本發(fā)明涉及氰系電解鍍金浴。另外，涉及在圖案化的半導(dǎo)體晶片上使用該氰系電解鍍金浴形成規(guī)定硬度的金凸點(diǎn)的凸點(diǎn)形成方法。

背景技術(shù)：

作為將半導(dǎo)體晶片安裝在印刷布線(xiàn)基板上的方法，有電極接合方法。電極接合方法是將在半導(dǎo)體晶片的集成電路上形成的金凸點(diǎn)與在印刷布線(xiàn)基板上形成的基板電極連接的方法。圖2是示出通過(guò)電極接合方法安裝有半導(dǎo)體芯片的印刷布線(xiàn)基板的結(jié)構(gòu)的一例的截面圖。

圖2中，10為印刷布線(xiàn)基板、16為半導(dǎo)體芯片。在印刷布線(xiàn)基板10中，在硬質(zhì)基板11的表面層疊基板布線(xiàn)圖案12和基板電極14。在半導(dǎo)體芯片16中，在半導(dǎo)體晶片1的表面依次層疊電路層1'和Al(鋁)電極2、鈍化膜3。在Al電極2的表面中的鈍化膜3的開(kāi)口部，依次層疊TiW濺射膜4、金濺射膜5、金凸點(diǎn)7。

印刷布線(xiàn)基板10的基板電極14與半導(dǎo)體芯片16的金凸點(diǎn)7電氣接合。作為電氣接合，可舉出使用各向異性導(dǎo)電粘接劑20的方法或共晶接合。各向異性導(dǎo)電粘接劑是指被Ni/Au鍍層覆蓋的樹(shù)脂粒子均勻地分散在環(huán)氧樹(shù)脂等熱固化性樹(shù)脂中的粘接劑。共晶接合是指通過(guò)熱壓接或超聲波而形成共晶，將基板電極與金凸點(diǎn)接合的電極接合。在圖2中，印刷布線(xiàn)基板10的基板電極14與半導(dǎo)體芯片16的金凸點(diǎn)7通過(guò)各向異性導(dǎo)電粘接劑20而電氣接合。

金凸點(diǎn)7在熱處理后的膜硬度為60HV以下。金凸點(diǎn)7在熱處理后的膜硬度根據(jù)各向異性導(dǎo)電粘接劑20中含有的導(dǎo)電粒子的硬度和基板電極14的材質(zhì)等，在60HV以下的范圍適宜調(diào)整。

近年來(lái)，隨著手機(jī)或筆記本電腦等電子設(shè)備的輕量化、小型化、高性能化的發(fā)展，要求電子部件的小型化。在被小型化的電子部件中，電路的集成密度的高度化和小間距化發(fā)展。在將設(shè)置有電極間的間距寬度為5～20μm的窄的電路的印刷布線(xiàn)基板與半導(dǎo)體晶片電氣接合時(shí)，產(chǎn)生相鄰的金凸點(diǎn)之間接觸的不良現(xiàn)象。其原因被認(rèn)為是由于在將基板電極與凸點(diǎn)熱壓接時(shí)，金凸點(diǎn)在平面方向上產(chǎn)生變形。對(duì)以往的膜硬度為60HV以下的金凸點(diǎn)來(lái)說(shuō)，膜硬度過(guò)低。因此，不適于與設(shè)置有間距寬度窄的電路的印刷布線(xiàn)基板的接合。因此，要求形成與以往制造的金凸點(diǎn)相比具有更高的膜硬度的金凸點(diǎn)。

作為形成金凸點(diǎn)時(shí)使用的電解鍍金浴，有以亞硫酸金為金源的非氰系電解鍍金浴、和以氰化金為金源的氰系電解鍍金浴。在非氰系電解鍍金浴中形成膜硬度高的金凸點(diǎn)的方法是公知的(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了添加有聚亞烷基二醇和/或兩性表面活性劑的非氰系電解鍍金浴。對(duì)于該非氰系電解鍍金浴而言，雜質(zhì)混入金膜中，抑制金膜的重結(jié)晶化。其結(jié)果，可形成高硬度的金膜。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1:特開(kāi)2009-57631號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問(wèn)題

專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)的非氰系電解鍍金浴與氰系電解鍍金浴相比，化學(xué)試劑的成本高。另外，鍍金浴的穩(wěn)定性低，因此浴的管理困難。因此，由于低成本化的要求、浴管理的容易性、通過(guò)氰系電解鍍金浴的適于精細(xì)圖案化的光刻膠的改良發(fā)展等，想要使用氰系電解鍍金浴的經(jīng)營(yíng)者增多。

但是，在氰系電解鍍金浴中，即使與非氰系電解鍍金浴同樣地添加有機(jī)添加劑，也幾乎不會(huì)在所形成的金膜上共析出雜質(zhì)。因此，由于所形成的金膜的金純度高，導(dǎo)致熱處理后變軟。即，可形成高硬度的金膜的氰系電解鍍金浴還未實(shí)用化。

本發(fā)明的目的在于提供，可形成熱處理后的膜硬度高的金凸點(diǎn)的氰系電解鍍金浴。

解決課題的手段

本發(fā)明人等經(jīng)過(guò)深入研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過(guò)在氰系電解鍍金浴中添加草酸鹽和水溶性多糖類(lèi)，可以形成膜硬度高的金凸點(diǎn)，至此完成了本發(fā)明。解決上述課題的本發(fā)明如以下所述。

[1]氰系電解鍍金浴，含有：

作為金源的氰化金鹽，按金濃度計(jì)0.1～15g/L，

草酸鹽，按草酸計(jì)2.5～50g/L，

無(wú)機(jī)酸傳導(dǎo)鹽，5～100g/L，

水溶性多糖類(lèi)，0.1～50g/L，和

結(jié)晶調(diào)節(jié)劑，按金屬濃度計(jì)1～100mg/L。

[2]上述[1]所述的氰系電解鍍金浴，其中，上述水溶性多糖類(lèi)為選自糊精、α-環(huán)糊精、β-環(huán)糊精和葡聚糖中的1種或2種以上。

[3]上述[1]所述的氰系電解鍍金浴，其中，上述結(jié)晶調(diào)節(jié)劑為選自Tl化合物、Pb化合物和As化合物中的1種或2種以上。

[4]凸點(diǎn)形成方法，其中，在圖案化的半導(dǎo)體晶片上使用[1]至[3]所述的氰系電解鍍金浴進(jìn)行電解鍍金后，通過(guò)在200～300℃下進(jìn)行5～600分鐘的熱處理，形成膜硬度為70～120HV的金凸點(diǎn)。

發(fā)明效果

使用本發(fā)明的氰系電解鍍金浴形成的金凸點(diǎn)的膜硬度為70～120HV，適于小間距的電子部件中的半導(dǎo)體晶片與基板的電氣接合。另外，本發(fā)明的電解鍍金浴由于使用氰化金鹽，與非氰系的電解鍍金浴相比，浴的管理容易。使用本發(fā)明的氰系電解鍍金浴時(shí)，能夠以低成本形成高硬度的金凸點(diǎn)。因此，本發(fā)明有助于降低小型電子部件的生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

[圖1]是示出使用本發(fā)明的氰系電解鍍金浴形成的金凸點(diǎn)的一例的截面圖。

[圖2]是示出將半導(dǎo)體芯片安裝于印刷布線(xiàn)基板的狀態(tài)下的一例的截面圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的氰系電解鍍金浴含有作為金源的氰化金鹽、草酸鹽、無(wú)機(jī)酸傳導(dǎo)鹽、水溶性多糖類(lèi)、和結(jié)晶調(diào)節(jié)劑。使用本發(fā)明的氰系電解鍍金浴形成的金凸點(diǎn)在熱處理后的膜硬度為70～120HV。以下，說(shuō)明構(gòu)成本發(fā)明的氰系電解鍍金浴的各成分。

[氰化金鹽]

在本發(fā)明的氰系電解鍍金浴中，可以不受限制地使用公知的氰化金鹽作為金源。作為氰化金鹽，可例示氰化金鉀、氰化金鈉、氰化金銨。

氰化金鹽的配合量按金濃度計(jì)為0.1～15g/L，優(yōu)選為4～15g/L。金濃度小于0.1g/L時(shí)，陰極電流效率低，金膜的厚度變得不均勻，得不到期望的金膜厚度。予以說(shuō)明，金膜厚度優(yōu)選為10～20μm。金濃度大于15g/L時(shí)，陰極電流效率與金離子濃度成比例地增加，因而沒(méi)有效率。另外，由于電鍍液的取出而導(dǎo)致金金屬的損失增大。因此，生產(chǎn)成本升高。

[傳導(dǎo)鹽]

本發(fā)明的氰系電解鍍金浴并用無(wú)機(jī)酸傳導(dǎo)鹽和至少含有草酸鹽的有機(jī)酸傳導(dǎo)鹽。在不使用草酸鹽時(shí)，在光刻膠與晶片之間潛入鍍膜，因產(chǎn)生圖案外析出而不優(yōu)選。即，鍍膜潛入的部分的金濺射膜的電鍍膜變厚，不能被鍍金后的UBM層的蝕刻處理工序除盡，有時(shí)導(dǎo)致導(dǎo)通不良。在不使用無(wú)機(jī)酸傳導(dǎo)鹽時(shí)，凸點(diǎn)高度的波動(dòng)變大而不優(yōu)選。

作為無(wú)機(jī)酸傳導(dǎo)鹽，使用磷酸鹽。作為磷酸鹽，可例示磷酸鈉、磷酸鉀、磷酸鎂、磷酸銨，優(yōu)選使用磷酸鉀。無(wú)機(jī)酸傳導(dǎo)鹽的配合量為5～100g/L，優(yōu)選為10～80g/L，更優(yōu)選為20～70g/L。

作為有機(jī)酸傳導(dǎo)鹽，至少使用草酸鹽。作為草酸鹽，可例示草酸鉀、草酸鈉、草酸銨。草酸鹽的配合量按草酸計(jì)為2.5～50g/L，優(yōu)選為10～30g/L。小于2.5g/L時(shí)，產(chǎn)生鍍膜潛入，大于100g/L時(shí)，鍍膜外觀容易變得不良。作為草酸鹽以外的有機(jī)酸傳導(dǎo)鹽，可例示檸檬酸鹽、甲酸鹽。作為檸檬酸鹽、甲酸鹽，可例示檸檬酸鉀、甲酸鉀。這些可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。有機(jī)酸傳導(dǎo)鹽的配合量為5～150g/L，優(yōu)選為20～140g/L，更優(yōu)選為30～130g/L。傳導(dǎo)鹽的配合量超過(guò)上述范圍時(shí)，有時(shí)深鍍能力變差，或有時(shí)金鍍膜產(chǎn)生燒焦現(xiàn)象。

[水溶性多糖類(lèi)]

在本發(fā)明的氰系電解鍍金浴中，可使用公知的水溶性多糖類(lèi)。從獲得容易性的觀點(diǎn)考慮，可例示糊精、α-環(huán)糊精、β-環(huán)糊精、葡聚糖。這些水溶性多糖類(lèi)既可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。

將熱處理后的金凸點(diǎn)的膜硬度設(shè)定為70～120HV的高硬度時(shí)，水溶性多糖類(lèi)的配合量?jī)?yōu)選為0.1～50g/L，更優(yōu)選為0.5～30g/L。配合量小于0.1g/L時(shí)，熱處理后的金凸點(diǎn)的膜硬度小于60HV。這樣的金凸點(diǎn)容易由于基板與半導(dǎo)體晶片的熱壓接而變形。當(dāng)半導(dǎo)體晶片上的電路以小間距形成時(shí)，變形的金凸點(diǎn)之間接觸，在接合方面可能產(chǎn)生不良現(xiàn)象。另外，相對(duì)于各向異性導(dǎo)電粘接劑中的導(dǎo)電粒子的硬度，金凸點(diǎn)的膜硬度過(guò)低時(shí)，則在熱壓接工序中，導(dǎo)電粒子埋沒(méi)在金凸點(diǎn)中。其結(jié)果，金凸點(diǎn)與基板電極之間，導(dǎo)電粒子沒(méi)有被熱壓接。配合量超過(guò)50g/L時(shí)，產(chǎn)生燒焦鍍層，導(dǎo)致外觀不良。

使用含有上述水溶性多糖類(lèi)的本發(fā)明的氰系電解鍍金浴，通過(guò)采用后面詳細(xì)說(shuō)明的方法進(jìn)行鍍覆，可以形成熱處理后的膜硬度為70～120HV的金凸點(diǎn)。

熱處理后的金凸點(diǎn)的膜硬度可以通過(guò)調(diào)節(jié)水溶性多糖類(lèi)的種類(lèi)和配合量來(lái)控制。其理由尚不清楚，但推測(cè)是由于上述規(guī)定的水溶性多糖類(lèi)具有容易作為雜質(zhì)被攝入到金膜中的性質(zhì)。即，通過(guò)使配合到氰系電解鍍金浴中的水溶性多糖類(lèi)在金膜中共析，抑制熱處理后的金的重結(jié)晶。認(rèn)為由此可以形成熱處理后的膜硬度高的金凸點(diǎn)。

金凸點(diǎn)的膜硬度考慮導(dǎo)電粒子的種類(lèi)、以及與配對(duì)金屬的硬度的相對(duì)性、以及電路的間距寬度等各種條件來(lái)選擇。

[結(jié)晶調(diào)節(jié)劑]

在本發(fā)明的氰系電解鍍金浴中，添加Tl化合物、Pb化合物或As化合物作為結(jié)晶調(diào)節(jié)劑。作為T(mén)l化合物，可例示甲酸鉈、丙二酸鉈、硫酸鉈、硝酸鉈。作為Pb化合物，可例示檸檬酸鉛、硝酸鉛、硫酸鉛。優(yōu)選使用硝酸鉛。作為As化合物，可例示三氧化二砷。這些Tl化合物、Pb化合物和As化合物既可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。

結(jié)晶調(diào)節(jié)劑的配合量可在不損害本發(fā)明目的的范圍內(nèi)適宜確定。通常，按金屬濃度計(jì)，為0.1mg～100mg/L，優(yōu)選為0.5～50mg/L，更優(yōu)選為1～30mg/L。配合量超過(guò)100mg/L時(shí)，有可能深鍍能力變差。另外，得到的金鍍膜的外觀產(chǎn)生斑點(diǎn)(不均)。配合量小于0.1mg/L時(shí)，得到的金鍍膜產(chǎn)生燒焦現(xiàn)象。

[其他成分]

在本發(fā)明的氰系電解鍍金浴中，除了上述成分以外，可以在不損害本發(fā)明目的的范圍內(nèi)含有pH調(diào)節(jié)劑等成分。作為pH調(diào)節(jié)劑，可例示氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銨和磷酸、檸檬酸、草酸。

[金凸點(diǎn)的形成方法]

通過(guò)使用本發(fā)明的氰系電解鍍金浴，根據(jù)常規(guī)方法進(jìn)行鍍覆操作，由此，可以形成膜硬度為70～120HV、膜厚為10～50μm的金膜。將使用本發(fā)明的氰系電解鍍金浴，在半導(dǎo)體晶片上形成金凸點(diǎn)的方法參照?qǐng)D1進(jìn)行說(shuō)明。

(1)層疊工序

圖1為示出使用本發(fā)明的氰系電解鍍金浴形成的金凸點(diǎn)的一例的截面圖。首先，在半導(dǎo)體晶片1的形成有電路層1'的面上形成Al電極2。接著，在電路層1'的表面，形成覆蓋電路層1'和Al電極2的鈍化膜3。在鈍化膜3中，在使Al電極2的一部分露出的位置，設(shè)置開(kāi)口部3a。在鈍化膜3的表面形成TiW濺射膜4。鈍化膜3和從鈍化膜3的開(kāi)口部3a露出的Al電極2被TiW濺射膜4覆蓋。在TiW濺射膜4的表面形成Au濺射膜5。TiW濺射膜4和Au濺射膜5構(gòu)成凸點(diǎn)下金屬(UBM)層6。在UBM層6的表面形成光刻膠膜8，從而被掩蔽(形成掩膜)。在光刻膠膜8上設(shè)置使Au濺射膜5的一部分露出的開(kāi)口部8a。光刻膠膜8的開(kāi)口部8a設(shè)置于在光刻膠膜8的下層存在Al電極2的區(qū)域。作為光刻膠膜8的材料，優(yōu)選使用負(fù)性光刻膠等。

(2)電解鍍金工序

將形成有層疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片1作為被鍍物，使用適宜調(diào)整pH、液體溫度、電流密度的本發(fā)明的氰系電解鍍金浴，進(jìn)行電解鍍金至期望的膜厚。用本發(fā)明的鍍金浴將坯料金屬?lài)婂?，只要?dǎo)電性高，就不選擇被鍍物。特別是，適于在使用光刻膠膜8進(jìn)行圖案化的硅晶片的電路上、或GaAs晶片等化合物晶片的電路上形成金凸點(diǎn)。

本發(fā)明的氰系電解鍍金浴優(yōu)選在pH4.0～8.0下使用，更優(yōu)選在pH5.0～7.0下使用。pH小于4.0時(shí)，陰極電流效率降低，所得金膜達(dá)不到充分的膜厚。pH超過(guò)8.0時(shí)，所得金膜的外觀變得紅色化。

本發(fā)明的氰系電解鍍金浴的液溫優(yōu)選為30～80℃，更優(yōu)選為40～70℃。鍍?cè)〉囊簻卦谏鲜龇秶鈺r(shí)，陰極電流效率下降，或損失了鍍金浴的穩(wěn)定性，因而不優(yōu)選。

使用本發(fā)明的氰系電解鍍金浴時(shí)的電流密度考慮電鍍液的組成、液溫、其他條件而設(shè)定。因此，不能一概而論，但是，例如，在液溫55℃下使用金濃度為8g/L的電鍍液時(shí)，電流密度優(yōu)選設(shè)定為0.5～1.0A/dm²。在不設(shè)定為適當(dāng)?shù)碾娏髅芏葧r(shí)，鍍覆外觀和鍍膜的特性有可能產(chǎn)生異常。另外，鍍?cè)∽兊貌环€(wěn)定，有時(shí)產(chǎn)生電鍍液成分的分解。

電解鍍金后，半導(dǎo)體晶片1的光刻膠膜8被溶劑溶解除去。通過(guò)除去光刻膠膜8，不被金凸點(diǎn)7覆蓋的區(qū)域的UBM層6露出。露出的UBM層6通過(guò)蝕刻等被除去。由此，在不被金凸點(diǎn)7覆蓋的區(qū)域，鈍化膜3露出。被金凸點(diǎn)7覆蓋的UBM層6沒(méi)有被該工序除去，維持層疊結(jié)構(gòu)。

(3)熱處理工序

除去UBM層6和光刻膠膜8后，形成有金凸點(diǎn)7的半導(dǎo)體晶片1在200～300℃下進(jìn)行熱處理。熱處理時(shí)間為5分鐘以上，優(yōu)選30～600分鐘。熱處理使用好的烘箱(fine oven)等。好的烘箱由于可以保持熱處理必要的時(shí)間，可以將室內(nèi)部在設(shè)定溫度下保持規(guī)定時(shí)間，因而適于該熱處理。熱處理后，半導(dǎo)體晶片1被自然冷卻。在溫度降低的過(guò)程，金被重結(jié)晶化，由此膜硬度發(fā)生變化。通過(guò)上述形成方法得到的金凸點(diǎn)的膜硬度為70～120HV，與以往的金凸點(diǎn)相比，硬度高。

本發(fā)明的氰系電解鍍金浴通過(guò)對(duì)金源和構(gòu)成鍍液的成分進(jìn)行補(bǔ)充管理，可以使用2個(gè)循環(huán)以上。“1個(gè)循環(huán)”是指鍍金浴中的金全部被電鍍消耗的狀態(tài)。

實(shí)施例

以下，通過(guò)實(shí)施例具體地說(shuō)明本發(fā)明。本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。

作為被鍍物，使用坯料截面組成為Au/TiW/SiO₂的硅晶片。硅晶片的光刻膠膜使用負(fù)性光刻膠(JSR社制品名：THB-121N)。在光刻膠膜上，按配置間距20μm設(shè)置2個(gè)圖案化的開(kāi)口部。一個(gè)開(kāi)口部的開(kāi)口形狀是短邊20μm、長(zhǎng)邊100μm的長(zhǎng)方形。另一個(gè)開(kāi)口部的開(kāi)口形狀是邊長(zhǎng)為100μm的正方形。

按照表1-2所述的組成，調(diào)制實(shí)施例1～12、比較例1～5的電鍍液。在調(diào)制的電鍍液1L中浸漬被鍍物，在表1-2所述的條件下，進(jìn)行電解電鍍操作至金膜厚度為15μm，然后進(jìn)行熱處理。將得到的金凸點(diǎn)的物性按以下所述的方法進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定結(jié)果記載于表1-2。

〔膜硬度(維氏硬度；HV)〕

在被鍍物上形成的2個(gè)金凸點(diǎn)中，使用邊長(zhǎng)為100μm的正方形金凸點(diǎn)，測(cè)定熱處理前和在250℃下進(jìn)行30分鐘熱處理后的金凸點(diǎn)的硬度。測(cè)定使用ミツトヨ社制微小硬度試驗(yàn)機(jī)HM-221進(jìn)行。測(cè)定條件為將測(cè)定壓頭在25gf負(fù)荷下保持10秒。

〔浴穩(wěn)定性〕

在被鍍物上實(shí)施電解鍍金后，目測(cè)觀察鍍金浴的狀態(tài)。

○：在鍍金浴中沒(méi)有觀察到分解和沉淀。

×：在鍍金浴中觀察到分解或沉淀。

〔鍍膜外觀〕

使用顯微鏡觀察在被鍍物上形成的金凸點(diǎn)的表面外觀，目測(cè)評(píng)價(jià)色調(diào)、斑點(diǎn)(不均勻)、表面粗糙度。

○：在色調(diào)、斑點(diǎn)方面沒(méi)有觀察到異常。

×：在色調(diào)、斑點(diǎn)方面觀察到異常。

〔鍍膜潛入〕

使用顯微鏡觀察在被鍍物上形成的金凸點(diǎn)的表面外觀，目測(cè)評(píng)價(jià)鍍膜的潛入。

○：沒(méi)有觀察到鍍膜潛入。

×：觀察到鍍膜潛入。

表2

實(shí)施例1～12中形成的金凸點(diǎn)在熱處理后的膜硬度均在70～120HV的范圍內(nèi)，為高硬度。任意的金凸點(diǎn)的色調(diào)均為檸檬黃，得到?jīng)]有斑點(diǎn)(不均勻)的半光澤～無(wú)光澤的良好的外觀。浴穩(wěn)定性也良好。

比較例1中形成的金凸點(diǎn)在熱處理后的膜硬度小于70HV，為低硬度。色調(diào)為檸檬黃，獲得沒(méi)有斑點(diǎn)的半光澤～無(wú)光澤的良好外觀。浴穩(wěn)定性良好。

比較例2中形成的金凸點(diǎn)在熱處理后的膜硬度小于70HV，為低硬度。另外，在光刻膠與晶片之間發(fā)現(xiàn)鍍膜的潛入。得到的凸點(diǎn)的外觀為沒(méi)有斑點(diǎn)、半光澤～無(wú)光澤的良好外觀。浴穩(wěn)定性良好。

比較例3中形成的金凸點(diǎn)在熱處理后的膜硬度為90HV，為高硬度。但是，在光刻膠與晶片之間發(fā)現(xiàn)鍍膜的潛入。得到的凸點(diǎn)的外觀為沒(méi)有斑點(diǎn)、半光澤～無(wú)光澤的良好外觀。浴穩(wěn)定性良好。

比較例4中形成的金凸點(diǎn)在熱處理后的膜硬度小于70HV，為低硬度。另外，在光刻膠與晶片之間發(fā)現(xiàn)鍍膜的潛入。得到的凸點(diǎn)的外觀為沒(méi)有斑點(diǎn)、半光澤～無(wú)光澤的良好外觀。浴穩(wěn)定性良好。

比較例5中形成的金凸點(diǎn)在熱處理后的膜硬度為90HV，為高硬度。另外，在光刻膠與晶片之間發(fā)現(xiàn)鍍膜的潛入。得到的凸點(diǎn)的外觀存在斑點(diǎn)(不均勻)。浴穩(wěn)定性良好。

符號(hào)說(shuō)明

1 半導(dǎo)體晶片

1' 電路層

2 Al電極

3 鈍化膜

3a 鈍化膜的開(kāi)口部

4 TiW濺射膜

5 金濺射膜

6 UBM層

7 金凸點(diǎn)

7a 金凸點(diǎn)的表面

8 光刻膠膜

8a 光刻膠膜的開(kāi)口部

10 印刷布線(xiàn)基板

11 硬質(zhì)基板

12 基板布線(xiàn)圖案

14 基板電極

16 半導(dǎo)體芯片

18 密封材料

20 各向異性導(dǎo)電粘接劑