專利名稱：放射圖像檢測(cè)設(shè)備和放射攝影成像盒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用在醫(yī)學(xué)X射線成像系統(tǒng)等中的放射圖像檢測(cè)設(shè)備和放射攝影成像盒。
背景技術(shù)：
采用放射圖像檢測(cè)設(shè)備，比如將諸如X射線圖像的放射圖像轉(zhuǎn)變成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的FPD(平板檢測(cè)器)的DR(數(shù)字式放射攝影)最近已經(jīng)投入實(shí)用。當(dāng)與采用由光激勵(lì)熒光體(累積性熒光體)制成的成像板的相關(guān)技術(shù)的CR(計(jì)算機(jī)放射攝影)系統(tǒng)相比時(shí)，放射圖像檢測(cè)設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)是能夠即時(shí)確認(rèn)成像。因而，DR已經(jīng)迅速地普及。
已經(jīng)提出各種類型的放射圖像檢測(cè)設(shè)備。放射圖像檢測(cè)設(shè)備之ー是已知的間接轉(zhuǎn)變類型。該類型的放射圖像檢測(cè)設(shè)備借助閃爍器，比如CsI:Tl閃爍器和GOS(Gd2O2S = Tb)閃爍器，將X輻射暫時(shí)地轉(zhuǎn)變成可見(jiàn)光，并且半導(dǎo)體層將可見(jiàn)光轉(zhuǎn)變成電荷并且累積所得到的電荷(參見(jiàn)，比如，專利文獻(xiàn)1(JP-A-2011-17683))。在關(guān)于專利文獻(xiàn)I描述的X射線圖像檢測(cè)設(shè)備中，X輻射從光電探測(cè)單元發(fā)射到閃爍器。具體地，光電探測(cè)単元布置在閃爍器的面向被攝體(患者)的ー側(cè)上，而光檢測(cè)器布置成與支持被攝體的支持構(gòu)件的背側(cè)相対。而且，如專利文獻(xiàn)I中所描述的，由光檢測(cè)器和閃爍器構(gòu)成的面板可直接地貼附到支持構(gòu)件。然而，在支持構(gòu)件和面板貼附在一起的情況下，必須注意使支持構(gòu)件可容易地被更換。此外，在X射線圖像檢測(cè)設(shè)備的主體容納在殼體中以從而形成為盒的情況下，光檢測(cè)器與殼體的頂板的背側(cè)相対。盒通過(guò)將由此定位的光檢測(cè)器直接地貼附到頂板而成為細(xì)長(zhǎng)的。在其中光檢測(cè)器放置在比如上面提到的閃爍器的X輻射進(jìn)入側(cè)(即，被攝體側(cè))上的構(gòu)造中，在閃爍器的X輻射進(jìn)入側(cè)上的主要光發(fā)射區(qū)域與光電探測(cè)単元之間具有較短的距離，獲得高清晰度的檢測(cè)圖像。同時(shí)，放置在閃爍器的X輻射進(jìn)入側(cè)上的光電探測(cè)単元的基板不可避免地吸收X輻射。因此，存在入射在閃爍器上的X輻射的量因X輻射被基板吸收導(dǎo)致減少的缺點(diǎn)。光電探測(cè)單元通過(guò)包含光電ニ極管(PD)和TFT(薄膜晶體管)而構(gòu)建，光電ニ極管(PD)和TFT (薄膜晶體管)各自由a-Si等形成。無(wú)堿玻璃通常用于支持I3D和TFT的基板。此原因在于當(dāng)采用鈉玻璃吋，a-Si可被在存在高溫的情況下a-Si膜形成期間來(lái)自玻璃的Na污染，這則使元件的性能劣化。然而，無(wú)堿玻璃比鈉玻璃更昂貴，而且也比鈉玻璃吸收更大量的X輻射。例如，當(dāng)通過(guò)將具有Al當(dāng)量2_的濾波器應(yīng)用到光電探測(cè)單元而使用在50kV的管電壓下產(chǎn)生的X射線成形束吋，由無(wú)堿玻璃基板呈現(xiàn)的X射線吸收因子高達(dá)16.8%。具體地，光到達(dá)閃爍器，同時(shí)已經(jīng)用于輻射光電探測(cè)単元的X輻射的15%或更多因X輻射被基板吸收而損失。如上面提到的，當(dāng)考慮維持a-Si膜的性能吋，將無(wú)堿玻璃用于基板是必要的。由于X輻射被基板吸收的結(jié)果，X輻射進(jìn)入閃爍器的量的大量下降是不可避免的。具體地，當(dāng)閃爍器被曝光于從光電探測(cè)單元的方向發(fā)散的X放射線時(shí)產(chǎn)生的高圖像質(zhì)量特征被減弱。附帯地，如果在光電探測(cè)単元中不具有基板的放射圖像檢測(cè)設(shè)備可被構(gòu)建，則放射圖像檢測(cè)設(shè)備將是更優(yōu)選的，其能避免輻射的吸收，該吸收否則將由基板引起。在專利文獻(xiàn)2 (JP-A-2009-133837)和專利文獻(xiàn)3 (JP-A-2008-235649)中，在薄膜部比如PD和TFT已經(jīng)形成在基板上之后，基板被剝離且除去。在該情形中，為由閃爍器和薄膜部構(gòu)成的層積物的面板將在閃爍器的重量下而變得容易撓曲。如果面板保持撓曲，則將在支持構(gòu)件和面板之間產(chǎn)生間隙。當(dāng)受到?jīng)_擊時(shí)，面板將變得振顫，這又可能使閃爍器遭受破壞。為防止面板撓曲，支持被攝體的支持構(gòu)件和薄膜部必須基本上整個(gè)地牢固地結(jié)合在一起
發(fā)明內(nèi)容
如上面提到的，為了更大程度地提高輻射從閃爍器的光電探測(cè)單元的方向發(fā)射的類型的X射線圖像檢測(cè)設(shè)備的圖像質(zhì)量，包括無(wú)基板的光電探測(cè)単元的放射圖像檢測(cè)設(shè)備是期望的。然而，如果基板被分離，如在專利文獻(xiàn)2和3中描述的，則閃爍器、薄膜部和支持構(gòu)件必須整個(gè)地牢固地結(jié)合以便防止發(fā)生撓曲。如果它們整個(gè)地牢固地結(jié)合，則支持構(gòu)件的更換將變得困難。而且，當(dāng)支持構(gòu)件和面板彼此分離時(shí)，薄膜部將被破壞。CFRP (碳纖維增強(qiáng)塑料)比如用于支持構(gòu)件。當(dāng)支持構(gòu)件的表面有損傷時(shí)，纖維斷裂，從而變得細(xì)微地分裂。因而分裂的支持構(gòu)件可使患者不舒適或易于變得不衛(wèi)生。支持構(gòu)件中的損傷也導(dǎo)致檢測(cè)到的圖像中出現(xiàn)缺陷。面板與支持構(gòu)件相比是昂貴的。每當(dāng)支持構(gòu)件被更換時(shí)丟棄面板是不經(jīng)濟(jì)的。為此，支持構(gòu)件的更換是不可缺少的。具體地，面板與支持構(gòu)件的可容易分離的結(jié)合是重要的。本發(fā)明的目的是提供ー種放射圖像檢測(cè)設(shè)備和放射攝影成像盒，其能夠通過(guò)解決當(dāng)光電探測(cè)単元不具有任何基板時(shí)會(huì)引起的缺陷來(lái)提高耐沖擊性和便利支持構(gòu)件的返修(rework)比如更換,并且還能夠進(jìn)ー步改進(jìn)圖像質(zhì)量。根據(jù)本發(fā)明的一方面，ー種放射圖像檢測(cè)設(shè)備包括放射圖像檢測(cè)設(shè)備主體，其包括閃爍器和光電探測(cè)単元，閃爍器將經(jīng)由被攝體發(fā)射的輻射轉(zhuǎn)變成熒光，光電探測(cè)單元設(shè)置在閃爍器的輻射進(jìn)入側(cè)上；支持件，其設(shè)置在放射圖像檢測(cè)設(shè)備主體的輻射進(jìn)入側(cè)上以支持被攝體。光電探測(cè)単元包括薄膜部和加強(qiáng)構(gòu)件，薄膜部將熒光檢測(cè)為電信號(hào)，加強(qiáng)構(gòu)件設(shè)置在薄膜部的相對(duì)于其面向閃爍器的ー側(cè)的另ー側(cè)上。加強(qiáng)構(gòu)件和支持件結(jié)合在一起并沿其間的接合平面保持相互緊密接觸。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，ー種放射攝影成像盒包括前述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備。放射圖像檢測(cè)設(shè)備主體容納在通過(guò)包含支持件而形成的殼體中。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，ー種放射攝影成像系統(tǒng)包括輻射源，其向被攝體發(fā)射輻射；支持件；以及前述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，ー種放射圖像檢測(cè)設(shè)備包括閃爍器，其將經(jīng)由被攝體發(fā)射的輻射轉(zhuǎn)變成熒光；以及光電探測(cè)単元，其設(shè)置在閃爍器的輻射進(jìn)入側(cè)上。光電探測(cè)単元具有薄膜部和加強(qiáng)構(gòu)件，薄膜部用于將熒光檢測(cè)為電信號(hào)，加強(qiáng)構(gòu)件設(shè)置在薄膜部的相對(duì)于其面向閃爍器的ー側(cè)的另ー側(cè)上。加強(qiáng)構(gòu)件和用于支持被攝體的支持件結(jié)合在一起并沿其間的接合平面保持相互緊密接觸。利用上面討論的構(gòu)造，即便當(dāng)基板從光電探測(cè)單元的薄膜部剝離時(shí)，薄膜部由加強(qiáng)構(gòu)件支持，從而被加強(qiáng)。作為提供這種加強(qiáng)構(gòu)件的結(jié)果，閃爍器和薄膜部不會(huì)經(jīng)歷無(wú)意的撓曲。閃爍器、薄膜部、加強(qiáng)構(gòu)件的層疊物(面板)和支持構(gòu)件沿接合平面一體化，同時(shí)保持相互緊密接觸。從而可以防止閃爍器、薄膜部和支持構(gòu)件的相對(duì)表面之間出現(xiàn)間隙。可防止使閃爍器等遭受破壞，該破壞否則將在閃爍器由干與支持件碰撞而經(jīng)歷沖擊時(shí)引起，從而可提高放射圖像檢測(cè)設(shè)備的耐沖擊性。根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)榧訌?qiáng)構(gòu)件被置于支持構(gòu)件和薄膜部之間，所以面板和支持構(gòu)件可容易地彼此分離而不損壞薄膜部。進(jìn)ー步地，當(dāng)包括加強(qiáng)構(gòu)件的面板和支持構(gòu)件實(shí)現(xiàn)沿接合平面彼此緊密接觸時(shí)，可以避免對(duì)將面板整個(gè)地牢固地結(jié)合到支持構(gòu)件的需要，使得可進(jìn)ー步便利面板與支持構(gòu)件的分離。從而可提高放射圖像檢測(cè)設(shè)備的返修方便性。
如上面提到的，解決了在光電探測(cè)単元的基板被分離時(shí)將引起的問(wèn)題。因此，可充分地實(shí)現(xiàn)當(dāng)閃爍器被曝光于從光電探測(cè)単元的方向發(fā)射的X放射線時(shí)產(chǎn)生的圖像質(zhì)量的改進(jìn)的效果。


圖I是示意性地顯示了 X射線成像盒的一般構(gòu)造的側(cè)剖視圖。圖2是示意性地顯示了光電探測(cè)単元的一般構(gòu)造的側(cè)剖視圖。圖3是示意性地顯示了光電探測(cè)単元的構(gòu)造的平面圖。圖4是示意性地顯示了閃爍器的晶體結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。圖5是顯示了柱狀晶體的剖面的電子顯微鏡照片(SEM圖像)。圖6是顯示了非柱狀晶體的剖面的電子顯微鏡照片(SEM圖像)。圖7是示意性地顯示了基板和薄膜部的側(cè)剖視圖。圖8是將圖7所示的基板和薄膜部結(jié)合到沉積在支持件上的閃爍器的過(guò)程的側(cè)剖視圖。圖9是顯示了將基板從薄膜部剝離的過(guò)程的側(cè)剖視圖。圖10是顯示了向薄膜部提供加強(qiáng)構(gòu)件的過(guò)程的側(cè)剖視圖。圖11是示意性地顯示建立在盒殼體中的X射線圖像檢查設(shè)備的側(cè)剖視圖。圖12是顯示了加強(qiáng)構(gòu)件的變型例的側(cè)剖視圖。圖13是顯示了其中頂板和加強(qiáng)構(gòu)件基本上整個(gè)地結(jié)合的狀態(tài)的側(cè)剖視圖。圖14是顯示了保護(hù)膜的變型例的側(cè)剖視圖。圖15是示意性地顯示了與圖I所示不同的X射線成像盒的一般構(gòu)造的側(cè)剖視圖。圖16是顯示了配備有凹形地彎曲的X射線圖像檢測(cè)面板的X射線成像系統(tǒng)的ー般構(gòu)造的示意圖。圖17是顯示了凸形地彎曲的加強(qiáng)構(gòu)件和凹形的彎曲的閃爍器面板的示意圖。圖18是顯示了凸形地彎曲的頂板和凹形地彎曲的X射線圖像檢測(cè)面板的示意圖。圖19是顯示了光電探測(cè)単元的薄膜部的變型例的示意圖。圖20是顯示了光電探測(cè)単元的薄膜部的另ー變型例的示意圖。
具體實(shí)施例方式用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式的示例性X射線圖像檢測(cè)設(shè)備(放射圖像檢測(cè)設(shè)備)參考圖1-11來(lái)在下面進(jìn)行描述。與前面描述的構(gòu)造相似的構(gòu)造被指定相同的附圖標(biāo)記，且為了簡(jiǎn)潔起見(jiàn)其重復(fù)解釋被省略或簡(jiǎn)化。I.總體構(gòu)造圖I是示意性地顯示了間接轉(zhuǎn)變類型的X射線成像盒100的一般構(gòu)造的側(cè)剖視圖。X射線成像盒100具有用作放射圖像檢測(cè)設(shè)備主體的主體I和用于容納主體I的殼體60。主體I配備有包括在被曝光于X放射線(由圖I中顯示的輪廓箭頭表示)時(shí)發(fā)射熒光的熒光材料的閃爍器10 ;布置在閃爍器10的X射線進(jìn)入側(cè)上且檢測(cè)從閃爍器10發(fā)射的熒光作為電信號(hào)的光電探測(cè)単元50 ;以及與閃爍器10的X射線進(jìn)入側(cè)相對(duì)地布置的控制模塊19。 控制模塊19包括電路板和電源電路，在電路板上實(shí)現(xiàn)用作激活并控制光電探測(cè)単元50的控制塊的1C、用于處理圖像信號(hào)的IC等。控制模塊19被組裝到閃爍器10和光電探測(cè)単元50內(nèi)。殼體60容納閃爍器10、光電探測(cè)単元50和控制模塊19。閃爍器10的實(shí)際厚度和光電探測(cè)単元50的實(shí)際厚度不同于并小于為示意圖的圖I中所顯示的那些厚度。因而，殼體60也制造得比圖I中顯示的要薄。閃爍器10和光電探測(cè)単元50以一體化的方式層積成面板的形式。在隨后的描述中，包括閃爍器10和光電探測(cè)単元50的層疊物有時(shí)稱為X射線圖像檢測(cè)面板P10。殼體60具有位于主體I的X射線進(jìn)入側(cè)上的頂板60A，且未示出的被攝體被放在頂板60A上。2.光電探測(cè)單元的構(gòu)造圖2是示意性地顯示了光電探測(cè)単元50的側(cè)剖視圖。圖3是示意性地顯示了光電探測(cè)單元50的構(gòu)造的平面圖，其中元件以ニ維布局的方式布置。光電探測(cè)単元50具有薄膜部40和板狀加強(qiáng)構(gòu)件49，薄膜部40的ー側(cè)面向閃爍器10，且板狀加強(qiáng)構(gòu)件49布置在薄膜部40的另ー側(cè)上。薄膜部40和加強(qiáng)構(gòu)件49通過(guò)粘合層58而結(jié)合在一起。粘合層58并不總是需要整個(gè)地放置在薄膜部40和加強(qiáng)構(gòu)件49之間的接合平面上。然而，粘合層58需要基本上足以防止粘合層在閃爍器10的重量下變得撓曲的接合區(qū)域。用于將加強(qiáng)構(gòu)件49接合到薄膜部40的方式不限于利用粘合劑的結(jié)合且包括其他合適的方式，比如壓カ結(jié)合和焊接。下面的描述通過(guò)參考其中加強(qiáng)構(gòu)件和薄膜部通過(guò)起接合裝置作用的粘合層而接合的示例來(lái)提供。結(jié)合作為甚至是關(guān)于將頂板60A和加強(qiáng)構(gòu)件49接合的方式的示例而示出，這將在稍后描述。然而，結(jié)合方式不限于層積，且合適的結(jié)合方式比如壓カ焊接和焊接也可被采用。薄膜部的構(gòu)造薄膜部40包括由a-Si等制成的PD(光電ニ極管)41和為由a_Si等制成的薄膜開關(guān)元件的TFT 42。如圖2所示，PD 41和TFT 42分別地在光電探測(cè)單元50的厚度方向上彼此堆疊。PD 41具有將經(jīng)由閃爍器10進(jìn)入的光(由圖2的箭頭實(shí)線表示)轉(zhuǎn)變成電荷的光導(dǎo)層。每個(gè)ro 41布置成與由光電探測(cè)単元50探測(cè)的圖像的像素對(duì)應(yīng)。如圖3所示，每個(gè)ro 41配備有TFT 42、柵極線43和數(shù)據(jù)線44。各個(gè)柵極線43和各個(gè)數(shù)據(jù)線44延伸到連接端子45且進(jìn)一歩通過(guò)柔性布線46如連接到連接端子45的各向異性導(dǎo)電膜而連接到控制模塊19的電路板。各個(gè)TFT 42以列為単位利用經(jīng)由柵極線43從電路板上實(shí)現(xiàn)的控制塊傳輸?shù)目刂菩盘?hào)而切換到接通和關(guān)斷。通過(guò)數(shù)據(jù)線44，電路板上的信號(hào)處理塊讀取各個(gè)I3D 41中的電荷，作為圖像信號(hào)，各個(gè)41的對(duì)應(yīng)的TFT 42保持在接通的位置。各個(gè)41中的電荷以列為單位順序地讀取，由此檢測(cè)ニ維圖像。在圖2中，光電探測(cè)単元50在其厚度方向上的兩側(cè)利用平坦化層(由樹脂制成的膜)47而使之平滑。為光電探測(cè)單元50提供平坦化層47是優(yōu)選的。然而，平坦化層47也可被省略。
光電探測(cè)単元50通過(guò)粘合層48而結(jié)合到閃爍器10。粘合層48和平坦化層47可以兩者都不置于閃爍器10和光電探測(cè)単元50之間。閃爍器10也可以壓緊抵靠光電探測(cè)単元50的表面且與光電探測(cè)単元50的表面緊密地直接接觸。關(guān)于構(gòu)成置于閃爍器10和光電探測(cè)単元50之間的平坦化層和粘合層的樹脂以及為構(gòu)成匹配的油層的透明液體或凝膠的樹脂層，不對(duì)樹脂施加具體的限制，只要樹脂能夠使從閃爍器10發(fā)射的閃爍光到達(dá)光電探測(cè)單元50而不經(jīng)歷實(shí)質(zhì)上的衰減即可。聚酰亞胺、聚對(duì)ニ甲苯等可用作構(gòu)成平坦化層的樹脂，而展現(xiàn)出膜形成方便性的聚酰亞胺是優(yōu)選的。用于構(gòu)成粘合層的優(yōu)選的粘合劑是展現(xiàn)出對(duì)從閃爍器10發(fā)射的閃爍光的光學(xué)透明性的粘合劑；例如，熱塑性樹脂、UV可固化粘合劑、熱固化粘合劑、室溫固化粘合劑、雙面粘合基板等。從防止圖像銳度的程度的劣化的觀點(diǎn)來(lái)看，利用由低粘度環(huán)氧樹脂制成的粘合劑是優(yōu)選的，因?yàn)榄h(huán)氧樹脂可形成相對(duì)于光電探測(cè)単元50的像素大小來(lái)說(shuō)充分薄的粘
ロ /Z^ O從靈敏度和圖像質(zhì)量的觀點(diǎn)來(lái)看，由樹脂制成的粘合層比如平坦化層和粘合層的厚度優(yōu)選地為50微米或更薄。更優(yōu)選地，厚度落在從5微米至30微米的范圍內(nèi)。加強(qiáng)構(gòu)件的構(gòu)造加強(qiáng)構(gòu)件49布置在薄膜部40的X射線進(jìn)入側(cè)上。加強(qiáng)構(gòu)件49由低X射線吸收材料制成，該低X射線吸收材料呈現(xiàn)出比由玻璃材料呈現(xiàn)的X射線吸收率低且就X射線吸收率而言比稍后描述的基板51低的X射線吸收率。加強(qiáng)構(gòu)件49相對(duì)于由60kV的管電壓產(chǎn)生的X福射的Al當(dāng)量小于I. 8mm。這里，Al當(dāng)量是顯示當(dāng)將X射線吸收率與鋁的透過(guò)性相比時(shí)所得的鋁板(純度99%或更高)的厚度的指標(biāo)。當(dāng)Al當(dāng)量被測(cè)量時(shí)，通常將為測(cè)試目標(biāo)的構(gòu)件放置在與X射線源間隔開I至2米的位置處，且穿過(guò)構(gòu)件的X輻射的量在X射線源和構(gòu)件之間沒(méi)有包含障礙物的情況下測(cè)量。根據(jù)X射線圖像檢測(cè)設(shè)備的使用條件，吸收X輻射的另ー構(gòu)件被設(shè)想放置在加強(qiáng)構(gòu)件49的X射線進(jìn)入側(cè)上。因此，考慮到由該構(gòu)件和加強(qiáng)構(gòu)件49吸收的X輻射的總量，加強(qiáng)構(gòu)件49的Al當(dāng)量(在60kV的管電壓下)優(yōu)選地為I. Omm或更少。同時(shí)，加強(qiáng)構(gòu)件49用于支持薄膜部40且因此需要給定的強(qiáng)度。允許此點(diǎn)和減少被攝體的曝光劑量，加強(qiáng)構(gòu)件49對(duì)于在60kV的管電壓下產(chǎn)生的X輻射的優(yōu)選的Al當(dāng)量?jī)?yōu)選地在0. Imm至I. Omm的范圍內(nèi)。盡管加強(qiáng)構(gòu)件的X射線吸收能力在此定義為對(duì)于在60kV的管電壓下產(chǎn)生的X輻射的Al當(dāng)量，如前面提到的，但是并不是說(shuō)對(duì)于在除60kV之外(比如，80kV)的管電壓下產(chǎn)生的X輻射的Al當(dāng)量可以由在前述需要下獲得的Al當(dāng)量計(jì)算出。X輻射的吸收率可依照 JESRA(日本福射設(shè)備工程標(biāo)準(zhǔn)(Japan Engineering Standards for RadiationApparatus))來(lái)測(cè)試。例如，Al當(dāng)量的測(cè)量也可在80kV、2mA和40秒下進(jìn)行,其類似于由JESRA規(guī)定的要求。此外，作為如圖I中所示主體I被容納在殼體60中的結(jié)果而制成X射線成像盒時(shí)，當(dāng)使用殼體60的頂板60A和加強(qiáng)構(gòu)件49兩者時(shí)實(shí)現(xiàn)的Al當(dāng)量(60kV的管電壓)優(yōu)選地 小于I. 8_。更優(yōu)選地,Al當(dāng)量在從0. Imm至I. Omm的范圍內(nèi)。當(dāng)使用殼體60的頂板60A和加強(qiáng)構(gòu)件49兩者時(shí)實(shí)現(xiàn)的Al當(dāng)量(在60kV的管電壓下)可基于在從X射線源發(fā)射的X輻射順序地穿過(guò)頂板60A和加強(qiáng)構(gòu)件49同時(shí)頂板60A和加強(qiáng)構(gòu)件49保持彼此堆疊之后實(shí)現(xiàn)的X輻射的量而測(cè)得?？蛇x擇地，利用頂板60A實(shí)現(xiàn)的Al當(dāng)量和利用加強(qiáng)構(gòu)件49實(shí)現(xiàn)的Al當(dāng)量可分別地測(cè)量，且總的測(cè)量值也可被確定。利用加強(qiáng)構(gòu)件49實(shí)現(xiàn)的Al當(dāng)量和利用頂板60A實(shí)現(xiàn)的Al當(dāng)量考慮到所施加的X輻射的能量來(lái)分別地確定。在比如乳房X射線攝影應(yīng)用的情形中，所應(yīng)用的X輻射的能量通常低至28keV或左右。當(dāng)與其中應(yīng)用具有較高能量的X輻射的情形相比時(shí)，優(yōu)選將加強(qiáng)構(gòu)件49的Al當(dāng)量和頂板60A的Al當(dāng)量設(shè)定為相對(duì)較低的值。只要加強(qiáng)構(gòu)件49對(duì)于在60kV的管電壓下產(chǎn)生的X輻射的Al當(dāng)量小于I. 8mm,則不對(duì)構(gòu)成加強(qiáng)構(gòu)件49所使用的低X輻射吸收材料施加任何具體的限制。然而，采用金屬(包括金屬化合物和合金)和/或樹脂是優(yōu)選的。優(yōu)選的金屬包括単體金屬比如Al、Mg、Cr、Zr、Ti和Mn、其氧化物及其金屬合金中的至少ー種。薄膜部40的抗腐蝕性可通過(guò)利用Mg、Cr、Zr、Ti和Mn中的至少ー種作為加強(qiáng)構(gòu)件49的金屬材料來(lái)提高。薄膜部40的抗腐蝕性可通過(guò)對(duì)加強(qiáng)構(gòu)件49使用包括比如Mg、Cr、Zr、Ti和Mn中的至少ー種的招合金來(lái)提高。利用這種鋁合金的表面處理在鋁合金的表面上形成了氧化鋁(Al2O3)等，由此可更進(jìn)ー步提高薄膜部40的抗腐蝕性。優(yōu)選的樹脂為聚酰亞胺、聚萘ニ甲酸こニ醇酯、聚苯こ烯和芳族聚酰胺(所有芳香族聚酰胺)中的至少ー種。可用于加強(qiáng)構(gòu)件49的單ー樹脂膜包括例如，透明聚酰亞胺膜、聚烯丙基化物(PAR)膜、OPS(注冊(cè)商標(biāo))膜(聚苯こ烯膜)、芳族聚酰胺膜等。所有這些膜都具有低X射線吸收率和高耐熱性的優(yōu)點(diǎn)。由Tosoh公司制造的產(chǎn)品和由AsahikaseiChemicals公司制造的產(chǎn)品稱為OPS膜，且這些膜呈現(xiàn)優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度(剛度)和低吸水性的優(yōu)點(diǎn)。優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度對(duì)于在剝離基板51之后支持薄膜部40來(lái)說(shuō)是有利的。而且，低吸水性對(duì)于防止薄膜部40和閃爍器10腐蝕和劣化來(lái)說(shuō)是有利的。關(guān)于加強(qiáng)構(gòu)件49的耐熱溫度，透明聚酰亞胺膜具有約300攝氏度的耐熱溫度 ’聚烯丙基化物膜具有約175攝氏度的耐熱溫度；0PS膜具有約250攝氏度的耐熱溫度，而芳族聚酰胺膜具有約200攝氏度或更高的耐熱溫度。這些高耐熱溫度在閃爍器沉積在加強(qiáng)構(gòu)件49上的情形中(參見(jiàn)圖15)是特別有效的。加強(qiáng)構(gòu)件49可僅由金屬或樹脂或金屬和樹脂的組合使用如包含分散金屬顆粒的樹脂來(lái)形成。進(jìn)ー步，加強(qiáng)構(gòu)件49可形成為單ー層或者兩層或更多層，如圖12中所示。此夕卜，加強(qiáng)構(gòu)件49優(yōu)選地為反射從閃爍器10發(fā)射的突光的光反射構(gòu)件。根據(jù)構(gòu)成加強(qiáng)構(gòu)件49的低X射線吸收材料，加強(qiáng)構(gòu)件49的優(yōu)選厚度通常在0. Olmm至Imm的范圍內(nèi)。只要使得加強(qiáng)構(gòu)件49的厚度比稍后描述的基板51的厚度小，則可使得放置在頂板60A上的被攝體與薄膜部40之間的距離更短，從而可以促進(jìn)較高的圖像質(zhì)量。附帯地，加強(qiáng)構(gòu)件49放置在薄膜部40的剝離表面上，該剝離表面是由于在稍后將描述的制造X射線成像盒100的過(guò)程中在基板51上形成薄膜部40之后薄膜部40被從基板51剝離(圖7)而形成的。作為基板51剝離的結(jié)果，進(jìn)入閃爍器10的X輻射的量増加。在基板51保持剝離的狀態(tài)中，薄膜部40由加強(qiáng)構(gòu)件49支持?；?1為用于構(gòu)成加強(qiáng)構(gòu)件49的輔助構(gòu)件且在某些階段被剝離。為此，理所當(dāng)然的是，基板51的材料可在不考慮X射線吸收的情況下來(lái)適當(dāng)?shù)卮_定。作為基板51剝離的結(jié)果，由此移除的基板51可被循環(huán)使用，這導(dǎo)致成本削減。薄膜部40可通過(guò)提供加強(qiáng)構(gòu)件49來(lái)加強(qiáng)，而X射線吸收減少的效果通過(guò)剝離基板來(lái)實(shí)現(xiàn)。由于加強(qiáng)構(gòu)件49被結(jié)合到頂板60A的背側(cè)，光電探測(cè)單元50與頂板60A成為一體。此時(shí)，由于閃爍器10的重量所導(dǎo)致的X射線圖像檢測(cè)面板PlO的撓曲，可因薄膜部40被利用加強(qiáng)構(gòu)件49加強(qiáng)而減少。相應(yīng)地,X射線圖像檢測(cè)面板PlO和頂板60A實(shí)現(xiàn)沿貼合平面彼此緊密接觸而不包含任何實(shí)質(zhì)上的間隙。因此，對(duì)閃爍器10的破壞等(其否則會(huì)在X射線圖像檢測(cè)面板PlO在受到?jīng)_擊時(shí)與頂板60A沖撞時(shí)引起)可被防止，從而可提高閃爍器10的抗沖擊性。鑒于提供了加強(qiáng)構(gòu)件49，加強(qiáng)構(gòu)件49無(wú)需基本上整個(gè)地牢固地結(jié)合到頂板60A以防止撓曲發(fā)生。為此，僅僅將加強(qiáng)構(gòu)件49的面向頂板60A的表面的一部分(圖I所示的加強(qiáng)構(gòu)件49的外周邊)通過(guò)粘合層18結(jié)合到頂板60A。當(dāng)與其中加強(qiáng)構(gòu)件49和頂板60A基本上整個(gè)地結(jié)合在一起的構(gòu)造相比吋，結(jié)合強(qiáng)度(貼合強(qiáng)度)由于各構(gòu)造之間的接合區(qū)域的差異而被降低。結(jié)果，加強(qiáng)構(gòu)件49和薄膜部40之間的結(jié)合強(qiáng)度大于加強(qiáng)構(gòu)件49和頂板60A之間的結(jié)合強(qiáng)度。具有単一粘合力的粘合劑可用于加強(qiáng)構(gòu)件49和頂板60A之間的粘合層18以及加強(qiáng)構(gòu)件49和薄膜部40之間的粘合層58。圖I為示出在加強(qiáng)構(gòu)件49和頂板60A之間存在等于粘合層18的厚度的間隙的示意圖。然而，粘合層18的厚度不大于100微米(通常為幾十微米)；因此，在加強(qiáng)構(gòu)件49和頂板60A之間不存在當(dāng)X射線成像盒100經(jīng)歷沖擊時(shí)允許加強(qiáng)構(gòu)件 49和頂板60A之間發(fā)生振顫(相對(duì)運(yùn)動(dòng))的間隙。具體地，加強(qiáng)構(gòu)件49和頂板60A沿貼合平面以基本上不存在間隙的狀態(tài)保持彼此緊密接觸。附帯地，當(dāng)頂板60A和光電探測(cè)単元50在更換頂板60A期間相互分離時(shí)，加強(qiáng)構(gòu)件49被從頂板60A剝離。此時(shí)，加強(qiáng)構(gòu)件49置于薄膜部40和頂板60A之間，當(dāng)與薄膜部40和頂板60A結(jié)合在一起的情形相比吋，頂板60A和光電探測(cè)単元50能夠容易地相互分離而不會(huì)使薄膜部40遭受破壞。此外，加強(qiáng)構(gòu)件49和薄膜部40之間的結(jié)合強(qiáng)度大于加強(qiáng)構(gòu)件49和頂板60A之間的結(jié)合強(qiáng)度。因此，防止了對(duì)薄膜部40的破壞(其否則將由于在使頂板60A與光電探測(cè)単元50分離期間使薄膜部40與加強(qiáng)構(gòu)件49分離而導(dǎo)致)，使得頂板60A和光電探測(cè)単元50能夠更容易地相互分離。盡管可以每數(shù)個(gè)像素提供加強(qiáng)構(gòu)件49，但是從加強(qiáng)的觀點(diǎn)來(lái)看，以一體化的方式將加強(qiáng)構(gòu)件49布置在薄膜部40的整個(gè)表面上是期望的。如上面提到的，輕金屬如鋁或者樹脂可用作加強(qiáng)構(gòu)件49的材料。當(dāng)加強(qiáng)構(gòu)件49由鋁制成且用作光反射構(gòu)件時(shí)，通過(guò)PD 41進(jìn)入加強(qiáng)構(gòu)件49的光可利用加強(qiáng)構(gòu)件49而朝PD 41反射。進(jìn)入ro 41的光的量結(jié)果被増加，由此可提高檢測(cè)靈敏度。為了在當(dāng)基板51沒(méi)有從薄膜部40剝離時(shí)朝薄膜部40反射已經(jīng)穿過(guò)薄膜部40之后到達(dá)基板51的光，可設(shè)想的方法是在基板51的、相對(duì)于其面向薄膜部40的一側(cè)的另一側(cè)上設(shè)置反射膜等。然而，通過(guò)基板51反射光是不太優(yōu)選的，因?yàn)槠鋵?dǎo)致光的較多散射，這將引起圖像模糊。相比之下，在其中 基板51被剝離且其中加強(qiáng)構(gòu)件49作為反射構(gòu)件設(shè)置在薄膜部40上的構(gòu)造中，用于將薄膜部40結(jié)合到加強(qiáng)構(gòu)件49的粘合層18的厚度為100微米或更少(通常為幾十微米)。當(dāng)與存在通常具有0.7_厚度的基板51的情形相比吋，X輻射吸收可明顯地減少。為此，在基板51被剝離且加強(qiáng)構(gòu)件49代替基板51使用的構(gòu)造中，將加強(qiáng)構(gòu)件49構(gòu)成為反射構(gòu)件是優(yōu)選的。當(dāng)金屬比如鋁用于加強(qiáng)構(gòu)件49以便將加強(qiáng)構(gòu)件49形成為反射構(gòu)件時(shí)，就導(dǎo)熱性而言，金屬構(gòu)件比玻璃基板高。因此，可防止圖像不均勻性，圖像不均勻性否則將由熱從被攝體到光電探測(cè)単元50的傳播而引起。具體地，在支持光電探測(cè)単元的玻璃構(gòu)件中的熱不均勻性(熱量不均勻性)將在圖像形成區(qū)域中引起ro 41的溫度不均勻性，這又引起性能不均勻性。為此，呈現(xiàn)優(yōu)異的導(dǎo)熱性的金屬構(gòu)件被用作加強(qiáng)構(gòu)件，由此可提高圖像質(zhì)量。當(dāng)加強(qiáng)構(gòu)件49由單ー金屬比如鋁或其合金制成時(shí)，加強(qiáng)構(gòu)件49呈現(xiàn)較高的對(duì)于薄膜部40的密封效果。具體地，薄膜部40的氣密性和水密性變得容易通過(guò)這種加強(qiáng)構(gòu)件49來(lái)確保。由此，閃爍器10的性能的劣化可被充分地防止，該性能的劣化否則將由濕氣吸收而引起。3.閃爍器的構(gòu)造閃爍器10沉積在由諸如反射光的鋁的材料制成的支持件11上。支持件11不限于由鋁制成的板。用于支持件11的任何材料可適當(dāng)?shù)剡x白碳板、CFRP(碳纖維增強(qiáng)塑料)、玻璃板、石英板、藍(lán)寶石板及其他板。支持件11不被特別地限于這些板，只要閃爍器形成在支持件的表面上。然而，當(dāng)支持件11也兼用作光反射構(gòu)件時(shí)，使用輕金屬比如鋁用作支持件的材料是更好的。因?yàn)橹С旨?1被放置在主體I的相對(duì)于其X射線進(jìn)入側(cè)的另ー側(cè)上，所以支持件11可由呈現(xiàn)低X射線透射率的材料形成。這里，支持件11對(duì)于主體I來(lái)說(shuō)不是必不可少的。具體地，在閃爍器被形成且被沉積在支持件11上之后，閃爍器可在從支持件11剝離的狀態(tài)下使用。也可在閃爍器10的相對(duì)于其面向光電探測(cè)単元50的一側(cè)的另一側(cè)上設(shè)置光反射構(gòu)件。閃爍器10被由聚對(duì)ニ甲苯等制成的保護(hù)膜30覆蓋。保護(hù)膜30利用氣相沉積技術(shù)形成并且將閃爍器10密封在支持件11上。由聚對(duì)ニ甲苯利用氣相沉積制成的保護(hù)膜呈現(xiàn)優(yōu)異的柔性以及相對(duì)于閃爍器10的優(yōu)異的粘合性。因此，保護(hù)膜呈現(xiàn)對(duì)于支持件11和加強(qiáng)構(gòu)件49中翹曲的優(yōu)異追隨性。只要利用另ー方式保護(hù)閃爍器免于濕氣，比如以氣密和水密方式用防濕膜包裹閃爍器10，保護(hù)膜30可省略。閃爍器10由通過(guò)讓熒光材料生長(zhǎng)成柱狀形狀而形成的ー組柱狀晶體構(gòu)成，CsIiTl (鉈活化的碘化銫)用作熒光材料。此外，NaI:!!(鉈活化的碘化鈉)、CsI :Na(鈉活化的碘化銫)等也可用作用于閃爍器10的熒光材料。使用CsI:Tl用于材料是優(yōu)選的，因?yàn)榘l(fā)光發(fā)射光譜符合a-Si光電ニ極管的光譜靈敏度的局部極大值(550nm附近)。還可能的是，閃爍器10將不包括任何柱狀晶體。而且，閃爍器還可通過(guò)用例如GOS [Gd2O2S: Tb (鋱活化的硫氧化釓)]涂布支持件而形成。現(xiàn)在，使閃爍器10利用氣相沉積來(lái)形成是期望的。氣相沉積的一般描述如下。即，將作為基材的CsI在環(huán)境中的電阻加熱坩堝中加熱，或者在0. 01至IOPa的真空度下通過(guò)比如通電的方式來(lái)加熱，直到CsI被蒸發(fā)。同樣地，將用作活化劑的Tl在環(huán)境中的電阻加熱坩堝中加熱，或者在0. 01至IOPa的真空度下通過(guò)如通電的方式來(lái)加熱，直到Tl被蒸發(fā)。支持件11的溫度被設(shè)定到室溫(20攝氏度)至300攝氏度，由此CsI = Tl被沉積在支持件11上。閃爍器10的晶體的形狀、尺寸和孔隙率可通過(guò)改變真空度、支持件的溫度、沉積速率等來(lái)控制。圖4是示意性地顯示了閃爍器10的晶體結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。閃爍器10包括由ー組 柱狀晶體12A形成的柱狀部12和包括在柱狀晶體12A的基端處形成的非柱狀晶體13A的非柱狀部13。當(dāng)閃爍器被曝光于X放射線時(shí)從閃爍器10發(fā)射的熒光在其高度方向(晶體生長(zhǎng)方向)上由柱狀晶體12A引導(dǎo)，由此進(jìn)入光電探測(cè)単元50。朝支持件11傳播的光此時(shí)被非柱狀部13和支持件11反射，從而進(jìn)入光電探測(cè)単元50。柱狀部的構(gòu)造柱狀部12為多個(gè)柱狀晶體12A的集合。在圖4所示的示例中，各個(gè)柱狀晶體12A基本上直立地站立在支持件11上。柱狀晶體12A的前端形成為收縮的形狀。各個(gè)柱狀晶體12A的前端也可被研磨。多個(gè)柱狀晶體12A與光電探測(cè)單元50的一個(gè)像素(ー個(gè)I3D 41)相対。柱狀晶體12A在結(jié)晶性能方面優(yōu)于非柱狀晶體且發(fā)射較大量的熒光。經(jīng)由空隙相互鄰接的柱狀晶體12A在閃爍器的厚度方向上直立站立；因此，柱狀晶體12A用作光導(dǎo)，從而在柱的高度方向上引導(dǎo)光。因?yàn)橹鶢罹w12A的光導(dǎo)效應(yīng)防止將在像素之間產(chǎn)生的光散射，所以可使得檢測(cè)到的圖像銳化。圖5是顯示了沿圖4所示的剖面(即基本上在柱狀部12的高度方向上的中心處取得的其的剖面)取得的柱狀部12的電子顯微鏡照片?？障?在圖5中密集地看到的)存在于相鄰的柱狀晶體12A之間。柱狀晶體12A具有相對(duì)于晶體生長(zhǎng)方向的大體均勻的剖面直徑。相鄰的柱狀晶體12A在柱狀部12的一部分區(qū)域中彼此接合，從而構(gòu)成一體化的柱狀體(參見(jiàn)，例如，圖5中的參考符號(hào)P)?？紤]到與需要的靈敏度相稱的X射線吸收能力，柱狀部12的厚度針對(duì)乳房X射線攝影應(yīng)用來(lái)說(shuō)被設(shè)定為約200微米的值，而針對(duì)一般攝影來(lái)說(shuō)被設(shè)定到500微米的值或更多。然而，當(dāng)柱狀部12太厚時(shí)，熒光的使用效率將可能由于光吸收或散射而降低。為此，柱狀部12的厚度考慮到靈敏度和熒光的使用效率而被設(shè)定到適當(dāng)?shù)闹怠７侵鶢畈康臉?gòu)造非柱狀部13包括大體球形或不確定形式的非柱狀晶體13A。非柱狀部13通常包括非晶(非晶體)部。非柱狀晶體13A的優(yōu)選形狀就容易保持在晶體之間的空隙和提聞反射效率的能力方面而言為大體球形形狀。具體地，優(yōu)選地是，非柱狀部13將由大體球形晶體(為大體球形晶體的非柱狀晶體13A)的集合形成。圖6是沿圖4所示的剖面B-B (在非柱狀部13的厚度方向上取得的其的基端側(cè)的剖面)截取的非柱狀部13的電子顯微鏡照片。在非柱狀部13中，就直徑而言比圖5所示的柱狀晶體12A小的非柱狀晶體13A不規(guī)則地彼此接合和重疊。觀察到在晶體之間的非常少的確定的空隙。圖6所示的空隙在數(shù)量上小于圖5所示的空隙。圖5和6所示的觀察結(jié)果清楚地顯示，非柱狀部13的孔隙率低于柱狀部12的孔隙率。非柱狀部13的孔隙率根據(jù)非柱狀部13在支持件11上的沉積面積、非柱狀部13的厚度、C sI密度和閃爍器面板的實(shí)際測(cè)量的重量來(lái)計(jì)算。由此計(jì)算的非柱狀部13沿其厚度方向的整體所得的孔隙率為10%或更少。非柱狀部13為在沉積的初始階段形成在支持件11上的區(qū)域。非柱狀部13的接觸支持件11的表面的區(qū)域的孔隙率為0或接近O。非柱狀部13的基端沿整個(gè)接觸平面保持與支持件11緊S接觸。非柱狀部13的厚度小于柱狀部12的厚度且優(yōu)選地從5微米到125微米。具體地，為了確保粘附到支持件11，非柱狀部13的厚度應(yīng)優(yōu)選地為5微米或更多。如果不呈現(xiàn)任何光導(dǎo)效應(yīng)的非柱狀部13的厚度太大，則光在非柱狀部13中的像素之間相互交錯(cuò)，由此圖像可能變得模糊。為此，優(yōu)選地是，非柱狀部13的厚度小于125微米。而且，非柱狀部13的足夠厚度是用于實(shí)現(xiàn)對(duì)支持件11的粘附和光反射能力的最小值。根據(jù)制造條件等，非柱狀部13也可構(gòu)造成多個(gè)堆疊層而不是單ー層。在這種情況下，非柱狀部13的厚度指從支持件11的表面至非柱狀部13的最頂表面的距離。關(guān)于當(dāng)晶體保持相互附著時(shí)實(shí)現(xiàn)的晶體直徑的測(cè)量，如在非柱狀部13的情形中的，在鄰接的非柱狀晶體13A之間存在的相互連接凹陷(凹部)的線被認(rèn)為是晶界。以形成最小的多邊形的方式將保持相互附著的晶體彼此分離，以及測(cè)量晶體的直徑。如在柱狀部12的柱狀晶體12A的直徑的情形中的，確定測(cè)量的晶體直徑的平均值，且采用該平均值。從有效的反射性能和對(duì)支持件11的附著的觀點(diǎn)來(lái)看，非柱狀部13的非柱狀晶體13A的優(yōu)選直徑在從0. 5微米至7. 0微米的范圍內(nèi)。非柱狀晶體13A的直徑小于柱狀晶體12A的直徑。因?yàn)榫w的大體球形形狀容易保持，所以較小的直徑對(duì)于非柱狀晶體13A來(lái)說(shuō)是優(yōu)選的。然而，如果非柱狀晶體13A的直徑太小，則孔隙率將接近0，以及非柱狀部13不會(huì)扮演光反射層的角色。為此，非柱狀晶體13A的優(yōu)選直徑為0.5微米或更大。相反，如果非柱狀晶體13A的直徑太大，則非柱狀部13的平坦度和表面積將減小，這又可引起對(duì)支持件11的附著的下降。而且，晶體將相互連接，從而減小孔隙率并使反射效果劣化。為此，非柱狀部13的優(yōu)選晶體直徑為7. 0微米或更少。作為這樣的非柱狀部13被形成的結(jié)果，可引起柱狀晶體12A在將非柱狀部13作為基部的同時(shí)以優(yōu)異的晶態(tài)生長(zhǎng)。非柱狀晶體13A的直徑、厚度和孔隙率考慮到光反射性能和對(duì)支持件11的粘附性來(lái)確定。因?yàn)橹С旨?1和閃爍器10之間的粘附性通過(guò)提供非柱狀部13而提高，所以閃爍器10甚至是當(dāng)從控制模塊19發(fā)射的熱傳播到閃爍器10時(shí)也會(huì)變得更不可能從支持件11脫落。例如，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換(OPC)材料、有機(jī)TFT、利用非晶氧化物(例如，a-IGZO)的TFT和柔性材料(芳族聚酰胺和生物納米纖維)等可用于光電探測(cè)單元50(包括加強(qiáng)構(gòu)件49)、支持件11及其他。這些裝置涉及的材料將稍后描述。4.制造X射線成像盒的方法制造具有前述構(gòu)造的盒100的示例性方法現(xiàn)將參考圖7-11來(lái)描述。如圖7所示，在由無(wú)堿玻璃等制成的基板51上形成薄膜部40。當(dāng)形成薄膜部40時(shí)，通過(guò)利用光刻法或蝕刻エ藝等在基板51上制造構(gòu)成薄膜部40的ro 41和TFT 42 (參 見(jiàn)圖2)。因?yàn)榛?1在隨后的エ序中被剝離且最終不構(gòu)成光電探測(cè)単元50，所以沒(méi)有必要考慮基板的X射線吸收率能。利用其厚度足以確保在隨后的エ序中容易處理和移除的基板51是優(yōu)選的。如圖8所示，在移除基板51之前將基板51和薄膜部40結(jié)合到分別生產(chǎn)的閃爍器10，且使薄膜部40和閃爍器10以一體化的方式均勻地彼此緊密接觸。當(dāng)制造時(shí)，閃爍器10被沉積在支持件11上且隨后通過(guò)形成保護(hù)膜30而被密封到支持件11。閃爍器10和薄膜部40 (兩者都按如上提到的制造)結(jié)合在一起同時(shí)將粘合層48夾在閃爍器10和薄膜部40之間。對(duì)使閃爍器10和薄膜部40相互緊密接觸的方法不施加具體限制，且該方法的基本要求是光學(xué)地將閃爍器10聯(lián)接到薄膜部40。使閃爍器10和薄膜部40兩者均直接地彼此相對(duì)且使它們相互緊密接觸的方法或者使其相互緊密接觸同時(shí)在其間夾入樹脂層的方法也可被認(rèn)為是使得閃爍器10和薄膜部40相互緊密接觸的方法。接下來(lái)，將基板51從薄膜部40剝離，如圖9所示。因?yàn)楸∧げ?0在此情況下經(jīng)由閃爍器10和支持件11支持，所以在基板51移除期間實(shí)現(xiàn)的薄膜部40的操縱方便性變得較好。然而，當(dāng)薄膜部40能夠由適當(dāng)?shù)牟倏v裝置保持吋，閃爍器10和薄膜部40也可在基板51被剝離之后一體化為ー個(gè)。如圖10所示，接下來(lái)將加強(qiáng)構(gòu)件49結(jié)合到薄膜部40的已經(jīng)剝離了基板51的表面，同時(shí)將粘合層58夾入加強(qiáng)構(gòu)件49和薄膜部40之間。從而制造了整合有閃爍器10、薄膜部40和加強(qiáng)構(gòu)件49的X射線圖像檢測(cè)面板P10。將X射線圖像檢測(cè)面板PlO組裝到控制模塊19。由此制造主體I。如圖11所示，然后將主體I容納在殼體60內(nèi)，且將加強(qiáng)構(gòu)件49結(jié)合到頂板60A的背側(cè)，同時(shí)將粘合劑夾在加強(qiáng)構(gòu)件49和頂板60A之間。由頂板60A支持的被攝體的負(fù)荷由頂板60A和主體I接收。X射線成像盒100的耐受負(fù)荷可通過(guò)以如上提到的以一體化方式堆疊頂板60A和主體I來(lái)增加。按上面提到的制造X射線成像盒100。5.光電探測(cè)單元的加強(qiáng)構(gòu)件的工作效果上面描述的X射線成像盒100產(chǎn)生如下工作效果。因?yàn)楸∧げ?0如上面提到的通過(guò)加強(qiáng)構(gòu)件49來(lái)加強(qiáng)，所以防止了間隙，該間隙否則將由于面板PlO的撓曲而在面板PlO和頂板60A之間產(chǎn)生。因?yàn)橛纱耸沟妹姘錚lO和頂板60A相互緊密接觸，所以可提高面板PlO的抗沖擊性?？箾_擊性的提高對(duì)于便攜式盒100來(lái)說(shuō)尤其重要。由于加強(qiáng)構(gòu)件49被夾在薄膜部40和頂板60A之間，所以變得更容易將光電探測(cè)単元50與頂板60A分離，而不會(huì)在更換頂板60A期間使薄膜部40遭受破壞。此外，甚至當(dāng)施加在頂板60A和面板PlO之間的粘合力不被增加時(shí)，使得頂板60A和面板PlO相互緊密接觸而不會(huì)由于提供加強(qiáng)構(gòu)件49而包含任何實(shí)質(zhì)上的間隙。因而，在頂板60A和光電探測(cè)単元50沿存在于其間的貼合平面牢固地結(jié)合在一起的意義上，可以無(wú)需將頂板60A整個(gè)地結(jié)合到光電探測(cè)単元50。結(jié)果，可使得施加在頂板60A和加強(qiáng)構(gòu)件49之間的粘合力小于施加在薄膜部40和加強(qiáng)構(gòu)件49之間的粘合力。由此，在更換頂板60A期間，光電探測(cè)單元50可容易地從頂板60A剝離而不會(huì)使薄膜部40遭受破壞。換句話說(shuō)，在更換頂板60A期間實(shí)現(xiàn)的返修方便性可得到提高。
由于薄膜部40設(shè)有加強(qiáng)構(gòu)件49，確保了薄膜部40和閃爍器10對(duì)在戶外的濕氣的抵抗等。可防止薄膜部40的腐蝕和閃爍器10的性能劣化。因?yàn)槿缟厦嫣岬降募訌?qiáng)構(gòu)件49被設(shè)置以加強(qiáng)并保護(hù)薄膜部40，所以解決了否則將由于基板51從光電探測(cè)單元50剝離而引起的問(wèn)題。由此，可充分地實(shí)現(xiàn)由其中閃爍器被曝光于在光電探測(cè)單元的方向上施加的X放射線的構(gòu)造產(chǎn)生的圖片質(zhì)量的提高效果。而且，加強(qiáng)構(gòu)件49的Al當(dāng)量小于1.8mm。因?yàn)樵陂W爍器10的X射線進(jìn)入側(cè)上發(fā)生的X輻射吸收可通過(guò)利用呈現(xiàn)低X輻射吸收率的這種加強(qiáng)構(gòu)件49而減小到最小值，所以檢測(cè)到的圖像的圖像質(zhì)量可經(jīng)由進(jìn)入閃爍器10的X輻射的量的増加而提高。因此，可以通過(guò)根據(jù)需要確定加強(qiáng)構(gòu)件49的厚度，實(shí)現(xiàn)光電探測(cè)単元對(duì)于X輻射的吸收的減小以及保持光電探測(cè)單元所需要的強(qiáng)度。利用其中X輻射經(jīng)由光電探測(cè)単元50進(jìn)入閃爍器10的構(gòu)造，可進(jìn)ー步促進(jìn)圖像質(zhì)量的提聞。在X射線成像盒100中，主體I的光電探測(cè)單元50結(jié)合到盒的頂板60A的背側(cè)。因此，放置在頂板60A上的被攝體和光電探測(cè)単元50之間的距離變得較短，這導(dǎo)致靈敏度的提高和MTF的改善。而且，由于基板51的移除，使得光電探測(cè)単元50較纖薄，由此可更進(jìn)ー步提高圖片質(zhì)量。換句話說(shuō)，移除基板51和提供加強(qiáng)構(gòu)件49所得到的效果利用其中閃爍器10被曝光于從光電探測(cè)單元50的方向施加的X放射線和其中光電探測(cè)單元50結(jié)合到頂板60A的構(gòu)造而變得更引人注意。盡管主體I容納在盒殼體60中的模式在上述描述中已經(jīng)被提供，但是將主體I容納在殼體60中并不是必不可少的。與由X射線成像盒100產(chǎn)生的工作效果類似的工作效果可通過(guò)包括主體I和用于支持被攝體的支持構(gòu)件的構(gòu)造產(chǎn)生。6.變型例加強(qiáng)構(gòu)件屬于光電探測(cè)単元的構(gòu)造不限于上面提到的。如圖12所示，加強(qiáng)構(gòu)件可包括比如，由樹脂制成的基底物質(zhì)49A(樹脂層)和由鋁等制成且堆疊在基底物質(zhì)49A的X射線進(jìn)入側(cè)上的光反射膜49B (光反射層)。在上面的描述中，考慮到返修的方便性，使得加強(qiáng)構(gòu)件49和頂板60A之間的接合區(qū)域較小，由此施加在加強(qiáng)構(gòu)件49和頂板60A之間的結(jié)合強(qiáng)度被減小。然而，加強(qiáng)構(gòu)件不限于該構(gòu)造。這樣ー種粘合劑用作用于將加強(qiáng)構(gòu)件49結(jié)合到頂板60A的粘合剤，該粘合劑的結(jié)合強(qiáng)度低于用于將加強(qiáng)構(gòu)件49結(jié)合到薄膜部40的粘合劑的結(jié)合強(qiáng)度。甚至在該情形中，可使得施加在加強(qiáng)構(gòu)件49和頂板60A之間的結(jié)合強(qiáng)度小于施加在加強(qiáng)構(gòu)件49和薄膜部40之間的結(jié)合強(qiáng)度。在該情形中，如圖13所示，加強(qiáng)構(gòu)件49和頂板60A也可基本上整個(gè)地結(jié)合到一起，同時(shí)在其間夾有應(yīng)用有第二粘合劑的粘合層18’，該第二粘合劑的結(jié)合強(qiáng)度小于用于將加強(qiáng)構(gòu)件49結(jié)合到薄膜部40的第一粘合劑的結(jié)合強(qiáng)度。圖14顯示了 X射線圖像檢測(cè)設(shè)備的變型例。在該變型例中，在剝離和移除基板51之后形成了保護(hù)支持件11、閃爍器10和光電探測(cè)単元50中的全部的保護(hù)膜35。除設(shè)置在閃爍器10上的保護(hù)膜30之外，還設(shè)置了保護(hù)膜35，由此閃爍器10和薄膜部40被確切地密封。因而，可充分防止閃爍器10和薄膜部40的性能的劣化。保護(hù)膜35并不總是需要如圖14所示的覆蓋支持件11、閃爍器10和光電探測(cè)単元50中的全部。保護(hù)膜35也可以被設(shè) 置成覆蓋薄膜部40和加強(qiáng)構(gòu)件49中的每ー個(gè)的側(cè)表面以及加強(qiáng)構(gòu)件49的從其剝離了基板51的表面。圖15顯示了 X射線成像盒200。X射線成像盒200具有X射線圖像檢測(cè)設(shè)備主體2和殼體60。在圖I所示的X射線圖像檢測(cè)設(shè)備主體I中，閃爍器10和光電探測(cè)単元50結(jié)合在一起，而粘合層48夾在其間。相比之下，在圖15所示的X射線圖像檢測(cè)設(shè)備主體2中，閃爍器15沉積在光電探測(cè)単元50上。除此之外，X射線圖像檢測(cè)設(shè)備主體2構(gòu)造成與X射線圖像檢測(cè)設(shè)備主體I類似。在制造X射線成像盒200時(shí)，如圖7所示在基板51上形成薄膜部40，以及在薄膜部40上直接地沉積閃爍器15。隨后用保護(hù)膜30密封閃爍器15。閃爍器15被沉積在薄膜部40上，由此閃爍器15和光電探測(cè)単元50被一體化為ー個(gè)。接下來(lái)，在移除基板51吋，將支持構(gòu)件21放置在閃爍器15的相對(duì)于其面向薄膜部40的ー側(cè)的另ー側(cè)上，由此支持閃爍器15。隨后，將基板51從薄膜部40剝離。期望的是，支持構(gòu)件21為光反射構(gòu)件，比如招。從而制造了不具有基板51的X射線圖像檢測(cè)面板P20。閃爍器15如上面提到的在移除基板51之前被沉積，且進(jìn)一步設(shè)置支持構(gòu)件21。因而，可提高薄膜部40的操縱方便性，且可防止對(duì)柱狀晶體12A的破壞，否則該破壞將在柱狀晶體12A在移除基板期間相互接觸而被引起。按上面提到的制造的X射線圖像檢測(cè)面板P20以與X射線圖像檢測(cè)面板PlO的情形相同的方式容納在殼體60中，由此制造了 X射線成像盒200。X射線圖像檢測(cè)設(shè)備主體I和2的閃爍器10和15可以不設(shè)有比如上面提到的包括非柱狀晶體13A的非柱狀部13。然而，如果形成了非柱狀部13，則將產(chǎn)生如下效果。SP，非柱狀部可沿晶體生長(zhǎng)方向在閃爍器上的任意位置形成。當(dāng)沿閃爍器的晶體生長(zhǎng)方向在閃爍器的基端或前端形成非柱狀部時(shí)，可以確保在形成閃爍器之后與閃爍器成一體的光電探測(cè)単元與支持件之間的粘附或者上面沉積了閃爍器的支持件與薄膜部之間的粘附。確保粘附使得可以防止閃爍器從支持件和光電探測(cè)單元移除并且也防止閃爍器性能的劣化，這否則將由濕氣的吸收而引起。此外，當(dāng)在柱狀晶體的前端形成非柱狀部吋，閃爍器的表面利用非柱狀部被平坦化。由此，閃爍器和光電探測(cè)單元可均勻地結(jié)合在一起。從而可提高檢測(cè)到的圖像的質(zhì)量。當(dāng)在閃爍器的基端(即初始地沉積的區(qū)域)形成非柱狀部時(shí)，可導(dǎo)致柱狀晶體基于非柱狀部以較好的結(jié)晶生長(zhǎng)。閃爍器的強(qiáng)度可通過(guò)向柱狀部提供非柱狀部來(lái)提高。閃爍器的耐沖擊性可由此得到提高。而且，可以確保抵抗當(dāng)閃爍器和支持件或光電探測(cè)單元結(jié)合在一起時(shí)施加在閃爍器上的負(fù)荷的強(qiáng)度。因而，閃爍器和光電探測(cè)単元等可牢固地壓緊抵靠彼此且均勻地相互緊密接觸。此外，由于閃爍器的強(qiáng)度的提高，可能増加通過(guò)將通過(guò)包含閃爍器形成的面板結(jié)合到殼體的頂板形成的盒的耐受負(fù)荷。在此情況下，因?yàn)榛逡呀?jīng)從光電探測(cè)単元?jiǎng)冸x，所以頂板和各個(gè)光電探測(cè)單元進(jìn)一步更靠近彼此。因此，可進(jìn)ー步增加提高靈敏度和圖像質(zhì)量的效果。由于在柱狀部的前端處形成了非柱狀部，所以可防止保護(hù)膜的材料流入柱狀晶體之間的間隙。因而，也產(chǎn)生了防止MT F劣化的效果。圖16至18示意性地顯示了具有與上面描述的相應(yīng)部分不同的X射線成像盒310的X射線成像系統(tǒng)300的一般構(gòu)造。X射線成像系統(tǒng)300包括用作輻射源的X射線源301和通過(guò)未示出的準(zhǔn)直儀等而被曝光于從X射線源301發(fā)射的X放射線的X射線成像盒310。X射線成像盒310配備有包括頂板70A的殼體70和用作容納在殼體70中的放射圖像檢測(cè)設(shè)備主體的主體3。圖16至18所示的各個(gè)構(gòu)件的彎曲形狀被示出使得各個(gè)構(gòu)件的彎曲度大大地夸張。
盡管在圖16中進(jìn)行了簡(jiǎn)化，但是主體3具有為閃爍器、薄膜部和加強(qiáng)構(gòu)件的一體化的X射線圖像檢測(cè)面板P30。如圖16所示容納在殼體70中的同吋，X射線圖像檢測(cè)面板P30朝控制模塊19凸形地彎曲。換句話說(shuō)，X射線圖像檢測(cè)面板P30被彎曲成變得從X射線進(jìn)入側(cè)朝控制模塊19凹形地凹陷。在隨后的描述中，關(guān)于構(gòu)件的彎曲的定向，當(dāng)構(gòu)件以突出的方式朝X射線進(jìn)入側(cè)彎曲時(shí)，構(gòu)件被稱為凸形地彎曲的。相反，當(dāng)構(gòu)件在與X射線進(jìn)入側(cè)相反的方向以突出的方式彎曲時(shí)，彎曲被稱為凹形地彎曲的。具體地，X射線圖像檢測(cè)面板P30為凹形地彎曲的。圖17是X射線圖像檢測(cè)面板P30的分解示意圖。X射線圖像檢測(cè)面板P30具有朝X射線進(jìn)入側(cè)凸形地彎曲的加強(qiáng)構(gòu)件79和凹形地彎曲的閃爍器面板80。在如圖9所示從其剝離了基板51的薄膜部40和閃爍器10被整合成一體之后，閃爍器面板80被凹形地彎曲。因?yàn)榛?1從光電探測(cè)單元50剝離，所以容易如上面提到那樣彎曲由薄膜部40和閃爍器10組成的層疊物。因此凹形地彎曲的閃爍器面板80和凸形加強(qiáng)構(gòu)件79被結(jié)合在一起，同時(shí)將未示出的粘合層夾在其間。閃爍器面板80和加強(qiáng)構(gòu)件79沿其間的貼合平面壓緊抵靠彼此，從而整合成一體，同時(shí)保持與彼此的緊密均勻接觸。從而形成了 X射線圖像檢測(cè)面板P30。當(dāng)彎曲的加強(qiáng)構(gòu)件79被壓緊抵靠閃爍器面板80時(shí)形成的排斥力有助于增加由閃爍體面板80和加強(qiáng)構(gòu)件79組成的層疊物的強(qiáng)度。因而，獲得的強(qiáng)度大于由加強(qiáng)構(gòu)件79和閃爍器面板80的材料和尺寸，比如厚度等確定的強(qiáng)度。加強(qiáng)構(gòu)件79被凸形地彎曲，而閃爍器面板80被凹形地彎曲。因此，當(dāng)以不同定向彎曲的構(gòu)件結(jié)合在一起時(shí)形成的排斥カ產(chǎn)生強(qiáng)度，由此構(gòu)件堆疊成的層疊物的強(qiáng)度可提高更大的程度。因?yàn)槿缟厦嫣岬降膹?qiáng)度可被増加，所以即便當(dāng)加強(qiáng)構(gòu)件79的厚度被減少時(shí)也可防止由閃爍器10的重量引起的閃爍器面板80的撓曲。具體地，加強(qiáng)構(gòu)件79被凸形地彎曲，由此在閃爍器10的X射線進(jìn)入側(cè)上出現(xiàn)的X輻射的吸收可減少更多，使得可提高圖像質(zhì)量。此外，因?yàn)榧訌?qiáng)構(gòu)件79的厚度是小的，所以被攝體和薄膜部40之間的距離可被縮短，由此可提高檢測(cè)靈敏度和MTF。作為結(jié)合在一起的凸形的加強(qiáng)構(gòu)件79和凹形的閃爍器面板80的結(jié)果而形成的X射線圖像檢測(cè)面板P30的形狀可為大體平坦的形狀或彎曲的，比如圖18所示的那些。盡管圖17所示的薄膜部40被凹形地彎曲，但是薄膜部40也可采取大體平坦的形狀。X射線圖像檢測(cè)面板P30的彎曲形狀(撓曲程度)可由加強(qiáng)構(gòu)件79的凸形形狀來(lái)控制。圖18是凹形地彎曲的X射線圖像檢測(cè)面板P30和朝X射線進(jìn)入側(cè)凸形地彎曲的頂板70A的示意圖。頂板70A和X射線圖像檢測(cè)面板P30壓緊抵靠彼此，由此頂板70A的排斥力和X射線圖像檢測(cè)面板P30的排斥力有助于強(qiáng)度的増加。因此，加強(qiáng)構(gòu)件79的厚度可被減小，且頂板70A和X射線圖像檢測(cè)面板P30的耐受負(fù)荷可得到増加。薄膜部40可甚至利用薄加強(qiáng)構(gòu)件79來(lái)充分地加強(qiáng)。關(guān)于將頂板70A結(jié)合到加強(qiáng)構(gòu)件79，考慮到返修的方便性來(lái)確定粘合劑的 粘合區(qū)域和粘合力使得可確保最小的所需粘合力。盡管X射線圖像檢測(cè)面板P30可被給定平坦的形狀，但是希望X射線圖像檢測(cè)面板P30形成為凹形形狀以便提高強(qiáng)度，且希望X射線圖像檢測(cè)面板P30被結(jié)合到凸形頂板70A。作為凸形頂板70A被結(jié)合到凹形X射線圖像檢測(cè)面板P30的結(jié)果而形成的層疊物可被給予大體平坦的形狀或彎曲的，比如圖6所示的那些。當(dāng)層疊物如圖16所示被彎曲，則可引起通過(guò)準(zhǔn)直儀(未顯示)從X射線源301發(fā)射的錐形的錐形束以準(zhǔn)直方式進(jìn)入閃爍器10的柱狀晶體12A(圖4)。由此，像素之間的串?dāng)_可減小，使得可提高圖像質(zhì)量。而且，因?yàn)閄射線圖像檢測(cè)面板P30被凹形地彎曲，所以還產(chǎn)生了頂板70A的表面在多個(gè)盒被堆疊地輸送時(shí)不易損傷的優(yōu)點(diǎn)。除去這些點(diǎn)，X射線成像盒310以與X射線成像盒100或X射線成像盒200相似的方式構(gòu)造。而且，也產(chǎn)生與上面提到的工作效果相似的工作效果。加強(qiáng)構(gòu)件79、閃爍器面板80、頂板70A和X射線圖像檢測(cè)面板P30如圖16至18所示的在方向X上從X輻射的行進(jìn)方向(即，方向“Z”)的一端向另ー側(cè)彎曲并且在方向“y”(垂直于圖紙的方向)上不彎曲。具體地，加強(qiáng)構(gòu)件79、閃爍器面板80、頂板70A和X射線圖像檢測(cè)面板P30分別地形成為具有大體C形剖面輪廓的通道構(gòu)件。各種方案可用于X射線成像裝置以獲得圖像。然而，當(dāng)通過(guò)在圖16至18中的方向“X”上穿過(guò)被攝體的X輻射的掃描強(qiáng)度和相差來(lái)形成圖像時(shí)，對(duì)于X射線圖像檢測(cè)面板P30的基本要求是僅在串?dāng)_造成問(wèn)題的方向“X”上彎曲。當(dāng)在方向“X”和“y”兩者上執(zhí)行掃描時(shí)，加強(qiáng)構(gòu)件79的各個(gè)構(gòu)件也可以在“X”和“y”方向兩者上彎曲。圖19顯示了可用圖2所示的薄膜部40替換的另ー薄膜部65。屬于薄膜部65的PD 651和TFT 652布置在同一平面內(nèi)或基本相同的平面內(nèi)。作為I3D 651和TFT 652并排布置在如上面提到的平面內(nèi)的結(jié)果，可使得薄膜部65更薄。由非晶氧化物半導(dǎo)體(a-IGZO)制成的TFT可用于圖2所示的薄膜部40和圖19所示的薄膜部65。a-IGZO的靈敏度為350nm或更大的波長(zhǎng)，且靈敏度幾乎無(wú)法在可見(jiàn)光范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)。因此，在TFT中不出現(xiàn)開關(guān)噪音?？杀苊庀騎FT提供光反射層的需要。有機(jī)材料也可用于和TFT。圖20顯示了具有由OPC (有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料)形成的光導(dǎo)層的光電轉(zhuǎn)換元件661和由有機(jī)材料形成的TFT662。包括光電轉(zhuǎn)換元件611和TFT662的薄膜部66也可用圖2所示的薄膜部40替換。用于光電轉(zhuǎn)換元件611和TFT 662的有機(jī)材料幾乎不吸收X輻射。因此，在穿過(guò)光電轉(zhuǎn)換元件611和TFT 662之后到達(dá)閃爍器10的X輻射的量可得到増加。當(dāng)發(fā)射綠光的CsI: Tl用于閃爍器時(shí)且當(dāng)TFT的透明有機(jī)材料為由例如在JP-A-2009-212389中描述的化學(xué)式I表示的酞菁化合物或由在JP-A-2009-212389中描述的化學(xué)式2表示的萘酞菁化合物時(shí)，在發(fā)光波長(zhǎng)范圍內(nèi)不顯示靈敏度。因此，在TFT中不出現(xiàn)開關(guān)噪音。在該情形中，光電轉(zhuǎn)換元件661的OPC優(yōu)選地為喹吖啶酮。由有機(jī)材料形成的光電轉(zhuǎn)換元件611和TFT 662也設(shè)置在同一平面上或基本上相同的平面上，如圖19所示。光電轉(zhuǎn)換元件，如PD，以及由非晶氧化物或有機(jī)材料形成的TFT，比如上面提到的那些，可被使得在比用于形成a-Si的溫度低的溫度下生長(zhǎng)。因而，加強(qiáng)構(gòu)件49的材料的選擇空間變得較寬且由樹脂制成的加強(qiáng)構(gòu)件變得可用。當(dāng)然，也可在圖19和20所示的薄膜部65和66上設(shè)置凸形加強(qiáng)構(gòu)件79。 7.可利用的裝置材料7-1. OPC(有機(jī)光電轉(zhuǎn)換)材料例如，在JP-A-2009-32854中公開的任何OPC(有機(jī)光電轉(zhuǎn)換)材料可用于前述的PD 41 (圖2)等。由OPC材料形成的膜(下文稱為OPC膜)可用作41的光導(dǎo)層。OPC膜包含吸收從閃爍器發(fā)射的光并產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于吸收的光的電荷的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料。因此，包含有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的OPC膜具有在可見(jiàn)光范圍內(nèi)的尖銳吸收光譜。除由閃爍器發(fā)射的光之外的電磁波幾乎不被OPC膜吸收。因此，可有效地抑制由放射線比如由OPC膜吸收的X射線產(chǎn)生的噪音。優(yōu)選地是，形成OPC膜的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長(zhǎng)較接近由閃爍器發(fā)射的光的峰值波長(zhǎng)以便更有效地吸收由閃爍器發(fā)射的光。理想地，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長(zhǎng)與由閃爍器發(fā)射的光的峰值波長(zhǎng)一致。然而，如果有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長(zhǎng)和由閃爍器發(fā)射的光的峰值波長(zhǎng)之間的差異較小，則由閃爍器發(fā)射的光可被令人滿意地吸收。具體地，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長(zhǎng)和由閃爍器響應(yīng)于放射線發(fā)射的光的峰值波長(zhǎng)之間的差異優(yōu)選地不大于10nm，更優(yōu)選地不大于5nm。能夠滿足這種條件的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的示例包括基于亞芳基的有機(jī)化合物、基于喹吖啶酮的有機(jī)化合物和基于酞菁的有機(jī)化合物。例如，在可見(jiàn)光范圍內(nèi)喹吖啶酮的吸收峰值波長(zhǎng)為560nm。因此，當(dāng)喹吖啶酮用作有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料且CsI (Tl)用作閃爍器的熒光材料時(shí)，前述提到的峰值波長(zhǎng)的差異可設(shè)定在5nm內(nèi)使得在OPC膜中產(chǎn)生的電荷的量可基本上増加到最大值。設(shè)置在ro 41的電荷收集電極和偏置電極之間的有機(jī)層的至少一部分由OPC膜形成。更具體地，有機(jī)層可由下述各部分的堆疊或混合形成用于吸收電磁波的部分、光電轉(zhuǎn)換部分、電子傳送部分、電子空穴傳送部分、電子阻擋部分、電子空穴阻擋部分、結(jié)晶防止部分、電極、夾層接觸改善部分等。優(yōu)選的是，有機(jī)層包含有機(jī)p型化合物或有機(jī)n型化合物。有機(jī)p型半導(dǎo)體(化合物)是主要由電子空穴傳送有機(jī)化合物表示的施主型有機(jī)半導(dǎo)體(化合物)，其表示具有容易供予電子的特性的有機(jī)化合物。更詳細(xì)而言，在彼此接觸地使用的兩種有機(jī)材料中，具有較低電離勢(shì)的ー個(gè)被稱為施主型有機(jī)化合物。因此，任何有機(jī)化合物可以被用作施主型有機(jī)化合物，只要該有機(jī)化合物具有供予電子的特性?？梢允褂玫氖┲餍陀袡C(jī)化合物的示例包括三芳胺化合物、聯(lián)苯胺化合物、吡唑啉化合物、苯こ烯胺化合物、腙化合物、三苯甲烷化合物、咔唑化合物、聚硅烷化合物、噻吩化合物、酞菁化合物、花菁化合物、部花菁化合物、氧雜菁(oxonol)化合物、聚胺化合物、吲哚化合物、吡咯化合物、吡唑化合物、聚芳撐化合物、稠合芳香族碳環(huán)化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、茈衍生物、熒蒽衍生物)、具有含氮雜環(huán)化合物作為配體的金屬絡(luò)合物等。施主型有機(jī)半導(dǎo)體不限于此，但是具有比用作n型(受主型)化合物的有機(jī)化合物低的電離勢(shì)的任何有機(jī)化合物可以被用作施主型有機(jī)半導(dǎo)體。n型有機(jī)半導(dǎo)體(化合物)是主要由電子傳送有機(jī)化合物表示的受主型有機(jī)半導(dǎo)體(化合物)，用于表示具有容易接受電子的特性的有機(jī)化合物。更具體地，當(dāng)彼此接觸地使用兩個(gè)有機(jī)化合物時(shí)，具有較高電子親和カ的該兩個(gè)有機(jī)化合物之一是受主型有機(jī)化合物，因此，任何有機(jī)化合物可以被用作受主型有機(jī)化合物，只要該有機(jī)化合物具有接受電子的特性。其示例包括稠合芳香碳環(huán)化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、茈衍生物、熒蒽衍生物)、包含氮原子、氧原子或硫原子的5元至7元雜環(huán)化合物(例如，吡唆、吡嗪、嘧唆、噠嗪、三嗪、喹啉、喹喔啉、喹唑啉、酞嗪、增啉、異喹啉、蝶啶、吖啶、吩嗪、鄰ニ氮雜菲、四唑、吡唑、咪唑、噻唑、卩惡唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并噁唑、苯并噻唑、咔唑、嘌呤、三唑并噠嗪、三唑并嘧啶、四氮雜茚J惡ニ唑、咪唑并吡啶、吡咯烷 (pyralidine)、吡咯并吡啶、噻ニ唑并吡啶、ニ苯并吖庚因、三苯并吖庚因等)、聚芳撐化合物、芴化合物、環(huán)戊ニ烯化合物、甲硅烷基化合物和具有含氮雜環(huán)化合物作為配體的金屬絡(luò)合物。受主型有機(jī)半導(dǎo)體不限于此。任何有機(jī)化合物可以被用作受主型有機(jī)半導(dǎo)體，只要該有機(jī)化合物具有比被用作施主型有機(jī)化合物的有機(jī)化合物高的電子親和力。關(guān)于p型有機(jī)染料或n型有機(jī)染料，可以使用任何已知的染料。其優(yōu)選的示例包括花菁染料、苯こ烯基染料、半花菁染料、部花菁染料(包括0-次甲基部花菁(簡(jiǎn)單的部花菁))、三核部花菁染料、四核部花菁染料、羅丹花菁(rhodacyanine)染料、復(fù)合花菁染料、復(fù)合部花菁染料、alopolar染料、氧雜菁染料、半氧雜菁(hemioxonol)染料、方酸'.:':染料、克酮酸!翁染料、吖次甲基染料、香豆素染料、亞芳基染料、蒽醌染料、三苯甲烷染料、偶氮染料、偶氮甲堿染料、螺環(huán)化合物、金屬茂絡(luò)合物染料、芴酮染料、俘精酸酐(flugide)染料、ニ萘嵌苯染料、吩嗪染料、吩噻嗪染料、醌染料、靛青染料、ニ苯基甲烷染料、多烯染料、吖啶染料、吖啶酮染料、ニ苯胺染料、喹吖啶酮染料、喹酞酮染料、吩P惡嗪染料、酞茈(phthaloperylene)染料、卩卜啉染料、葉綠素染料、酞菁染料、金屬絡(luò)合物染料和稠合芳香碳環(huán)染料(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、茈衍生物、熒蒽衍生物)?？梢詢?yōu)選地使用在ー對(duì)電極之間具有p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層的光電轉(zhuǎn)換膜(光敏層)，該P(yáng)型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的至少ー個(gè)是有機(jī)半導(dǎo)體，并且其中，將包括該p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的本體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)層設(shè)置為在那些半導(dǎo)體層之間的中間層。在該光電轉(zhuǎn)換膜中包括的本體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)層可以彌補(bǔ)有機(jī)層的載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度較短的缺陷。因此，可以提高光電轉(zhuǎn)換效率。在JP-A-2005-303266中詳細(xì)描述了該本體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的是，考慮到來(lái)白熒光器的光的吸收，光電轉(zhuǎn)換膜較厚?？紤]到對(duì)于電荷的分離作出任何貢獻(xiàn)的比率，光電轉(zhuǎn)換膜優(yōu)選地不薄于30nm并且不厚于300nm，更優(yōu)選地不薄于50nm并且不厚于250nm,特別優(yōu)選地不薄于80nm并且不厚于200nm。對(duì)于關(guān)于上述OPC膜的任何其他構(gòu)成，例如，參考在JP-A-2009-32854中的說(shuō)明。7-2.有機(jī)TFT (薄膜晶體管)盡管無(wú)機(jī)材料經(jīng)常用于前述TFT 42等，但是可采用比如在JP-A-2009-212389中公開的有機(jī)材料。有機(jī)TFT可具有任何類型的結(jié)構(gòu)，但是電場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)構(gòu)是最優(yōu)選的。在FET結(jié)構(gòu)中，基板布置在底層中，且柵極電極部分地設(shè)置在基板的上表面上。絕緣體層設(shè)置成覆蓋電極且在除電極之外的部分中接觸基板。進(jìn)ー步地，在絕緣體層的上表面上設(shè)置了半導(dǎo)體有源層，且在半導(dǎo)體有源層的上表面上部分地且相互相距一定距離地設(shè)置了源極電極和漏極電扱。該構(gòu)造被稱為頂接觸類型裝置。也可優(yōu)選地使用其中在半導(dǎo)體有源層下面布置了源極電極和漏極電極的底接觸類型裝置。此外，可采用其中載流子在有機(jī)半導(dǎo)體膜的厚度方向流動(dòng)的垂直晶體管結(jié)構(gòu)。(半導(dǎo)體有源層)P型有機(jī)半導(dǎo)體材料用作半導(dǎo)體有源層的材料。P型有機(jī)半導(dǎo)體材料基本上為無(wú)色的且透明的。例如，有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的厚度可通過(guò)針式厚度計(jì)來(lái)測(cè)量。具有不同厚度的多個(gè)薄膜可被制造且其吸收光譜可被測(cè)量，使得每30nm膜厚度的最大吸收可通過(guò)基于校準(zhǔn)曲線的轉(zhuǎn)換來(lái)獲得。 此處提到的有機(jī)半導(dǎo)體材料為顯示了作為半導(dǎo)體的性能的有機(jī)材料。有機(jī)半導(dǎo)體材料的示例包括輸送電子空穴作為載流子的P型有機(jī)半導(dǎo)體材料(或簡(jiǎn)單地稱為P型材料或稱為電子空穴傳輸材料)和輸送電子作為載流子的n型有機(jī)半導(dǎo)體材料(或簡(jiǎn)單地稱為n型材料或稱為電子傳輸材料)，類似于由無(wú)機(jī)材料形成的半導(dǎo)體。在有機(jī)半導(dǎo)體材料中，很多P型材料通常顯示良好的性能。此外，P型晶體管通常作為晶體管在大氣下在操作穩(wěn)定性方面是優(yōu)異的。此處，這里的描述針將對(duì)P型有機(jī)半導(dǎo)體材料來(lái)進(jìn)行。有機(jī)薄膜晶體管的性能之一是載流子遷移率(也簡(jiǎn)單地稱為遷移率)U，其表示有機(jī)半導(dǎo)體層中載流子的遷移率。盡管優(yōu)選的遷移率根據(jù)應(yīng)用而變化，但是較高的遷移率通常是優(yōu)選的。遷移率優(yōu)選地不低于I. 0*10_7cm2/Vs，更優(yōu)選地不低于I. 0*10_6cm2/Vs，進(jìn)ー步優(yōu)選地不低于I. 0*10_5cm2/Vs。當(dāng)制造場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)裝置時(shí)，可通過(guò)性能或TOF(飛行時(shí)間)測(cè)量來(lái)獲得遷移率。P型有機(jī)半導(dǎo)體材料可為低分子量材料或高分子量材料，但優(yōu)選地為低分子量材料。因?yàn)橄率鲈?，很多低分子量材料通常顯示優(yōu)異的性能由于在高度純化上的容易性，這是因?yàn)榭梢韵蚱鋺?yīng)用各種精制處理，諸如升華精制、重結(jié)晶、柱色譜法等；或者，因?yàn)樵诟叨扔行虻木w結(jié)構(gòu)的形成上的容易性，這是因?yàn)榈头肿恿坎牧暇哂泄潭ǖ姆肿咏Y(jié)構(gòu)。低分子量材料的分子量?jī)?yōu)選地不低于100且不高于5，000,更優(yōu)選地不低于150且不高于3，000，進(jìn)ー步更優(yōu)選地不低于200且不高于2，000。將顯示這種p型有機(jī)半導(dǎo)體材料的優(yōu)選的具體示例。Bu代表丁基，Pr代表丙基，Et代表こ基，而Ph代表苯基?；瘜W(xué)品I
權(quán)利要求
1.ー種放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其包括 放射圖像檢測(cè)設(shè)備主體，其包括閃爍器和光電探測(cè)単元，所述閃爍器將經(jīng)由被攝體發(fā)射的輻射轉(zhuǎn)變成熒光，所述光電探測(cè)單元設(shè)置在所述閃爍器的輻射進(jìn)入側(cè)上；以及 支持件，其設(shè)置在所述放射圖像檢測(cè)設(shè)備主體的輻射進(jìn)入側(cè)上以支持被攝體，其中 所述光電探測(cè)單元包括薄膜部和加強(qiáng)構(gòu)件，所述薄膜部將熒光檢測(cè)為電信號(hào)，所述加強(qiáng)構(gòu)件設(shè)置在所述薄膜部的相對(duì)于其面向所述閃爍器的ー側(cè)的另ー側(cè)上；并且 所述加強(qiáng)構(gòu)件和所述支持件結(jié)合在一起并沿其間的接合平面保持相 互緊密接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述加強(qiáng)構(gòu)件和所述薄膜部結(jié)合在一起；并且 施加在所述加強(qiáng)構(gòu)件和所述薄膜部之間的結(jié)合強(qiáng)度大于施加在所述加強(qiáng)構(gòu)件和所述支持件之間的結(jié)合強(qiáng)度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述加強(qiáng)構(gòu)件和所述薄膜部的相互相対的表面基本上整個(gè)地結(jié)合；并且 所述加強(qiáng)構(gòu)件的面向所述支持件的相對(duì)表面的一部分結(jié)合到所述支持件。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述加強(qiáng)構(gòu)件和所述薄膜部通過(guò)第一粘合劑結(jié)合在一起；并且 所述加強(qiáng)構(gòu)件和所述支持件通過(guò)第二粘合劑結(jié)合在一起，所述第二粘合劑的結(jié)合力小于所述第一粘合劑的結(jié)合力。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述加強(qiáng)構(gòu)件朝所述輻射進(jìn)入側(cè)凸形地彎曲；并且 所述加強(qiáng)構(gòu)件、所述薄膜部和所述閃爍器為平坦的或基本上平坦的，同時(shí)所述加強(qiáng)構(gòu)件和所述薄膜部保持結(jié)合在一起。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述加強(qiáng)構(gòu)件朝所述輻射進(jìn)入側(cè)凸形地彎曲；并且 所述加強(qiáng)構(gòu)件、所述薄膜部和所述閃爍器在與所述加強(qiáng)構(gòu)件的彎曲方向相反的方向上彎曲，同時(shí)所述加強(qiáng)構(gòu)件和所述薄膜部保持結(jié)合在一起。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述薄膜部和所述閃爍器在與所述加強(qiáng)構(gòu)件的彎曲方向相反的方向上彎曲；并且 彎曲的薄膜部和所述閃爍器以及凸形地彎曲的加強(qiáng)構(gòu)件結(jié)合在一起。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述加強(qiáng)構(gòu)件、所述薄膜部和所述閃爍器在與所述加強(qiáng)構(gòu)件的彎曲方向相反的方向上彎曲，同時(shí)所述加強(qiáng)構(gòu)件和所述薄膜部保持結(jié)合在一起； 所述支持件朝所述輻射進(jìn)入側(cè)凸形地彎曲；并且 所述加強(qiáng)構(gòu)件、所述薄膜部和所述閃爍器結(jié)合到所述支持件。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述加強(qiáng)構(gòu)件由X射線吸收材料形成，該X射線吸收材料的X射線吸收率低于玻璃材料的X射線吸收率；并且 所述加強(qiáng)構(gòu)件相對(duì)于在60kv的管電壓下發(fā)射的X輻射的Al當(dāng)量小于I. 8mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中當(dāng)使用所述支持件和所述加強(qiáng)構(gòu)件時(shí)相對(duì)于在60kV的管電壓下發(fā)射的X輻射的Al當(dāng)量小于I. 8mm。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述低X射線吸收材料為金屬(包括金屬化合物和合金)和/或樹脂。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述加強(qiáng)構(gòu)件包括樹脂層和設(shè)置在所述樹脂層的X射線進(jìn)入側(cè)上的由金屬制成的光反射層。
13.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述加強(qiáng)構(gòu)件為朝所述薄膜部反射從所述閃爍器發(fā)射的熒光的光反射構(gòu)件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述加強(qiáng)構(gòu)件和所述薄膜部結(jié)合在一起，同時(shí)粘合層被夾在所述加強(qiáng)構(gòu)件和所述薄膜部之間；并且 所述粘合層的厚度為100微米或更小。
15.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述薄膜部的至少一部分由非晶氧化物或有機(jī)材料形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述閃爍器包括由從熒光材料的晶體的柱狀生長(zhǎng)所得的ー組柱狀晶體形成的柱狀部。
17.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述加強(qiáng)構(gòu)件設(shè)置在所述薄膜部的已經(jīng)從其剝離了支持所述薄膜部的所述基板的表面上。
18.ー種放射攝影成像盒，其包括根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 放射圖像檢測(cè)設(shè)備主體容納在通過(guò)包含所述支持件而形成的殼體中。
19.ー種放射攝影成像系統(tǒng)，包括 輻射源，其向被攝體發(fā)射輻射； 支持件；以及 根據(jù)權(quán)利要求I至17中任一項(xiàng)所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備。
20.ー種放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其包括 閃爍器和光電探測(cè)単元，所述閃爍器將經(jīng)由被攝體發(fā)射的輻射轉(zhuǎn)變成熒光，所述光電探測(cè)單元設(shè)置在所述閃爍器的輻射進(jìn)入側(cè)上，其中 所述光電探測(cè)單元具有薄膜部和加強(qiáng)構(gòu)件，所述薄膜部用于將熒光檢測(cè)為電信號(hào)，所述加強(qiáng)構(gòu)件設(shè)置在薄膜部的相對(duì)于其面向所述閃爍器的一側(cè)的另ー側(cè)上；并且 所述加強(qiáng)構(gòu)件和用于支持被攝體的支持件結(jié)合在一起并沿其間的接合平面保持相互緊密接觸。
全文摘要
一種放射圖像檢測(cè)設(shè)備和放射攝影成像盒，包括放射圖像檢測(cè)設(shè)備主體，其包括閃爍器和光電探測(cè)單元，閃爍器將經(jīng)由被攝體發(fā)射的輻射轉(zhuǎn)變成熒光，光電探測(cè)單元設(shè)置在閃爍器的輻射進(jìn)入側(cè)上；以及支持件，其設(shè)置在放射圖像檢測(cè)設(shè)備主體的輻射進(jìn)入側(cè)上以支持被攝體，其中光電探測(cè)單元包括薄膜部和加強(qiáng)構(gòu)件，薄膜部將熒光檢測(cè)為電信號(hào)，加強(qiáng)構(gòu)件設(shè)置在薄膜部的相對(duì)于其面向閃爍器的一側(cè)的另一側(cè)上；并且加強(qiáng)構(gòu)件和支持件結(jié)合在一起并沿其間的接合平面保持相互緊密接觸。
文檔編號(hào)G01T1/202GK102650698SQ20121002166
公開日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2012年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月24日
發(fā)明者中津川晴康, 巖切直人 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社