知局
Gjb181-86電源特性測試裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種GJB181-86電源特性測試裝置,包括單片機,所述單片機的第一引腳和第二引腳之間連接有時鐘電路,所述第三引腳上連接有復(fù)位電路,所述第四引腳上連接有按鍵電路,所述第五引腳上連接有7路反向器電路,所述7路反向器電路上連接有繼電器,所述繼電器上連接有直流穩(wěn)壓電源,所述繼電器與所述直流穩(wěn)壓電源之間還設(shè)有單刀雙擲開關(guān)。本實用新型的有益效果為:電路結(jié)構(gòu)簡單,操作方便,經(jīng)濟實用;采用外接直流穩(wěn)壓電源方式對被測設(shè)備供電測試,因此可靈活調(diào)節(jié)輸出電壓波形以適應(yīng)不同應(yīng)用需求。
【專利說明】GJB181-86電源特性測試裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及對28V低壓直流供電的機載設(shè)備按GJB181-86進行電源特性試驗,具體涉及一種GJB181-86電源特性測試裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]電源特性試驗是考核航空機載用電設(shè)備是否能裝機上天的幾項關(guān)鍵試驗之一。該類試驗一般是將試驗樣機送往有資質(zhì)的第三方測試機構(gòu)按相關(guān)標準要求進行測試。測試機構(gòu)使用的電源特性綜合測試設(shè)備功能完善,檢測項目齊全,但整套設(shè)備價格昂貴,非大型研制單位一般不具有。電源特性試驗易將試驗件做壞(尤其是過壓浪涌試驗),不經(jīng)過摸底試驗而想一次性順利通過測試機構(gòu)現(xiàn)場試驗往往比較困難;而想對現(xiàn)有電路結(jié)構(gòu)進行測試、調(diào)整,也因為需要借助專業(yè)的測試平臺而使上述工作開展起來費時費力。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型為解決以上問題,設(shè)計了一種業(yè)余條件下易搭建的簡易測試系統(tǒng),可用于對直流28V小功率機載用電設(shè)備按GJB181-86標準進行除尖峰電壓以外的全部電源特性試驗,提供一種GJB181-86電源特性測試裝置。
[0004]本實用新型采用以下技術(shù)方案:
[0005]一種GJB181-86電源特性測試裝置,包括單片機,所述單片機的第一引腳和第二引腳之間連接有時鐘電路,所述第三引腳上連接有復(fù)位電路,所述第四引腳上連接有按鍵電路,所述第五引腳上連接有7路反向器電路,所述7路反向器電路上連接有繼電器,所述繼電器上連接有直流穩(wěn)壓電源,所述繼電器與所述直流穩(wěn)壓電源之間還設(shè)有單刀雙擲開關(guān)。
[0006]更進一步的技術(shù)方案是,所述時鐘電路由晶體振蕩器、第一微調(diào)電容和第二微調(diào)電容組成,所述晶體振蕩器通過并聯(lián)的方式設(shè)置在所述第一引腳和第二引腳之間,所述晶體振蕩器的兩端通過串聯(lián)的方式設(shè)置有第一微調(diào)電容和第二微調(diào)電容。
[0007]更進一步的技術(shù)方案是,所述晶體振蕩器的頻率為11.0592MHz,所述第一微調(diào)電容的電容值為30pf,所述第二微調(diào)電容的電容值為30pf。
[0008]更進一步的技術(shù)方案是,所述復(fù)位電路由第一按鍵、第一電容和第一電阻組成,所述第一電容與所述第一電阻串聯(lián),所述第一按鍵通過并聯(lián)的方式設(shè)置在所述第一電容兩端。
[0009]更進一步的技術(shù)方案是,所述按鍵電路由第二按鍵和上拉電阻組成,所述第二按鍵與上拉電阻串聯(lián)。
[0010]更進一步的技術(shù)方案是,所述直流穩(wěn)壓電源有第一直流穩(wěn)壓電源和第二直流穩(wěn)壓電源組成,所述第一直流穩(wěn)壓電源與第二直流穩(wěn)壓電源串聯(lián)。
[0011]更進一步的技術(shù)方案是,所述第一直流穩(wěn)壓電源的電壓值為52V、20V或28V。
[0012]更進一步的技術(shù)方案是,所述第二直流穩(wěn)壓電源的電壓值為28V或8V。[0013]更進一步的技術(shù)方案是,所述單片機為AT89S52。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型的有益效果是:
[0015]1、電路結(jié)構(gòu)簡單,操作方便,經(jīng)濟實用;
[0016]2、采用外接直流穩(wěn)壓電源方式對被測設(shè)備供電測試,因此可靈活調(diào)節(jié)輸出電壓波形以適應(yīng)不同應(yīng)用需求。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為本實用新型一種實施例的GJB181-86電源特性測試裝置的電路原理圖。
[0018]圖2為本實用新型第一種實施例的GJB181-86電源特性測試裝置中直流穩(wěn)壓電源電路原理圖。
[0019]圖3為本實用新型第二種實施例的GJB181-86電源特性測試裝置中直流穩(wěn)壓電源電路原理圖。
[0020]圖4為本實用新型第三種實施例的GJB181-86電源特性測試裝置中直流穩(wěn)壓電源電路原理圖。
【具體實施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖對本實用新型作進一步闡述。
[0022]如圖1所示,一種GJB181-86電源特性測試裝置,包括單片機(優(yōu)選的,所述單片機為AT89S52),所述單片機的第一引腳XTAL2和第二引腳XTALl之間連接有時鐘電路(優(yōu)選的,所述時鐘電路由晶體振蕩器Yl、第一微調(diào)電容C2和第二微調(diào)電容C3組成,所述晶體振蕩器Yl通過并聯(lián)的方式設(shè)置在所述第一引腳XTAL2和第二引腳XTALl之間,所述晶體振蕩器Yl的兩端通過串聯(lián)的方式設(shè)置有第一微調(diào)電容C2和第二微調(diào)電容C3),所述第三引腳RST上連接有復(fù)位電路(優(yōu)選的,所述復(fù)位電路由第一按鍵K0、第一電容Cl和第一電阻Rl組成,所述第一電容Cl與所述第一電阻Rl串聯(lián),所述第一按鍵KO通過并聯(lián)的方式設(shè)置在所述第一電容Cl兩端。),所述第四引腳P0.0上連接有按鍵電路(優(yōu)選的,所述按鍵電路由第二按鍵Kl和上拉電阻R2組成,所述第二按鍵Kl與上拉電阻R2串聯(lián)。),所述第五引腳P0.2上連接有7路反向器電路ULN2003A,所述7路反向器ULN2003A電路上連接有繼電器,所述繼電器上連接有直流穩(wěn)壓電源(所述直流穩(wěn)壓電源有第一直流穩(wěn)壓電源El和第二直流穩(wěn)壓電源E2組成,所述第一直流穩(wěn)壓電源El與第二直流穩(wěn)壓電源E2串聯(lián)),所述繼電器與所述直流穩(wěn)壓電源之間還設(shè)有單刀雙擲開關(guān)K2。
[0023]根據(jù)本實用新型的一個實施例,所述晶體振蕩器Yl的頻率為11.0592MHz,所述第一微調(diào)電容C2的電容值為30pf,所述第二微調(diào)電容C3的電容值為30pf。
[0024]根據(jù)本實用新型的一個實施例,所述第一直流穩(wěn)壓電源的電壓值為52V、20V或28V。
[0025]根據(jù)本實用新型的一個實施例,所述第二直流穩(wěn)壓電源的電壓值為28V或8V。
[0026]如圖2所示,由于GJB181-86要求對被測設(shè)備施加5次80V,50ms過壓浪涌,每次間隔為lmin,過壓浪涌可由圖2所示電路產(chǎn)生。第一直流穩(wěn)壓電源El和第二直流穩(wěn)壓電源E2的電壓值分別設(shè)置為52V和28V后相連,試驗時,繼電器接點2_3閉合,向被測設(shè)備供出28V穩(wěn)態(tài)電壓,然后繼電器接點2-1閉合50ms,向被測設(shè)備供出80V,50ms的過壓浪涌,最后接點2-1釋放,回到最初的接點2-3閉合狀態(tài),完成一次對被測設(shè)備過壓浪涌的測試。
[0027]如圖3所示,由于GJB181-86要求對被測設(shè)備施加5次8V,50ms欠壓浪涌,每次間隔lmin。欠壓浪涌可由圖3所示電路產(chǎn)生。其原理與產(chǎn)生過壓浪涌類似,需將第一直流穩(wěn)壓電源El和第二直流穩(wěn)壓電源E2的電壓值分別設(shè)置為20V和8V后相連,繼電器接點2_1閉合50ms后釋放,可向被測設(shè)備供出8V,50ms的欠壓浪涌。
[0028]如圖4所示,由于GJB181-86要求的0V,50ms瞬時斷電,瞬時斷電可由圖4所示電路產(chǎn)生。將繼電器接點2-3串入直流穩(wěn)壓電源輸出正線中,第一直流穩(wěn)壓電源El電壓值為28V,設(shè)置其斷開50ms后恢復(fù),可模擬50ms的瞬時斷電.[0029]本實用新型的工作原理如下:
[0030]如圖1所示,該裝置主要由控制及脈沖產(chǎn)生電路、動作執(zhí)行電路、功能選擇電路三大部分組成。
[0031](I)控制及脈沖產(chǎn)生電路
[0032]控制及脈沖產(chǎn)生電路以ATMEL公司的8位單片機AT89S52為核心,其內(nèi)部具有8KFlash ROM, 256Byte RAM,32個I/O 口,最高工作頻率可達33MHz,該單片機使用簡便,功能強大,可靈活應(yīng)用于各種控制領(lǐng)域。各部分作用如下:a)時鐘及復(fù)位電路
[0033]時鐘電路采用外接晶體振蕩器Y1,頻率為11.0592MHz,第一微調(diào)電容C2和第二微調(diào)電容C3 (第一微調(diào)電容C2和第二微調(diào)電容C3的電容值均為30pF);第一按鍵K0、第一電容Cl、第一電阻Rl構(gòu)成復(fù)位電路,可實現(xiàn)上電復(fù)位和手動復(fù)位。由于要求單片機處理的操作很少,故內(nèi)部8K Flash ROM已完全能夠用,不需要使用外部程序存儲器,因此EA腳接高電平,ALE和PSEN腳懸空不使用。b)按鍵電路
[0034]第二按鍵Kl和上拉電阻R2構(gòu)成的按鍵電路接入單片機AT89S52的第四引腳P0.0口,平時第四引腳P0.0 口輸入為高電平,第二按鍵Kl按下時,第四引腳P0.0 口輸入為低電平。C)脈沖產(chǎn)生與驅(qū)動電路
[0035]當用戶按下第二按鍵K1,并釋放后,單片機AT89S52檢測到此動作,在第五引腳P0.2 口產(chǎn)生一個持續(xù)時間為50ms的高電平脈沖。
[0036]由于單片機I/O 口輸出電流有限,故使用7路反向器電路ULN2003A將驅(qū)動電流放大,ULN2003A內(nèi)置7組達林頓反相陣列驅(qū)動電路,每組有不少200mA的負載驅(qū)動能力,可驅(qū)動一般小型印制板安裝繼電器。ULN2003A是反相驅(qū)動(相當于輸入高電平時,輸出與地導(dǎo)通),因此串接到繼電器的勵磁線圈J的負線回路中。
[0037](2)動作執(zhí)行電路
[0038]采用小型印制板安裝繼電器作為動作器件,圖1中J為繼電器勵磁線圈,JK為接點電路,平時JK3-2閉合,用戶操作一次第二按鍵Kl,JK1-2吸合50ms,然后釋放,恢復(fù)到初始JK3-2閉合狀態(tài),配合功能選擇電路對被測設(shè)備產(chǎn)生浪涌或瞬時斷電。
[0039]所用繼電器為松樂牌SRS-05VDC-SL,主要技術(shù)參數(shù)如下:
[0040]線圈額定電壓:DC5V
[0041]線圈額定電流:66.7mA
[0042]動作時間.(IOms
[0043]復(fù)位時間S 5ms
[0044]額定負載電流:IA[0045](3)功能選擇電路
[0046]為避免反復(fù)拆、接線,使用一個單刀雙擲開關(guān)K2進行測試功能選擇,詳細設(shè)置見表1。圖1中測試點a和b之間接示波器用于觀察測試系統(tǒng)輸出電壓波形,圖1中的C點和d點之間用于與被測設(shè)備連接。
[0047]
【權(quán)利要求】
1.一種GJB181-86電源特性測試裝置,包括單片機,所述單片機的第一引腳和第二引腳之間連接有時鐘電路,所述第三引腳上連接有復(fù)位電路,所述第四引腳上連接有按鍵電路,所述第五引腳上連接有7路反向器電路,所述7路反向器電路上連接有繼電器,所述繼電器上連接有直流穩(wěn)壓電源,所述繼電器與所述直流穩(wěn)壓電源之間還設(shè)有單刀雙擲開關(guān)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GJB181-86電源特性測試裝置,其特征在于:所述時鐘電路由晶體振蕩器、第一微調(diào)電容和第二微調(diào)電容組成,所述晶體振蕩器通過并聯(lián)的方式設(shè)置在所述第一引腳和第二引腳之間,所述晶體振蕩器的兩端通過串聯(lián)的方式設(shè)置有第一微調(diào)電容和第二微調(diào)電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GJB181-86電源特性測試裝置,其特征在于:所述晶體振蕩器的頻率為11.0592MHz,所述第一微調(diào)電容的電容值為30pf,所述第二微調(diào)電容的電容值為 30pfo
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GJB181-86電源特性測試裝置,其特征在于:所述復(fù)位電路由第一按鍵、第一電容和第一電阻組成,所述第一電容與所述第一電阻串聯(lián),所述第一按鍵通過并聯(lián)的方式設(shè)置在所述第一電容兩端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GJB181-86電源特性測試裝置,其特征在于:所述按鍵電路由第二按鍵和上拉電阻組成,所述第二按鍵與上拉電阻串聯(lián)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GJB181-86電源特性測試裝置,其特征在于:所述直流穩(wěn)壓電源有第一直流穩(wěn)壓電源和第二直流穩(wěn)壓電源組成,所述第一直流穩(wěn)壓電源與第二直流穩(wěn)壓電源串聯(lián)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的GJB181-86電源特性測試裝置,其特征在于:所述第一直流穩(wěn)壓電源的電壓值為52V、20V或28V。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的GJB181-86電源特性測試裝置,其特征在于:所述第二直流穩(wěn)壓電源的電壓值為28V或8V。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GJB181-86電源特性測試裝置,其特征在于:所述單片機為AT89S52。
【文檔編號】G01R31/40GK203720335SQ201320825530
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月13日
【發(fā)明者】黃小夏 申請人:四川九洲光電科技股份有限公司
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