專(zhuān)利名稱(chēng)：一種霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置，以在SOT23封裝測(cè)試時(shí)對(duì)量產(chǎn) 的霍爾芯片進(jìn)行磁通量的測(cè)試。
背景技術(shù)：
霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種，當(dāng)電流以垂直于外磁場(chǎng)的方向通過(guò)位于該磁場(chǎng)中 的導(dǎo)體時(shí)，在導(dǎo)體的垂直于磁場(chǎng)和電流方向的兩個(gè)端面之間會(huì)出現(xiàn)電勢(shì)差，這種現(xiàn)象叫 做霍爾效應(yīng)?；魻杺鞲衅骷词抢没魻栐诨魻栃?yīng)原理而將被測(cè)量的物理量(如 電流、磁場(chǎng)、位移、壓力等)轉(zhuǎn)換成電動(dòng)勢(shì)輸出的一種傳感器。其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，體積小， 無(wú)觸點(diǎn)，可靠性高，易微型化，因此，在測(cè)量技術(shù)中得到了廣泛的應(yīng)用。在霍爾產(chǎn)品的 生產(chǎn)過(guò)程中，需要對(duì)霍爾產(chǎn)品進(jìn)行磁通量的測(cè)試。目前在霍爾產(chǎn)品的磁通量測(cè)試中，通常通過(guò)對(duì)被測(cè)霍爾芯片施加外磁場(chǎng)的方法 實(shí)現(xiàn)對(duì)其磁通量的測(cè)試。一般采用雙線圈加磁和單線圈加磁兩種方法施加外磁場(chǎng)，雙線 圈加磁方法是將雙線圈安裝于測(cè)試夾具兩邊，將被測(cè)芯片平行放置于兩線圈之間(如圖 4所示)，兩線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)穿過(guò)被測(cè)芯片；而單線圈加磁方法是將線圈水平放置于水平 面上，將被測(cè)芯片平行放置于該線圈之上(如圖5所示)，單線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)穿過(guò)被測(cè)芯 片。在SOT23封裝測(cè)試中，由于傳統(tǒng)SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)并沒(méi)有安裝磁場(chǎng)，因此無(wú)法 對(duì)霍爾芯片進(jìn)行磁通量的測(cè)試。并且傳統(tǒng)的SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)的測(cè)試頭和吸嘴部分 都是導(dǎo)磁性材料制成的，因此即便在SOT23封裝測(cè)試中對(duì)霍爾芯片施加磁場(chǎng)以進(jìn)行磁通 量測(cè)試，前述所使用的導(dǎo)磁性材料會(huì)在加磁后被永久磁化，導(dǎo)致在不產(chǎn)生外加磁場(chǎng)的時(shí) 候，也會(huì)有剩磁出現(xiàn)，從而帶來(lái)測(cè)試偏差，產(chǎn)生誤判。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種可用于在SOT23封裝測(cè)試中實(shí)現(xiàn)磁通量測(cè)試的 霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置。本實(shí)用新型的一種用于SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置包 括測(cè)試支架；固定在所述測(cè)試支架的上端的測(cè)試座；設(shè)置在所述測(cè)試座中用于放置被測(cè) 霍爾芯片的測(cè)試夾具；與所述測(cè)試夾具電連接的多個(gè)金手指；位于所述金手指上方的蓋 板，所述金手指固定在所述蓋板與所述測(cè)試座之間；以及繞在所述測(cè)試支架上的線圈。此外，所述線圈為單線圈。所述測(cè)試夾具的高度與所述線圈的上端表面齊平。 所述測(cè)試支架為鋁制測(cè)試支架。所述測(cè)試夾具為銅制測(cè)試夾具。所述測(cè)試座為環(huán)氧樹(shù)脂 制成的測(cè)試座。所述蓋板為環(huán)氧樹(shù)脂制成的蓋板。所述測(cè)試座通過(guò)玻璃螺絲固定在所述 測(cè)試支架上。所述金手指通過(guò)玻璃螺絲固定在所述蓋板與所述測(cè)試座之間。通過(guò)本實(shí)用新型的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置對(duì)傳統(tǒng)SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)進(jìn)行 加磁，以在SOT23封裝測(cè)試中實(shí)現(xiàn)對(duì)霍爾芯片的磁通量測(cè)試。
圖1示出了本實(shí)用新型的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置的示意圖。圖2示出了使用本實(shí)用新型霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置的轉(zhuǎn)盤(pán)式測(cè)試分選機(jī)的整 體結(jié)構(gòu)示意圖。圖3示出了圖2中的測(cè)試分選機(jī)的轉(zhuǎn)盤(pán)部分的正視圖。圖4示出了采用雙線圈進(jìn)行加磁的示意圖。圖5示出了采用單線圈進(jìn)行加磁的示意圖。附圖標(biāo)記1、測(cè)試裝置 2、測(cè)試座3、測(cè)試夾具 4、線圈5、金手指 6、蓋板7、螺絲8、螺絲9、測(cè)試支架 10、分選機(jī)11、轉(zhuǎn)盤(pán) 12、吸嘴13、底座 14、工作臺(tái)
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖與實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。如圖1所示，示出了根據(jù)本實(shí)用新型的用于SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)的霍爾芯片 磁通量測(cè)試裝置1。該測(cè)試裝置1包括一測(cè)試支架9 (如圖2所示)，在該測(cè)試支架上繞 有一線圈4，且在該測(cè)試支架的上端安裝有一測(cè)試座2，測(cè)試座2通過(guò)螺絲8固定在測(cè)試 支架上。在該測(cè)試座2中設(shè)有一用于放置被測(cè)霍爾芯片的測(cè)試夾具3。該測(cè)試裝置1還 包括與測(cè)試夾具3電連接以便與放置在該測(cè)試夾具3中的被測(cè)芯片的各引腳分別電性接觸 的兩排金手指5，所述金手指即是被測(cè)芯片引腳與外部測(cè)試線路的連接部件，所有的信號(hào) 都是通過(guò)金手指進(jìn)行傳送的。金手指由眾多金黃色的導(dǎo)電觸片組成，因其表面鍍金而且 導(dǎo)電觸片排列如手指狀，所以稱(chēng)為“金手指”。金手指實(shí)際上是在覆銅板上通過(guò)特殊工 藝再覆上一層金，因?yàn)榻鸬目寡趸詷O強(qiáng)，而且傳導(dǎo)性也很強(qiáng)。此外，該測(cè)試裝置1還 包括分別位于兩排金手指5上方的兩個(gè)蓋板6，每個(gè)金手指5分別通過(guò)一個(gè)螺絲7固定在 測(cè)試座2與蓋板6之間。在本實(shí)用新型中，通過(guò)對(duì)傳統(tǒng)SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)加磁而實(shí)現(xiàn)對(duì)霍爾芯片磁 通量的測(cè)試。在該測(cè)試裝置1中采用的線圈4為單線圈。SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)采用轉(zhuǎn) 盤(pán)式的結(jié)構(gòu)，如圖2所示，該測(cè)試分選機(jī)包括工作臺(tái)14，位于工作臺(tái)14上的底座13，測(cè) 試裝置1通過(guò)其測(cè)試支架9安裝在底座13上，以及位于該測(cè)試裝置1上方的轉(zhuǎn)盤(pán)11 (如 圖3所示)，轉(zhuǎn)盤(pán)11中設(shè)有多個(gè)沿其圓周均勻分布的吸嘴12。各被測(cè)芯片通過(guò)吸嘴12 依次被送至測(cè)試裝置1的測(cè)試夾具3上，此種測(cè)試分選機(jī)的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致不能采用雙線圈加磁 方法對(duì)SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)進(jìn)行加磁。因此，在本實(shí)用新型中，采用了單線圈加磁方 法對(duì)SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)進(jìn)行加磁。在本實(shí)用新型中，將單線圈4的兩個(gè)接頭接入測(cè)試儀(圖未示)中，可由測(cè)試儀 改變線圈4的輸入電流的大小，來(lái)控制該線圈4產(chǎn)生的外加磁場(chǎng)的磁通量的大小。單線
4圈4產(chǎn)生的磁場(chǎng)在該線圈的圓心內(nèi)部為一個(gè)垂直于線圈橫截面的均勻磁場(chǎng)，距離線圈表 面越遠(yuǎn)磁場(chǎng)將衰減越快，形成的磁力線為曲線，將不再是垂直于線圈表面。所以，被測(cè) 霍爾芯片的表面與線圈表面平行并靠近于線圈圓心內(nèi)部將會(huì)得到一個(gè)很好的磁場(chǎng)提供給 霍爾芯片。本實(shí)施例中該測(cè)試裝置1設(shè)置為使測(cè)試夾具3的高度與線圈4的上端齊平， 以當(dāng)被測(cè)霍爾芯片通過(guò)轉(zhuǎn)盤(pán)11中的吸嘴12放置在測(cè)試夾具3中并壓緊以跟金手指5接觸 良好時(shí)，該芯片下表面與線圈4上端表面齊平。此裝置完全做到在進(jìn)行霍爾芯片磁通量 測(cè)試時(shí)使外加磁場(chǎng)垂直通過(guò)霍爾芯片，做到最精確的磁感應(yīng)強(qiáng)度測(cè)量。其具體的磁通量 測(cè)試原理如下給被測(cè)霍爾芯片的輸入腳加上一個(gè)高電平，此時(shí)該芯片的輸出腳也為高 電平，然后對(duì)線圈4通電以給該霍爾芯片加上外加磁場(chǎng)，該外加磁場(chǎng)由小變大，當(dāng)輸出 腳電平由高變低時(shí)，這個(gè)點(diǎn)的磁場(chǎng)強(qiáng)度即為所需測(cè)的工作點(diǎn)磁場(chǎng)強(qiáng)度，然后減小磁場(chǎng)， 當(dāng)輸出腳電平由低變高時(shí)，這個(gè)點(diǎn)的磁場(chǎng)強(qiáng)度即為所需測(cè)的釋放點(diǎn)磁場(chǎng)強(qiáng)度，工作點(diǎn)磁 場(chǎng)強(qiáng)度與釋放點(diǎn)磁場(chǎng)強(qiáng)度之間的差值即為該霍爾芯片的磁寬。在該測(cè)試中，將測(cè)得的磁 寬和測(cè)試規(guī)范比較是否在量程內(nèi)，若在測(cè)試規(guī)范范圍內(nèi)則為合格的霍爾芯片，否則即為 不合格的霍爾芯片。在霍爾芯片磁通量測(cè)試中，傳統(tǒng)測(cè)試分選機(jī)測(cè)試頭所用的導(dǎo)磁材料會(huì)因施加外 加磁場(chǎng)而被永久磁化，當(dāng)線圈不產(chǎn)生磁場(chǎng)時(shí)，也會(huì)有剩磁出現(xiàn)。而在本實(shí)用新型的測(cè)試 裝置1中，用于供線圈4纏繞的測(cè)試支架9是用非導(dǎo)磁性材料鋁制成。用于放置霍爾芯 片的測(cè)試夾具3是用非導(dǎo)磁性材料銅制成。設(shè)有測(cè)試夾具3的測(cè)試座2以及位于金手指5 上方的蓋板6都是用非導(dǎo)電材料環(huán)氧樹(shù)脂制成。且用于將金手指5固定于蓋板6與測(cè)試 座2之間的螺絲7，及固定測(cè)試座2于測(cè)試支架9上的螺絲8都是用玻璃材料制成。因 此，本實(shí)用新型采用非導(dǎo)磁性材料對(duì)測(cè)試裝置的部分部件進(jìn)行了無(wú)磁化改造，消除了剩 磁現(xiàn)象，減少了測(cè)試偏差和誤判，可獲得準(zhǔn)確的磁通量測(cè)試。以上實(shí)施例僅用于說(shuō)明但不限制本實(shí)用新型。在權(quán)利要求的范圍內(nèi)本實(shí)用新型 還有多種變形和改進(jìn)。凡是依據(jù)本實(shí)用新型的權(quán)利要求書(shū)及說(shuō)明書(shū)內(nèi)容所作的簡(jiǎn)單、等 效變化與修飾，皆落入本實(shí)用新型專(zhuān)利的權(quán)利要求保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種用于SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置(1)，其特征在于，所 述裝置⑴包括測(cè)試支架(9)；固定在所述測(cè)試支架的上端的測(cè)試座(2)；設(shè)置在所述測(cè)試座(2)中用于放置被測(cè)霍爾芯片的測(cè)試夾具(3)；與所述測(cè)試夾具(3)電連接的多個(gè)金手指(5)；位于所述金手指(5)上方的蓋板(6)，所述金手指(5)固定在所述蓋板(6)與所述測(cè) 試座⑵之間；以及繞在所述測(cè)試支架(9)上的線圈(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置(1)，其特征在于，所述線圈(4) 為單線圈。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置(1)，其特征在于，所述測(cè)試夾具 (3)的高度與所述線圈(4)的上端表面齊平。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置(1)，其特征在于，所述測(cè)試支架 (9)為鋁制測(cè)試支架。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置(1)，其特征在于，所述測(cè)試夾具 (3)為銅制測(cè)試夾具。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置(1)，其特征在于，所述測(cè)試座 (2)為環(huán)氧樹(shù)脂制成的測(cè)試座。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置(1)，其特征在于，所述蓋板(6) 為環(huán)氧樹(shù)脂制成的蓋板。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置(1)，其特征在于，所述測(cè)試座 (2)通過(guò)玻璃螺絲(8)固定在所述測(cè)試支架(9)上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置(1)，其特征在于，所述金手指 (5)通過(guò)玻璃螺絲(7)固定在所述蓋板(6)與所述測(cè)試座(2)之間。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種用于SOT23封裝測(cè)試分選機(jī)的霍爾芯片磁通量測(cè)試裝置(1)，其特征在于，所述裝置(1)包括測(cè)試支架(9)；固定在所述測(cè)試支架的上端的測(cè)試座(2)；設(shè)置在所述測(cè)試座(2)中用于放置被測(cè)霍爾芯片的測(cè)試夾具(3)；與所述測(cè)試夾具(3)電連接的多個(gè)金手指(5)；位于所述金手指(5)上方的蓋板(6)，所述金手指(5)固定在所述蓋板(6)與所述測(cè)試座(2)之間；以及繞在所述測(cè)試支架(9)上的線圈(4)。通過(guò)本實(shí)用新型可在SOT23封裝測(cè)試中對(duì)霍爾芯片進(jìn)行磁通量測(cè)試。
文檔編號(hào)G01R33/07GK201804094SQ20102022782
公開(kāi)日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2010年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月13日
發(fā)明者楊連宏, 羅立權(quán) 申請(qǐng)人:燦瑞半導(dǎo)體(上海)有限公司