專利名稱：多晶Fe的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多晶Fe3O4薄膜材料及其制備方法，它具有較高室溫磁電阻數(shù)值的多晶Fe3O4薄膜及其在室溫條件下的制備方法。
背景技術(shù)：
自1988年法國(guó)科學(xué)家A.Fert的研究組發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻(giant magnetoresistance，GMR)效應(yīng)以來，由于巨磁電阻材料具有高磁場(chǎng)靈敏度，因此很快被廣泛應(yīng)用到計(jì)算機(jī)讀出磁頭、微弱磁場(chǎng)檢測(cè)、位置檢測(cè)等等磁敏傳感器件，涉及信息技術(shù)、醫(yī)學(xué)、化學(xué)、生物等學(xué)科領(lǐng)域。特別是最近10多年來，對(duì)磁電阻材料的應(yīng)用開發(fā)取得迅速的進(jìn)展，收到明顯的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。
巨磁電阻效應(yīng)來源于電子傳輸過程中的與自旋相關(guān)的散射效應(yīng)或隧穿效應(yīng)，它與相鄰磁性單元的磁化強(qiáng)度的相對(duì)取向以及傳導(dǎo)電子的自旋極化率有關(guān)。在磁性隧道結(jié)或磁性金屬—絕緣體顆粒系統(tǒng)的巨磁電阻效應(yīng)中，電子的輸運(yùn)機(jī)制是隧道效應(yīng)，這種巨磁電阻效應(yīng)通常也被稱為隧穿型磁電阻(tunnel magnetoresistance，TMR)。隧穿型磁電阻效應(yīng)正比于鐵磁材料的自旋極化率，具有高磁電阻數(shù)值。因此，尋找并成功制備具有高自旋極化率的磁性材料是目前該領(lǐng)域最為活躍的研究課題之一。
Fe3O4、CrO2、LaSrMnO、NiMnSb等材料的能帶結(jié)構(gòu)介于金屬和絕緣體之間，被稱為半金屬(half-metal)材料。對(duì)于一個(gè)自旋方向，半金屬材料的能帶結(jié)構(gòu)具有金屬特性，在費(fèi)米面附近具有一定的態(tài)密度；而對(duì)另一種自旋方向，其能帶結(jié)構(gòu)具有絕緣體特性，在費(fèi)米面附近態(tài)密度為零或電子是局域化的，因此，半金屬材料應(yīng)具有100％的自旋極化率和最高的磁電阻數(shù)值。
在已知的半金屬材料中，F(xiàn)e3O4具有850K的最高的高居里溫度，此外，F(xiàn)e3O4還具有晶體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、相結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、比金屬材料耐氧化、在10nm以下仍能嚴(yán)格保持其化學(xué)配比和結(jié)構(gòu)、制備成本低等優(yōu)點(diǎn)，成為磁記錄讀出磁頭、磁隨機(jī)存儲(chǔ)器等磁電子學(xué)器件材料的首選材料。
目前，文獻(xiàn)報(bào)道的Fe3O4薄膜的制備方法有多種，從制備原材料的類型上可分為先制備鐵膜，然后氧化成Fe3O4薄膜；在氧氣氣氛下蒸發(fā)或?yàn)R射鐵材料直接制備Fe3O4薄膜；以及直接蒸發(fā)或?yàn)R射Fe3O4材料形成Fe3O4薄膜等三類。從所用的設(shè)備類型上，制備Fe3O4薄膜的方法可分為脈沖激光沉積、分子束外延、磁控濺射、電子束蒸發(fā)等，見表1。在上述制備Fe3O4薄膜的方法中，所使用的基片絕大多數(shù)是單晶材料，制備溫度在250℃以上，而且制備工藝復(fù)雜，條件較難控制。例如，表1中文獻(xiàn)[J.P.Hong，S.B.Lee，Y.W.Jung，et.al.，Appl.Phys.Lett.83，2003，p1590]采用的雙射頻磁控濺射法，必須在真空室外部增加輔助的射頻電源，才能制備出Fe3O4薄膜。再例如，表1中文獻(xiàn)[Y.X.Lu，J.S.Claydon，Y.B.Xu，et.al.，Phys.Rev.B 70，p233304-1～4(2004)]采用了先制備鐵膜，然后在氧氣氣份和高于200℃條件下氧化的方法才能得到Fe3O4薄膜。而且，上述文獻(xiàn)沒有涉及具體的制備方法。
表1文獻(xiàn)中報(bào)道的Fe3O4薄膜中的幾種制備方法

作為磁電阻器件材料應(yīng)用的Fe3O4薄膜，其制備方法必須與半導(dǎo)體工藝相容，其中制備溫度要求小于300℃。另外，磁電阻效應(yīng)是材料的一種非本征性能，其大小與材料界面或顆粒邊界密切相關(guān)，例如塊體的Fe3O4單晶的磁電阻數(shù)值接近于零。因此，要作為磁電阻器件中的材料，F(xiàn)e3O4薄膜必須具有晶粒隨機(jī)取向的無織構(gòu)的多晶結(jié)構(gòu)，具有高的室溫磁電阻數(shù)值，并且其制備溫度低、制備工藝簡(jiǎn)單、適用于多種基片。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種多晶Fe3O4薄膜材料，可以解決已有技術(shù)中Fe3O4薄膜材料及其制備過程中存在的問題。本發(fā)明的Fe3O4薄膜材料多晶顆粒隨機(jī)取向，具有較高的室溫磁電阻數(shù)值，適用于多種基片。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種制造所述多晶Fe3O4薄膜材料的方法，其制備工藝簡(jiǎn)單。
本發(fā)明提供的多晶Fe3O4薄膜材料是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，F(xiàn)e3O4晶粒粒徑大小為13～19納米，厚度200-500nm，晶粒隨機(jī)取向，沒有織構(gòu)，薄膜的室溫磁電阻數(shù)值在10-20％。所述的基片是玻璃、石英、聚酯、單晶硅、單晶砷化鎵等。
本發(fā)明的多晶Fe3O4薄膜材料的制備方法是經(jīng)過下述步驟1)采用通用的超高真空磁控濺射鍍膜機(jī)，在靶臺(tái)上安裝純度為99.99％的鐵靶材，靶材的厚度為2.5mm，直徑為60mm；2)將基片清洗、烘干后，安裝在基片轉(zhuǎn)臺(tái)上，基片與鐵靶的距離為8cm3)抽真空，使濺射真空室的背底真空度優(yōu)于3×10-7torr；4)將99.999％的高純度的氬氣通入真空室，氬氣流量為10sccm；
5)在真空度下降為3×10-4Torr時(shí)，將超高真空閘板閥的開啟度設(shè)定為20％；6)將99.999％的高純度的氧氣通入真空室，氧氣流量為1.0～4.0sccm；7)待真空度穩(wěn)定后，在鐵靶上設(shè)定為100～150瓦的直流功率，預(yù)濺射10～15分鐘；8)打開鐵靶和基片的擋板濺射成膜，基片以20～25轉(zhuǎn)/分鐘的速率均勻旋轉(zhuǎn)，基片不加溫。
9)濺射沉積完成后，關(guān)閉鐵靶的直流電源，保持濺射真空室中繼續(xù)通入相同流量的氬氣和氧氣半小時(shí)。
10)關(guān)閉分子泵和機(jī)械泵，打開真空室，取出所制備的薄膜樣品。
所述的基片是玻璃、石英、聚酯、單晶硅、單晶砷化鎵等。
本發(fā)明所述的多晶Fe3O4薄膜，可用來制作計(jì)算機(jī)讀出磁頭、磁隨機(jī)存儲(chǔ)器、微弱磁場(chǎng)檢測(cè)、位置檢測(cè)等磁敏傳感器件。
本發(fā)明制備得到的多晶Fe3O4薄膜材料與目前所存的同類材料相比，其多晶顆粒隨機(jī)取向，具有較高的室溫磁電阻數(shù)值、制備工藝簡(jiǎn)單、適用于多種基片等優(yōu)點(diǎn)。


圖1是實(shí)施例1制備的厚度為300nm的多晶Fe3O4薄膜的X射線衍射圖。
圖2是實(shí)施例1制備的厚度為300nm的多晶Fe3O4薄膜的透射電子顯微鏡的明場(chǎng)像和選區(qū)電子衍射圖。
圖3是實(shí)施例1制備的厚度為300nm的多晶Fe3O4薄膜的X射線光電子譜。
圖4是實(shí)施例1制備的厚度為300nm的多晶Fe3O4薄膜的室溫磁電阻測(cè)試結(jié)果。
圖5是實(shí)施例2制備的厚度為210nm的多晶Fe3O4薄膜的透射電子顯微鏡的明場(chǎng)像。
圖6是實(shí)施例4制備的厚度為370nm的多晶Fe3O4薄膜的透射電子顯微鏡的明場(chǎng)像。
圖7是實(shí)施例4制備的厚度為370nm的多晶Fe3O4薄膜的室溫度磁電阻曲線。
具體實(shí)施例方式
下面將通過具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
多晶Fe3O4薄膜的磁電阻效應(yīng)是材料的一種非本征性能，與材料的顆粒大小、顆粒間的相互作用、薄膜的厚度等因素密切相關(guān)。本發(fā)明利用磁控濺射方法，在玻璃、石英、聚酯、單晶硅、單晶砷化鎵等基片上，通過在制備過程中調(diào)節(jié)氧氣流量、鐵靶的濺射功率和沉積時(shí)間，得到不同顆粒大小和磁電阻數(shù)值的晶粒隨機(jī)取向的多晶Fe3O4薄膜材料。
本發(fā)明本發(fā)明的多晶Fe3O4薄膜材料的制備方法經(jīng)過下述步驟1)采用通用的超高真空磁控濺射鍍膜機(jī)，在靶臺(tái)上安裝純度為99.99％的鐵靶材，靶材的厚度為2.5mm，直徑為60mm；2)將基片放在無水甲醇中用超聲波清洗三次，每次三分鐘并換新液；然后用去離子水漂洗五次，每次三分鐘并換新液；用干燥的壓縮氮?dú)獯蹈珊?，將基片安裝在基片轉(zhuǎn)臺(tái)上，基片與鐵靶的距離為8cm；3)抽真空，使濺射真空室的背底真空度優(yōu)于3×10-7torr；
4)將99.999％的高純度的氬氣通入真空室，氬氣流量為10sccm；5)在真空度下降為3×10-4Torr時(shí)，將超高真空閘板閥的開啟度設(shè)定為20％；6)將99.999％的高純度的氧氣通入真空室，氧氣流量為1.0～4.0sccm；7)待真空度穩(wěn)定后，在鐵靶上設(shè)定為100～150瓦的直流功率，預(yù)濺射10～15分鐘；8)打開鐵靶和基片的擋板濺射成膜，基片以20～25轉(zhuǎn)/分鐘的速率均勻旋轉(zhuǎn)，基片不加溫。
9)濺射沉積完成后，關(guān)閉鐵靶的直流電源，保持濺射真空室中繼續(xù)通入相同流量的氬氣和氧氣半小時(shí)。
10)關(guān)閉分子泵和機(jī)械泵，打開真空室，取出所制備的薄膜樣品。
實(shí)施例11)采用中國(guó)科學(xué)院沈陽(yáng)科儀中心的DPS-III型超高真空磁控濺射鍍膜機(jī)，在靶臺(tái)上安裝純度為99.99％的鐵靶材，靶材的厚度為2.5mm，直徑為60mm；2)將基片放在無水甲醇中用超聲波清洗三次，每次三分鐘并換新液；然后用去離子水漂洗五次，每次三分鐘并換新液；用干燥的壓縮氮?dú)獯蹈珊?，將基片安裝在基片轉(zhuǎn)臺(tái)上，基片與鐵靶的距離為8cm；3)抽真空，使濺射真空室的背底真空度優(yōu)于3×10-7torr；4)將99.999％的高純度的氬氣通入真空室，氬氣流量為10sccm；5)在真空度下降為3×10-4Torr時(shí)，將超高真空閘板閥的開啟度設(shè)定為20％；6)將99.999％的高純度的氧氣通入真空室，氧氣流量為1.0sccm；7)待真空度穩(wěn)定后，在鐵靶上設(shè)定為100瓦的直流功率，預(yù)濺射15分鐘；8)打開鐵靶和基片的擋板濺射成膜，基片以25轉(zhuǎn)/分鐘的速率均勻旋轉(zhuǎn)，基片不加溫。
9)濺射沉積完成后，關(guān)閉鐵靶的直流電源，保持濺射真空室中繼續(xù)通入相同流量的氬氣和氧氣半小時(shí)。
10)關(guān)閉分子泵和機(jī)械泵，打開真空室，取出所制備的薄膜樣品。
圖1給出了本實(shí)施例所制備的厚度為300nm的Fe3O4薄膜的X射線衍射圖，從圖中可以看出，F(xiàn)e3O4薄膜為多晶結(jié)構(gòu)，其X射線衍射圖中各衍射峰的強(qiáng)度的比值與粉末樣品基本一致，證明所制備的Fe3O4薄膜中的多晶顆粒隨機(jī)取向，沒有織構(gòu)。
圖2是實(shí)施例1所制備的厚度為300nm的多晶Fe3O4薄膜的透射電子顯微鏡的明場(chǎng)像和選區(qū)電子衍射圖，所用電子顯微鏡的型號(hào)為JEOL 2010F。從圖2中可以看到，實(shí)施例1所制備的Fe3O4薄膜為多晶結(jié)構(gòu)，其平均顆粒大小在15.9nm。
采用Muti-technic公司生產(chǎn)的型號(hào)為Physical Electronic spectrometer S600的X射線光電子譜儀，對(duì)實(shí)施例1制備的厚度為300nm的多晶Fe3O4薄膜進(jìn)行成份測(cè)試，結(jié)果見圖3。
由于Fe3O4和γ-Fe2O3具有相同的立方反尖晶石結(jié)構(gòu)，而且晶格常數(shù)非常接近(Fe3O4為a＝0.8396nm，γ-Fe2O3為a＝0.8350nm)，兩者的XRD衍射譜只有在37°附近的衍射峰存在細(xì)微差別，考慮到薄膜中存在的應(yīng)力等因素，兩者很難從結(jié)構(gòu)分析中區(qū)分開來。而Fe3O4和γ-Fe2O3中Fe離子的化學(xué)價(jià)態(tài)不同，因此可以通過成份分析的辦法來區(qū)分。在圖3中給出的測(cè)試結(jié)果中，F(xiàn)e2+的特征峰位于709和723eV，F(xiàn)e2p1/2和Fe2p3/2峰展寬；不存在γ-Fe2O3標(biāo)準(zhǔn)譜中位于719eV處的Fe3+特征衛(wèi)星峰。這兩個(gè)特點(diǎn)說明我們制備的樣品是Fe3O4，樣品中沒有γ-Fe2O3存在。
利用美國(guó)Quantum Design公司生產(chǎn)的物理性質(zhì)測(cè)量?jī)xPPMS-9，測(cè)量了實(shí)施例1制備的厚度為300nm的多晶Fe3O4薄膜的室溫磁電阻，所加磁場(chǎng)平行于薄膜表面，測(cè)得的磁電阻數(shù)值在50KOe的磁場(chǎng)下為10.4％，結(jié)果見圖4。
上述測(cè)試結(jié)果列于表2。
表2實(shí)施例1～4的部分制備條件及測(cè)試結(jié)果。

實(shí)施例21)采用中國(guó)科學(xué)院沈陽(yáng)科儀中心的DPS-III型超高真空磁控濺射鍍膜機(jī)，在靶臺(tái)上安裝純度為99.99％的鐵靶材，靶材的厚度為2.5mm，直徑為60mm；2)將基片放在無水甲醇中用超聲波清洗三次，每次三分鐘并換新液；然后用去離子水漂洗五次，每次三分鐘并換新液；用干燥的壓縮氮?dú)獯蹈珊螅瑢⒒惭b在基片轉(zhuǎn)臺(tái)上，基片與鐵靶的距離為8cm；3)抽真空，使濺射真空室的背底真空度優(yōu)于3×10-7torr；4)將99.999％的高純度的氬氣通入真空室，氬氣流量為10sccm；5)在真空度下降為3×10-4Torr時(shí)，將超高真空閘板閥的開啟度設(shè)定為20％；6)將99.999％的高純度的氧氣通入真空室，氧氣流量為1.6sccm；7)待真空度穩(wěn)定后，在鐵靶上設(shè)定為115瓦的直流功率，預(yù)濺射15分鐘；8)打開鐵靶和基片的擋板濺射成膜，基片以25轉(zhuǎn)/分鐘的速率均勻旋轉(zhuǎn)，基片不加溫。
9)濺射沉積完成后，關(guān)閉鐵靶的直流電源，繼續(xù)保持相同流量的氬氣和氧氣半小時(shí)。
10)關(guān)閉分子泵和機(jī)械泵，打開真空室，取出所制備的薄膜樣品。
采用型號(hào)為JEOL 2010F的透射電子顯微鏡對(duì)實(shí)施例2所制備的厚度為210nm的多晶Fe3O4薄膜進(jìn)行測(cè)試，其平均顆粒大小在13.5nm，見圖5。該樣品的室溫磁電阻為10.1％，見表2。
實(shí)施例31)采用通用的超高真空磁控濺射鍍膜機(jī)，在靶臺(tái)上安裝純度為99.99％的鐵靶材，靶材的厚度為2.5mm，直徑為60mm；2)將基片放在無水甲醇中用超聲波清洗三次，每次三分鐘并換新液；然后用去離子水漂洗五次，每次三分鐘并換新液；用干燥的壓縮氮?dú)獯蹈珊?，將基片安裝在基片轉(zhuǎn)臺(tái)上，基片與鐵靶的距離為8cm；3)抽真空，使濺射真空室的背底真空度優(yōu)于3×10-7torr；4)將99.999％的高純度的氬氣通入真空室，氬氣流量為10sccm；5)在真空度下降為3×10-4Torr時(shí)，將超高真空閘板閥的開啟度設(shè)定為20％；6)將99.999％的高純度的氧氣通入真空室，氧氣流量為2.5sccm；7)待真空度穩(wěn)定后，在鐵靶上設(shè)定為130瓦的直流功率，預(yù)濺射15分鐘；8)打開鐵靶和基片的擋板濺射成膜，基片以25轉(zhuǎn)/分鐘的速率均勻旋轉(zhuǎn)，基片不加溫。
9)濺射沉積完成后，關(guān)閉鐵靶的直流電源，繼續(xù)保持相同流量的氬氣和氧氣半小時(shí)。
10)關(guān)閉分子泵和機(jī)械泵，打開真空室，取出所制備的薄膜樣品。
測(cè)試結(jié)果顯示，該實(shí)施例所制備的多晶Fe3O4薄膜的厚度為430nm，平均顆粒尺度為16.2nm，室溫磁電阻為10.9％，見表2。
實(shí)施例41)采用通用的超高真空磁控濺射鍍膜機(jī)，在靶臺(tái)上安裝純度為99.99％的鐵靶材，靶材的厚度為2.5mm，直徑為60mm；2)將基片放在無水甲醇中用超聲波清洗三次，每次三分鐘并換新液；然后用去離子水漂洗五次，每次三分鐘并換新液；用干燥的壓縮氮?dú)獯蹈珊?，將基片安裝在基片轉(zhuǎn)臺(tái)上，基片與鐵靶的距離為8cm；3)抽真空，使濺射真空室的背底真空度優(yōu)于3×10-7torr；4)將99.999％的高純度的氬氣通入真空室，氬氣流量為10sccm；5)在真空度下降為3×10-4Torr時(shí)，將超高真空閘板閥的開啟度設(shè)定為20％；6)將99.999％的高純度的氧氣通入真空室，氧氣流量為4.0sccm；7)待真空度穩(wěn)定后，在鐵靶上設(shè)定為150瓦的直流功率，預(yù)濺射15分鐘；8)打開鐵靶和基片的擋板濺射成膜，基片以25轉(zhuǎn)/分鐘的速率均勻旋轉(zhuǎn)，基片不加溫。
9)濺射沉積完成后，關(guān)閉鐵靶的直流電源，繼續(xù)保持相同流量的氬氣和氧氣半小時(shí)。
10)關(guān)閉分子泵和機(jī)械泵，打開真空室，取出所制備的薄膜樣品。
采用型號(hào)為JEOL 2010F的透射電子顯微鏡對(duì)實(shí)施例4所制備的厚度為370nm的多晶Fe3O4薄膜進(jìn)行測(cè)試，其平均顆粒大小在18.6nm，見圖6。
利用美國(guó)Quantum Design公司生產(chǎn)的物理性質(zhì)測(cè)量?jī)xPPMS-9，測(cè)量了實(shí)施例4制備的厚度為370nm的多晶Fe3O4薄膜的室溫度磁電阻，所加磁場(chǎng)平行于薄膜表面，測(cè)得的磁電阻數(shù)值在50KOe的磁場(chǎng)下為11.9％，結(jié)果見圖7。
本發(fā)明制備的多晶Fe3O4薄膜材料與目前所存的同類材料相比，其多晶顆粒隨機(jī)取向，具有較高的室溫磁電阻數(shù)值、制備工藝簡(jiǎn)單、適用于多種基片等優(yōu)點(diǎn)。
權(quán)利要求
1.一種多晶Fe3O4薄膜材料，其特征在于它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，F(xiàn)e3O4晶粒粒徑大小為13～19納米，厚度200-500nm，晶粒隨機(jī)取向，沒有織構(gòu)，薄膜的室溫磁電阻數(shù)值在10-20％；所述的基片是玻璃、石英、聚酯、單晶硅或單晶砷化鎵等。
2.一種多晶Fe3O4薄膜材料的制備方法，其特征在于包括下列步驟1)采用超高真空磁控濺射鍍膜機(jī)，在靶臺(tái)上安裝純度為99.99％的鐵靶材，靶材的厚度為2.5mm，直徑為60mm；2)將基片放在無水甲醇中用超聲波清洗三次，每次三分鐘并換新液；然后用去離子水漂洗五次，每次三分鐘并換新液；用干燥的壓縮氮?dú)獯蹈珊螅瑢⒒惭b在基片轉(zhuǎn)臺(tái)上，基片與鐵靶的距離為8cm；3)抽真空，使濺射真空室的背底真空度優(yōu)于3×10-7torr；4)將99.999％的高純度的氬氣通入真空室，氬氣流量為10sccm；5)在真空度下降為3×10-4Torr時(shí)，將超高真空閘板閥的開啟度設(shè)定為20％；6)將99.999％的高純度的氧氣通入真空室；7)待真空度穩(wěn)定后，在鐵靶上設(shè)定為100～150瓦的直流功率，預(yù)濺射10～15分鐘；8)打開鐵靶和基片的擋板濺射成膜，基片以20～25轉(zhuǎn)/分鐘的速率均勻旋轉(zhuǎn)，基片不加溫；9)濺射沉積完成后，關(guān)閉鐵靶的直流電源；10)關(guān)閉分子泵和機(jī)械泵，打開真空室，取出所制備的薄膜材料樣品。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶Fe3O4薄膜材料的制備方法，其特征在于使用直流磁控濺射法制備，沉積過程中基片不加熱。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶Fe3O4薄膜材料的制備方法，其特征在于在制備過程中氧氣流量為1.0～4.0sccm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶Fe3O4薄膜材料的制備方法，其特征在于所用基片為玻璃、石英、聚酯、單晶硅或單晶砷化鎵材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶Fe3O4薄膜材料的制備方法，其特征在于濺射沉積完成后，關(guān)閉鐵靶的直流電源，繼續(xù)保持相同流量的氬氣和氧氣半小時(shí)。
7.權(quán)利要求1所述的多晶Fe3O4薄膜材料的應(yīng)用，其特征在于可用來制作計(jì)算機(jī)讀出磁頭、磁隨機(jī)存儲(chǔ)器、微弱磁場(chǎng)檢測(cè)或位置檢測(cè)等磁敏傳感器件。
全文摘要
本發(fā)明涉及多晶Fe
文檔編號(hào)G01R33/09GK1819077SQ20061001305
公開日2006年8月16日 申請(qǐng)日期2006年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月16日
發(fā)明者劉暉, 王雅欣, 王健, 劉技文, 張德賢, 孫云, 李志青 申請(qǐng)人:南開大學(xué)