用于提供膜處理的系統(tǒng)及成膜控制系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種用于提供膜處理的系統(tǒng)及成膜控制系統(tǒng)。本文公開了用于利用成膜劑使用入口空氣冷卻裝置處理表面如燃?xì)鉁u輪表面的系統(tǒng)和方法。成膜控制系統(tǒng)包括構(gòu)造成容納成膜劑的儲(chǔ)存罐；入口空氣冷卻裝置；以及在第一端上聯(lián)接于儲(chǔ)存罐并且在第二端上聯(lián)接于入口空氣冷卻裝置的供應(yīng)導(dǎo)管；其中成膜控制系統(tǒng)構(gòu)造成將成膜劑從儲(chǔ)存罐輸送并且通過空氣入口冷卻裝置排出成膜劑，并且成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫基硅烷、氨基硅烷、原硅酸四乙酯、琥珀酐硅烷或包括前述中的至少一個(gè)的組合。
【專利說明】
用于提供膜處理的系統(tǒng)及成膜控制系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及一種用于提供膜處理的系統(tǒng)及成膜控制系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] 渦輪機(jī)如燃?xì)鉁u輪典型地包括壓縮機(jī)、燃燒器和渦輪。壓縮機(jī)增大氣體(典型地是 空氣）的壓力，并且壓縮氣體通過燃燒器與氣體燃料混合，并且焚燒，導(dǎo)致了熱氣體。加熱氣 體用于驅(qū)動(dòng)渦輪，該渦輪生成功率。
[0003] 燃?xì)鉁u輪在具有不同氣候的許多環(huán)境中操作。不同操作條件包括環(huán)境空氣溫度、 濕度、壓力和顆粒物質(zhì)濃度中的差異。燃?xì)鉁u輪包括用以降低進(jìn)入空氣的溫度的冷卻裝置。 這些冷卻裝置使用水來減小入口環(huán)境空氣的溫度，并且因此增大入口空氣的密度。增大的 空氣密度導(dǎo)致較高的質(zhì)量流速和壓力比，導(dǎo)致渦輪輸出和效率的提高。
[0004] 燃?xì)鉁u輪構(gòu)件被清潔來保持性能，并且延長構(gòu)件的總體壽命，例如，通過減少由污 垢引起的燃?xì)鉁u輪構(gòu)件的退化。燃?xì)鉁u輪構(gòu)件可在燃?xì)鉁u輪未操作的同時(shí)清潔。稱為脫機(jī) 清潔的該清潔可人工地執(zhí)行。人工清潔的實(shí)例為曲柄清洗。曲柄清洗大體上通過將清潔溶 液引入到渦輪中同時(shí)緩慢曲柄作用發(fā)生來執(zhí)行。該曲柄作用在不點(diǎn)燃或引入燃料的情況下 發(fā)生。由于燃?xì)鉁u輪在執(zhí)行曲柄清洗時(shí)并未操作，故燃?xì)鉁u輪的生產(chǎn)力降低。燃?xì)鉁u輪構(gòu)件 在燃?xì)鉁u輪聯(lián)機(jī)時(shí)清潔也可完成。此類方法通常涉及使用附加裝備和/或人工清潔。
[0005] 這些清潔方法用于除去累積在燃?xì)鉁u輪構(gòu)件上的污垢。然而，在清潔之后，燃?xì)鉁u 輪構(gòu)件在保養(yǎng)期間由于污垢的存在和累積而再次易于損壞。
[0006] 因此，存在的需要在于一種用于處理渦輪機(jī)表面（如，燃?xì)鉁u輪的表面）的系統(tǒng)及 方法，其給予免除污垢和與其相關(guān)的損壞的保護(hù)，在燃?xì)鉁u輪聯(lián)機(jī)或脫機(jī)時(shí)人工地或自動(dòng) 地執(zhí)行，并且/或者其使用燃?xì)鉁u輪的現(xiàn)有裝備，從而延長修理和/或維護(hù)間隔之間的時(shí)間 段、延長構(gòu)件的壽命和/或改進(jìn)燃?xì)鉁u輪的生產(chǎn)力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種方法包括使成膜劑與液體混合來形成成膜溶液，其 中成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫基硅烷、氨基硅烷、原硅酸四乙酯、琥珀酐硅烷或包括前 述中的至少一個(gè)的組合，以及使用入口空氣冷卻裝置將成膜溶液分配到表面上。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種系統(tǒng)包括處理器和通信地聯(lián)接于處理器的系統(tǒng)存 儲(chǔ)器，系統(tǒng)存儲(chǔ)器具有儲(chǔ)存在其上的可執(zhí)行指令，其在由處理器執(zhí)行時(shí)，引起處理器執(zhí)行操 作，該操作包括從傳感器接收數(shù)據(jù)和提供指令來基于從傳感器接收的數(shù)據(jù)使用入口空氣冷 卻裝置將成膜劑分配到表面上。其中成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫基硅烷、氨基硅烷、原 硅酸四乙酯、琥珀酐硅烷或包括前述中的至少一個(gè)的組合。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種成膜控制系統(tǒng)包括構(gòu)造成容納成膜劑的儲(chǔ)存罐、 入口空氣冷卻裝置，以及在第一端上聯(lián)接于儲(chǔ)存罐并且在第二端上聯(lián)接于入口空氣冷卻裝 置的供應(yīng)導(dǎo)管，其中成膜控制系統(tǒng)構(gòu)造成將成膜劑從儲(chǔ)存罐輸送并且通過入口空氣冷卻裝 置排出成膜劑，并且成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫基硅烷、氨基硅烷、原硅酸四乙酯、琥 珀酐硅烷或包括前述中的至少一個(gè)的組合。
[0010]技術(shù)方案1. 一種方法，包括：
[0011]使成膜劑與液體混合來形成成膜溶液，其中所述成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫 基硅烷、氨基硅烷、原硅酸四乙酯、琥珀酐硅烷，或包括前述中的至少一個(gè)的組合；以及
[0012] 使用入口空氣冷卻裝置將所述成膜溶液分配到表面上。
[0013] 技術(shù)方案2.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其特征在于，所述表面為渦輪機(jī)表面或 燃?xì)鉁u輪表面。
[0014] 技術(shù)方案3.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其特征在于，所述液體為去離子水。
[0015] 技術(shù)方案4.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其特征在于，所述成膜溶液的pH為從大 約5到大約9。
[0016] 技術(shù)方案5.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其特征在于，所述成膜劑包括硅氧烷、氟 硅烷、氫硫基硅烷、氨基硅烷、原硅酸四乙酯或琥珀酐硅烷中的至少兩個(gè)的組合。
[0017] 技術(shù)方案6.根據(jù)技術(shù)方案1所述的方法，其特征在于，所述成膜劑將一個(gè)或更多 個(gè)性質(zhì)給予所述表面，所述一個(gè)或更多個(gè)性質(zhì)包括被動(dòng)性、疏水性、疏油性、抗粘性質(zhì)，或包 括前述中的至少一個(gè)的組合。
[0018]技術(shù)方案7. -種系統(tǒng)，包括：
[0019] 處理器；以及
[0020] 通信性地聯(lián)接于所述處理器的系統(tǒng)存儲(chǔ)器，所述系統(tǒng)存儲(chǔ)器具有儲(chǔ)存在其上的可 執(zhí)行指令，其在由所述處理器執(zhí)行時(shí)，引起所述處理器執(zhí)行操作，所述操作包括：
[0021 ]從傳感器接收數(shù)據(jù)；以及
[0022]基于從所述傳感器接收的數(shù)據(jù)提供指令來使用入口空氣冷卻裝置將成膜劑分配 到表面上，其中所述成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫基硅烷、氨基硅烷、原硅酸四乙酯、琥 珀酐硅烷或包括前述中的至少一個(gè)的組合。
[0023]技術(shù)方案8. -種成膜控制系統(tǒng)，包括：
[0024]構(gòu)造成容納成膜劑的儲(chǔ)存罐；
[0025] 入口空氣冷卻裝置；以及
[0026] 在第一端上聯(lián)接于所述儲(chǔ)存罐并且在第二端上聯(lián)接于所述入口空氣冷卻裝置的 供應(yīng)導(dǎo)管;其中所述成膜控制系統(tǒng)構(gòu)造成將所述成膜劑從所述儲(chǔ)存罐輸送并且通過所述入 口空氣冷卻裝置排出所述成膜劑，并且所述成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫基硅烷、氨基 硅烷、原硅酸四乙酯、琥珀酐硅烷或包括前述中的至少一個(gè)的組合。
[0027] 技術(shù)方案9.根據(jù)技術(shù)方案8所述的成膜控制系統(tǒng)，其特征在于，所述成膜控制系 統(tǒng)還包括與所述供應(yīng)導(dǎo)管流體連通的第二儲(chǔ)存罐，其中所述第二儲(chǔ)存罐包含去離子水，并 且其中所述去離子水在通過所述入口空氣冷卻裝置排出所述去離子水和所述成膜劑之前 添加至所述成膜劑。
[0028] 技術(shù)方案10.根據(jù)技術(shù)方案9所述的成膜控制系統(tǒng)，其特征在于，所述成膜控制系 統(tǒng)還包括：
[0029]與待處理的表面連通的傳感器；
[0030]設(shè)置在所述供應(yīng)導(dǎo)管內(nèi)的閥和具有處理器和操作性地聯(lián)接于所述處理器的存儲(chǔ) 器的控制器，所述存儲(chǔ)器具有可執(zhí)行指令，其在由所述處理器執(zhí)行時(shí)引起所述處理器執(zhí)行 操作，所述操作包括：
[0031 ]從所述傳感器接收信號(hào)并且響應(yīng)于所述接收將指令提供至所述閥以開啟，以容許 將所述去離子水和所述成膜劑通過所述入口空氣冷卻裝置排出到所述表面上。
[0032] 這些及其它優(yōu)點(diǎn)和特征將從連同附圖進(jìn)行的以下描述變得更加顯而易見。
【附圖說明】
[0033] 認(rèn)作是本發(fā)明的主題在說明書結(jié)束部分的權(quán)利要求中具體指出并且明確地要求 權(quán)利。本發(fā)明的前述及其它特征和優(yōu)點(diǎn)從連同附圖進(jìn)行的以下詳細(xì)描述中顯而易見，在該 附圖中：
[0034]圖1為燃?xì)鉁u輪的示例性示圖；
[0035]圖2為燃?xì)鉁u輪壓縮機(jī)的局部截面的示例性示圖；
[0036]圖3為燃?xì)鉁u輪膜處理系統(tǒng)的示意性示圖；
[0037]圖4示出了使用燃?xì)鉁u輪的入口空氣冷卻裝置來分配膜處理的非限制性示例性方 法；
[0038]圖5示出了使用燃?xì)鉁u輪的入口空氣冷卻裝置來分配膜處理的非限制性示例性方 法；以及
[0039] 圖6為代表計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的示例性框圖，其中并入了本文公開的方法和系統(tǒng)或其部 分的方面。
[0040] 詳細(xì)描述參照附圖經(jīng)由實(shí)例闡釋了本發(fā)明的實(shí)施例連同優(yōu)點(diǎn)和特征。
[0041] 部件列表
[0042] 10燃?xì)鉁u輪
[0043] 12燃燒區(qū)段
[0044] 14壓縮機(jī)
[0045] 16 渦輪
[0046] 20燃燒室
[0047] 22排氣導(dǎo)管
[0048] 24燃?xì)鉁u輪壓縮機(jī)的局部截面
[0049] 1〇〇 A級
[0050] 102 B級
[0051] 104 C級
[0052] 106,108,110 葉片
[0053] 112轉(zhuǎn)子輪
[0054] 114 導(dǎo)葉
[0055] 116 外殼
[0056] 118 鐘形口
[0057] 120空氣流
[0058] 122抽氣系統(tǒng)
[0059] 124抽氣管
[0060] 126 抽取端口
[0061 ] 128 X級抽取管
[0062] 130 Y級抽取管
[0063] 200燃?xì)鉁u輪清洗控制系統(tǒng)
[0064] 201燃?xì)鉁u輪
[0065] 202壓縮機(jī)
[0066] 203 入口導(dǎo)葉
[0067] 204 渦輪
[0068] 205結(jié)垢傳感器
[0069] 206燃燒器
[0070] 208空氣入口系統(tǒng)
[0071] 209冷卻裝置
[0072] 213發(fā)電機(jī)
[0073] 214儲(chǔ)存罐
[0074] 215 導(dǎo)管
[0075] 216水平傳感器
[0076] 218供應(yīng)栗
[0077] 220清潔劑導(dǎo)管
[0078] 222調(diào)節(jié)閥
[0079] 223壓力傳感器
[0080] 224流量傳感器 [0081 ] 232控制器
[0082] 234 輸入
[0083] 236 輸出
[0084] 400 方法
[0085] 402選擇成膜劑
[0086] 404成膜劑分配到燃?xì)鉁u輪上
[0087] 500 方法
[0088] 502壓縮機(jī)結(jié)垢閾值
[0089] 504感測壓縮機(jī)中的結(jié)垢水平
[0090] 506結(jié)垢水平傳送至控制器
[0091] 508滿足結(jié)垢閾值
[0092] 510將成膜劑引入到入口空氣冷卻裝置中
[0093] 512將成膜溶液從入口空氣冷卻裝置分配
[0094] 720計(jì)算機(jī)
[0095] 721處理單元
[0096] 722系統(tǒng)存儲(chǔ)器
[0097] 723系統(tǒng)總線
[0098] 724 ROM
[0099] 725 RAM
[0100] 726 BIOS
[0101] 727硬盤驅(qū)動(dòng)器
[0102] 728磁盤驅(qū)動(dòng)器
[0103] 729可除去的磁盤
[0104] 730光盤驅(qū)動(dòng)器
[0105] 731可除去的光盤
[0106] 732硬盤驅(qū)動(dòng)器接口
[0107] 733磁盤驅(qū)動(dòng)器接口
[0108] 734光盤驅(qū)動(dòng)器接口
[0109] 735操作系統(tǒng)
[0110] 736應(yīng)用程序
[0111] 737程序模塊
[0112] 738程序數(shù)據(jù)
[0113] 740 鍵盤
[0114] 742定點(diǎn)裝置
[0115] 746串行端口接口
[0116] 747監(jiān)視器
[0117] 748視頻適配器
[0118] 749遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)
[0119] 750存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置
[0120] 751 LAN
[0121] 752 WAN
[0122] 753網(wǎng)絡(luò)接口或適配器
[0123] 754調(diào)制解調(diào)器
[0124] 755主機(jī)適配器
[0125] 756 SCSI總線
[0126] 762儲(chǔ)存裝置。
【具體實(shí)施方式】
[0127] 本文公開了用于使用入口空氣冷卻裝置來施加膜處理的方法及系統(tǒng)。在保養(yǎng)中操 作期間暴露于污垢("預(yù)先結(jié)垢")之前，所得的膜處理給予防結(jié)垢性質(zhì)來保護(hù)表面，如，渦輪 機(jī)、壓縮機(jī)或燃?xì)鉁u輪構(gòu)件的表面。在實(shí)施例中，在保養(yǎng)中操作（〃結(jié)垢后〃)期間，膜處理也 給予防污垢來保護(hù)表面，如，燃?xì)鉁u輪構(gòu)件的表面。如下文更詳細(xì)描述的，膜處理包括一種 或更多種成膜劑。成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫基硅烷、氨基硅烷、原硅酸四乙酯、琥珀 酐硅烷或包括前述中的至少一個(gè)的組合。
[0128] 圖1為燃?xì)鉁u輪10的示例性示圖。盡管本文所述的實(shí)施例將燃?xì)鉁u輪稱為示例性 表面，但本文所述的系統(tǒng)和方法可用于將膜處理提供(或施加）到任何期望表面，包括但不 限于渦輪機(jī)如燃?xì)鉁u輪。如圖1中所示，燃?xì)鉁u輪10具有壓縮機(jī)14與渦輪16之間的氣體流動(dòng) 路徑中的燃燒區(qū)段12。燃燒區(qū)段12包括圍繞環(huán)帶的燃燒構(gòu)件的環(huán)形陣列。燃燒構(gòu)件包括還 稱為燃燒器的燃燒室20,以及附接的燃料噴嘴。渦輪聯(lián)接成旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)壓縮機(jī)14和功率輸 出驅(qū)動(dòng)軸(未示出）。空氣進(jìn)入燃?xì)鉁u輪10,并且穿過壓縮機(jī)14。來自壓縮機(jī)14的高壓空氣進(jìn) 入燃燒區(qū)段12,其中，其與燃料混合并且焚燒。高能燃燒氣體離開燃燒區(qū)段12以對渦輪16供 能，渦輪16繼而驅(qū)動(dòng)壓縮機(jī)14和輸出功率軸。燃燒氣體通過排出導(dǎo)管22離開渦輪16。
[0129]圖2為與燃?xì)鉁u輪10等一起使用的燃?xì)鉁u輪壓縮機(jī)24的局部截面的示例性示圖。 壓縮機(jī)24包括一級或更多級。如圖2中所示，可存在A級100、B級102或C級104。用語"A級〃、"X 級"等在本文中與"第一級"、"第二級"等相反使用，以便防止本文所述的系統(tǒng)和方法以任何 方式限于與壓縮機(jī)或渦輪的實(shí)際的第一級或第二級一起使用的推論?？墒褂萌魏螖?shù)量的 級。各個(gè)級包括一定數(shù)量的沿周向布置的旋轉(zhuǎn)葉片，如，葉片106、葉片108和葉片110?？墒?用任何數(shù)量的葉片。葉片安裝到轉(zhuǎn)子輪112上。轉(zhuǎn)子輪112附接于功率輸出傳動(dòng)軸用于與其 一起旋轉(zhuǎn)。各級可選還包括一定數(shù)量的沿周向布置的靜止導(dǎo)葉114。可使用任何數(shù)量的導(dǎo)葉 114。導(dǎo)葉114可安裝在外殼116內(nèi)。外殼116從鐘形口 118朝渦輪16延伸。因此，空氣流120圍 繞鐘形口 118進(jìn)入壓縮機(jī)24,并且在流至燃燒器12之前，通過葉片，如，除了別的以外的葉片 106,108和110,以及級的導(dǎo)葉114壓縮。抽氣系統(tǒng)122可具有快速斷開設(shè)備?？焖贁嚅_設(shè)備可 位于抽氣管124上，并且可為獨(dú)立抽取管(如，例如，Y級抽氣管130)中的任一個(gè)或所有的一 部分?？焖贁嚅_設(shè)備可直接地連接于抽取端口 126。
[0130]燃?xì)鉁u輪10還包括抽氣系統(tǒng)122。抽氣系統(tǒng)122抽取壓縮機(jī)124中的空氣流120的一 部分，用于冷卻渦輪和用于其它目的。抽氣系統(tǒng)122包括一個(gè)或更多個(gè)抽氣管124。抽氣管 124從圍繞壓縮機(jī)級中的一個(gè)的抽取端口 126朝渦輪的級中的一個(gè)延伸。在該實(shí)例中，示出 了 X級抽取管128和Y級抽取管13(ΚΧ級抽取管128圍繞η級定位，并且Y級抽取管130圍繞m級 定位。還可使用從壓縮機(jī)24的其它級的抽取。X級抽取管128與渦輪的X級管132連通，而Y級 抽取管130與渦輪的Y級管134連通。例如，X級管128對應(yīng)于渦輪的特定級，并且Y級管130對 應(yīng)于渦輪的不同級。在另一個(gè)實(shí)施例中，抽氣系統(tǒng)122具有快速斷開設(shè)備?？焖贁嚅_設(shè)備位 于抽氣管124上，并且可為獨(dú)立抽取管(如，例如，Y級抽取管130)中的任一個(gè)或所有的部分。 在實(shí)施例的方面中，快速斷開設(shè)備直接地連接于抽取端口 126。
[0131]圖3為用于與燃?xì)鉁u輪201-起使用的燃?xì)鉁u輪膜處理系統(tǒng)200的實(shí)施例的示例性 示意圖。燃?xì)鉁u輪201包括壓縮機(jī)202、燃燒器206、渦輪204和空氣入口系統(tǒng)208。燃?xì)鉁u輪 201用于驅(qū)動(dòng)電氣負(fù)載或機(jī)械負(fù)載，如，發(fā)電機(jī)213。入口導(dǎo)葉203調(diào)制進(jìn)入燃?xì)鉁u輪201的空 氣流120。壓縮機(jī)包括結(jié)垢傳感器205。結(jié)垢傳感器205用于確定燃?xì)鉁u輪201內(nèi)的污垢的濃 度。結(jié)垢傳感器205確定燃?xì)鉁u輪201的特定表面上的污垢的濃度。結(jié)垢傳感器205將該濃度 傳送至控制器232。傳送的濃度可與可預(yù)先選擇的閾值相比較。如果由結(jié)垢傳感器205檢測 到的污垢的濃度超過閾值，則清洗和膜處理和/或膜處理例如自動(dòng)地開始。
[0132]燃?xì)鉁u輪膜處理系統(tǒng)200包括儲(chǔ)存罐214,其容納成膜劑?？墒褂糜糜诓煌愋突?一種類型的成膜劑的多個(gè)儲(chǔ)存罐214。在一個(gè)實(shí)施例中，成膜劑包括硅烷。在另一個(gè)實(shí)施例 中，成膜劑為第一硅烷和第二硅烷(例如，氟硅烷和氫硫基硅烷)的混合物。第一硅烷和第二 硅烷以預(yù)定比率混合。在實(shí)施例的一個(gè)方面，成膜劑為氟硅烷和氨基硅烷的1:1的混合物。 混合可預(yù)先或按需要完成。在另一個(gè)實(shí)施例中，成膜劑與水成液如去離子水組合。"去離子 水〃能夠與〃軟化水〃互換。成膜劑以預(yù)定比率與去離子水混合。在實(shí)施例中，成膜劑、去離子 水或兩者的混合物的pH可調(diào)整。例如，該pH調(diào)整可使用乙酸執(zhí)行。在另一實(shí)施例中，非離子 表面活性劑添加至成膜劑以便改進(jìn)水溶性。在又一個(gè)實(shí)施例中，成膜劑、去離子水或包括兩 者的混合物的pH調(diào)整至從大約5到大約9的pH，具體是從大約5.5到大約8.5,更具體從大約 6.5到大約7.5。
[0133] 儲(chǔ)存罐214可選設(shè)有水平傳感器216,并且通過導(dǎo)管215聯(lián)接于供應(yīng)栗218。供應(yīng)栗 218可通過設(shè)置在成膜劑導(dǎo)管220中的成膜劑流動(dòng)調(diào)節(jié)閥222連接于入口空氣冷卻裝置209。 入口空氣冷卻裝置209為蒸發(fā)冷卻器、噴霧器、深冷器等。相同類型或不同類型的多個(gè)入口 空氣冷卻裝置209可在單個(gè)燃?xì)鉁u輪201中使用。在一個(gè)實(shí)施例中，入口空氣冷卻裝置209為 輸送成膜劑的低壓噴霧器。在另一個(gè)實(shí)施例中，入口空氣冷卻裝置209具有水供應(yīng)源，其可 集成在燃?xì)鉁u輪201內(nèi)或與其分開。成膜劑可選與來自水供應(yīng)源的水混合。混合以成膜劑與 水的預(yù)定比率進(jìn)行。由入口空氣冷卻裝置209使用的水可選處理成除去污染物。該處理包括 諸如反滲透、高級氧化、紫外線曝光、脈動(dòng)功率，以及其它水處理過程。
[0134] 入口空氣冷卻裝置209設(shè)置在入口空氣系統(tǒng)208內(nèi)或外，并且按照空氣流在入口空 氣系統(tǒng)208的任何空氣過濾器和入口導(dǎo)葉203之前或之后。壓力傳感器223和流量傳感器224 設(shè)置在成膜劑導(dǎo)管220中，以提供數(shù)據(jù)來控制成膜劑流至冷卻裝置209。在實(shí)施例中，燃?xì)鉁u 輪膜處理系統(tǒng)200包括替代儲(chǔ)存罐214或除儲(chǔ)存罐214之外的快速斷開設(shè)備?？焖贁嚅_設(shè)備 并入到成膜劑流動(dòng)調(diào)節(jié)閥222、成膜劑導(dǎo)管220和/或聯(lián)機(jī)清洗系統(tǒng)210中。快速斷開設(shè)備用 于外部供應(yīng)源(如來自例如，供應(yīng)卡車）。
[0135] 燃?xì)鉁u輪膜處理系統(tǒng)200還可包括控制器232。控制器232接收輸入234,如，壓縮機(jī) 202的結(jié)垢的水平、儲(chǔ)存罐214的水平、供應(yīng)栗218的流速、供應(yīng)栗218的狀態(tài)、成膜劑至壓縮 機(jī)202的流速、壓縮機(jī)202的溫度、成膜劑流動(dòng)調(diào)節(jié)閥222的狀態(tài)、燃?xì)鉁u輪201的狀態(tài)、入口 空氣冷卻裝置209的狀態(tài)，和/或關(guān)于燃?xì)鉁u輪成膜處理系統(tǒng)200的狀態(tài)或操作的任何其它 輸入。在實(shí)施例的一個(gè)方面中，控制器232確定成膜劑與由其產(chǎn)生的成膜溶液中的去離子水 的比率。例如，控制器232確定成膜劑包括或不包括在成膜溶液中的量。在實(shí)施例的另一個(gè) 方面中，控制器232確定物質(zhì)的混合比率以制備成膜劑。成膜溶液以預(yù)定比率自動(dòng)地混合， 能夠基于成膜劑的類型調(diào)整，并且噴射到鐘形口 118中。入口和排泄閥可以可選在將成膜劑 或成膜溶液引入至入口空氣冷卻裝置209之前定位和對準(zhǔn)?；旌峡深A(yù)先完成或在需要時(shí)進(jìn) 行?；谠谀菚r(shí)入口空氣冷卻裝置209的水供應(yīng)源中有多少水可用或?qū)⑹褂枚嗌偎?，控制?232計(jì)量供應(yīng)至入口空氣冷卻裝置209的成膜劑的量。在一個(gè)實(shí)施例中，控制器232以相等部 分混合氟硅烷和氫硫基硅烷來產(chǎn)生成膜劑。在本發(fā)明的方面中，控制器232接著在將所得的 成膜溶液引入至入口空氣冷卻裝置209之前將計(jì)量量的成膜劑與計(jì)量量的水混合。在另一 個(gè)實(shí)施例中，氟硅烷和氫硫基硅烷可已經(jīng)混合來產(chǎn)生成膜劑并且儲(chǔ)存在儲(chǔ)存罐214中。在另 一個(gè)實(shí)施例中，供應(yīng)卡車可使用快速斷開設(shè)備連接，以提供氟硅烷和氨基硅烷的混合物來 用作成膜劑。水和成膜劑接著可以以預(yù)定比率混合來產(chǎn)生成膜溶液。比率可基于使用的特 定成膜劑的類型來調(diào)整。
[0136] 本公開構(gòu)想出了一定數(shù)量的變型，所有都在本公開的范圍內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，現(xiàn) 有的蒸發(fā)冷卻器系統(tǒng)用于將成膜劑或成膜溶液輸送至燃?xì)鉁u輪，其中成膜劑在其中混合到 冷卻水中，以產(chǎn)生成膜溶液。在另一個(gè)實(shí)施例中，現(xiàn)有的噴霧器系統(tǒng)用于將成膜劑或成膜溶 液輸送至燃?xì)鉁u輪，其中表面成膜劑在其中混合到噴霧器水中來產(chǎn)生成膜溶液。在又一個(gè) 實(shí)施例中，專用的低壓噴霧器系統(tǒng)用于將成膜劑或成膜溶液輸送至燃?xì)鉁u輪，其中成膜劑 或成膜溶液直接地霧化。共同地，蒸發(fā)冷卻器系統(tǒng)、現(xiàn)有的噴霧器系統(tǒng)和專用的低壓噴霧器 系統(tǒng)大體上在本文中稱為入口空氣冷卻裝置。
[0137] 在一個(gè)實(shí)施例中，成膜劑或成膜溶液的噴射涉及在將成膜劑或成膜溶液引入到燃 氣渦輪中之前使入口閥對準(zhǔn)、定位和排序。在備選方案中，表面成膜配方可從獨(dú)立源和外源 (例如，罐車)供應(yīng)，并且可經(jīng)由連接于噴霧器入口管路的供應(yīng)管路上的快速斷開設(shè)備人工 地連接。
[0138] 在另一個(gè)實(shí)施例中，控制器232提供輸出236如指令或控制信號(hào)至成膜劑流動(dòng)調(diào)節(jié) 閥222、供應(yīng)栗218、燃?xì)鉁u輪201、入口空氣冷卻裝置209和/或至任何其它構(gòu)件或系統(tǒng)?？刂?器232為整裝的，或作為備選，集成到較大的控制系統(tǒng)中?？刂破?32監(jiān)測與渦輪系統(tǒng)如燃?xì)?渦輪201相關(guān)聯(lián)的各種傳感器和其它器具。除控制某些渦輪功能如燃料流速之外，控制器 232可選生成來自其渦輪傳感器的數(shù)據(jù)，并且呈現(xiàn)該數(shù)據(jù)用于顯示給渦輪操作者。數(shù)據(jù)可使 用軟件顯示，該軟件生成數(shù)據(jù)表和其它數(shù)據(jù)呈現(xiàn)。
[0139] 控制器232的實(shí)例為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，其包括微處理器，該微處理器使用傳感器輸入和 來自操作人員的指令來執(zhí)行程序以控制渦輪系統(tǒng)的操作。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)包括邏輯單元如采樣 和保持、求和和差分單元，其可以以軟件實(shí)施，或由硬接線邏輯電路實(shí)施。由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)處 理器生成的命令引起渦輪系統(tǒng)上的促動(dòng)器例如調(diào)整燃料計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(其將燃料供應(yīng)至燃燒 室），設(shè)定壓縮機(jī)的入口導(dǎo)葉，并且調(diào)整渦輪系統(tǒng)上的其它控制設(shè)定。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)特征和功 能性的描述僅為示例性的，并且關(guān)于本公開是非限制性的。
[0140] 成膜劑包括硅烷，如，硅氧烷、氟硅烷、氫硫基硅烷、原硅酸四乙酯、氨基硅烷或包 括前述中的至少一個(gè)的組合。硅烷(如，例如氟硅烷和硅氧烷)為單體硅化學(xué)制品。硅烷給予 如除了別的以外的疏水性、抗磨性、耐熱性、疏油性和被動(dòng)性的性質(zhì)。應(yīng)當(dāng)理解的是，用語" 硅烷〃用于包含化學(xué)制品的組合，并且不僅為特定硅烷。
[0141]在示例性實(shí)施例中，系統(tǒng)200可構(gòu)造用于在燃?xì)鉁u輪脫機(jī)或聯(lián)機(jī)時(shí)膜處理燃?xì)鉁u 輪。燃?xì)鉁u輪在機(jī)器如壓縮機(jī)或渦輪區(qū)段以顯著低于正常的操作溫度操作時(shí)認(rèn)作是脫機(jī) 的。例如，對于脫機(jī)膜處理，燃?xì)鉁u輪可冷卻，直到內(nèi)部容積和表面充分地冷卻，例如，至大 約145°F，以使引入燃?xì)鉁u輪中的水或成膜或清潔溶液將不熱沖擊內(nèi)部金屬和引起蠕變，或 引起材料的任何機(jī)械或結(jié)構(gòu)變形。
[0142] 圖4中示出了方法400。
[0143]在402處，選擇成膜劑。成膜劑可由控制器232、操作者或自動(dòng)地選擇。
[0144]在404處，成膜劑使用入口空氣冷卻裝置209分配到燃?xì)鉁u輪201表面上。
[0145]圖5中不出了方法500。關(guān)于方法500描述的（多個(gè))序列的各個(gè)部分標(biāo)為表不方法 的特定部分;然而，方法的部分的特定順序不限于此。在實(shí)施例中，執(zhí)行該方法的順序針對 期望應(yīng)用選擇。
[0146] 在502處，建立了壓縮機(jī)202結(jié)垢閾值。閾值水平為一種或更多種污垢的總體結(jié)垢 水平或特定水平。結(jié)垢水平在燃?xì)鉁u輪201中的一個(gè)或更多個(gè)位置處測得，并且一個(gè)或更多 個(gè)位置用于建立閾值水平。
[0147] 在504處，感測壓縮機(jī)202中的結(jié)垢水平。
[0148] 在506處，結(jié)垢水平傳送至控制器232?？刂破?32可在顯示器上示出該信息，或?qū)?其發(fā)送至操作者。
[0149] 在508處，控制器232確定是否滿足結(jié)垢閾值。
[0150] 在510處，成膜劑引入到入口空氣冷卻裝置209水供應(yīng)源中。
[0151] 在512處，成膜溶液從入口空氣冷卻裝置209分配到壓縮機(jī)202中。
[0152] 圖6為代表計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖，其中可并入本文公開的方法和系統(tǒng)和/或其部分的 方面。如所示，示例性通用計(jì)算系統(tǒng)包括計(jì)算機(jī)720等，其包括處理單元721、系統(tǒng)存儲(chǔ)器722 和系統(tǒng)總線723,其將包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器722的各種系統(tǒng)構(gòu)件聯(lián)接于處理單元721。系統(tǒng)總線 723可為若干類型的總線結(jié)構(gòu)中的任一個(gè)，包括使用多種總線構(gòu)架中的任一種的存儲(chǔ)器總 線或存儲(chǔ)器控制器、外圍總線和本地總線。系統(tǒng)存儲(chǔ)器722包括只讀存儲(chǔ)器(R0M)724和隨機(jī) 存取存儲(chǔ)器(RAM)725?；据斎?輸出系統(tǒng)726(BI0S)儲(chǔ)存在R0M724中，基本輸入/輸出系統(tǒng) 726(BI0S)包含基本例行程序，其有助于在計(jì)算機(jī)720內(nèi)的元件之間傳遞信息（如，在啟動(dòng)期 間）。
[0153] 計(jì)算機(jī)720還可包括用于讀取和寫入硬盤(未示出）的硬盤驅(qū)動(dòng)器727、用于讀取或 寫入可除去磁盤729的磁盤驅(qū)動(dòng)器728,以及用于讀取和寫入可除去的光盤731如⑶-ROM或 其它光學(xué)介質(zhì)的光盤驅(qū)動(dòng)器730。硬盤驅(qū)動(dòng)器727、磁盤驅(qū)動(dòng)器728和光盤驅(qū)動(dòng)器730分別由 硬盤驅(qū)動(dòng)器接口 732、磁盤驅(qū)動(dòng)器接口 733和光盤驅(qū)動(dòng)器接口 734連接于系統(tǒng)總線723。驅(qū)動(dòng) 器和它們相關(guān)聯(lián)的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)提供計(jì)算機(jī)可讀指令、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、程序模塊和用于計(jì)算 機(jī)720的其它數(shù)據(jù)的非易失性儲(chǔ)存。如本文所述，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)為制造的有形的、物理的 和具體制品，并且因此不是信號(hào)本身。
[0154] 盡管本文所述的示例性環(huán)境使用硬盤、可除去磁盤729和可除去的光盤731，但將 認(rèn)識(shí)到的是，可儲(chǔ)存可由計(jì)算機(jī)存取的數(shù)據(jù)的其它類型的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)也可用于示例性 操作環(huán)境中。此類其它類型的介質(zhì)包括但不限于磁帶盒、閃速存儲(chǔ)卡、數(shù)據(jù)視頻或多功能 盤、伯努利筒、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)等。
[0155] 一定數(shù)量的程序模塊可儲(chǔ)存在硬盤、磁盤729、光盤731、R0M724或RAM725上，包括 操作系統(tǒng)735、一個(gè)或更多個(gè)應(yīng)用程序736、其它程序模塊737和程序數(shù)據(jù)738。使用者可通過 輸入裝置如鍵盤740和定點(diǎn)裝置742輸入命令和信息到計(jì)算機(jī)720中。其它輸入裝置(未示 出）可包括麥克風(fēng)、操縱桿、游戲板、衛(wèi)星盤、掃描儀等。這些及其它輸入裝置通常通過串行 端口接口 746連接于處理單元721 (串行端口接口 746聯(lián)接于系統(tǒng)總線723 )，但可由其它接口 連接，如，并行端口、游戲端口或通用串行總線(USB)。監(jiān)視器747或其它類型的顯示裝置還 經(jīng)由接口如視頻適配器748連接于系統(tǒng)總線723。除監(jiān)視器747之外，計(jì)算機(jī)可包括其它外圍 輸出裝置(未示出），如揚(yáng)聲器和打印機(jī)。圖6的示例性系統(tǒng)還包括主機(jī)適配器755、小型計(jì)算 機(jī)系統(tǒng)接口（SCSI)總線756,以及連接于SCSI總線756的外部儲(chǔ)存裝置762。
[0156] 計(jì)算機(jī)720可在網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中使用與一個(gè)或更多個(gè)遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)如遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)749的 邏輯連接來操作。遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)749可為個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、路由器、網(wǎng)絡(luò)PC、等同裝置或其 它公用網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)，并且可包括上文關(guān)于計(jì)算機(jī)720所述的元件中的許多個(gè)或所有，但圖6中 僅示出了存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置750。圖6中所繪的邏輯連接包括局域網(wǎng)（LAN)751和寬域網(wǎng)(WAN) 752。此類網(wǎng)絡(luò)環(huán)境在辦公室、企業(yè)內(nèi)計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)、內(nèi)部網(wǎng)和因特網(wǎng)中為常見的。
[0157] 當(dāng)用于LAN網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中時(shí)，計(jì)算機(jī)720通過網(wǎng)絡(luò)接口或適配器753連接于LAN751。當(dāng) 用于WAN網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中時(shí)，計(jì)算機(jī)720可包括調(diào)制解調(diào)器754或用于在寬域網(wǎng)752如因特網(wǎng)上建 立通信的其它器件?？稍趦?nèi)部或外部的調(diào)制解調(diào)器754經(jīng)由串行端口接口 746連接于系統(tǒng)總 線723。在網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中，關(guān)于計(jì)算機(jī)720或其部分繪出的程序模塊可儲(chǔ)存在遠(yuǎn)程存儲(chǔ)器儲(chǔ)存 裝置中。將認(rèn)識(shí)到的是，所示網(wǎng)絡(luò)連接為示例性的，并且可使用建立計(jì)算機(jī)之間的通信鏈路 的其它器件。
[0158] 計(jì)算機(jī)720可包括多種計(jì)算機(jī)可讀儲(chǔ)存介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可讀儲(chǔ)存介質(zhì)可為任何可用 介質(zhì)，其可由計(jì)算機(jī)720存取，并且包括易失性和非易失性介質(zhì)，可除去和非可除去的介質(zhì)。 經(jīng)由實(shí)例，并且不限制，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可包括計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存介質(zhì)和通信介質(zhì)。計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存介 質(zhì)包括以用于儲(chǔ)存信息的任何方法或技術(shù)實(shí)施的易失性和非易失性介質(zhì)、可除去和非可除 去的介質(zhì)，如，計(jì)算機(jī)可讀指令、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、程序模塊或其它數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存介質(zhì)包括但不 限于RAM、ROM、EEPROM、閃速存儲(chǔ)器或其它存儲(chǔ)器技術(shù)、CD-ROM、數(shù)字多功能盤(DVD)或其它 光盤儲(chǔ)存器、磁帶盒、磁帶、磁盤儲(chǔ)存器或其它磁儲(chǔ)存裝置，或可用于儲(chǔ)存期望的信息并且 可由計(jì)算機(jī)720存取的任何其它介質(zhì)。以上中的任一個(gè)的組合也應(yīng)當(dāng)包括在可用于儲(chǔ)存用 于實(shí)施本文所述的方法和系統(tǒng)的源代碼的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的范圍內(nèi)。本文公開的特征或元 件的任何組合可用于一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例中。
[0159] 本文中所述的實(shí)施例的技術(shù)效果在于提供用于使用冷卻裝置將膜處理提供至表 面(如，渦輪機(jī)或更具體的是燃?xì)鉁u輪的表面)的系統(tǒng)及方法，其給予免除污垢和與其相關(guān) 的損壞的保護(hù)，在燃?xì)鉁u輪聯(lián)機(jī)或脫機(jī)時(shí)人工地或自動(dòng)地執(zhí)行，并且/或者其使用燃?xì)鉁u輪 的現(xiàn)有裝備，從而延長修理和/或維護(hù)間隔之間的時(shí)間段、延長構(gòu)件的壽命和/或改進(jìn)燃?xì)?渦輪的生產(chǎn)力。
[0160] 本文所述的術(shù)語用于僅描述特定實(shí)施例的目的，并且不旨在限制本發(fā)明。在用語 定義脫離用語的常用意義的情況下，
【申請人】旨在使用本文提供的定義，除非明確指出。單數(shù) 形式〃一〃、〃一個(gè)〃和〃該〃旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另外指出。將理解的是， 盡管用語第一、第二等可用于描述各種元件，但這些元件不應(yīng)當(dāng)由這些用語限制。這些用語 僅用于將一個(gè)元件與另一個(gè)區(qū)分開。用語"和/或"包括相關(guān)聯(lián)的所列物品中的一個(gè)或更多 個(gè)的組合中的任一個(gè)和所有。短語〃聯(lián)接于〃和〃與…聯(lián)接〃構(gòu)想為直接或間接聯(lián)接。
[0161] 實(shí)例
[0162] 實(shí)例 1
[0163] 樣本1-4中的各個(gè)根據(jù)表1中提出的比率準(zhǔn)備來產(chǎn)生成膜劑。樣本1-4的成膜劑中 的各個(gè)通過以1:1的比率混合識(shí)別的第一硅烷和第二硅烷來制備。此外，樣本1-4中的各個(gè) 根據(jù)含水配方或有機(jī)溶劑配方來制備。對于含水配方，蒸餾水的pH使用乙酸調(diào)整至4.5到 5.5，并且接著硅烷混合物以連續(xù)攪拌加入。適合量的非離子表面活性劑按需要添加在一些 樣本中，以提高硅烷混合物在蒸餾水中的可溶性。對于有機(jī)溶劑配方，95%的乙醇和5%的蒸 餾水的混合物的pH使用乙酸調(diào)整至4.5到5.5,并且接著硅烷混合物以連續(xù)攪拌加入。
[0164] 表1
[0165] 實(shí)例2
[0166] 膜處理分別使用樣本1-4的成膜劑來施加于燃?xì)鉁u輪構(gòu)件。膜處理燃?xì)鉁u輪構(gòu)件 預(yù)熱至200°C，并且浸泡在污垢摻合物中30分鐘。在以150°C整夜干燥之后，較少或沒有污垢 存在于燃?xì)鉁u輪構(gòu)件上。
[0167] 實(shí)例3
[0168] 樣本5為通過利用連續(xù)攪拌以0.5到2.0%的濃度使硅烷與去離子水混合來制備的 含水成膜溶液。pH使用乙酸調(diào)整至4.5到5.5。在樣本6中，0.1%的非離子表面活性劑添加來 改進(jìn)去離子水中的硅烷的可溶性。
[0169] 實(shí)例4
[0170]膜處理分別使用樣本5-6的成膜溶液施加至燃?xì)鉁u輪構(gòu)件。膜處理燃?xì)鉁u輪構(gòu)件 預(yù)熱至200°C，并且浸泡在污垢混合物中30分鐘。在以150°C整夜干燥之后，較少或沒有污垢 存在于燃?xì)鉁u輪構(gòu)件上。
[0171]實(shí)例1-4的結(jié)果因此展示了本文所述的燃?xì)鉁u輪膜處理方法和系統(tǒng)導(dǎo)致燃?xì)鉁u輪 構(gòu)件的顯著減少的結(jié)垢。
[0172]雖然已經(jīng)結(jié)合僅有限數(shù)量的實(shí)施例來詳細(xì)描述本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)容易理解，本發(fā)明 不限于此類公開的實(shí)施例。相反，可修改本發(fā)明，以并入迄今未描述但與本發(fā)明的精神和范 圍相稱的任何數(shù)量的變型、更改、替換或等同布置。另外，雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的多種實(shí) 施例，但將理解，本發(fā)明的方面可包括所描述的實(shí)施例中的僅一些。因此，本發(fā)明不視為由 前述描述限制，而是僅由所附權(quán)利要求的范圍限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于提供膜處理的系統(tǒng)，包括： 處理器；以及 通信性地聯(lián)接于所述處理器的系統(tǒng)存儲(chǔ)器，所述系統(tǒng)存儲(chǔ)器具有儲(chǔ)存在其上的可執(zhí)行 指令，其在由所述處理器執(zhí)行時(shí)，引起所述處理器執(zhí)行操作，所述操作包括： 從傳感器接收數(shù)據(jù)；以及 基于從所述傳感器接收的數(shù)據(jù)提供指令來使用入口空氣冷卻裝置將成膜劑分配到表 面上，其中所述成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫基硅烷、氨基硅烷、原硅酸四乙酯、琥珀酐 硅烷或包括前述中的至少一個(gè)的組合。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于提供膜處理的系統(tǒng)，其特征在于，所述成膜劑包括硅氧 烷、氟硅烷、氫硫基硅烷、氨基硅烷、原硅酸四乙酯或琥珀酐硅烷中的至少兩個(gè)的混合物。3. -種成膜控制系統(tǒng)，包括： 構(gòu)造成容納成膜劑的儲(chǔ)存罐； 入口空氣冷卻裝置；以及 在第一端上聯(lián)接于所述儲(chǔ)存罐并且在第二端上聯(lián)接于所述入口空氣冷卻裝置的供應(yīng) 導(dǎo)管;其中所述成膜控制系統(tǒng)構(gòu)造成將所述成膜劑從所述儲(chǔ)存罐輸送并且通過所述入口空 氣冷卻裝置排出所述成膜劑，并且所述成膜劑包括硅氧烷、氟硅烷、氫硫基硅烷、氨基硅烷、 原硅酸四乙酯、琥珀酐硅烷或包括前述中的至少一個(gè)的組合。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的成膜控制系統(tǒng)，其特征在于，所述成膜控制系統(tǒng)還包括與所述 供應(yīng)導(dǎo)管流體連通的第二儲(chǔ)存罐，其中所述第二儲(chǔ)存罐包含去離子水，并且其中所述去離 子水在通過所述入口空氣冷卻裝置排出所述去離子水和所述成膜劑之前添加至所述成膜 劑。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的成膜控制系統(tǒng)，其特征在于，所述成膜控制系統(tǒng)還包括： 與待處理的表面連通的傳感器； 設(shè)置在所述供應(yīng)導(dǎo)管內(nèi)的閥和具有處理器和操作性地聯(lián)接于所述處理器的存儲(chǔ)器的 控制器，所述存儲(chǔ)器具有可執(zhí)行指令，其在由所述處理器執(zhí)行時(shí)引起所述處理器執(zhí)行操作， 所述操作包括： 從所述傳感器接收信號(hào)并且響應(yīng)于所述接收將指令提供至所述閥以開啟，以容許將所 述去離子水和所述成膜劑通過所述入口空氣冷卻裝置排出到所述表面上。
【文檔編號(hào)】F02C7/00GK205578119SQ201520707709
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2015年9月14日
【發(fā)明人】S.?？{亞克, R.胡利, E.門多扎, A.I.西皮奧
【申請人】通用電氣公司