電鍍錫液的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種電鍍錫液，包括如下原料組分：（A）亞錫鹽，亞錫離子的濃度為1-100g/L；（B）酸：酸的總濃度為10-200g/L；（C）表面活性劑：結(jié)構(gòu)式為R1COO(C2H4O)nH、R2S(C2H4O)mH的非離子表面活性劑中的一種或幾種，表面活性劑的總濃度為1-20g/L；（D）電流分散劑：含不飽和鍵的二元羧酸類(lèi)衍生物或其鹽，濃度為0.01-2g/L；（E）導(dǎo)電鹽，濃度為2-10g/L；（F）pH調(diào)節(jié)劑，調(diào)節(jié)電鍍錫液的pH值為2.0-4.0。本發(fā)明的電鍍錫液可以?xún)?yōu)化電鍍錫滾筒中鋼珠、電子元件到導(dǎo)電球之間的電流分布，杜絕鋼珠、電子元件粘結(jié)電鍍?cè)趯?dǎo)電球上，提高電鍍錫產(chǎn)品的品質(zhì)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】電鍍錫液
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電鍍錫【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種能改善電鍍錫電流分布的電鍍錫液。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子設(shè)備的發(fā)展，尺寸小、多功能、高性能、易操作成為電子元件的發(fā)展趨勢(shì)。為了將電子元器件更加容易的焊接在設(shè)備上，需要在電子元件上進(jìn)行鍍錫以提高可焊性。由于電子元件的尺寸較小，比較容易發(fā)生兩個(gè)元器件粘在一起的問(wèn)題，簡(jiǎn)稱(chēng)“雙聯(lián)”，以下以“雙聯(lián)”代替。雙聯(lián)的產(chǎn)生大幅度的降低了產(chǎn)品的合格率，傳統(tǒng)上采用硫酸亞錫電鍍的雙聯(lián)率(雙聯(lián)產(chǎn)品的量比產(chǎn)品總量)很高。為此有文獻(xiàn)公開(kāi)了氨基磺酸亞錫體系下，采用檸檬酸、葡糖酸、焦磷酸、庚酸、蘋(píng)果酸的鹽和葡糖酸內(nèi)酯的一種作為絡(luò)合劑，和一種HLB大于10的表面活性劑用于改善電子元件的雙聯(lián)率。
[0003]有文獻(xiàn)公開(kāi)了采用無(wú)機(jī)酸和有機(jī)酸及其鹽，并添加金屬鎢鹽、鑰鹽及錳鹽以降低錫須的生長(zhǎng)。還用文獻(xiàn)報(bào)道的電鍍錫液未使用絡(luò)合劑，在PH值低于I的溶液中采用酸、N、N 二聚氧化烯-N-烷基胺、氧化胺或者混合物，和抗氧化劑，防止亞錫離子發(fā)生氧化。但該電鍍方式的pH值過(guò)低會(huì)對(duì)部分設(shè)備造成腐蝕。
[0004]盡管上述現(xiàn)有技術(shù)解決了電子元件的雙聯(lián)問(wèn)題，但是電鍍錫過(guò)程中，尤其是滾鍍過(guò)程中電流的分布非常不均勻，陰極端(一般為導(dǎo)電球)周?chē)碾娏鞔?，距離導(dǎo)電球較遠(yuǎn)的鋼珠和電子元件的由于電阻和滾鍍桶體積的原因，電流相對(duì)小。因此造成導(dǎo)電球附近鋼珠和電子元件電鍍錫速度較快，容易堆積在一起并粘結(jié)在導(dǎo)電球上，形成“結(jié)塊”，而結(jié)塊內(nèi)部的電子元件未能全部覆蓋錫。`導(dǎo)電球和鋼珠、電子元件的結(jié)塊，造成成品率的下降，并可能出現(xiàn)空鍍的產(chǎn)品流入合格品中，空鍍產(chǎn)品被挑出的可能性幾乎為零，造成嚴(yán)重的產(chǎn)品隱患。并且電流的不均一性導(dǎo)致了產(chǎn)品的厚度存在一定程度上的波動(dòng)，降低了產(chǎn)品的一致性。
[0005]為改善導(dǎo)電球附近鋼珠和電子元件堆積粘連的問(wèn)題，增加批次內(nèi)電子元件鍍層厚度的均勻性，從而杜絕無(wú)鍍錫不良品的出現(xiàn)，本發(fā)明進(jìn)行了大量的表面活性劑、添加劑試驗(yàn)，優(yōu)化電流分布，降低電流的梯度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]基于此，本發(fā)明的目的是提供一種能改善電鍍錫電流分布的電鍍錫液。
[0007]具體的技術(shù)方案如下:
[0008]一種電鍍錫液，包括如下原料組分:
[0009](A)亞錫鹽，亞錫離子的濃度為l-100g/L ；
[0010](B)酸:有機(jī)酸、無(wú)機(jī)酸中的一種或幾種，酸的總濃度為10_200g/L ；
[0011](C)表面活性劑:結(jié)構(gòu)式為R1COO(C2H4O)nIR2S(C2H4O)mH的非離子表面活性劑中的一種或幾種，表面活性劑的總濃度為l_20g/L，其中凡、R2為C4-C2tl的烷基，n、m為4_12的整數(shù)；[0012](D)電流分散劑:含不飽和鍵的二元羧酸類(lèi)衍生物或其鹽，濃度為0.01-2g/L ；
[0013](E)導(dǎo)電鹽，濃度為2-10g/L ;
[0014](F) pH調(diào)節(jié)劑，調(diào)節(jié)電鍍錫液的pH值為2.0-4.0。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，包括如下原料組分:
[0016](A)亞錫鹽，亞錫離子的濃度為5_20g/L ；
[0017](B)酸:有機(jī)酸、無(wú)機(jī)酸中的一種或幾種，酸的總濃度為10-100g/L ；
[0018](C)表面活性劑:結(jié)構(gòu)式為R1COO(C2H4O)nIR2S(C2H4O)mH的非離子表面活性劑中的一種或幾種，表面活性劑的總濃度為l-10g/L，其中凡、R2為C4-C2tl的烷基，n、m為4_12的整數(shù)；
[0019](D)電流分散劑:含不飽和鍵的二元羧酸類(lèi)衍生物或其鹽，濃度為0.01-0.5g/L ；
[0020](E)導(dǎo)電鹽，濃度為10g/L ；
[0021](F) pH調(diào)節(jié)劑，調(diào)節(jié)電鍍錫液的pH值為3.0-3.5。
[0022]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述含不飽和鍵的二元羧酸類(lèi)衍生物的結(jié)構(gòu)式為
【權(quán)利要求】
1.一種電鍍錫液，其特征在于，包括如下原料組分: (A)亞錫鹽，亞錫離子的濃度為l-100g/L； (B)酸:有機(jī)酸、無(wú)機(jī)酸中的一種或幾種，酸的總濃度為10-200g/L； (C)表面活性劑:結(jié)構(gòu)式為R1COO(C2H4O)nIR2S(C2H4O)mH的非離子表面活性劑中的一種或幾種，表面活性劑的總濃度為l_20g/L，其中RpR2為C4-C2tl的烷基，n、m為4_12的整數(shù)； (D)電流分散劑:含不飽和鍵的二元羧酸類(lèi)衍生物或其鹽，濃度為0.01-2g/L ； (E)導(dǎo)電鹽，濃度為2-10g/L； (F)pH調(diào)節(jié)劑，調(diào)節(jié)電鍍錫液的pH值為2.0-4.0。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鍍錫液，其特征在于，包括如下原料組分: (A)亞錫鹽，亞錫離子的濃度為5-20g/L； (B)酸:有機(jī)酸、無(wú)機(jī)酸中的一種或幾種，酸的總濃度為10-100g/L； (C)表面活性劑:結(jié)構(gòu)式為R1COO(C2H4O)nIR2S(C2H4O)mH的非離子表面活性劑中的一種或幾種，表面活性劑的總濃度為l-10g/L，其中RpR2為C4-C2tl的烷基，n、m為4_12的整數(shù)； (D)電流分散劑:含不飽和鍵的二元羧酸類(lèi)衍生物或其鹽，濃度為0.01-0.5g/L ； (E)導(dǎo)電鹽，濃度為10g/L； (F)pH調(diào)節(jié)劑，調(diào)節(jié)電鍍錫液的pH值為3.0-3.5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電鍍錫液，其特征在于，所述含不飽和鍵的二元羧酸類(lèi)衍

生物的結(jié)構(gòu)式為
4.根據(jù)權(quán)利要求3的電鍍錫液，其特征在于，所述含不飽和鍵的二元羧酸類(lèi)衍生物為2-乙撐戊二酸、2-丙撐戊二酸或2-丙撐丁二酸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電鍍錫液，其特征在于，所述表面活性劑為辛酸聚氧乙烯酯，戊酸聚氧乙烯酯、月桂酸聚氧乙烯酯、辛烷硫醇聚氧乙烯醚、月桂硫醇聚氧乙烯醚或十八硫醇聚氧乙烯醚中的一種或幾種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電鍍錫液，其特征在于，所述亞錫鹽為取代或未取代的烷基或燒醇基橫酸亞錫。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電鍍錫液，其特征在于，所述亞錫鹽為甲基磺酸亞錫或乙基磺酸亞錫。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電鍍錫液，其特征在于，所述有機(jī)酸為取代或未取代的烷基或烷醇基磺酸；所述無(wú)機(jī)酸為硫酸或鹽酸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電鍍錫液，其特征在于，所述有機(jī)酸為甲基磺酸或乙基磺酸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電鍍錫液，其特征在于，所述導(dǎo)電鹽為甲基磺酸鈉、甲基磺酸鉀、乙基磺酸鈉、乙基磺酸鉀、苯酚磺酸鈉或萘酚磺酸鈉；所述pH值調(diào)節(jié)劑為強(qiáng)堿。
【文檔編號(hào)】C25D3/30GK103757669SQ201410028502
【公開(kāi)日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2014年1月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月21日
【發(fā)明者】任秀斌, 肖定軍, 裘宇, 王植材 申請(qǐng)人:廣東光華科技股份有限公司