專利名稱：大功率信號接收探頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種大功率信號接收探頭，適用B型超聲混凝土檢測探頭。
背景技術(shù)：
目前，混凝土施工以及現(xiàn)有橋梁，高架，大壩等等混凝土建筑和混凝土施工質(zhì)量的超聲檢測，使用的是A型超聲探頭的穿透法或回波法檢測，這種檢測方法不直觀，檢測數(shù)據(jù)誤差大，檢測時操作比較麻煩，對操作人員技能要求很高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服以上的不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡單、可將信號處理成像的大功率信號接收探頭。 本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)一種大功率信號接收探頭，發(fā)射探頭的最外層為匹配層，匹配層后部為換能器層，換能器層橫向切割成1_間距的多個陣元，每個陣元分別引出信號芯線，每個陣元的地線并聯(lián)，每個陣元的地線并聯(lián)換能器層的后部為吸聲層。本發(fā)明的進一步改進在于匹配層采用鋁合金材料，鋁合金的聲阻抗為15X IO6Kg/ (m2 · S)。本發(fā)明的進一步改進在于換能器層使用壓電陶瓷，壓電陶瓷橫向切割成64-128個陣元。本發(fā)明的進一步改進在于吸聲層為吸聲環(huán)氧樹脂。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點本發(fā)明最外層的接觸部分使用厚度為設(shè)定頻率四分之一波長的鋁合金材料制作，采用鋁合金材料作為匹配層，鋁合金的聲阻抗為15X IO6Kg/ Cm2 · s)左右，介于壓電陶瓷和混凝土之間，而且鋁合金還可以當(dāng)做探頭與混凝土接觸時的保護層；換能器層使用PZT壓電陶瓷，壓電陶瓷橫向切割成64-128個陣元，每個陣元分別引出信號芯線，每個陣元的地線并聯(lián)，每一路都作為一個信號接收基元，各陣元信號輸出后，信號處理成像可采用多波束或相控陣技術(shù)；換能器層的后部使用吸聲環(huán)氧樹脂加大量填料，作為超聲換能器后部吸收多余聲能，增大探頭帶寬，并作支撐固定作用。


圖I為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖中標(biāo)號1_匹配層、2-換能器層、3-陣元、4-吸聲層、5-信號芯線、6-地線。
具體實施例方式 為了加深對本發(fā)明的理解，下面將結(jié)合實施例和附圖對本發(fā)明作進一步詳述，該實施例僅用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明保護范圍的限定。如圖I示出了本發(fā)明大功率信號接收探頭的一種實施方式，發(fā)射探頭的最外層為匹配層1，匹配層I后部為換能器層2，換能器層2橫向切割成1_間距的多個陣元3，換能器層2采用64-128陣元的比例，每個陣元3分別引出信號芯線5，每個陣元3的地線6并聯(lián)，換能器層2的后部為吸聲層4。本發(fā)明最外層的接觸部分使用厚度為設(shè)定頻率四分之一波長的鋁合金材料制作，采用鋁合金材料作為匹配層，鋁合金的聲阻抗為15X106Kg/ (m2*S)左右，介于壓電陶瓷和混凝土之間，而且鋁合金還可以當(dāng)做探頭與混凝土接觸時的保護層；換能器層使用PZT壓電陶瓷，壓電陶瓷橫向切割成64-128個陣元，每個陣元分別引出信號芯線，每個陣元的地線并聯(lián)，每一路都作為一個信號接收基元，各陣元信號輸出后，信號處理成像可采用多波束 或相控陣技術(shù)；換能器層的后部使用吸聲環(huán)氧樹脂加大量填料，作為超聲換能器后部吸收多余聲能，增大探頭帶寬，并作支撐固定作用。
權(quán)利要求
1.一種大功率信號接收探頭，其特征在于所述發(fā)射探頭的最外層為匹配層(1)，所述匹配層(I)后部為換能器層(2)，所述換能器層(2)橫向切割成Imm間距的多個陣元(3)，每個所述陣元(3)分別引出信號芯線(5)，每個所述陣元(3)的地線(6)并聯(lián)，所述換能器層(2)的后部為吸聲層(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述大功率信號接收探頭，其特征在于所述匹配層(I)采用鋁合金材料，招合金的聲阻抗為15X IO6Kg/ Cm2 · S)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述大功率信號接收探頭，其特征在于所述換能器層(2)使用壓電陶瓷，所述壓電陶瓷橫向切割成64-128個陣元(3)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述大功率信號發(fā)射探頭，其特征在于所述吸聲層(4)為吸聲環(huán)氧樹脂。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種大功率信號接收探頭，發(fā)射探頭的最外層為匹配層，匹配層后部為換能器層，換能器層橫向切割成1mm間距的陣元，每個陣元的正負電極并聯(lián)，換能器層的后部為吸聲層。本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡單、可將信號處理成像的優(yōu)點。
文檔編號G01N29/24GK102866208SQ20121032290
公開日2013年1月9日 申請日期2012年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月4日
發(fā)明者馮沁毅 申請人:無錫市蘭輝超聲電子設(shè)備廠