專利名稱：模塊化的氣體絕緣組合電器局部放電檢測(cè)用缺陷模擬裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于電氣設(shè)備帶電檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種在帶電檢測(cè)設(shè)備檢驗(yàn)過程中使用的模塊化的氣體絕緣組合電器缺陷模擬裝置，可以通過該裝置模擬電力系統(tǒng)中所用的氣體絕緣組合電器中出現(xiàn)的各種缺陷類型，用來檢測(cè)各種帶電檢測(cè)儀器設(shè)備的性能或?qū)θ毕菪盘?hào)特征進(jìn)行研究。
背景技術(shù)：
氣體絕緣組合電器(GIS)是變電站中常用的一種設(shè)備，具有占地面積小等優(yōu)點(diǎn)，但由于設(shè)備整個(gè)密封在殼體內(nèi)，常規(guī)的檢測(cè)手段很難應(yīng)用于氣體絕緣組合電器(GIS)缺陷的檢測(cè)，而氣體絕緣組合電器(GIS)在長(zhǎng)期運(yùn)行過程中由于各種原因，難免會(huì)產(chǎn)生各種類型的缺陷如自由顆粒、懸浮電位、毛刺突起等，為了檢測(cè)氣體絕緣組合電器(GIS)設(shè)備內(nèi)存·在的缺陷并且盡量減少系統(tǒng)的停電時(shí)間，常用帶電檢測(cè)的方法，如超聲波法，超高頻法等。無論是檢驗(yàn)各種帶電檢測(cè)設(shè)備的性能還是對(duì)各種類型的缺陷產(chǎn)生的信號(hào)特征進(jìn)行研究從而根據(jù)特征對(duì)實(shí)際檢測(cè)到的氣體絕緣組合電器(GIS)缺陷信號(hào)進(jìn)行分析和判斷，都需要?dú)怏w絕緣組合電器(GIS)缺陷模擬裝置，通過在模擬裝置內(nèi)設(shè)置各種不同類型的缺陷，進(jìn)而對(duì)缺陷產(chǎn)生的信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)，以對(duì)比不同檢測(cè)儀器設(shè)備的性能或研究信號(hào)的特征。但是，目前常用的模擬裝置有的采用簡(jiǎn)化的模型，不能完全反映氣體絕緣組合電器(GIS)設(shè)備自身對(duì)缺陷的影響。有的雖利用氣體絕緣組合電器(GIS)設(shè)備作為缺陷模擬裝置，但一次試驗(yàn)過程中只能模擬一種類型的缺陷，若要更換缺陷模型，則需要先回收SF6氣體，打開裝置更換模型后還要再回充氣體，不僅需要花費(fèi)大量時(shí)間，使用不便，同時(shí)也會(huì)造成殘余的SF6氣體釋放到環(huán)境中，造成污染。

實(shí)用新型內(nèi)容為了解決傳統(tǒng)模擬裝置在缺陷模型更換過程中的抽氣、充氣工作需要花費(fèi)大量時(shí)間、殘余SF6氣體釋放到環(huán)境中的問題，本實(shí)用新型提供一種不用打開模擬裝置既可進(jìn)行缺陷模型更換的模塊化的氣體絕緣組合電器局部放電檢測(cè)用缺陷模擬裝置。具體的技術(shù)方案如下模塊化的氣體絕緣組合電器局部放電檢測(cè)用缺陷模擬裝置包括由三通管狀的三個(gè)以上的腔體依次連接組成的母線筒，母線筒兩端的腔體外端口分別設(shè)有外端蓋，其中第一腔體的中間法蘭口上設(shè)有端蓋；相鄰腔體之間分別設(shè)有盆式絕緣子實(shí)現(xiàn)隔離，形成不同的氣室；除第一腔體外的其它所述腔體的中間法蘭口連通著管狀的隔離開關(guān)腔體的一端法蘭，隔離開關(guān)腔體的另一端法蘭與三通管狀的缺陷腔體的一端連通，且缺陷腔體的另兩端口上分別設(shè)有端蓋；隔離開關(guān)腔體兩端與所述腔體之間分別設(shè)有盆式絕緣子實(shí)現(xiàn)隔離，形成不同的氣室；外端口一側(cè)的第一腔體內(nèi)設(shè)有電壓發(fā)生裝置，電壓發(fā)生裝置的電源引線通過絕緣子引導(dǎo)至第一腔體的外端蓋外部；電壓發(fā)生裝置的電壓輸出端連接著主母線的一端，主母線的另一端位于末端的腔體內(nèi)；主母線分別連接著兩條以上的支線，每條支線的另一端穿過隔離開關(guān)腔體位于缺陷腔體內(nèi)；每個(gè)隔離開關(guān)腔體內(nèi)的支線上設(shè)有隔離開關(guān)，隔離開關(guān)操動(dòng)裝置位于隔離開關(guān)腔體的外部；每個(gè)缺陷腔體內(nèi)設(shè)有缺陷模型，缺陷模型通過導(dǎo)線連接著支線。最佳的技術(shù)方案如下模塊化的氣體絕緣組合電器局部放電檢測(cè)用缺陷模擬裝置包括由三通管狀的三個(gè)腔體依次連接組成的母線筒，母線筒兩端的腔體外端口分別設(shè)有外端蓋，其中的三個(gè)腔體分別為第一腔體I、第二腔體2和第三腔體3，第一腔體I的中間法蘭口上設(shè)有端蓋；相鄰腔體之間分別設(shè)有盆式絕緣子8實(shí)現(xiàn)隔離，形成不同的氣室，如第一腔體I和第二腔體2之間、第二腔體2和第三腔體3之間分別設(shè)有盆式絕緣子8實(shí)現(xiàn)隔離；所述第二腔體2的中間 法蘭口連通著管狀的第一隔離開關(guān)腔體4的一端法蘭，第一隔離開關(guān)腔體4的另一端法蘭與三通管狀的第一缺陷腔體6的一端連通，且第一缺陷腔體6的另兩端口上分別設(shè)有端蓋；所述第三腔體3中間的法蘭口連通著管狀的第二隔離開關(guān)腔體5的一端法蘭，第二隔離開關(guān)腔體5的另一端法蘭與三通管狀的第二缺陷腔體7的一端連通，第二缺陷腔體7的另兩端口上分別設(shè)有端蓋；第一隔離開關(guān)腔體4兩端與第二腔體2、第一缺陷腔體6之間分別設(shè)有盆式絕緣子8實(shí)現(xiàn)隔離，形成不同的氣室；第二隔離開關(guān)腔體5兩端與第三腔體3和第二缺陷腔體7之間分別設(shè)有盆式絕緣子8實(shí)現(xiàn)隔離，形成不同的氣室；外端口一側(cè)的第一腔體I內(nèi)設(shè)有電壓發(fā)生裝置21，電壓發(fā)生裝置21的電源引線9通過絕緣子10引導(dǎo)至第一腔體I的外端蓋外部；電壓發(fā)生裝置21的電壓輸出端連接著主母線16的一端,主母線16的另一端位于末端的腔體內(nèi)；主母線16分別連接著兩條以上的支線，其中第一支線17的另一端穿過第一隔離開關(guān)腔體4位于第一缺陷腔體6內(nèi)；第二支線18的另一端穿過第二隔離開關(guān)腔體5位于第二缺陷腔體7內(nèi)；所述第一隔離開關(guān)腔體4內(nèi)的第一支線17上設(shè)有第一隔離開關(guān)14，第一隔離開關(guān)操動(dòng)裝置12位于第一隔離開關(guān)腔體4的外部；所述第二隔離開關(guān)腔體5內(nèi)的第二支線18上設(shè)有第二隔離開關(guān)15，第二隔離開關(guān)操動(dòng)裝置13設(shè)于第二隔離開關(guān)腔體5的外部；所述第一缺陷腔體6內(nèi)設(shè)有第一缺陷模型19，第一缺陷模型19通過導(dǎo)線連接著第一支線17 ；所述第二缺陷腔體7內(nèi)設(shè)有第二缺陷模型20，第二缺陷模型20通過導(dǎo)線連接著第二支線18。本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果是能反映實(shí)際氣體絕緣組合電器(GIS)設(shè)備內(nèi)部發(fā)生缺陷時(shí)產(chǎn)生的信號(hào)的真實(shí)狀態(tài)，并且解決了常規(guī)的GIS設(shè)備缺陷模擬裝置更換缺陷模型費(fèi)時(shí)、費(fèi)力、容易污染環(huán)境等一系列的難題，可應(yīng)用于GIS設(shè)備帶電檢測(cè)工作的教學(xué)和培訓(xùn)過程，提高操作人員的帶電檢測(cè)技能水平。也可以作為基本的信號(hào)發(fā)生裝置來驗(yàn)證各種帶電檢測(cè)儀器設(shè)備的檢測(cè)靈敏度和準(zhǔn)確性以及用于GIS內(nèi)部各種缺陷類型產(chǎn)生的放電信號(hào)特征的研究工作，對(duì)促進(jìn)帶電檢測(cè)技術(shù)的發(fā)展起到有益的效果。

圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。[0017]圖2為本實(shí)用新型剖視圖。圖3為本實(shí)用新型內(nèi)部接線原理圖。圖4為本實(shí)用新型模擬第一種缺陷模型19狀態(tài)示意圖。圖5為本實(shí)用新型模擬第二種缺陷模型20狀態(tài)示意圖。圖6為本實(shí)用新型模擬第一種缺陷模型19和第二種缺陷模型20共存時(shí)狀態(tài)示意圖。圖7為由四個(gè)腔體組成母線筒的結(jié)構(gòu)示意圖。上圖中序號(hào)第一腔體I、第二腔體2、第三腔體3、第一隔離開關(guān)腔體4、第二隔離開關(guān)腔體5、第一缺陷腔體6、第二缺陷腔體7、盆式絕緣子8、電源引線9、絕緣子10、端蓋11、第一隔離開關(guān)操動(dòng)裝置12、第二隔離開關(guān)操動(dòng)裝置13、第一隔離開關(guān)14、第二隔離開關(guān)15、主母線16、第一支線17、第二支線18、第一缺陷模型19、第二缺陷模型20、電壓發(fā)生裝置21、第四腔體22、第三隔離開關(guān)腔體23、第三缺陷腔體24、第三隔離開關(guān)操動(dòng)裝置25。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖，通過實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地說明。實(shí)施例I :參見圖I和圖2，模塊化的氣體絕緣組合電器局部放電檢測(cè)用缺陷模擬裝置包括由三通管狀的三個(gè)腔體依次連接組成的母線筒，母線筒兩端的腔體外端口分別安裝有外端蓋，其中的三個(gè)腔體分別為第一腔體I、第二腔體2和第三腔體3，第一腔體I的中間法蘭口上安裝有端蓋；相鄰腔體之間分別安裝有盆式絕緣子8實(shí)現(xiàn)隔離，形成不同的氣室，如第一腔體I和第二腔體2之間、第二腔體2和第三腔體3之間分別安裝有盆式絕緣子8實(shí)現(xiàn)隔離。第二腔體2的中間法蘭口連通著管狀的第一隔離開關(guān)腔體4的一端法蘭，第一隔離開關(guān)腔體4的另一端法蘭與三通管狀的第一缺陷腔體6的一端連通，第一缺陷腔體6的另兩端口上分別安裝有端蓋。第三腔體3中間的法蘭口連通著管狀的第二隔離開關(guān)腔體5的一端法蘭，第二隔離開關(guān)腔體5的另一端法蘭與三通管狀的第二缺陷腔體7的一端連通，第二缺陷腔體7的另兩端口上分別安裝有端蓋；第一隔離開關(guān)腔體4兩端與第一腔體I、第一缺陷腔體6之間分別安裝有盆式絕緣子8實(shí)現(xiàn)隔離，形成不同的氣室。第二隔離開關(guān)腔體5兩端與第三腔體3和第二缺陷腔體7之間分別安裝有盆式絕緣子8實(shí)現(xiàn)隔離，形成不同的氣室；外端口一側(cè)的第一腔體I內(nèi)安裝有電壓發(fā)生裝置21，電壓發(fā)生裝置21可選YDJ30-150型交流高壓發(fā)生裝置，電壓發(fā)生裝置21的電源引線9通過絕緣子10引導(dǎo)至第一腔體I的外端蓋外部；電壓發(fā)生裝置21的電壓輸出端連接著主母線16的一端,主母線16的另一端位于末端的腔體內(nèi)；主母線16分別連接著兩條以上的支線，其中第一支線17的另一端穿過第一隔離開關(guān)腔體4位于第一缺陷腔體6內(nèi)；第二支線18的另一端穿過第二隔離開關(guān)腔體5位于第二缺陷腔體7內(nèi)。第一隔離開關(guān)腔體4內(nèi)的第一支線17上安裝有第一隔離開關(guān)14，第一隔離開關(guān)操動(dòng)裝置12位于第一隔離開關(guān)腔體4的外部；第二隔離開關(guān)腔體5內(nèi)的第二支線18上安裝有第二隔離開關(guān)15，第二隔離開關(guān)操動(dòng)裝置13安裝于第二隔離開關(guān)腔體5的外部。第一隔離開關(guān)14和第二隔離開關(guān)15均為ZF-110型SF6封閉式組合電器用隔離開關(guān)，第一隔離開關(guān)操動(dòng)裝置12和第二隔離開關(guān)操動(dòng)裝置13均為ZF-IlO型SF6封閉式組合電器用隔離開關(guān)配套彈簧操動(dòng)裝置。第一缺陷腔體6內(nèi)安裝有第一缺陷模型19，第一缺陷模型19通過導(dǎo)線連接著第一支線17 ;第二缺陷腔體7內(nèi)安裝有第二缺陷模型20，第二缺陷模型20通過導(dǎo)線連接著第二支線18。本裝置的工作原理如下參見圖3，為不工作狀態(tài)，第一隔離開關(guān)14和第二隔離開關(guān)15均為打開狀態(tài)。參見圖4，本實(shí)用新型被應(yīng)用于模擬第一缺陷模型19所代表的自由金屬微粒缺陷，第一隔離開關(guān)14閉合，第二隔離開關(guān)15打開。電壓發(fā)生裝置21提供的電壓就可以施加到第一缺陷模型19上，從而獲得第一缺陷模型19所產(chǎn)生的局部放電信號(hào)。參見圖5，本實(shí)用新型被應(yīng)用于模擬第二缺陷模型20所代表的懸浮電位缺陷，第一隔離開關(guān)14打開，第二隔離開關(guān)15閉合。電壓發(fā)生裝置21提供的電壓就可以施加到第二缺陷模型20上，從而獲得第二缺陷模型20所產(chǎn)生的局部放電信號(hào)。參見圖6，本實(shí)用新型被應(yīng)用于模擬第一缺陷模型19和第二缺陷模型20所代表的混合缺陷，第一隔離開關(guān)14閉合，第二隔離開關(guān)15閉合。電壓發(fā)生裝置21提供的電壓就可以同時(shí)施加到第一缺陷模型19和第二缺陷模型20上,從而產(chǎn)生第一缺陷模型19所代表的自由金屬微粒缺陷和第二缺陷模型20所代表的懸浮電位缺陷所產(chǎn)生的混合局部放電信號(hào)。實(shí)施例2參見圖7，模塊化的氣體絕緣組合電器局部放電檢測(cè)用缺陷模擬裝置包括由三通管狀的四個(gè)腔體依次連接組成的母線筒，母線筒兩端的腔體外端口分別安裝有外端蓋，其中的四個(gè)腔體分別為第一腔體I、第二腔體2、第三腔體3和第四腔體22。第四腔體22的中間法蘭口連通著管狀的第三隔離開關(guān)腔體23的一端法蘭，第三隔離開關(guān)腔體23的另一端法蘭與三通管狀的第三缺陷腔體24的一端連通，第三缺陷腔體24的另兩端口上分別安裝有端蓋。連接主母線的一條支線穿過第三隔離開關(guān)腔體23位于第三缺陷腔體24內(nèi)，第三隔離開關(guān)操動(dòng)裝置25安裝于第三隔離開關(guān)腔體23的外部；其他結(jié)構(gòu)同實(shí)施例I。使用時(shí)，第三缺陷腔體24內(nèi)安裝缺陷模型。
權(quán)利要求1.模塊化的氣體絕緣組合電器局部放電檢測(cè)用缺陷模擬裝置，其特征在于包括由三通管狀的三個(gè)以上的腔體依次連接組成的母線筒，母線筒兩端的腔體外端口分別設(shè)有外端蓋，其中第一腔體的中間法蘭口上設(shè)有端蓋；相鄰腔體之間分別設(shè)有盆式絕緣子實(shí)現(xiàn)隔離，形成不同的氣室；除第一腔體外的其它所述腔體的中間法蘭口連通著管狀的隔離開關(guān)腔體的一端法蘭，隔離開關(guān)腔體的另一端法蘭與三通管狀的缺陷腔體的一端連通，且缺陷腔體的另兩端口上分別設(shè)有端蓋；隔離開關(guān)腔體兩端與所述腔體之間分別設(shè)有盆式絕緣子實(shí)現(xiàn)隔離，形成不同的氣室； 外端口一側(cè)的第一腔體內(nèi)設(shè)有電壓發(fā)生裝置，電壓發(fā)生裝置的電源引線通過絕緣子引導(dǎo)至第一腔體的外端蓋外部；電壓發(fā)生裝置的電壓輸出端連接著主母線的一端，主母線的另一端位于末端的腔體內(nèi)；主母線分別連接著兩條以上的支線，每條支線的另一端穿過隔離開關(guān)腔體位于缺陷腔體內(nèi)； 每個(gè)隔離開關(guān)腔體內(nèi)的支線上設(shè)有隔離開關(guān)，隔離開關(guān)操動(dòng)裝置位于隔離開關(guān)腔體的外部； 每個(gè)缺陷腔體內(nèi)設(shè)有缺陷模型，缺陷模型通過導(dǎo)線連接著支線。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的模塊化的氣體絕緣組合電器局部放電檢測(cè)用缺陷模擬裝置，其特征在于包括由三通管狀的三個(gè)腔體依次連接組成的母線筒，母線筒兩端的腔體外端口分別設(shè)有外端蓋，其中的三個(gè)腔體分別為第一腔體(I)、第二腔體(2)和第三腔體(3)，第一腔體(I)的中間法蘭口上設(shè)有端蓋；相鄰腔體之間分別設(shè)有盆式絕緣子(8)實(shí)現(xiàn)隔離，形成不同的氣室，如第一腔體(I)和第二腔體(2)之間、第二腔體(2)和第三腔體(3)之間分別設(shè)有盆式絕緣子實(shí)現(xiàn)隔離；所述第二腔體(2)的中間法蘭口連通著管狀的第一隔離開關(guān)腔體(4)的一端法蘭，第一隔離開關(guān)腔體(4)的另一端法蘭與三通管狀的第一缺陷腔體(6)的一端連通，且第一缺陷腔體(6)的另兩端口上分別設(shè)有端蓋；所述第三腔體(3)中間的法蘭口連通著管狀的第二隔離開關(guān)腔體(5)的一端法蘭，第二隔離開關(guān)腔體(5)的另一端法蘭與三通管狀的第二缺陷腔體(7)的一端連通，第二缺陷腔體(7)的另兩端口上分別設(shè)有端蓋；第一隔離開關(guān)腔體(4)兩端與第二腔體(2)、第一缺陷腔體(6)之間分別設(shè)有盆式絕緣子(8)實(shí)現(xiàn)隔離，形成不同的氣室；第二隔離開關(guān)腔體(5)兩端與第三腔體(3)和第二缺陷腔體(7)之間分別設(shè)有盆式絕緣子(8)實(shí)現(xiàn)隔離，形成不同的氣室； 外端口一側(cè)的第一腔體(I)內(nèi)設(shè)有電壓發(fā)生裝置(21)，電壓發(fā)生裝置(21)的電源引線(9)通過絕緣子(10)引導(dǎo)至第一腔體(I)的外端蓋外部；電壓發(fā)生裝置(21)的電壓輸出端連接著主母線(16)的一端,主母線(16)的另一端位于末端的腔體內(nèi)；主母線(16)分別連接著兩條以上的支線，其中第一支線(17)的另一端穿過第一隔離開關(guān)腔體(4)位于第一缺陷腔體(6)內(nèi)；第二支線(18)的另一端穿過第二隔離開關(guān)腔體(5)位于第二缺陷腔體(7)內(nèi)； 所述第一隔離開關(guān)腔體(4)內(nèi)的第一支線(17)上設(shè)有第一隔離開關(guān)(14)，第一隔離開關(guān)操動(dòng)裝置(12)位于第一隔離開關(guān)腔體(4)的外部；所述第二隔離開關(guān)腔體(5)內(nèi)的第二支線(18)上設(shè)有第二隔離開關(guān)(15)，第二隔離開關(guān)操動(dòng)裝置(13)設(shè)于第二隔離開關(guān)腔體(5)的外部； 所述第一缺陷腔體(6)內(nèi)設(shè)有第一缺陷模型(19)，第一缺陷模型(19)通過導(dǎo)線連接著第一支線(17)；所述第二缺陷腔體(7)內(nèi)設(shè)有第二缺陷模型(20)，第二缺陷模型(20)通過導(dǎo)線連接著第二支線(18)?！?br> 專利摘要本實(shí)用新型涉及模塊化的氣體絕緣組合電器局部放電檢測(cè)用缺陷模擬裝置。該裝置包括由三個(gè)以上的腔體依次連接組成的母線筒，相鄰腔體之間分別設(shè)有盆式絕緣子實(shí)現(xiàn)隔離；除第一腔體外的其它所述腔體分別依次連通著隔離開關(guān)腔體和缺陷腔體；第一腔體內(nèi)設(shè)有電壓發(fā)生裝置，電壓發(fā)生裝置的電壓輸出端連接著主母線的一端，主母線的另一端位于末端的腔體內(nèi)；主母線分別連接著兩條以上的支線，每條支線的另一端穿過隔離開關(guān)腔體位于缺陷腔體內(nèi)；每個(gè)隔離開關(guān)腔體內(nèi)的支線上設(shè)有隔離開關(guān)。本實(shí)用新型能反映實(shí)際氣體絕緣組合電器(GIS)設(shè)備內(nèi)部發(fā)生缺陷時(shí)產(chǎn)生的信號(hào)的真實(shí)狀態(tài)，并且解決了常規(guī)的GIS設(shè)備缺陷模擬裝置更換缺陷模型費(fèi)時(shí)、費(fèi)力、容易污染環(huán)境等一系列的難題。
文檔編號(hào)G01R31/12GK202758043SQ20122044575
公開日2013年2月27日 申請(qǐng)日期2012年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月4日
發(fā)明者朱太云, 楊道文, 葉劍濤, 程登峰, 陳自年 申請(qǐng)人:安徽省電力科學(xué)研究院