脫模膜、以及半導體封裝體的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明設及在將半導體元件配置在模具內(nèi)、用固化性樹脂進行密封形成樹脂密封 部的半導體封裝體的制造方法中配置于模具的內(nèi)腔面的脫模膜、W及使用該脫模膜的半導 體封裝體的制造方法。
【背景技術】
[0002] 半導體封裝體具有保護半導體元件的樹脂密封部。在樹脂密封部的形成(半導體 元件的密封)中，使用環(huán)氧樹脂等熱固化性樹脂等固化性樹脂。
[0003] 作為半導體封裝體的制造方法，例如已知包括利用所謂壓縮成形法或傳遞成形法 的密封工序的方法，所述壓縮成形法或傳遞成形法是將安裝有半導體元件的基板W使該半 導體元件位于模具的內(nèi)腔內(nèi)的規(guī)定位置的方式進行配置，在內(nèi)腔內(nèi)填充固化性樹脂形成樹 脂密封部。在該方法中，通常為了防止樹脂密封部和模具的粘著而在模具的內(nèi)腔面上配置 脫模膜。
[0004] 作為半導體封裝體的制造方法之一，有經(jīng)過在基板上安裝多個半導體元件、將運 些半導體元件用固化性樹脂一次性地密封、得到具有基板和多個半導體元件和樹脂密封部 的一次性密封體的工序（一次性密封工序），和將一次性密封體的樹脂密封部W及基板切 斷、制成單片W使多個半導體元件分離而得到多個半導體封裝體的工序（單片化 (singularization)工序）的方法(例如專利文獻1)。該方法由于生產(chǎn)性優(yōu)良而被廣泛利用。
[0005] 在半導體元件的密封工序中，為了防止固化性樹脂和模具的粘著，有時在模具的 內(nèi)腔面上配置脫模膜。尤其與將1個半導體元件密封在1個內(nèi)腔的情況相比，在一次性地密 封多個半導體元件的情況下內(nèi)腔大型化、復雜化，樹脂密封部有難W脫模的傾向，因此大多 使用脫模膜。
[0006] 密封時，脫模膜被設為通過真空抽吸而沿著模具的內(nèi)腔面被拉伸、與內(nèi)腔面密合 的狀態(tài)。此時，有時在拉伸途中空氣沒有完全抽走的狀態(tài)下脫模膜密合在內(nèi)腔面上，脫模膜 和內(nèi)腔面之間部分地形成空氣積存，在該部分脫模膜上形成權皺。如果脫模膜上有權皺，貝U 脫模膜表面的權皺形狀被轉(zhuǎn)印在樹脂密封部的表面上，形成外觀不良，成品率下降。
[0007] 對于運樣的問題，提出了將脫模膜的至少一個面的表面粗糖度Rz設為3.ΟμL?Κ上 (專利文獻2)。通過W使表面粗糖度Rz在3.ΟμL?Κ上的面與模具側(cè)接觸的方式將脫模膜安裝 在模具上，可防止權皺的發(fā)生。
[000引此外，在半導體封裝體的制造中，為了表示制品編號、制造商等信息，通常在形成 的樹脂密封部的表面上通過使用墨水的印刷來形成墨水層。
[0009] 如果樹脂密封部和墨水層的密合性低，則經(jīng)時性地發(fā)生墨水層從樹脂密封部的剝 落。
[0010] 為了提高樹脂密封部和墨水層的密合性，提出了使用在與樹脂接觸的表面上形成 凹凸、增大表面粗糖度的脫模膜，W將該凹凸朝著固化性樹脂側(cè)的方式配置在模具上而形 成樹脂密封部的方案(例如專利文獻3)。在該情況下，脫模膜的與樹脂接觸的表面的凹凸被 轉(zhuǎn)印在樹脂密封部的表面上。通過存在該凹凸，來提高墨水層對樹脂密封部的密合性。 [0011]現(xiàn)有技術文獻 [0012]專利文獻
[0013] 專利文獻1:日本專利特開2006-237187號公報
[0014] 專利文獻2:日本專利特開2002-359259號公報 [0015] 專利文獻3:日本專利第3970464號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016] 發(fā)明所要解決的技術問題
[0017] 近年，晶圓級封裝體等大型封裝體增多，模具和脫模膜的接觸面積正在增大。隨 之，使脫模膜密合在模具的內(nèi)腔面時也變得容易產(chǎn)生權皺。
[0018] 認為如果增大脫模膜的與模具的內(nèi)腔面接觸的面的表面粗糖度則權皺不易產(chǎn)生。 但是，根據(jù)本發(fā)明人的研究，如果單純地增大與模具的內(nèi)腔面接觸的面的表面粗糖度，則存 在脫模膜上容易產(chǎn)生針孔的問題。例如在是有角的內(nèi)腔的情況下，在角的部分脫模膜拉伸 較大，容易產(chǎn)生針孔。如果脫模膜上產(chǎn)生針孔，則固化性樹脂會從該部分泄漏，附著于模具 的內(nèi)腔面。附著于模具的固化性樹脂之后在密封別的半導體元件時引起樹脂密封部的外觀 不良。為了防止運種現(xiàn)象，需要進行模具的清洗等，半導體封裝體的生產(chǎn)性下降。
[0019] 認為如果在增大與模具的內(nèi)腔面接觸的面的表面粗糖度的同時使脫模膜的厚度 變厚，則權皺、針孔也不易產(chǎn)生。但是如果脫模膜的厚度變厚，則對模具的內(nèi)腔的形狀的隨 動性下降。如果隨動性低則不能在樹脂密封部正確地反映內(nèi)腔的形狀，成為不良品，成品率 下降。此外，原料成本也增加，在經(jīng)濟上不優(yōu)選。
[0020] 此外，在樹脂密封部的表面形成墨水層的情況下，認為如果使用在與樹脂接觸的 表面上形成凹凸、增大了表面粗糖度的脫模膜，則表面粗糖度越大、越可提高墨水層對樹脂 密封部的密合性。
[0021] 但是，根據(jù)本發(fā)明人的研究，可知在經(jīng)過一次性地密封工序和單片化工序來制造 半導體封裝體的情況下，如果使用在與樹脂接觸的表面上具有凹凸的脫模膜，則與使用表 面平滑的脫模膜的情況下相比，在單片化工序中切斷樹脂密封部W及基板時容易發(fā)生樹脂 密封部的破片或破裂。為了提高墨水層對樹脂密封部的密合性的脫模膜的表面粗糖度變得 越大，則樹脂密封部的破片或破裂也變得越顯著。
[0022] 本發(fā)明的目的在于提供一種即使厚度薄在與模具的內(nèi)腔面密合時也不易產(chǎn)生權 皺W及針孔的脫模膜，W及使用該脫模膜的半導體封裝體的制造方法。
[0023] 本發(fā)明的目的還在于提供一種在樹脂密封部的表面上形成墨水層的情況下在單 片化工序中不易產(chǎn)生破片或破裂、且可形成與墨水層的密合性優(yōu)良的樹脂密封部的脫模 膜，W及使用該脫模膜的半導體封裝體的制造方法。
[0024] 解決技術問題所采用的技術方案
[0025] 本發(fā)明提供具有W下的[1]~[13]的構成的脫模膜、W及半導體封裝體的制造方 法。
[0026] [1]-種脫模膜，它是在將半導體元件配置在模具內(nèi)、用固化性樹脂進行密封形成 樹脂密封部的半導體封裝體的制造方法中配置于模具的內(nèi)腔面的脫模膜，
[0027]其中，具備在上述樹脂密封部的形成時與上述固化性樹脂接觸的第1面和與上述 內(nèi)腔面接觸的第2面，上述第1面W及上述第2面的至少一個面上形成有凹凸，
[002引形成有上述凹凸的面的算術平均粗糖度(Ra)為1.3~2.5皿，峰值數(shù)(RPc)為80~ 200。
[0029] [2巧日[1]所述的脫模膜，上述脫模膜的厚度為16~75WI1。
[0030] [3巧日[1]所述的脫模膜，在上述第2面形成有凹凸，脫模膜的厚度為40~75WI1。
[0031] [4巧日[1]~[3]中任一項所述的脫模膜，上述算術平均粗糖度(Ra)為1.6~1.9皿。
[0032] [引如[1 ]~[4 ]中任一項所述的脫模膜，上述峰值數(shù)(RPc)為100~130。
[0033] [6巧日[1]~[引中任一項所述的脫模膜，由氣樹脂構成。
[0034] [7巧日[6]所述的脫模膜，其中，上述氣樹脂為乙締/四氣乙締共聚物。
[0035] [引如[7]所述的脫模膜，其中，上述乙締/四氣乙締共聚物由基于四氣乙締的單 元、和基于乙締的單元、和基于四氣乙締 W及乙締 W外的第Ξ單體的單元構成，
[0036] 上述乙締/四氣乙締共聚物中的基于四氣乙締的單元和基于乙締的單元的摩爾比 (T陽/E)為80/20~40/60。
[0037] [9巧日[引所述的脫模膜，其中，相對于上述乙締/四氣乙締共聚物的全部單元的總 計，上述基于第Ξ單體的單元的比例為0.01~20摩爾％。
[0038] [10巧日[9]所述的脫模膜，其中，上述第Ξ單體為(全氣下基）乙締，相對于上述乙 締/四氣乙締共聚物的全部單元的總計，上述基于（全氣下基）乙締的單元的比例為0.5~ 4.0摩爾％。
[0039] [11巧日[7]~[10]中任一項所述的脫模膜，其中，上述乙締/四氣乙締共聚物的根 據(jù)ASTM D3159測定的MFR為2~40g/10分鐘。
[0040] [12]-種半導體封裝體的制造方法，它是具有半導體元件和由固化性樹脂形成的 用于密封上述半導體元件的樹脂密封部的半導體封裝體的制造方法，其中，具備
[0041] 將[1]~[11]中任一項所述的且至少在第2面上形成有上述凹凸的脫模膜W上述 第1面向著內(nèi)腔內(nèi)的空間的方式配置在模具的接觸上述固化性樹脂的內(nèi)腔面上的工序，和
[0042] 在上述內(nèi)腔內(nèi)配置安裝有半導體元件的基板并用固化性樹脂將該半導體元件密 封，使該固化性樹脂在與上述脫模膜接觸的狀態(tài)下固化來形成樹脂密封部，藉此得到具有 基板和安裝于上述基板上的半導體元件和密封上述半導體元件的樹脂密封部的密封體的 工序，和
[0043] 將上述密封體從上述模具脫模的工序。
[0044] [13] -種半導體封裝體的制造方法，它是具有半導體元件、由固化性樹脂形成的 用于密封上述半導體元件的樹脂密封部、和形成于上述樹脂密封部的表面的墨水層的半導 體封裝體的制造方法，其中，具備
[0045] 將[1]~[11]中任一項所述的且至少在第1面上形成有上述凹凸的脫模膜W上述 第1面向著內(nèi)腔內(nèi)的空間的方式配置在模具的接觸上述固化性樹脂的內(nèi)腔面上的工序，和
[0046] 在上述內(nèi)腔內(nèi)配置安裝有多個半導體元件的基板并用固化性樹脂將該多個半導 體元件一次性密封，使該固化性樹脂在與上述脫模膜接觸的狀態(tài)下固化來形成樹脂密封 部，藉此得到具有基板和安裝于上述基板上的多個半導體元件和一次性密封上述多個半導 體元件的樹脂密封部的一次性密封體的工序，和
[0047] 將上述一次性密封體的上述基板W及上述樹脂密封部切斷，使上述多個半導體元 件分離，藉此得到具有基板和安裝于上述基板上的至少1個半導體元件和將上述半導體元 件密封的樹脂密封部的單片化密封體的工序，和
[0048] 在上述一次性密封體或單片化密封體的樹脂密封部的與上述脫模膜接觸的面上， 使用墨水形成墨水層的工序。
[0049] 發(fā)明的效果
[0050] 本發(fā)明的脫模膜在用固化性樹脂密封半導體元件、形成樹脂密封部的密封工序 中，在使該脫模膜與模具的內(nèi)腔面密合時不易產(chǎn)生權皺W及針孔。此外，如果厚度設為40~ 75WI1則尤其對模具的隨動性變得優(yōu)良。因此，如果采用本發(fā)明的脫模膜，則在密封工序中不 易發(fā)生樹脂密封部的外觀不良或固化性樹脂對模具的附著，可提高半導體封裝體的生產(chǎn) 性。
[0051] 本發(fā)明的半導體封裝體的制造方法中，在用固化性樹脂密封半導體元件、形成樹 脂密封部的密封工序中，在使脫模膜與模具的內(nèi)腔面密合時不易產(chǎn)生權皺W及針孔。此外， 如果脫模膜厚度設為40~75WI1則尤其對模具的隨動性變得優(yōu)良。因此，在密封工序中不易 發(fā)生樹脂密封部的外觀不良或固化性樹脂對模具的附著。因此，如果采用本發(fā)明的半導體 封裝體的制造方法，則能夠W良好的生產(chǎn)性制造半導體封裝體。
[0052] 此外，在形成的樹脂密封部的表面上通過使用墨水的印刷來形成墨水層的情況 下，在單片化工序中不易產(chǎn)生破片或破裂，且能夠形成與墨水層的密合性優(yōu)良的樹脂密封 部。
[0053] 進一步，在本發(fā)明的半導體封裝體的制造方法中，在單片化工序中可抑制樹脂密 封部的破片或破裂產(chǎn)生。此外，能夠在該樹脂密封部W良好的密合性形成墨水層。因此，如 果采用本發(fā)明的半導體封裝體的制造方法，則可制造在樹脂密封部沒有破片或破裂、墨水 層不易剝落的半導體封裝體。
【附圖說明】
[0054] 圖1是表示通過本發(fā)明的半導體封裝體的制造方法而制造的半導體封裝體的一例 的簡單剖視圖。
[0055] 圖2是示意地說明本發(fā)明的半導體封裝體的制造方法的第一實施方式中的工序(α 3) 的剖視圖。
[0056] 圖3是示意地說明本發(fā)明的半導體封裝體的制造方法的第一實施方式中的工序(α 4) 的剖視圖。
[0057] 圖4是示意地說明本發(fā)明的半導體封裝體的制造方法的第一實施方式中的工序(α 4)的剖視圖。
[0058] 圖5是表示用于本發(fā)明的半導體封裝體的制造方法的第二實施方式的模具的一例 的剖視圖。
[0059] 圖6是表示本發(fā)明的半導體封裝體的制造方法的第二實施方式中的工序(β1)的剖 視圖。
[0060] 圖7是表示本發(fā)明的半導體封裝體的制造方法的第二實施方式中的工序(的)的剖 視圖。
[0061] 圖8是表示本發(fā)明的半導體封裝體的制造方法的第二實施方式中的工序(β3)的剖 視圖。
[0062] 圖9是表示本發(fā)明的半導體封裝體的制造方法的第二實施方式中的工序(Μ)的剖 視圖。
[0063] 圖10是表示本發(fā)明的半導體封裝體的制造方法的第二實施方式中的工序(β5)的 剖視圖。
[0064] 圖11是對[實施例]中的針孔開口難易度的評價方法進行說明的圖。
[0065] 圖12是對[實施例]中的權皺產(chǎn)生難易度的評價方法進行說明的圖。
【具體實施方式】
[0066] 本說明書中的"脫模膜"在將半導體元件配置在模具內(nèi)、用固化性樹脂密封來形成 樹脂密封部的半導體封裝體的制造方法中配置于模具的內(nèi)腔面的脫模膜。例如是在形成半 導體封裝體的樹脂密封部時，通過W覆蓋模具的內(nèi)腔面的方式配置并位于形成的樹脂密封 部和內(nèi)腔面之間，來提高得到的半導體封裝體的從模具的脫模性的膜;所述模具是指具有 與該樹脂密封部的形狀對應的形狀的內(nèi)腔的模具。
[0067] 樹脂中的"單元"表示構成該樹脂的構成單元(單體單元）。
[0068] "氣樹脂"表示在結構中包括氣原子的樹脂。
[0069] 本說明書中的"算術平均粗糖度(RaT是基于JIS Β0601:2013( IS04287 :1997, Amd. 1:2009)測定的算術平均粗糖度。求出Ra時的粗糖度曲線用的基準長度Ir (邊界值Ac) 設為0.8mm。
[0070] 本說明書中的"峰值數(shù)（R 化 Γ 是基于 JIS B0601:2013(IS04287:1997，Amd.l: 2009)測定的基于粗糖度曲線的峰值數(shù)，用下式(I)定義。
[0071] RPc = L/RSm---(I)
[0072] 式（I)中，L表示基準長度，為10mm。
[0073] RSm表示粗糖度曲線要素的平均長度，基于JIS B0601:2013(IS04287:1997, Amd. 1:2009)進行測定。
[0074] 本說明書中的脫模膜的厚度是^1504591:1992〇15 1(7130:1999的81法，根據(jù)由 塑料膜或片材采集的試樣的質(zhì)量法的厚度的測定方法)為標準進行測定的值。
[00巧]脫模膜的180。(：下的拉伸模量根據(jù)^8 1(7127:1999(150 527-3:1995)的方法測 定。具體而言，如下測定:對于將脫模膜剪切為長條形狀(試驗片型號5)而成的試驗片材，W 片材溫度:180°C、拉伸速度:1mm/分鐘的條件進