專利名稱：直立式電鍍?cè)O(shè)備及其電鍍方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電鍍?cè)O(shè)備，特別涉及一種直立式電鍍?cè)O(shè)備。
背景技術(shù)：
在公知的直立式電鍍?cè)O(shè)備中，由于受到電鍍槽中的流場(chǎng)以及重力等因素影響，造成電鍍離子濃度的分布不均勻，因而使得晶片表面的電鍍效果不均。參照?qǐng)D1，其顯示公知直立式電鍍?cè)O(shè)備的電鍍效果，由圖中可知，透過(guò)公知直立式電鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行電鍍，晶片表面會(huì)產(chǎn)生水平方向的電鍍濃度層次分布。不均勻的電鍍效果將降低產(chǎn)品的可靠度，并產(chǎn)生不規(guī)則凸點(diǎn)(irregular bump)、凸點(diǎn)破裂(bump crack)以及低介電分層(ELK delamination) 等問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明即為了欲解決公知技術(shù)的問(wèn)題而提供的一種直立式電鍍?cè)O(shè)備，用以對(duì)一晶片進(jìn)行電鍍，包括一電鍍槽、一晶座、一磁致動(dòng)單元以及一承座。電鍍槽呈放一電鍍液。晶座夾持該晶片，并將該晶片浸入該電鍍液之中。磁致動(dòng)單元旋轉(zhuǎn)該晶座，借此以在該電鍍液中旋轉(zhuǎn)該晶片，以均勻化該晶片的電鍍效果。該晶座以可轉(zhuǎn)動(dòng)的方式設(shè)于該承座之上。在一實(shí)施例中，該磁致動(dòng)單元包括一永久磁性元件以及多個(gè)電致磁性元件，該永久磁性元件環(huán)繞該晶座，所述多個(gè)電致磁性元件設(shè)于該晶座之中，所述多個(gè)電致磁性元件提供磁場(chǎng)變化以使該晶座于該承座上轉(zhuǎn)動(dòng)。在另一實(shí)施例中，該磁致動(dòng)單元包括一永久磁性元件以及多個(gè)電致磁性元件，該永久磁性元件設(shè)于該承座，所述多個(gè)電致磁性元件設(shè)于該晶座之中，該永久磁性元件環(huán)繞所述多個(gè)電致磁性元件，所述多個(gè)電致磁性元件提供磁場(chǎng)變化以使該晶座于該承座上轉(zhuǎn)動(dòng)。在又一實(shí)施例中，該磁致動(dòng)單元包括一永久磁性元件以及多個(gè)電致磁性元件，所述多個(gè)電致磁性元件設(shè)于該承座，該永久磁性元件設(shè)于該晶座，該永久磁性元件環(huán)繞所述多個(gè)電致磁性元件，所述多個(gè)電致磁性元件提供磁場(chǎng)變化以使該晶座于該承座上轉(zhuǎn)動(dòng)。在一實(shí)施例中，該電鍍液包括銀離子，其濃度為0.1 5. 0wt%。該磁致動(dòng)單元以 1 50rpm的速度旋轉(zhuǎn)該晶座。本發(fā)明也涉及一種電鍍方法，在一實(shí)施例中，用以對(duì)一晶片進(jìn)行電鍍，包括下述步驟。首先，提供一電鍍槽，該電鍍槽中呈放一電鍍液。再，提供一晶座，以?shī)A持該晶片。接著， 將該晶片浸入該電鍍液之中。最后，旋轉(zhuǎn)該晶座，借此以在該電鍍液中旋轉(zhuǎn)該晶片，以均勻化該晶片的電鍍效果。應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的直立式電鍍?cè)O(shè)備，可使晶片在電鍍時(shí)于一鉛直平面上進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，借此以避免電鍍液濃度分布不均對(duì)電鍍效果所造成的影響。進(jìn)而提升產(chǎn)品的可靠度，解決不規(guī)則凸點(diǎn)(irregular bump)、凸點(diǎn)破裂(bump crack)以及低介電分層(ELK delamination)等問(wèn)題。


圖1顯示公知直立式電鍍?cè)O(shè)備的電鍍效果；圖2A顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的直立式電鍍?cè)O(shè)備；圖2B顯示晶座以及磁致動(dòng)單元的前視圖；圖3顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的直立式電鍍?cè)O(shè)備；圖4顯示本發(fā)明第三實(shí)施例的直立式電鍍?cè)O(shè)備；以及圖5顯示本發(fā)明的電鍍方法。其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下10 晶片100、100，、100” 直立式電鍍?cè)O(shè)備101 電鍍液110 電鍍槽120 晶座121 凸緣122 晶座本體123 轉(zhuǎn)軸130 磁致動(dòng)單元131 永久性磁鐵132 電致磁性元件140 承座S1、S2、S3、S4 電鍍方法步驟
具體實(shí)施例方式參照?qǐng)D2A，其顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的直立式電鍍?cè)O(shè)備100，用以對(duì)晶片10進(jìn)行電鍍。該直立式電鍍?cè)O(shè)備100包括一電鍍槽110、晶座120、磁致動(dòng)單元130以及承座140。 電鍍槽110中呈放一電鍍液101。晶座120夾持晶片10，并將晶片10浸入該電鍍液101之中。磁致動(dòng)單元130旋轉(zhuǎn)該晶座120，借此以在該電鍍液101中旋轉(zhuǎn)該晶片10，以均勻化該晶片10的電鍍效果。晶片10以被吸附的方式由晶座120所夾持，晶座120可以為百努利(Bernoulli)
式承載盤。晶座120以可轉(zhuǎn)動(dòng)的方式設(shè)于承座140之上。晶座120包括一凸緣121、一晶座本體122以及一轉(zhuǎn)軸123，該凸緣121連接該晶座本體122，該晶座本體122連接該轉(zhuǎn)軸123。 轉(zhuǎn)軸123于承座140中轉(zhuǎn)動(dòng)。磁致動(dòng)單元130包括一永久磁性元件131以及多個(gè)電致磁性元件132，該永久磁性元件131環(huán)繞該晶座120，所述多個(gè)電致磁性元件132設(shè)于該晶座本體122之中，所述多個(gè)電致磁性元件132提供磁場(chǎng)變化以使該晶座120于該承座140上轉(zhuǎn)動(dòng)。搭配參照?qǐng)D2B，其顯示晶座120以及磁致動(dòng)單元130的前視圖，其中，所述多個(gè)電致磁性元件132以環(huán)狀排列的方式設(shè)置，該永久磁性元件131為環(huán)狀結(jié)構(gòu)。該永久磁性元件131可以為永久磁鐵，所述多個(gè)電致磁性元件132可以為電磁鐵。在上述實(shí)施例中，該磁致動(dòng)單元以1 50rpm的速度旋轉(zhuǎn)該晶座，該電鍍液包括銀離子，其濃度為0. 1 5. Owt %。然，上述實(shí)施例并未限制本發(fā)明，針對(duì)不同的電鍍?nèi)芤阂约半婂儩舛?，可搭配調(diào)整晶座的旋轉(zhuǎn)速度，以達(dá)到最佳的電鍍效果。應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的直立式電鍍?cè)O(shè)備，可使晶片在電鍍時(shí)于一鉛直平面上進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，借此以避免電鍍液濃度分布不均對(duì)電鍍效果所造成的影響。進(jìn)而提升產(chǎn)品的可靠度，解決不規(guī)則凸點(diǎn)(irregular bump)、凸點(diǎn)破裂(bump crack)以及低介電分層(ELK delamination)等問(wèn)題。參照?qǐng)D3，其顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的直立式電鍍?cè)O(shè)備100’，其中，該永久磁性元件131設(shè)于該承座140中，所述多個(gè)電致磁性元件132設(shè)于該晶座120的轉(zhuǎn)軸123中，該永久磁性元件131環(huán)繞所述多個(gè)電致磁性元件132，所述多個(gè)電致磁性元件132提供磁場(chǎng)變化以使該晶座120于該承座140上轉(zhuǎn)動(dòng)。參照?qǐng)D4，其顯示本發(fā)明第三實(shí)施例的直立式電鍍?cè)O(shè)備100”，其中，該磁致動(dòng)單元 130包括一永久磁性元件131以及多個(gè)電致磁性元件132，所述多個(gè)電致磁性元件132設(shè)于該承座140之中，該永久磁性元件131設(shè)于該晶座120之上，該永久磁性元件131環(huán)繞所述多個(gè)電致磁性元件132，所述多個(gè)電致磁性元件132提供磁場(chǎng)變化以使該晶座120于該承座 140上轉(zhuǎn)動(dòng)。在此實(shí)施例中，該永久磁性元件131設(shè)于該凸緣121的一內(nèi)側(cè)表面，該內(nèi)側(cè)表面朝向該承座140。在上述實(shí)施例中，該永久磁性元件131與所述多個(gè)電致磁性元件132的位置可以互相對(duì)換，其并未限制本發(fā)明。此外，該永久磁性元件131與所述多個(gè)電致磁性元件132可以分別設(shè)于承座140或晶座120之中或是其表面，其并未限制本發(fā)明。參照?qǐng)D5，本發(fā)明也涉及一種電鍍方法，用以對(duì)一晶片進(jìn)行電鍍，包括下述步驟。首先，提供一電鍍槽，該電鍍槽中呈放一電鍍液(Si)。再，提供一晶座，以?shī)A持該晶片(S2)。 接著，將該晶片浸入該電鍍液之中(S； )。最后，旋轉(zhuǎn)該晶座，借此以在該電鍍液中旋轉(zhuǎn)該晶片，以均勻化該晶片的電鍍效果(S4)。雖然本發(fā)明已以具體的優(yōu)選實(shí)施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，仍可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視隨附的權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種直立式電鍍?cè)O(shè)備，用以對(duì)一晶片進(jìn)行電鍍，包括一電鍍槽，呈放一電鍍液；一晶座，夾持該晶片，并將該晶片浸入該電鍍液之中；以及一磁致動(dòng)單元，旋轉(zhuǎn)該晶座，借此以在該電鍍液中旋轉(zhuǎn)該晶片，以均勻化該晶片的電鍍效果。
2.如權(quán)利要求1所述的直立式電鍍?cè)O(shè)備，其中，該晶片于一鉛直平面上進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
3.如權(quán)利要求1所述的直立式電鍍?cè)O(shè)備，其還包括一承座，其中，該晶座是以可轉(zhuǎn)動(dòng)的方式設(shè)于該承座之上。
4.如權(quán)利要求3所述的直立式電鍍?cè)O(shè)備，其中，該磁致動(dòng)單元包括一永久磁性元件以及多個(gè)電致磁性元件，該永久磁性元件環(huán)繞該晶座，所述多個(gè)電致磁性元件設(shè)于該晶座之中，所述多個(gè)電致磁性元件提供磁場(chǎng)變化以使該晶座于該承座上轉(zhuǎn)動(dòng)。
5.如權(quán)利要求3所述的直立式電鍍?cè)O(shè)備，其中，該磁致動(dòng)單元包括一永久磁性元件以及多個(gè)電致磁性元件，該永久磁性元件設(shè)于該承座，所述多個(gè)電致磁性元件設(shè)于該晶座之中，該永久磁性元件環(huán)繞所述多個(gè)電致磁性元件，所述多個(gè)電致磁性元件提供磁場(chǎng)變化以使該晶座于該承座上轉(zhuǎn)動(dòng)。
6.如權(quán)利要求5所述的直立式電鍍?cè)O(shè)備，其中，該晶座包括一轉(zhuǎn)軸，該轉(zhuǎn)軸插設(shè)于該承座之中，所述多個(gè)電致磁性元件設(shè)于該轉(zhuǎn)軸之中。
7.如權(quán)利要求3所述的直立式電鍍?cè)O(shè)備，其中，該磁致動(dòng)單元包括一永久磁性元件以及多個(gè)電致磁性元件，所述多個(gè)電致磁性元件設(shè)于該承座，該永久磁性元件設(shè)于該晶座，該永久磁性元件環(huán)繞所述多個(gè)電致磁性元件，所述多個(gè)電致磁性元件提供磁場(chǎng)變化以使該晶座于該承座上轉(zhuǎn)動(dòng)。
8.如權(quán)利要求7所述的直立式電鍍?cè)O(shè)備，其中，該晶座包括一凸緣以及一晶座本體，該凸緣連接該晶座本體，該永久磁性元件設(shè)于該凸緣的一表面，該表面朝向該承座。
9.一種電鍍方法，用以對(duì)一晶片進(jìn)行電鍍，包括提供一電鍍槽，該電鍍槽中呈放一電鍍液；提供一晶座，以?shī)A持該晶片；將該晶片浸入該電鍍液之中；旋轉(zhuǎn)該晶座，借此以在該電鍍液中旋轉(zhuǎn)該晶片，以均勻化該晶片的電鍍效果。
10.如權(quán)利要求9所述的電鍍方法，其中，該晶片于一鉛直平面上進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種直立式電鍍?cè)O(shè)備及其電鍍方法，該設(shè)備包括用以對(duì)一晶片進(jìn)行電鍍，包括一電鍍槽、一晶座以及一磁致動(dòng)單元。電鍍槽呈放一電鍍液。晶座夾持該晶片，并將該晶片浸入該電鍍液之中。磁致動(dòng)單元旋轉(zhuǎn)該晶座，借此以在該電鍍液中旋轉(zhuǎn)該晶片，以均勻化該晶片的電鍍效果。本發(fā)明實(shí)施例的直立式電鍍?cè)O(shè)備，可使晶片在電鍍時(shí)于一鉛直平面上進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，借此以避免電鍍液濃度分布不均對(duì)電鍍效果所造成的影響。進(jìn)而提升產(chǎn)品的可靠度，解決不規(guī)則凸點(diǎn)、凸點(diǎn)破裂以及低介電分層等問(wèn)題。
文檔編號(hào)C25D17/02GK102268719SQ201010196199
公開日2011年12月7日 申請(qǐng)日期2010年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月3日
發(fā)明者何明哲, 劉重希, 張家棟, 鄭明達(dá) 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司