專利名稱：光刻膠折射率的測(cè)定方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻膠折射率的測(cè)定方法。
背景技術(shù)：
光刻膠是一類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，由于具備比較小的表面張力的特性，使得光刻膠具有良好的流動(dòng)性和均勻性。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑三種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。感光樹(shù)脂經(jīng)光照后，在曝光區(qū)域能很快地發(fā)生光固化反應(yīng)，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝光圖案的媒介，因此在集成電路，封裝，微機(jī)電系統(tǒng)，光電子器件光子器件，平板顯示器，太陽(yáng)能光伏等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。如何精確獲得光刻膠的折射率，對(duì)于器件的設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)優(yōu)化等有著十分重要的參考意義。最常見(jiàn)的測(cè)量光刻膠折射率的儀器是使用阿貝折射儀。但是阿貝折射儀的測(cè)量折射率的波段較短，例如DR-M2多波長(zhǎng)阿貝折射儀，測(cè)量波段為450nm-1100nm。因?yàn)樵摪⒇愓凵鋬x的測(cè)量波段有限，所以不能測(cè)量太赫茲頻段內(nèi)光刻膠折射率的問(wèn)題。另外，阿貝折射儀對(duì)太赫茲電磁波比較敏感，在測(cè)量過(guò)程中容易發(fā)生光敏反映而產(chǎn)生誤差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而進(jìn)行的，目的在于提供一種能夠準(zhǔn)確測(cè)量光刻膠在太赫茲頻段內(nèi)的折射率的光刻膠折射率的測(cè)定方法。本發(fā)明為了實(shí)現(xiàn) 上述目的，采用了以下步驟:本發(fā)明提供一種光刻膠折射率的測(cè)定方法，其特征在于，包括以下步驟:(I).將光刻膠液體滴在水面上，凝固后得到光刻膠薄膜，測(cè)量光刻膠薄膜的厚度；(2).將光刻膠薄膜置于回形支架的中空部并加熱得到樣品支架；(3).使用太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)僅測(cè)定太赫茲電磁波通過(guò)空白的回形支架后的脈沖電場(chǎng)的時(shí)間波形，通過(guò)傅立葉轉(zhuǎn)換后得到相位并作為參照相位；(4).使用太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)測(cè)定太赫茲電磁波通過(guò)樣品支架后的脈沖電場(chǎng)的時(shí)間波形，通過(guò)傅立葉轉(zhuǎn)換后得到相位并作為樣品相位；(5).根據(jù)參照相位和樣品相位得到相位差；(6).根據(jù)預(yù)設(shè)計(jì)算公式得到光刻膠在太赫茲頻段內(nèi)的折射率；其中，計(jì)算公式為:
CCri, = nr + ~；&φ = n,- + -—ΔΦ
"ωα2nfa '
在計(jì)算公式中，ns為光刻膠在太赫茲頻段內(nèi)的折射率，nr為空白的回形支架中參照物的折射率，參照物為空氣，K的值設(shè)為l，c為太赫茲電磁波在真空中的傳播速度，具體值為3X IO8 m/s。f為太赫茲電磁波的頻率，具體值為0.1 10 THz, d為光刻膠薄膜的厚度，△ Φ為參照相位和樣品相位在太赫茲頻段內(nèi)的相位差。另外，在本發(fā)明光刻膠折射率的測(cè)定方法中，還可以有這樣的特征:在步驟(I)中，水為去離子水，光刻膠薄膜的厚度為92 μ m和146 μ m，光刻膠的類型為AZ 1500，使用精度為0.001 mm的電子千分尺來(lái)測(cè)量光刻膠薄膜的厚度。另外，在本發(fā)明光刻膠折射率的測(cè)定方法中，還可以有這樣的特征:在步驟(2)中，回形支架為鋁制品。另外，在本發(fā)明光刻膠折射率的測(cè)定方法中，還可以有這樣的特征:在步驟(3)和步驟(4)中，太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)的飛秒脈沖的波長(zhǎng)為800 nm，脈寬為100 fs，重復(fù)頻率為80 MHz。進(jìn)一步，在本發(fā)明光刻膠折射率的測(cè)定方法中，還可以有這樣的特征:在步驟(5)中，相位差為參照相位和樣品相位的差的絕對(duì)值。進(jìn)一步，在本發(fā)明光刻膠折射率的測(cè)定方法中，還可以有這樣的特征:在步驟(6)中，太赫茲電磁波的頻率的具體值為0.2 2THz。發(fā)明的作用與效果根據(jù)本發(fā)明光刻膠折射率的測(cè)定方法，本發(fā)明測(cè)定的是光刻膠在太赫茲電磁波的折射率，因?yàn)楣饪棠z對(duì)太赫茲電磁波不敏感，所以不會(huì)發(fā)生光敏反應(yīng)，可以實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確測(cè)量曝光前后光刻膠在太赫茲頻段內(nèi)的 折射率。本發(fā)明實(shí)施方便快捷，測(cè)試結(jié)果精確，拓展了光刻膠折射率的測(cè)量范圍。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的光刻膠薄膜的制備示意圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的樣品支架的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明實(shí)施例的太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本發(fā)明實(shí)施例的光刻膠在0.2 2THz頻率范圍內(nèi)的折射率圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明涉及的光刻膠折射率的測(cè)定方法進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施，所給出的詳細(xì)實(shí)施方式和過(guò)程，是對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明，而不是限制本發(fā)明的范圍。實(shí)施例一在實(shí)施例一中，本發(fā)明光刻膠折射率的測(cè)定方法包括以下步驟:圖1為本發(fā)明實(shí)施例一的光刻膠薄膜的制備示意圖。(I).如圖1所示，使用膠頭滴管3將光刻膠液體滴在去離子水I的水面上，光刻膠液體會(huì)在水面上擴(kuò)散呈膜狀，凝固后得到光刻膠薄膜2，測(cè)量光刻膠薄膜的厚度d。圖2為本發(fā)明實(shí)施例一的樣品支架的結(jié)構(gòu)示意圖。(2).如圖2所示，將光刻膠薄膜固定在回形支架4的中空部，于烤箱中烘烤加熱，得到樣品支架。(3).使用太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)僅測(cè)定太赫茲電磁波通過(guò)空白的回形支架4后的脈沖電場(chǎng)的時(shí)間波形，通過(guò)傅立葉轉(zhuǎn)換后得到相位并作為參照相位；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一的太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。(4).如圖3所示，使用太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)測(cè)定太赫茲電磁波通過(guò)樣品支架5后的脈沖電場(chǎng)的時(shí)間波形，通過(guò)傅立葉轉(zhuǎn)換后得到相位并作為樣品相位；(5).根據(jù)參照相位和樣品相位得到相位差；(6).根據(jù)計(jì)算公式得到光刻膠在太赫茲頻段內(nèi)的折射率；其中，計(jì)算公式為:
權(quán)利要求
1.一種光刻膠折射率的測(cè)定方法，其特征在于，包括以下步驟: (1).將光刻膠液體滴在水面上，凝固后得到光刻膠薄膜，測(cè)量所述光刻膠薄膜的厚度； (2).將所述光刻膠薄膜置于回形支架的中空部并加熱得到樣品支架； (3).使用太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)僅測(cè)定太赫茲電磁波通過(guò)空白的所述回形支架后的脈沖電場(chǎng)的時(shí)間波形，通過(guò)傅立葉轉(zhuǎn)換后得到相位并作為參照相位； (4).使用太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)測(cè)定所述太赫茲電磁波通過(guò)所述樣品支架后的脈沖電場(chǎng)的時(shí)間波形，通過(guò)傅立葉轉(zhuǎn)換后得到相位并作為樣品相位； (5).根據(jù)所述參照相位和所述樣品相位得到相位差； (6).根據(jù)預(yù)設(shè)計(jì)算公式得到所述光刻膠 在太赫茲頻段內(nèi)的折射率； 其中，所述計(jì)算公式為:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測(cè)定方法，其特征在于:其中，所述步驟(I)中，所述水為去離子水。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測(cè)定方法，其特征在于:其中，所述步驟(I)中，所述光刻膠薄膜的厚度為92 μ m和146 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測(cè)定方法，其特征在于:其中，所述步驟(I)中，所述光刻膠的類型為AZ 1500。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測(cè)定方法，其特征在于:其中，所述步驟(I)中，使用精度為0.001 mm的電子千分尺來(lái)測(cè)量所述光刻膠薄膜的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測(cè)定方法，其特征在于:其中，所述步驟(2)中，所述回形支架為鋁制品。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測(cè)定方法，其特征在于:其中，所述步驟(3)和所述步驟(4)中，所述太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)的飛秒脈沖的波長(zhǎng)為800 nm，脈寬為100 fs，重復(fù)頻率為80 MHz。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測(cè)定方法，其特征在于:其中，所述步驟(5)中，所述相位差為所述參照相位和所述樣品相位的差的絕對(duì)值。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠折射率的測(cè)定方法，其特征在于:其中，所述步驟(6)中，所述太赫茲電磁波的頻率的具體值為0.2 2THz。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光刻膠折射率的測(cè)定方法，包括以下步驟使光刻膠液體在水面上凝固得到光刻膠薄膜；將光刻膠薄膜置于回形支架中并加熱得到樣品支架；使用太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)僅測(cè)定太赫茲電磁波通過(guò)空白回形支架后脈沖電場(chǎng)的時(shí)間波形，傅立葉轉(zhuǎn)換后得到參照相位；使用太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)測(cè)定太赫茲電磁波通過(guò)樣品支架后脈沖電場(chǎng)的時(shí)間波形，通過(guò)傅立葉轉(zhuǎn)換后得到樣品相位；根據(jù)參照相位和樣品相位得到相位差；根據(jù)計(jì)算公式得到光刻膠在太赫茲頻段內(nèi)的折射率。因?yàn)楣饪棠z對(duì)太赫茲電磁波不敏感，所以不會(huì)發(fā)生光敏反應(yīng)，可以實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確測(cè)量曝光前后光刻膠在太赫茲頻段內(nèi)的折射率。本發(fā)明方便快捷，測(cè)試結(jié)果精確，拓展了光刻膠折射率的測(cè)量范圍。
文檔編號(hào)G01N21/41GK103196868SQ201310122640
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2013年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月10日
發(fā)明者王銀萍, 張大偉, 李媛, 洪瑞金, 盛斌, 黃元申, 倪爭(zhēng)技, 王 琦 申請(qǐng)人:上海理工大學(xué)