專利名稱：錄射線軟板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種錄射線軟板。
背景技術(shù)：
人類至今還不知道人類的疾病和人類的壽命的長(zhǎng)短是和氣功遠(yuǎn)距離射線有關(guān)。我 談了多次，人類還沒有行動(dòng)，人類沒有阻止氣功遠(yuǎn)距離射線的任何項(xiàng)目，沒有任何阻止氣功 遠(yuǎn)距離射線的產(chǎn)品。我呼吁氣功遠(yuǎn)距離中微子射線可以連接2個(gè)人的大腦磁場(chǎng)，可以相互 傳達(dá)2個(gè)人的大腦思考內(nèi)容。為了高科技數(shù)據(jù)服人，我發(fā)明了錄射線軟板。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題錄射線軟板。解決的技術(shù)問題采用的技術(shù)方案錄射線軟板，包括軟板，測(cè)錄板，交叉點(diǎn)連接框， 主機(jī)板，處理器，存儲(chǔ)器，電阻器，電容器及匹配器件，顯示器，語(yǔ)音提示裝置等，其特征是軟 板和測(cè)錄板連接，測(cè)錄板和主機(jī)板連接，測(cè)錄板后面的各個(gè)交叉點(diǎn)和主機(jī)板上的電子放大 線路連接，電子放大線路與集合器連接，集合器與處理器連接，處理器與存儲(chǔ)器連接，主機(jī) 板與顯示器連接，主機(jī)板與語(yǔ)音提示連接，主機(jī)板和電腦系統(tǒng)、連網(wǎng)系統(tǒng)連接。錄射線軟板的第一層為8微米以下密度的納米軟板，對(duì)8微米以上射線進(jìn)行阻止。 二層為測(cè)錄板，對(duì)8微米以上射線進(jìn)行傳感。三層為主機(jī)板和后板。主機(jī)板上安置處理器，存儲(chǔ)器，電阻器，電容器及匹配器件和各種連接線路各種接□。測(cè)錄板的靈敏度在8微米以上，射線接觸錄射線軟板，測(cè)錄板的傳感材料發(fā)出傳 感信號(hào)，傳感信號(hào)通過電子放大線路，進(jìn)行放大及處理，處理射線侵入的形狀，力度，時(shí)間， 并轉(zhuǎn)入存儲(chǔ)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和驅(qū)動(dòng)顯示器顯示數(shù)據(jù)。第一層納米軟板，第二層測(cè)錄板，第三層主機(jī)板和后板是螺絲連接，粘合連接，嵌 套連接。錄射線軟板可以對(duì)氣功遠(yuǎn)距離射線8微米以上射線進(jìn)行測(cè)錄。錄射線軟板可以拼接，錄射線軟板的形狀、大小、層數(shù)不限制。錄射線軟板的4個(gè)角有螺絲孔，可以在任何場(chǎng)所安置。


圖1是錄射線軟板主視圖。圖2是錄射線軟板第二層示意圖。圖3是錄射線軟板主要線路示意圖。
具體實(shí)施例方式下面對(duì)錄射線軟板作進(jìn)一步說明
3
圖1所示，第一層納米軟板，納米軟板是納米結(jié)構(gòu)簿膜，經(jīng)過多層的疊置厚片，中 間用硬納米拼塊，密度在8微米以下，或者硅橡膠軟板，硅橡膠軟板是醫(yī)用防X射線橡膠層 片，加上硅納米粒子致密，密度在8微米以下，都對(duì)8微米以上射線進(jìn)行阻止或者部分阻止。圖2所示，測(cè)錄板，測(cè)錄板鍍金屬基片上電沉積納米晶，在第一層納米軟板的后面 制作鍍層化學(xué)針尖，化學(xué)針尖和測(cè)錄板鍍金屬基片上電沉積納米晶微米隔離，當(dāng)8微米以 上射線經(jīng)過移動(dòng)第一層軟板時(shí)，導(dǎo)致第一層納米軟板的后面化學(xué)針尖和測(cè)錄板鍍金屬基片 上電沉積納米晶不規(guī)則接觸，納米晶上每產(chǎn)生一個(gè)電子注入或移出，都要增加一個(gè)測(cè)錄板 上交叉點(diǎn)微電壓。測(cè)錄板的后面的交叉點(diǎn)密度不限制。圖3所示，1是電子放大線路，測(cè)錄板上交叉點(diǎn)的傳感信號(hào)輸入，經(jīng)過前置放大、中 間級(jí)放大、后級(jí)放大后，進(jìn)入集合器。2是集合器，對(duì)每一個(gè)交叉點(diǎn)的電子線路進(jìn)行轉(zhuǎn)換電 平、編碼并連接處理器。3是處理器對(duì)輸入電平進(jìn)行計(jì)數(shù)、統(tǒng)計(jì)；對(duì)每一個(gè)交叉點(diǎn)的電子線 路編碼進(jìn)行處理。4是顯示器，處理器與顯示器連接，處理器處理的各種不同的數(shù)據(jù)送顯示 器顯示。5是處理器連接存 儲(chǔ)器，處理器處理的各種不同的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)入存儲(chǔ)器各個(gè)單元存儲(chǔ)。 6是語(yǔ)音提示裝置，預(yù)編程各語(yǔ)音編碼，處理器連接語(yǔ)音提示裝置，處理器處理不同數(shù)據(jù)對(duì) 應(yīng)各語(yǔ)音編碼，發(fā)出各種語(yǔ)音提示。7是數(shù)據(jù)線接口和USB接口。通過第一層軟板壓到測(cè)錄板上的各個(gè)交叉點(diǎn)不同，顯示侵入射線的形狀記錄。通 過從開始傳感到結(jié)束傳感對(duì)侵入射線的時(shí)間記錄。通過電子注入或移出的活躍數(shù)量，壓到 測(cè)錄板上的交叉點(diǎn)的數(shù)量多少，對(duì)侵入射線的力度記錄。
權(quán)利要求
錄射線軟板，包括軟板，測(cè)錄板，交叉點(diǎn)連接框，主機(jī)板，處理器，存儲(chǔ)器，電阻器，電容器及匹配器件，顯示器，語(yǔ)音提示裝置等，其特征是軟板和測(cè)錄板連接，測(cè)錄板和主機(jī)板連接，測(cè)錄板后面的各個(gè)交叉點(diǎn)和主機(jī)板上的電子放大線路連接，電子放大線路與集合器連接，集合器與處理器連接，處理器與存儲(chǔ)器連接，主機(jī)板與顯示器連接，主機(jī)板與語(yǔ)音提示連接，主機(jī)板和電腦系統(tǒng)、連網(wǎng)系統(tǒng)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錄射線軟板，其特征是錄射線軟板的第一層為8微米以下密 度的納米軟板，對(duì)8微米以上射線進(jìn)行阻止，二層為測(cè)錄板，對(duì)8微米以上射線進(jìn)行傳感，三 層為主機(jī)板和后板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錄射線軟板，其特征是化學(xué)針尖和測(cè)錄板鍍金屬基片上電沉 積納米晶微米隔離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錄射線軟板，其特征是錄射線軟板的4個(gè)角有螺絲孔。
全文摘要
本發(fā)明公開一種錄射線軟板，包括軟板，測(cè)錄板，交叉點(diǎn)連接框，主機(jī)板，處理器，存儲(chǔ)器，電阻器，電容器及匹配器件，顯示器，語(yǔ)音提示裝置等，其特征是軟板和測(cè)錄板連接，測(cè)錄板和主機(jī)板連接，測(cè)錄板后面的各個(gè)交叉點(diǎn)和主機(jī)板上的電子放大線路連接，電子放大線路與集合器連接，集合器與處理器連接，處理器與存儲(chǔ)器連接，主機(jī)板與顯示器連接，主機(jī)板與語(yǔ)音提示連接，主機(jī)板和電腦系統(tǒng)、連網(wǎng)系統(tǒng)連接。
文檔編號(hào)G01T1/16GK101876711SQ20091005043
公開日2010年11月3日 申請(qǐng)日期2009年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月30日
發(fā)明者張國(guó)成 申請(qǐng)人:張國(guó)成