碘化銫閃爍體屏的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種碘化銫閃爍體屏，包括：反射基板、沉積在所述反射基板上表面的碘化銫閃爍體層、壓合在所述碘化銫閃爍體層上表面的防水透明薄膜、以及粘接在所述反射基板下表面的襯底層，所述碘化銫閃爍體層的四周邊緣設(shè)置有密封膠，所述密封膠的下表面與所述反射基板相貼合，上表面與所述防水透明薄膜相貼合。通過上述方式，本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)阻水防水的效果，提高剛性，大大降低閃爍體的封裝成本，提高封裝效率。
【專利說明】碘化銫閃爍體屏
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及功能薄膜材料的【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說，本發(fā)明涉及一種碘化銫閃爍體屏。
【背景技術(shù)】
[0002]無機閃爍體(inorganic scintillator)在福射探測中起著非常重要的作用，廣泛應(yīng)用于影像核醫(yī)學(xué)、核物理、高能物理、工業(yè)CT、油井勘探和安全檢查等領(lǐng)域。目前研究和應(yīng)用最多的是無機閃爍體，而這其中具有高亮度、高分辨率的碘化銫閃爍體應(yīng)用最為廣泛。但是碘化銫材料為吸濕性材料，當(dāng)其吸收空氣中的水分而潮解時，會使得閃爍體的特性，特別是圖像分辨率大大降低，因此，如何有效的封裝閃爍體更尤為重要。而不同的基板其封裝的工藝也都不相同。
[0003]目前，作為代表性的碘化銫閃爍體，是以碳材料為基板來生長碘化銫閃爍體，封裝方式為浜松光子學(xué)株式會社的鍍膜封裝方法，如專利為W099/66348、W002/23219以及JP170092/1998所公布的封裝方法。該碘化銫閃爍體封裝方式首先通過CVD法在碘化銫表面鍍一層厚為IOum的聚對二甲苯層,然后派射一層200nm的SiO2膜,最后CVD法形成一層IOum聚對二甲苯層。
[0004]然而，利用CVD法蒸鍍聚對二甲苯膜及濺射SiO2層作為用來使閃爍體免受濕氣影響的防濕屏障，最少需要兩種設(shè)備即CVD設(shè)備和濺射設(shè)備來完成整個封裝過程，可見，這種封裝方法存在流程復(fù)雜、生產(chǎn)成本高的問題。同時，利用蒸鍍的方法來封裝，必需加工掩膜板來保護不需要被覆蓋的地方，如連接腳等，這樣大大增加了工藝的復(fù)雜度。而且通過CVD方法形成聚對二甲苯的有機膜保護層的速度大約為100至2000埃/分鐘，因此形成20um的閃爍體保護層需要2000分鐘至100分鐘，這種現(xiàn)有的封裝技術(shù)存在生產(chǎn)率較低的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種碘化銫閃爍體屏，能夠?qū)崿F(xiàn)阻水防水的效果，提高剛性，還可以大大降低閃爍體的封裝成本，提高封裝效率。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種碘化銫閃爍體屏，包括:反射基板、沉積在所述反射基板上表面的碘化銫閃爍體層、壓合在所述碘化銫閃爍體層上表面的防水透明薄膜、以及粘接在所述反射基板下表面的襯底層，所述碘化銫閃爍體層的四周邊緣設(shè)置有密封膠，所述密封膠的下表面與所述反射基板相貼合，上表面與所述防水透明薄膜相貼合。
[0007]在本發(fā)明的一個較佳實施例中，所述反射基板的材質(zhì)為金屬材料或無機材料。
[0008]在本發(fā)明的一個較佳實施例中，所述反射基板為鋁板。
[0009]在本發(fā)明的一個較佳實施例中，所述碘化銫閃爍體層的厚度為0.2-0.8 mm。
[0010]在本發(fā)明的一個較佳實施例中，所述防水透明薄膜的材質(zhì)為高分子材料或無機材料。[0011]在本發(fā)明的一個較佳實施例中，所述襯底層為高分子塑料板、碳制基板或者輕金屬板。
[0012]本發(fā)明的有益效果是:采用可見光反射率大于等于80%、水蒸氣透過率小于等于
0.lg/m2*day-\ X射線吸收率小于等于5%的材料作為高反射基板材料，同時采用可見光透過率大于等于80%、水蒸氣透過率小于等于0.lg/m^day-1,的防水透明薄膜，將X射線轉(zhuǎn)化為可見光的摻雜碘化鉈的碘化銫厚膜作為碘化銫閃爍體層，并在碘化銫閃爍體層的四周邊緣設(shè)置水蒸氣透過率小于等于0.lg/m^day-1的密封膠，在高反射基板的下面粘接X射線吸收率小于等于5%的襯底層，能夠?qū)崿F(xiàn)碘化銫閃爍體屏阻水防水的效果，提高其剛性，還可以大大降低閃爍體的封裝成本，提高封裝效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明一種碘化銫閃爍體屏一較佳實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖中各部件的標(biāo)記如下:1、防水透明薄膜，2、碘化銫閃爍體層，3、密封膠，4、反射基板，5、襯底層。
【具體實施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
[0015]請參閱圖1，本發(fā)明實施例包括:
一種碘化銫閃爍體屏，包括:反射基板4、沉積在所述反射基板4上表面的碘化銫閃爍體層2、壓合在所述碘化銫閃爍體層2上表面的防水透明薄膜1、以及粘接在所述反射基板4下表面的襯底層5，所述碘化銫閃爍體層2的四周邊緣設(shè)置有密封膠3，所述密封膠3的下表面與所述反射基板4相貼合，上表面與所述防水透明薄膜I相貼合。
[0016]其中，所述反射基板4的材質(zhì)為金屬材料或無機材料，可見光反射率大于等于80%、水蒸氣透過率小于等于0.lg/n^day'X射線吸收率小于等于5%。在本實施例中，優(yōu)選為高反射鋁板，其厚度為0.4mm,反射率為90%。
[0017]所述碘化銫閃爍體層2的厚度為0.2-0.8mm，是將X射線轉(zhuǎn)化為可見光的摻雜碘化鉈的碘化銫厚膜。
[0018]所述密封膠3的水蒸氣透過率小于等于0.1g/m2.day-10
[0019]所述防水透明薄膜I的材質(zhì)為高分子材料或無機材料。該防水透明薄膜I的可見光透過率大于等于80%、水蒸氣透過率小于等于0.1gAi2May'位于碘化銫閃爍體屏的最上層，其主要用于保護碘化銫閃爍體屏不被空氣中的水氣潮解。
[0020]所述襯底層5為高分子塑料板、碳制基板或者輕金屬板，優(yōu)選為碳纖維板或塑料板。該襯底層5的X射線吸收率小于等于5%，主要是增加整個碘化銫閃爍體屏的剛性，讓其不易形變與損壞。
[0021]封裝時，先在所述反射基板4的上表面，利用真空蒸鍍方式，生長一層碘化銫閃爍體層2 ;然后，在所述碘化銫閃爍體層2的四周邊緣放置密封膠3，使密封膠3的下表面與所述反射基板4的上表面相貼合；接著，在真空環(huán)境下，在所述碘化銫閃爍體層2的上表面壓合一層防水透明薄膜1，用于保護碘化銫閃爍體屏不被空氣中的水氣潮解；然后，固化或者熱壓密封膠3，使密封膠3的下表面與所述反射基板4的上表面相貼合，所述密封膠3的上表面與所述防水透明薄膜I相貼合，所述密封膠3的四周均與所述碘化銫閃爍體層2相貼合；最后，在所述反射基板4的下表面粘接襯底層5，來增加整個碘化銫閃爍體屏的剛性，讓其不易形變與損壞。
[0022]本發(fā)明揭示了一種碘化銫閃爍體屏，采用可見光反射率大于等于80%、水蒸氣透過率小于等于0.lg/m2*day' X射線吸收率小于等于5%的材料作為高反射基板材料，同時采用可見光透過率大于等于80%、水蒸氣透過率小于等于0.lg/m^day-1,的防水透明薄膜，將X射線轉(zhuǎn)化為可見光的摻雜碘化鉈的碘化銫厚膜作為碘化銫閃爍體層，并在碘化銫閃爍體層的四周邊緣設(shè)置水蒸氣透過率小于等于0.1gAi2May-1的密封膠，在高反射基板的下面粘接X射線吸收率小于等于5%的襯底層，能夠?qū)崿F(xiàn)碘化銫閃爍體屏阻水防水的效果，提高其剛性，還可以大大降低閃爍體的封裝成本，提高封裝效率。
[0023]以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種碘化銫閃爍體屏，其特征在于，包括:反射基板、沉積在所述反射基板上表面的碘化銫閃爍體層、壓合在所述碘化銫閃爍體層上表面的防水透明薄膜、以及粘接在所述反射基板下表面的襯底層，所述碘化銫閃爍體層的四周邊緣設(shè)置有密封膠，所述密封膠的下表面與所述反射基板相貼合，上表面與所述防水透明薄膜相貼合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碘化銫閃爍體屏，其特征在于，所述反射基板的材質(zhì)為金屬材料或無機材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碘化銫閃爍體屏，其特征在于，所述反射基板為鋁板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碘化銫閃爍體屏，其特征在于，所述碘化銫閃爍體層的厚度為 0.2-0.8 mm η
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碘化銫閃爍體屏，其特征在于，所述防水透明薄膜的材質(zhì)為高分子材料或無機材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碘化銫閃爍體屏，其特征在于，所述襯底層為高分子塑料板、碳制基板或者輕金屬板。
【文檔編號】G01T1/20GK103646682SQ201310568348
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月13日
【發(fā)明者】范波, 徐碩, 李明 申請人:江蘇龍信電子科技有限公司