專利名稱：用共振散射光譜測(cè)定CdTe量子點(diǎn)粒徑的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及CdTe量子點(diǎn)的表征方法，具體地說(shuō)是一種用共振散射光譜測(cè)定 CdTe量子點(diǎn)粒徑的方法。
背景技術(shù)：
量子點(diǎn)(Quantum Dots )又稱半導(dǎo)體納米晶體(Semiconductor Nanocrystal)，是一種發(fā)光納米顆粒，與傳統(tǒng)的有機(jī)熒光染料相比，量子點(diǎn)具 有激發(fā)光譜寬，且連續(xù)分布，而發(fā)射光譜呈對(duì)稱分布，且寬度窄、顏色可調(diào)、 光化學(xué)穩(wěn)定性高、不易光解等優(yōu)良的光學(xué)特性，已被用于發(fā)光二極管、納米激 光器等研究領(lǐng)域，而它作為熒光標(biāo)識(shí)在醫(yī)學(xué)、臨床檢驗(yàn)學(xué)、免疫學(xué)、生物學(xué)等 研究領(lǐng)域中的潛在應(yīng)用前景已引起國(guó)際科學(xué)界的廣泛關(guān)注。目前，CdTe量子點(diǎn) 的制備分有機(jī)溶劑相和水溶劑相兩種。有機(jī)溶劑合成的CdTe量子點(diǎn)，其制備條 件比較苛刻，成本較高，給推廣應(yīng)用帶來(lái)了一定的困難；水相合成的半導(dǎo)體納 米晶體具有成本低、污染小、易批量生產(chǎn)等優(yōu)勢(shì)，不僅能直接用于生物標(biāo)記， 而且通過(guò)對(duì)量子點(diǎn)的表面進(jìn)行功能修飾，也可應(yīng)用于重金屬離子的檢測(cè)，因而 水相合成倍受關(guān)注。因此，建立一種快速、簡(jiǎn)便表征CdTe量子點(diǎn)粒徑的方法具 有很高的應(yīng)用價(jià)值。目前常采用X射線光電子能譜(XPS)、透射電子顯微鏡(TEM)、 隧道顯微鏡(STM)、 X射線衍射儀(XRD)、紅外吸收光譜(FTIR)、紫外吸收光 譜、熒光光譜等來(lái)表征CdTe量子點(diǎn)的光譜特性、形貌、晶型和結(jié)構(gòu)。但尚未見(jiàn) 用共振散射光譜法對(duì)CdTe量子點(diǎn)粒徑進(jìn)行表征的報(bào)導(dǎo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是要提供一種既操作簡(jiǎn)單、快速、成本低，又具有較好應(yīng)用 價(jià)值的用共振散射光譜測(cè)定CdTe量子點(diǎn)粒徑的方法。
本發(fā)明的目的采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)
用共振散射光譜測(cè)定CdTe量子點(diǎn)粒徑的方法，其特征是包括如下步驟在 常溫下將CdTe溶液于帶刻度的容器中，用亞沸高純度水定容，定容后的溶液放 入石英池中，置于熒光分光光度計(jì)上，用Volt=500v ，
Ex.mono. Slit二Em.mono. Slit=5. 0nm，同步掃描激發(fā)波長(zhǎng)人ex和發(fā)射波長(zhǎng)入em (入ex二入em)，得到CdTe納米微粒的同步散射光譜，即CdTe量子點(diǎn)粒徑的共 振散射光譜。因波長(zhǎng)A與ln(d)存在較好的線性關(guān)系，據(jù)此只要測(cè)得其共振散射 峰波長(zhǎng)，據(jù)入^148.371n(d)+418.08，即可求得其粒徑(d)。
本發(fā)明用共振散射光譜測(cè)定CdTe量子點(diǎn)粒徑的方法的優(yōu)點(diǎn)在于 (1)操作簡(jiǎn)便、快速，只要測(cè)得CdTe量子點(diǎn)的共振散射峰波長(zhǎng)A，據(jù)入 二148.371n(d)+418.08，可求得其粒徑(d); (2)具有較好的應(yīng)用價(jià)值。


圖1是本發(fā)明粒徑為3. 8nm的CdTe量子點(diǎn)的共振散射光譜圖2是本發(fā)明粒徑為4. Onm的CdTe量子點(diǎn)的共振散射光譜圖3是本發(fā)明CdTe量子點(diǎn)的共振散射波長(zhǎng)與粒徑的關(guān)系圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述
一種用共振散射光譜測(cè)定CdTe量子點(diǎn)粒徑的方法，包括如下操作步驟
(1) 移取l.Oml的1.8X10—W L"CdTe溶液于5. Oml帶刻度的試管中， 用亞沸高純水定容至2.0ml。
(2) 移取溶液于石英池中，置于熒光分光光度計(jì)上，用Volt二500v， Ex. mono. Slit=Em. mono. Slit=5. Onm，同步掃描激發(fā)波長(zhǎng)A ex和發(fā)射波長(zhǎng)入em
(入ex二入em )，得到CdTe量子點(diǎn)的共振同歩散射光譜。利用入 二148. 371n(d)+418. 08，求得CdTe量子點(diǎn)的粒徑。
圖1、 2中顯示粒徑為3. 8nm的CdTe量子點(diǎn)在597nm處有一共振散射峰； 而粒徑為4.0nm的CdTe量子點(diǎn)在622nm處有一共振散射峰；結(jié)果表明，不僅共 振散射波長(zhǎng)與CdTe量子點(diǎn)粒徑的對(duì)數(shù)存在較好的線性關(guān)系(如圖3所示)，而 且同一粒徑的CdTe量子點(diǎn)，共振散射強(qiáng)度與CdTe量子點(diǎn)的濃度也有良好的線 性關(guān)系。因此，測(cè)得CdTe量子點(diǎn)的共振散射波長(zhǎng)，便可測(cè)得CdTe量子點(diǎn)的粒 徑。
權(quán)利要求
1.用共振散射光譜測(cè)定CdTe量子點(diǎn)粒徑的方法，其特征是包括如下步驟(1)在常溫下將CdTe溶液于帶刻度的容器中，用亞沸高純度水定容；(2)移取溶液放入石英池中，置于熒光分光光度計(jì)上，用Volt＝500v，Ex.mono.Slit＝Em.mono.Slit＝5.0nm，同步掃描激發(fā)波長(zhǎng)λex和發(fā)射波長(zhǎng)λem，得到CdTe量子點(diǎn)的共振散射光譜。(3)利用共振散射波長(zhǎng)和CdTe量子點(diǎn)粒徑的線性關(guān)系，求得CdTe量子點(diǎn)粒徑即可。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)定CdTe量子點(diǎn)粒徑的方法，其特征是禾廿用 CdTe量子點(diǎn)的共振散射波長(zhǎng)A =148. 371n(d)+418. 08，而求得CdTe量子點(diǎn)的粒
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用共振散射光譜測(cè)定CdTe量子點(diǎn)粒徑的方法，它是在常溫下將CdTe溶液于帶刻度的容器中，用亞沸高純度水定容；將定容后的溶液放入石英池中，置于熒光分光光度計(jì)上，用Volt＝500v，Ex.mono.Slit＝Em.mono.Slit＝5.0nm，同步掃描激發(fā)波長(zhǎng)λex和發(fā)射波長(zhǎng)λem(λex＝λem)，即得到CdTe量子點(diǎn)的共振散射光譜，利用共振散射波長(zhǎng)和CdTe量子點(diǎn)粒徑的線性關(guān)系，求得CdTe量子點(diǎn)粒徑。這種用共振散射光譜測(cè)定CdTe量子粒徑的方法優(yōu)點(diǎn)在于(1)操作簡(jiǎn)便、快速，只要測(cè)得CdTe量子點(diǎn)的共振散射峰波長(zhǎng)λ，據(jù)λ＝148.37ln(d)+418.08，可求得其粒徑(d)；(2)具有較好的應(yīng)用價(jià)值。
文檔編號(hào)G01N15/00GK101196461SQ20071004870
公開日2008年6月11日 申請(qǐng)日期2007年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月17日
發(fā)明者張聲森, 王素梅, 蔣治良 申請(qǐng)人:廣西師范大學(xué)