相對位置。在正常的廢氣流條件下，廢氣在接觸所述第二層 之前接觸所述第一層。在某些實施方案中，將所述第一層施加至惰性基材作為底層并將所 述第二層為施加在所述第二層上的頂層。
[0039] 所述催化劑組合物優(yōu)選具有相對于所述過濾器的平均孔徑的大的粒度。優(yōu)選地， 所述催化劑組合物具有大于或等于所述平均孔徑除W4. 9的ds。粒度分布。術(shù)語"d5。粒度 分布"意指所述粒度分布的中值或中值直徑。它為在累積分布中在50%的粒徑的值。如本 文中所使用的術(shù)語"粒度分布"意指落入作為樣品中全部尺寸的總數(shù)的百分比的尺寸范圍 的顆粒的數(shù)目。
[0040] 在某些實施方案中，所述催化劑組合物的粒度分布基于催化活性組分的粒度測 量。在其它實施方案中，所述催化劑組合物的粒度基于所述催化劑組合物整體測量。在某 些實施方案中，所述催化劑組合物是載體涂層的部分并且在其它實施方案中，所述催化劑 組合物為載體涂層（即包括其它非催化組分）或催化劑涂層。也就是說，粒度分布的測量 并不限于涂層中的催化劑顆粒，而是包括涂層中的全部顆粒，如粘結(jié)劑、流變改性劑等。在 某些實施方案中，分布中的顆粒包含催化劑顆粒的至少50%，且更優(yōu)選至少75% (W數(shù)目 和/或重量計）。
[0041] 可W通過任意常規(guī)手段測量粒度分布。在某些實施方案中，所述催化劑涂層具有 約1. 5至約15μm、優(yōu)選約3至約8μm如約3. 5至約5μm的dg。粒度分布。優(yōu)選地，所述 過濾器基材具有相對大的平均孔徑（例如大于約10μm)且所述催化劑涂層具有相對大的 d5。粒度分布（例如大于約3. 5μπι)。在某些實施方案中，所述過濾器具有約10至約25μπι 如約12至約15μm或約17至約21μm的平均孔徑，約55至約70%的孔隙度，且催化劑涂 層具有約3. 75至約4. 5μm的dso粒度分布。
[0042] 本發(fā)明的某些催化劑涂層具有至少0. 75μπι、優(yōu)選至少約1μπι如約1至約2μπι、 約1至約1. 5μm或約1μm、2μm或3μm的di。粒度分布。本發(fā)明的某些催化劑涂層具有 小于約15μπι、優(yōu)選小于約10μπι如約6μηι、7μπι或8μπι的dg。粒度分布。如本文中所使 用的"di。粒度分布"意指樣品中90%的顆粒大于所指出的值。如本文中所使用的"cU粒度 分布"意指樣品中少于90%的顆粒小于所指出的值。在某些實施方案中，所述催化劑涂層 具有約1至約1. 5μm的di。粒度分布、約3. 75至約4. 5μm的d5。粒度分布和約7. 5至約 9μm的屯。粒度分布。在某些其它實施方案中，所述催化劑涂層具有約1. 5至約2μm的d1。 粒度分布、約3. 5至約4μm的ds。粒度分布和約7至約8μm的dg。粒度分布。
[0043] 所述催化劑涂層的負(fù)載濃度沒有特別限制，只要所述催化劑組合物W有效催化目 標(biāo)廢氣組分的量存在。優(yōu)選地，所述催化劑組合物W至少約0.Ig/in3且優(yōu)選至少約0. 3g/ in3的濃度存在。在某些實施方案中，所述催化劑組合物具有約0. 5至約4g/in3、更優(yōu)選約 0. 75至約2g^n3且甚至更優(yōu)選約1. 0至約1. 5g^n3或約1. 5至約2. 5g^n3的負(fù)載。優(yōu)選 基于活性催化組分測量負(fù)載濃度，但也可W基于整個催化劑涂層測量負(fù)載濃度。 W44] 優(yōu)選的催化劑組合物包括可用于降低廢氣中的NOy、N&、SOy、C0和/或控的濃度 的那些。其它可使用的催化劑包括NOy吸附劑和NOy阱。優(yōu)選地，所述催化劑為非均相催化 劑，其包含在高表面積材料（如分子篩或難烙金屬氧化物）上和/或高表面積材料（如分 子篩或難烙金屬氧化物）內(nèi)的金屬。所述金屬優(yōu)選由所述高表面積材料浸潰、滲雜或負(fù)載。
[0045] 優(yōu)選的金屬是過渡金屬和/或銷族金屬?？墒褂玫慕饘俚膶嵗ㄣ~、儀、鋒、鐵、 錫、鶴、鋼、鉆、祕、鐵、錯、錬、儘、銘、饑、妮、釘、錠、鈕、金、銀、銅、銷、銀、鍊及它們的混合物， 特別優(yōu)選的是銅、儘和鐵。所述催化劑還可W包含其它穩(wěn)定化金屬如巧、儀、鐘和/或稀± 金屬如姉和銅。運些材料特別良好地適合于用作SCR催化劑、AM0X催化劑、NOy阱、NOy吸附 劑、氧化催化劑等。
[0046] 優(yōu)選地，所述高表面積材料呈顆粒、晶體或者顆?；蚓w的聚集體的形式，其中所 述顆粒、晶體或聚集體具有如本文中所述的屯。粒度分布。高表面積材料的其它實例包括金 屬氧化物如氧化侶、二氧化鐵、氧化錯、氧化姉、二氧化娃、鶴的氧化物、鋼的氧化物W及運 些的混合物。當(dāng)被用作載體時，運些材料特別可用于PGM-基催化劑和饑基催化劑。例如，非 沸石基SCR催化劑可W包括由Ti〇2/W〇3負(fù)載的V205。在另一實施方案中，氧化催化劑、AM0X 催化劑、NOy吸附劑催化劑或NOy阱可W包括PGM金屬，如Pt、Pt化W及運些金屬的組合， 其由氧化侶、二氧化鐵等負(fù)載。
[0047] 合適的高表面積材料的其它實例包括分子篩如侶娃酸鹽（沸石）、娃侶憐酸鹽 (SAP0)、鐵娃酸鹽等。優(yōu)選的分子篩的實例包括具有小孔骨架（即具有8的最大環(huán)尺寸）的 沸石和SAP0。小孔分子篩的實例包括具有選自下組的骨架類型代碼的那些：AC0、AEI、AEN、 AFN、AFT、AFX、ANA、APC、APD、ATT、CD0、CHA、孤R、DFT、EAB、EDI、EPI、ERI、GIS、GOO、I冊、 ITE、ITW、LEV、KFI、MER、MON、NSI、OWE、PAU、PHI、RHO、RTH、SAT、SAV、SIV、??0、TSC、肥I、 UFI、VNI、YUG和ZON。特別優(yōu)選的骨架包括ΑΕΙ、AFT、AFX、CHA、孤R、R冊、MER、LTA、UFI、 RTH、SAV、PAU、LEV、ERI和KFI，尤其優(yōu)選的是CHA和AEI。應(yīng)當(dāng)意識到的是，具有特定骨架 類型代碼的沸石包括由所述骨架類型代碼定義的全部同型骨架材料。
[0048] 優(yōu)選的沸石具有小于約30、更優(yōu)選約5至約30如約10至約25、約14至約20、約 20至約30或約15至約17的二氧化娃與氧化侶摩爾比（SAR)。沸石的所述二氧化娃與氧 化侶之比可W通過常規(guī)分析測定。該比例意在盡可能接近地表示沸石晶體的剛性原子骨架 中的比例并且意在排除粘結(jié)劑中或通道內(nèi)呈陽離子或其它形式的娃或侶。因為可能難于在 沸石已經(jīng)與粘結(jié)劑材料特別是氧化侶粘結(jié)劑組合之后直接測量沸石的二氧化娃與氧化侶 之比，所W將運些二氧化娃與氧化侶之比表示為沸石本身（即將沸石與其它催化劑組分組 合之前）的SAR。
[0049] 在某些實施方案中，所述小孔分子篩包括選自下組的無序骨架、基本上由選自下 組的無序骨架組成或由選自下組的無序骨架組成：ABC-6、AEI/CHA、AEI/SAV、AENAJEI、AFS/ BPH、邸C/ISV、β、八面沸石、口E/RTH、KFI/SAV、被娃鋼石、蒙特索馬石（montesommaite)、 MTT/T0N、五娃環(huán)沸石、SBS/SBT、SSF/STF、SSZ-33和ZSM-48。在優(yōu)選的實施方案中，一種或 多種小孔分子篩可W包括選自SAP0-34、AIP0-34、SAP0-47、ZYT-6、CAkl、SAP0-40、SSZ-62 或SSZ-13的CHA骨架類型代碼和/或選自AIP0-18、SAP0-18、SIZ-8或SSZ-39的ΑΕΙ骨 架類型代碼。在一個實施方案中，混合相組合物為AEI/CHA混合相組合物。所述分子篩中 的各骨架類型的比例沒有特別限制。例如，AEI/CHA之比可W在約5/95至約95/5、優(yōu)選約 60/40至40/60的范圍。在示例性實施方案中，AEI/CHA之比可W在約5/95至約40/60的 范圍。
[0050] 可用于SCR應(yīng)用中的催化劑的實例包括在具有小孔骨架如CHA、AEI等的沸石上的 銅或鐵。在某些實施方案中，特別是包括銅和/或鐵的那些中，催化劑金屬W基于分子篩的 總重量的約0. 1至約10重量百分比（重量％ )如約0. 5重量％至約5重量％、約0. 5至約 1重量％、約1至約5重量％、約2重量％至約4重量％和約2重量％至約3重量％的濃度 存在于分子篩材料之上和/或之內(nèi)。可W使用本領(lǐng)域公知的技術(shù)將所述金屬結(jié)合至用于本 發(fā)明中的分子篩中，包括液相交換或固體離子交換或通過初濕含浸法。在本發(fā)明中可用作 S