專利名稱：室溫下制備高密度金納米晶的方法及用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種室溫下 制備高密度金納米晶的方法及產(chǎn)品。
背景技術(shù)：
隨著多晶硅浮柵存儲(chǔ)器在通信、消費(fèi)領(lǐng)域、計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的普遍應(yīng) 用，它已成為占據(jù)一定市場(chǎng)份額的存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品。但是半導(dǎo)體工業(yè) 按比例縮小的要求對(duì)納米級(jí)厚度的隧穿氧化層的質(zhì)量提出了極大的 挑戰(zhàn)。
納米晶存儲(chǔ)器解決了傳統(tǒng)多晶硅浮柵存儲(chǔ)器在尺寸進(jìn)一步縮小 情況下遇到的隧穿氧化層減薄和數(shù)據(jù)保持能力退化的兩難處境，見(jiàn)文
獻(xiàn) [1] A. Thean， J. P. Leburton,"Flash memory: towards single-electronics" , IEEE Potentials, 2002, 21 (Oct/Nov), pp. 35-41.它的優(yōu)點(diǎn)在于電荷存儲(chǔ)在分立的納米晶中，納米晶之間被絕緣 介質(zhì)隔離。所以，隧穿氧化層中的單一電荷泄漏通道只能導(dǎo)致其附近 的納米晶中存儲(chǔ)電荷的流失，而不影響其它納米晶中存儲(chǔ)的電荷，可 以提高存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保存時(shí)間。此外，金屬納米晶在費(fèi)米能級(jí)附近有 較高的態(tài)密度、與導(dǎo)電溝道有較強(qiáng)的耦合、功函數(shù)選擇范圍更大、載 流子限制效應(yīng)引起的能量擾動(dòng)小等優(yōu)勢(shì)，見(jiàn)文獻(xiàn)[2] Z. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pei, E. C. Kan, "Metal nanocrystal memories I : Device design and fabrication, IEEE Trans. Electron Devices"， 2002， vol. 49， no. 9, pp. 1606-1613.因此具有很好的應(yīng)用前景。金納米晶具有較高的功函數(shù)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性，因此被廣泛地
應(yīng)用，見(jiàn)文獻(xiàn)[3] D. U. Lee, M. S. Lee， J. H. Kim, "Floating gated silicon—on—insulator nonvolatile memory devices with Au nanoparticles embedded in SiO1.3N insulators by digital sputtering method" ， Appl. Phys. Lett., 2007， vol. 90， no. 9， pp. 093514;文獻(xiàn)[4] J. H. Kim， K. H. Baek, C. K. Kim， Y. B. Kim, C. S. Yoon， "Formation of gold nanoparticles embedded in a polyimide film for nanofloating gate memory" ， Appl. Phys. Lett. ， 2007， vo.90, no. 12， pp. 123118;文獻(xiàn)[5] C. C. Wang, Y. K. Chiou， C. H. Chang,"Memory characteristics of Au nanocrystals embedded in metal - oxide - semiconductor structure by using atomic-layer-d印osited A1203 as control oxide" ， J. of Phys. D， 2007, vol. 40. no. 6， pp. 1673-1677;文 獻(xiàn)[6] W. L. Leong， P. S. Lee， S. G. Mhaisalkar， "Charging phenomena in pentacene-gold nanoparticle memory device" ， Appl. Phys. Lett., 2007, vol. 90， no. 4， pp. 042906.
然而，涉及的金納米晶的制備方法主要是先通過(guò)物理氣相淀積 (如，濺射、電子束蒸發(fā))形成幾個(gè)納米厚度的金層，然后進(jìn)行高溫 熱處理，從而自發(fā)形成彼此分離的金納米晶，見(jiàn)文獻(xiàn)[7] C. Lee, J. Meteer, V. Narayanan, E. C. Kan，"Self-assembly of metal nanocrystals on ultrathin oxide for nonvolatile memory applications", J. Electronic Materials, 2005, vol. 34， no. 1， 卯.1—11;文獻(xiàn)[8] J. Y. Yang, J. H. Kim, W. J. Choi, Y. H. Do, C. 0. Kim， J, P. Hong， "Enhanced electrical characteristics of Au nanoparticles embedded in high-k Hf02 matrix" ， J. Appl.Phys. ， 2006， vol. 100， no. 8, pp. 066102.
上述方法中采用了高溫?zé)崽幚?，這不僅增加了存儲(chǔ)器制造過(guò)程中 的能耗和成本，而且會(huì)增加器件加工過(guò)程中的熱應(yīng)力，對(duì)納米器件加 工不利。有報(bào)道稱在形成雙層納米晶結(jié)構(gòu)時(shí)，高溫?zé)崽幚磉€可能導(dǎo)致 下層納米晶尺寸的變化，見(jiàn)文獻(xiàn)[9] W. P. Chen, T. C. Chang, J. L. Yeh， S. M. Sze， C. Y. Chang, "Formation and nonvolatile memory characteristics of multilayer nickel-silicide NCs embedded in nitride layer", J. Appl. Phys. ， 2008， vol. 104， pp. 094303. 另一方面，在存儲(chǔ)器中引入高介電常數(shù)的氧化層材料，還可以實(shí)現(xiàn)良 好的數(shù)據(jù)保持特性。
因此，本發(fā)明提供一種在高介電常數(shù)氧化鋁、氧化鉿薄膜上制 備高密度金納米晶的方法，以及在上述介質(zhì)中引入雙層或多層金納米 晶的工藝方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于通過(guò)與原子層淀積技術(shù)相結(jié)合， 提供一種室溫下制備高密度金納米晶的方法。
本發(fā)明所要解決的另一技術(shù)問(wèn)題在于提供上述制備方法的應(yīng)用， 用于制備高密度金納米晶電容元件。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題所采取的技術(shù)方案是 一種室溫下制備 高密度金納米晶的方法，先在基片上利用薄膜的反應(yīng)前軀體進(jìn)行原子
層淀積形成A1A薄膜或Hf02薄膜，將A1A薄膜或Hf02薄膜在質(zhì)量濃 度為3 8%的氨丙基三甲氧基硅垸水溶液中浸泡1. 5 3小時(shí)，取出， 超純水沖洗、且超聲波處理多次；再將AlA薄膜或Hf02薄膜放入金 溶膠中，浸泡3 8小時(shí)，在Al2(V薄膜或Hf02薄膜表面自組裝形成高
6密度金納米晶。在上述方案的基礎(chǔ)上，提供一種具體的制備金納米晶結(jié)構(gòu)的方 法，按下述步驟制備第一步在原子層淀積反應(yīng)腔中，基片表面原子層淀積厚度為5 7 納米的A1A薄膜或Hf02薄膜；第二步將覆蓋有八1203薄膜或Hf02薄膜的基片放入質(zhì)量濃度為3 8%的氨丙基三甲氧基硅烷水溶液中浸泡1. 5 3小時(shí)，取出， 超純水沖洗、且超聲波處理多次；第三步將基片放入金溶膠中，浸泡3 8小時(shí)，取出，超純水沖洗、,超聲波處理多次，用惰性氣體吹干，在Al203薄膜或Hf02薄膜表面自組裝形成第一層金納米晶； 第四步將生長(zhǎng)有第一層金納米晶的基片放入原子層淀積反應(yīng)腔中，在第一層金納米晶表面原子層淀積厚度為4 8納米的A1203薄膜或Hf(V薄膜，將單層金納米晶引入在Al2(V簿膜或Hf02薄膜中，形成單層金納米晶結(jié)構(gòu)。 進(jìn)一步，在上述制得的單層金納米晶結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，通過(guò)下述步 驟，獲得雙層金納米晶結(jié)構(gòu)第五步重復(fù)步驟二和步驟三，在AlA薄膜或Hf02薄膜表面自組裝形成第二層金納米晶； 第六步在表面生長(zhǎng)有第二層金納米晶的基片放入原子層淀積反應(yīng)腔中，在第二層金納米晶表面原子層淀積厚度為10 20納米的八1203薄膜或Hf02薄膜，將雙層金納米晶引入在Al2(V薄膜或Hf02薄膜中，形成雙層金納米晶結(jié)構(gòu)。 進(jìn)一步，在上述制得的雙層金納米晶結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，重復(fù)步驟二 和步驟三和步驟六，直至將多層金納米晶引入在Al2(V薄膜或Hf(V薄膜中，形成多層金納米晶結(jié)構(gòu)，這里的多層指三層或三層以上。具體的，氨丙基三甲氧基硅烷(APTMS)水溶液的質(zhì)量濃度可以 為3， 4， 5， 6， 7或8%。在上述方案的基礎(chǔ)上，所述Al2(V薄膜的反應(yīng)前軀體為三甲基鋁 和水，淀積溫度為280 32(TC。具體可以為280, 290, 300, 310或32(TC。在上述方案的基礎(chǔ)上，所述Hf02薄膜的反應(yīng)前軀體為四-(乙基 甲基氨基)鉿和水，淀積溫度為280 32(TC。具體可以為280， 290， 300， 310或320。C。在上述方案的基礎(chǔ)上，所述的基片為P型硅片。本發(fā)明提供針對(duì)上述制備方法獲得的金納米晶結(jié)構(gòu)的用途，用于 制備高密度金納米晶電容元件，該電容元件包括基片，在基片單個(gè)表面上形成的兩層或兩層以上的Al203薄膜或Hf02薄膜，在Al203薄膜或Hf02薄膜層間引入的一層或一層以上的金納米晶，以及在基片的背 面和最上層的A1A薄膜或Hf(V薄膜表面分別濺射或電子束蒸發(fā)形成 的兩個(gè)金屬電極，其中，所述的基片為P型硅片，所述金納米晶的密 度為10"cm—2量級(jí)，金納米晶層的厚度為5 8納米。 本發(fā)明的有益效果是1、 本發(fā)明中自組裝生長(zhǎng)金納米晶是在室溫下進(jìn)行的，避免了傳統(tǒng)的 方法需要后續(xù)高溫處理，'因此降低了工業(yè)能耗和成本，避免了器件加 工過(guò)程中熱應(yīng)力的產(chǎn)生。尤其是在制備雙層或多層金納米晶的情況 下，本發(fā)明避免了傳統(tǒng)的高溫處理技術(shù)容易導(dǎo)致較前形成的金納米晶 多次遭受高溫?zé)崽幚?，確保了自組裝生長(zhǎng)金納米晶的特性保持穩(wěn)定；2、 采用原子層淀積的方法，可以實(shí)現(xiàn)A1203、 Hf02絕緣介質(zhì)在低于350 'C下生長(zhǎng)，并且能夠精確地控制薄膜的厚度，同時(shí)能夠充分地填充到金納米晶之間，因此可以實(shí)現(xiàn)高密度納米晶的完全隔離。此夕卜，由于 原子層淀積溫度比較低，不會(huì)對(duì)已生長(zhǎng)的金納米晶的大小和分布造成 影響。


圖la為本發(fā)明在Al203薄膜表面自組裝金納米晶的原子力顯微鏡照片 圖lb為本發(fā)明在Hf02薄膜表面自組裝金納米晶的原子力顯微鏡照片 圖2為本發(fā)明引入雙層金納米晶的電容元件結(jié)構(gòu)示意圖 圖3為雙層金納米晶電容元件在lMHz高頻下的電容-電壓關(guān)系曲線圖 圖4為單層金納米晶電容原件在lMHz高頻下的電容-電壓關(guān)系曲線圖 圖5為雙層金納米晶電容元件漏電流密度和柵極偏壓的關(guān)系曲線圖具體實(shí)施方式
實(shí)施例1一種室溫下制備高密度金納米晶的方法，包括下述步驟A、 金溶膠的制備第一步將1毫升質(zhì)量體積濃度為1 3%的氯金酸水加入盛有100毫升超純水的燒瓶中，劇烈攪拌1 2分鐘； 第二步將1毫升質(zhì)量體積濃度為1 3%的檸檬酸鈉水溶液在1分鐘內(nèi)滴加在第一步的混合液中，混合1 2分鐘； 第三步再向上述混合液中滴加1毫升質(zhì)量體積濃度為0.065 0.085%的硼氫化鈉溶液(溶于質(zhì)量體積濃度為1%的檸檬酸鈉水溶液)，持續(xù)攪拌，直到溶液變成酒紅色，完成金溶膠配 置，整個(gè)配制過(guò)程維持體系溫度為室溫。B、 高密度金納米晶的制備9第一步在原子層淀積反應(yīng)腔中，基片進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)清洗后，在基片表面原子層淀積厚度為5 7納米的A1203薄膜或Hf 02薄膜,其中， 原子層淀積A1A薄膜的反應(yīng)前驅(qū)體為三甲基鋁(TMA)和水， 淀積溫度控制在280 320°C;原子層淀積Hf02薄膜的反應(yīng) 前驅(qū)體是四-(乙基甲基氨基)鉿(TEMAH)和水，淀積溫度控 制在280 320 °C; 第二步將覆蓋有A1A薄膜或肚02薄膜的基片放入質(zhì)量濃度在5%的 氨丙基三甲氧基硅烷(APTMS)水溶液中浸泡，兩個(gè)小時(shí)后 取出，用大量的超純水沖洗，并用超聲多次處理；第三步將基片放入A步制備的金溶膠中，浸泡四小時(shí)后取出，用大量的超純水沖洗，并用超聲多次處理，最后用高純氬氣吹干，在A1A薄膜或Hf02薄膜表面自組裝形成金納米晶，取出， 用大量的超純水沖洗，并用超聲多次處理，最后用高純氬氣 吹干。請(qǐng)參閱圖la為本發(fā)明在A1A薄膜表面自組裝金納米晶的原子力 顯微鏡照片和圖lb為本發(fā)明在Hf02薄膜表面自組裝金納米晶的原子 力顯微鏡照片所示，在兩種高介電常數(shù)薄膜表面，自組裝生長(zhǎng)的金納 米晶尺寸都在5 8納米的范圍內(nèi)，密度為10"cm—2左右。表1列出了實(shí)施例1的自組裝方法制備的金納米晶的物理參數(shù)， 并和濺射、蒸發(fā)兩種制備方法進(jìn)行了對(duì)比。表l文獻(xiàn)制備方法退火條件晶粒尺寸(nm)晶粒密度(cm—2)[3]濺射800。C, 10秒51.5X1012[4]蒸發(fā)400 。C， 1小時(shí)<103. 77X1011實(shí)施例1自組裝不需要5 84X1011從表1中可以看出，實(shí)例1可以在不需要高溫?zé)崽幚淼臈l件下仍然達(dá)到高密度的要求。本發(fā)明除前述的優(yōu)越性外，還可通過(guò)金溶膠濃度的控制來(lái)調(diào)控納米晶的大小，而且得到的納米晶陣列的均勻性好； 實(shí)施例2一種室溫下制備高密度金納米晶的方法，包括下述步驟A、 金溶膠的制備同實(shí)施例1B、 高密度金納米晶的制備第一步在原子層淀積反應(yīng)腔中，P型硅片進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)清洗后，在P型 硅片表面原子層淀積厚度為5 7納米的Hf02薄膜，其中， 原子層淀積Hf(V薄膜的反應(yīng)前驅(qū)體是四-(乙基甲基氨基)鉿 (TEMAH)和水，淀積溫度控制在280 320 °C;第二步將覆蓋有Hf02薄膜的p型硅片放入質(zhì)量濃度在5%的氨丙基 三甲氧基硅垸(APTMS)水溶液中浸泡，兩個(gè)小時(shí)后取出， 用大量的超純水沖洗，并用超聲多次處理；第三步將p型硅片放入A步制備的金溶膠中，浸泡四小時(shí)后取出， 用大量的超純水沖洗，并用超聲多次處理，最后用高純氬氣 吹干，在Hf02薄膜表面自組裝形成第一層金納米晶，取出， 用大量的超純水沖洗，并用超聲多次處理；第四步將生長(zhǎng)有第一層金納米晶的基片放入原子層淀積反應(yīng)腔中， 在第一層金納米晶表面原子層淀積厚度為4 8納米Hf02薄 膜；第五步重復(fù)步驟二，將覆蓋有肚02薄膜的硅片放入質(zhì)量濃度在5% 的氨丙基三甲氧基硅垸(APTMS)水溶液中浸泡，兩個(gè)小時(shí) 后取出，用大量的超純水沖洗，并用超聲多次處理；重復(fù)步驟三，將基片放入A步制備的金溶膠中，浸泡四小時(shí) 后取出，用大量的超純水沖洗，并用超聲多次處理，最后用 高純氬氣吹干，在Hf02薄膜表面自組裝形成第二層金納米 晶；第六步在表面生長(zhǎng)有第二層金納米晶的基片放入原子層淀積反應(yīng)腔 中，在第二層金納米晶表面原子層淀積厚度為10 20納米 的Hf(V薄膜，將雙層金納米晶引入在Hf02薄膜中。 進(jìn)一步重復(fù)上述步驟，將三層以上金納米晶弓I入在Hf02薄膜中。 應(yīng)用例1一種室溫下制備高密度金納米晶電容元件的方法，包括下述步A、 金溶膠的制備同實(shí)施例1B、 雙層高密度金納米晶電容元件的制備-第一步至第六步同實(shí)施例1第七步在正反兩面(p型硅片的背面以及最上層Hf02薄膜的表面) 采用電子束蒸發(fā)金屬鋁形成鋁電極，鋁電極的厚度為0.5 1微米，制成雙層金納米晶電容元件，如圖2所示。應(yīng)用例2A、 金溶膠的制備同實(shí)施例1B、 單層高密度金納米晶電容元件的制備第一步至第四步同實(shí)施例1第五步在正反兩面(P型硅片的背面以及最上層Hf02薄膜的表面) 采用電子束蒸發(fā)金屬鋁形成鋁電極，鋁電極的厚度為0. 5 1微米，制成單層金納米晶電容元件。請(qǐng)參閱圖3為雙層金納米晶電容元件在lMHz高頻下的電容-電壓關(guān)系曲線圖和圖4為單層金納米晶電容原件在1MHz高頻下的電容-電壓關(guān)系曲線圖所示，其中圖3為雙層金納米晶的電容元件結(jié)構(gòu) Al/Si/Hf02/Au/Hf02/Au/Hf02/Al，圖4則為單層金納米晶電容元件結(jié) 構(gòu)Al/Si/Hf02/Au/Hf02/Al。從圖中可以看出，隨著掃描電壓范圍的 增加，單層和雙層金納米晶電容結(jié)構(gòu)的滯回窗口都近似線性的增大， 并且在相同掃描電壓范圍下，雙層金納米晶電容結(jié)構(gòu)的窗口更大，說(shuō) 明雙層金納米晶電容結(jié)構(gòu)可以存儲(chǔ)更多的電荷，即其存儲(chǔ)效應(yīng)更明 顯。雙層金納米晶電容元件(存儲(chǔ)器)的漏電流密度和柵極偏壓的 曲線圖表現(xiàn)出良好的漏電性能，如圖5，比如在9V偏壓下雙層金納 米晶電容結(jié)構(gòu)的漏電流僅有2.9X10—8 A/cnf2。
權(quán)利要求
1、一種室溫下制備高密度金納米晶的方法，其特征在于先在基片上利用薄膜的反應(yīng)前軀體進(jìn)行原子層淀積形成Al2O3薄膜或HfO2薄膜，將Al2O3薄膜或HfO2薄膜在質(zhì)量濃度3～8％的氨丙基三甲氧基硅烷水溶液中浸泡1.5～3小時(shí)，取出，超純水沖洗、且超聲波處理多次；再將Al2O3薄膜或HfO2薄膜放入金溶膠中，浸泡3～8小時(shí)，在Al2O3薄膜或HfO2薄膜表面自組裝形成高密度金納米晶。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的室溫下制備高密度金納米晶的方法，其特 征在于包括下述步驟第一步在原子層淀積反應(yīng)腔中，基片表面原子層淀積厚度為5 7納米的A1A薄膜或Hf(V薄膜； 第二步將覆蓋有A1A薄膜或Hf02薄膜的基片放入質(zhì)量濃度在3 8%的氨丙基三甲氧基硅垸水溶液中浸泡1. 5 3小時(shí)，取出，超純水沖洗、且超聲多次處理； 第三步將步驟二的基片放入金溶膠中，浸泡3 8小時(shí)，取出，超純水沖洗、超聲多次處理，用惰性氣體吹干，在A1A薄膜或Hf02薄膜表面自組裝形成第一層金納米晶； 第四步將生長(zhǎng)有第一層金納米晶的基片放入原子層淀積反應(yīng)腔中，在第一層金納米晶表面原子層淀積厚度為4 8納米的A1203薄膜或肚02薄膜，將單層金納米晶引入在Al203薄膜或Hf02薄膜中，形成單層金納米晶結(jié)構(gòu)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的室溫下制備高密度金納米晶的方法，其特 征在于在制得的單層金納米晶結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，進(jìn)行下述步驟 第五步重復(fù)步驟二和步驟三，在Al203薄膜或Hf02薄膜表面自組裝形成第二層金納米晶；第六步將表面生長(zhǎng)有第二層金納米晶的基片放入原子層淀積反應(yīng)腔 中，在第二層金納米晶表面原子層淀積厚度為10 20納米的A1A薄膜或Hf02薄膜，將雙層金納米晶引入在Al203薄膜 或Hf02薄膜中，形成雙層金納米晶結(jié)構(gòu)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的室溫下制備高密度金納米晶的方法，其特 征在于在制得的雙層金納米晶結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，重復(fù)步驟二和步驟三 和步驟六，直至將多層金納米晶引入在Al203薄膜或Hf02薄膜中，形 成多層金納米晶結(jié)構(gòu)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的室溫下制備高密度金納米晶的方法，其特 征在于所述八1203薄膜的反應(yīng)前軀體為三甲基鋁和水，淀積溫度為 280 320。C。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的室溫下制備高密度金納米晶的方法，其特 征在于所述Hf02薄膜的反應(yīng)前軀體為四-(乙基甲基氨基)鉿和水， 淀積溫度為280 320'C。
7、 針對(duì)權(quán)利要求2至6之一所述的制備方法的用途，用于制備高密 度金納米晶電容元件，其中，電容元件包括基片，在基片單個(gè)表面 上形成的兩層或兩層以上的A1A薄膜或Hf(V薄膜，在A1A薄膜或 Hf02薄膜層間引入的一層或一層以上的金納米晶，以及在基片的背面 和最上層的八1203薄膜或Hf02薄膜表面分別濺射或電子束蒸發(fā)形成的 兩個(gè)金屬電極，所述的基片P型硅片，所述金納米晶的密度為10"cm—2 量級(jí)，金納米晶層的厚度為5 8納米。
全文摘要
本發(fā)明一種室溫下制備高密度金納米晶的方法，先在基片上用原子層淀積形成Al₂O₃薄膜或HfO₂薄膜，將Al₂O₃薄膜或HfO₂薄膜在質(zhì)量濃度在3～8％的氨丙基三甲氧基硅烷水溶液中浸泡1.5～3小時(shí)；再將Al₂O₃薄膜或HfO₂薄膜放入金溶膠中，浸泡3～8小時(shí)，在Al₂O₃薄膜或HfO₂薄膜表面自組裝形成高密度金納米晶。進(jìn)而在基片背面和最上層的薄膜表面分別濺射或電子束蒸發(fā)形成的兩個(gè)金屬電極，制成電容元件。優(yōu)點(diǎn)是在室溫下進(jìn)行的避免傳統(tǒng)高溫處理技術(shù)容易導(dǎo)致較前形成的金納米晶多次遭受高溫?zé)崽幚恚_保了自組裝生長(zhǎng)金納米晶的特性保持穩(wěn)定；得到的納米晶陣列的均勻性好；原子層淀積方法，實(shí)現(xiàn)Al₂O₃、HfO₂在低于350℃下生長(zhǎng)，精確控制薄膜的厚度。
文檔編號(hào)B82B3/00GK101575085SQ20091005300
公開(kāi)日2009年11月11日 申請(qǐng)日期2009年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月12日
發(fā)明者丁士進(jìn), 玥 黃 申請(qǐng)人:復(fù)旦大學(xué)