專利名稱：靜電吸附納米切割技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
納米材料制造領(lǐng)域
發(fā)明原由因目前制造100納米之內(nèi)的微小物體(如集成電路電路的間隙 等)成本高、工藝復(fù)雜。因此，發(fā)明此項(xiàng)可以容易制作出集成 電路的電路間的間隙在納米之內(nèi)，低成本的技術(shù)。
專利說明本技術(shù)屬于納米領(lǐng)域內(nèi)的一種實(shí)用技術(shù)。是利用多個(gè)帶正電原 子核排列起來去切割(撞擊)另一個(gè)大物體的分子，使他們之 間擁有許多間隙，從而達(dá)到切割、制作的目的。
眾所周知，在微觀領(lǐng)域中物體由分子組成，而分子在不停 地不規(guī)則地運(yùn)動(dòng)。因此，要讓切割物上的導(dǎo)電原子(如鋁原子) "聽話"很關(guān)鍵。因此，可以用微小的電流去讓他們在一小塊 地方活動(dòng)，并將導(dǎo)電原子(如鋁原子)排列成線圈狀，在線圈 中間"放"上原子，因?yàn)殡娚?，則原子分為原子核和電子， 因原子核帶正電、電子帶負(fù)電，所以在線圈正極那兒放一塊擋 板，則電子在內(nèi)，原子核好比是刀片在外，就很"聽話"地排 在了一起，請參看圖l (裝置正視圖)
圖l說明1、實(shí)際個(gè)數(shù)與畫的個(gè)數(shù)不相同，可因?qū)嶋H情況而改 變(導(dǎo)電原子、電子、原子核)。2、導(dǎo)電原子與原子核也可是來自不同的材料(視 實(shí)際情況而定)。
專利應(yīng)用將多個(gè)這種裝置組合成一定的排列方式，(如若制作集成電路， 則做成電路狀)將被切物(如半導(dǎo)體)懸空放在擋板下方，向 下快速移動(dòng)擋板，則半導(dǎo)體上的一些分子會(huì)因此裝置的撞擊而 掉落下來，多做幾次重復(fù)動(dòng)作則集成電路就切割好了。請參看 圖2 (切割時(shí)的模擬圖)。
圖2說明1、圖中的這個(gè)只是其中的一個(gè)裝置，而真正需許多 這種裝置組合而成。
2、其實(shí)并不用將導(dǎo)電原子(如鋁原子)緊緊地挨在 一起，只需不讓他們亂竄即可。因?yàn)榧呻娐返碾娐烽g隙也在 不斷地小范圍變化。只需撞出一個(gè)形狀即可，線路間間隙可寬 可窄，只要線路不斷就行。
權(quán)利要求
1、靜電吸附納米切割技術(shù)。
2、 通電讓導(dǎo)電原子之間引力增強(qiáng)，在一小塊地方活動(dòng)。
3、 將導(dǎo)電原子排列成線圈狀，因?yàn)殡娚?，所以原子核排列在外供撞擊?br> 全文摘要
本“靜電吸附納米切割技術(shù)”是在線圈通電后會(huì)在兩頭產(chǎn)生磁力，以及原子之間原本就有引力與斥力且不斷運(yùn)動(dòng)的基礎(chǔ)上制成的。將一長串原子通直流電因許多電子在原子中間運(yùn)動(dòng)，使其之間引力增強(qiáng)不易分開，再將其繞成線圈狀，負(fù)極處放在許多原子核，正極放電子并在外放擋板，線圈與擋板夾角大于45度，再向下快速去撞擊被切物從而被切物能被切割成想要的精細(xì)形狀，從而完成制作精細(xì)的納米材料。
文檔編號(hào)B82B3/00GK101643198SQ200810146039
公開日2010年2月10日 申請日期2008年8月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月6日
發(fā)明者吳家恒 申請人:吳家恒