本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多晶硅自動(dòng)包裝設(shè)備中防搭橋料倉。

背景技術(shù)：

目前，國(guó)內(nèi)多晶硅行業(yè)的硅料包裝流程為人工裝袋、人工稱重、人工封口、人工裝箱的勞動(dòng)密集型操作。

其中，由于硅料的裝袋是由人工操作完成，故而存在勞動(dòng)效率低、硅料易被污染、影響產(chǎn)品質(zhì)量、硅料飛濺傷人，和包裝質(zhì)量難以規(guī)范統(tǒng)一等多種問題。

目前，多晶硅行業(yè)內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)所使用的多晶硅半自動(dòng)包裝機(jī)大多只能實(shí)現(xiàn)多晶硅的粗稱，精稱仍需要人工處理，存在人工干預(yù)多、故障率高、包裝效率低等問題。而且，該半自動(dòng)包裝機(jī)使用的料倉為上大、下小的錐形結(jié)構(gòu)，在實(shí)際使用過程中常常出現(xiàn)因硅料搭橋造成料倉底部堵塞而無法下料的問題，此時(shí)需要人工進(jìn)行干預(yù)，如人工監(jiān)測(cè)、人工拿棍子捅、敲擊料倉等方式來疏通料倉下料口，以解決硅料搭橋問題。這種人工干預(yù)的處理方式嚴(yán)重影響了自動(dòng)包裝設(shè)備的包裝效率，并造成自動(dòng)包裝易出現(xiàn)卡頓停車現(xiàn)象，是困擾多晶硅自動(dòng)定量包裝的一個(gè)技術(shù)性難題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述缺陷，提供一種多晶硅自動(dòng)包裝設(shè)備中防搭橋料倉，其不僅能完成多晶硅的硅料緩存中轉(zhuǎn)，還能防止大塊硅料下料時(shí)因搭橋而堵塞料倉出料口。

解決本實(shí)用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

本實(shí)用新型提供一種多晶硅自動(dòng)包裝設(shè)備中防搭橋料倉，其包括料倉本體，所述料倉本體的底部設(shè)有出料口，所述料倉本體包括呈傾斜設(shè)置的活動(dòng)底板，所述防搭橋料倉還包括固定在料倉本體上且位于活動(dòng)底板下方的底板轉(zhuǎn)軸和驅(qū)動(dòng)部件，所述底板轉(zhuǎn)軸和驅(qū)動(dòng)部件還與活動(dòng)底板的底面連接，所述驅(qū)動(dòng)部件用于帶動(dòng)活動(dòng)底板圍繞底板轉(zhuǎn)軸向上、向下轉(zhuǎn)動(dòng)以實(shí)現(xiàn)破橋。

可選地，所述料倉本體包括兩個(gè)相對(duì)設(shè)置的料倉豎直側(cè)壁和設(shè)置在二者之間的料倉斜側(cè)壁，所述活動(dòng)底板也設(shè)置在兩個(gè)料倉豎直側(cè)壁之間，并與料倉斜側(cè)壁相對(duì)設(shè)置，以形成中空的倒棱臺(tái)狀結(jié)構(gòu)的料倉本體；所述料倉本體底部的出料口為矩形口。

可選地，所述料倉斜側(cè)壁與水平面所夾銳角為67～90°；和/或，所述活動(dòng)底板的底端處于預(yù)設(shè)的最低位置時(shí)其與水平面所夾銳角為28～45°。

可選地，所述驅(qū)動(dòng)部件采用氣缸，所述氣缸的本體通過連接支架固定在兩個(gè)料倉豎直側(cè)壁上；和/或，所述氣缸為無油氣缸。

可選地，所述驅(qū)動(dòng)部件在活動(dòng)底板底面的連接位置與活動(dòng)底板頂端之間的距離為活動(dòng)底板長(zhǎng)度的三分之一，且活動(dòng)底板的長(zhǎng)度方向與其傾斜方向相同。

可選地，所述料倉本體采用不銹鋼板材制成；和/或，所述料倉本體的外壁涂覆有防腐、防污染的納米陶瓷或塑料涂層；和/或，所述料倉本體的內(nèi)壁涂覆有PU涂層或陶瓷涂層；和/或，所述活動(dòng)底板為表面包覆有潔凈非金屬材料的板狀件。

可選地，所述底板轉(zhuǎn)軸采用無油轉(zhuǎn)軸。

可選地，所述防搭橋料倉還包括固定在料倉本體內(nèi)部的防自由落體擋板，用于使多晶硅塊料在料倉本體內(nèi)部下降時(shí)減速。

可選地，所述防自由落體擋板包括兩塊頂端相連、底端為自由端的子板，且這兩塊子板與水平面所夾角度均為銳角；所述兩塊子板的位于兩側(cè)的側(cè)邊中位于一側(cè)的側(cè)邊固定在一個(gè)料倉豎直側(cè)壁上，而位于另一側(cè)的側(cè)邊與另一個(gè)料倉豎直側(cè)壁相接觸，或者所述兩塊子板的位于兩側(cè)的側(cè)邊分別固定在兩個(gè)料倉豎直側(cè)壁上。

可選地，所述兩塊子板的底面所夾角度為90～120°。

有益效果：

本實(shí)用新型所述多晶硅自動(dòng)包裝設(shè)備中防搭橋料倉通過驅(qū)動(dòng)部件(如氣缸)帶動(dòng)料倉的活動(dòng)底板向上、向下轉(zhuǎn)動(dòng)以實(shí)現(xiàn)多晶硅塊料的防堆積。本實(shí)用新型主要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的多晶硅塊料在振動(dòng)環(huán)節(jié)易相互碰撞、產(chǎn)生硅粉并影響多晶硅質(zhì)量的問題，不僅能完成多晶硅的硅料緩存中轉(zhuǎn)并減少料塊碰撞，還能防止大塊硅料下料時(shí)因搭橋而堵塞料倉出料口，避免下料不暢，是完成整套多晶硅自動(dòng)包裝過程中的一個(gè)重要裝置。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多晶硅自動(dòng)包裝設(shè)備中防搭橋料倉的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖2為圖1的俯視圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多晶硅自動(dòng)包裝設(shè)備中防搭橋料倉的結(jié)構(gòu)示意圖之二。

圖中：1－氣缸；2－底板轉(zhuǎn)軸；3－活動(dòng)底板；4A、4B－料倉豎直側(cè)壁；5－防自由落體擋板；6－料倉斜側(cè)壁。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

需要說明的是，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，術(shù)語“上”指的是圖1和圖3中所指向的“上”方，術(shù)語“下”指的是圖1和圖3中所指向的“下”方；術(shù)語“頂端”、“底端”和“底部”僅與圖1和圖3中的相應(yīng)部位對(duì)應(yīng)，并不造成對(duì)本實(shí)用新型的限制，若將圖1和圖3上下翻轉(zhuǎn)，則上述術(shù)語中的“頂端”變?yōu)椤暗锥恕?，“底端”變?yōu)椤绊敹恕?，“底部”變?yōu)椤绊敳俊薄?/p>

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種多晶硅自動(dòng)包裝設(shè)備中防搭橋料倉。一般地，一套包裝機(jī)含有三大一小共計(jì)四個(gè)硅料料倉，其中三個(gè)大料倉的尺寸相同，頂部開口和底部開口均為矩形，且頂部開口長(zhǎng)1260mm、寬225mm，底部開口長(zhǎng)260mm、寬225mm，高度為620mm，由于這三個(gè)大料倉的尺寸較大，其內(nèi)的大塊硅料的流動(dòng)性差、料塊形狀不規(guī)則，在硅料下落過程中極易出現(xiàn)搭橋、卡料的情況，而余下的小料倉的尺寸非常小，不存在搭橋、卡料現(xiàn)象。因此，本實(shí)用新型主要針對(duì)包裝機(jī)中的大料倉進(jìn)行改進(jìn)以形成防搭橋料倉，其包括料倉本體，且料倉本體的底部設(shè)有出料口。所述防搭橋料倉采用特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)來解決下料過程中硅料碰撞及下料堵塞問題，確保硅料在轉(zhuǎn)運(yùn)過程中不會(huì)出現(xiàn)碰撞積塵、促進(jìn)硅料的流動(dòng)順暢。下面結(jié)合圖1-3詳細(xì)描述其結(jié)構(gòu)。

圖1為活動(dòng)底板3的底端處于預(yù)設(shè)的最低位置時(shí)所述防搭橋料倉的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1的俯視圖，圖3為活動(dòng)底板3的底端處于預(yù)設(shè)的最高位置時(shí)所述防搭橋料倉的結(jié)構(gòu)示意圖。當(dāng)然，所述預(yù)設(shè)的最低位置和預(yù)設(shè)的最高位置可由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整和設(shè)定。

如圖1-3所示，所述料倉本體(圖中未標(biāo)出)包括單獨(dú)制作的且呈傾斜設(shè)置的活動(dòng)底板3，所述防搭橋料倉還包括固定在料倉本體上且位于活動(dòng)底板3下方的底板轉(zhuǎn)軸2和驅(qū)動(dòng)部件，所述底板轉(zhuǎn)軸2和驅(qū)動(dòng)部件還與活動(dòng)底板3的底面連接，且底板轉(zhuǎn)軸2在活動(dòng)底板3底面的連接位置接近活動(dòng)底板3的頂端，而驅(qū)動(dòng)部件在活動(dòng)底板3底面的連接位置位于活動(dòng)底板3底面的中上部(即圖1和圖3中活動(dòng)底板3底面的右上角位置處)，所述底板轉(zhuǎn)軸2用于連接料倉本體與活動(dòng)底板3，通過設(shè)置底板轉(zhuǎn)軸2使得活動(dòng)底板3能夠繞底板轉(zhuǎn)軸2做扇形運(yùn)動(dòng)，所述驅(qū)動(dòng)部件用于帶動(dòng)活動(dòng)底板3在料倉內(nèi)圍繞底板轉(zhuǎn)軸2向上、向下轉(zhuǎn)動(dòng)，從而在料倉本體底部和活動(dòng)底板3底部形成收縮出口，當(dāng)料倉本體內(nèi)的多晶硅塊料相互搭橋并阻礙流動(dòng)時(shí)，通過活動(dòng)底板3的自由端上下移動(dòng)可縮小、擴(kuò)大出料口，從而實(shí)現(xiàn)料倉的破橋效果。

具體地，所述料倉本體包括兩個(gè)相對(duì)設(shè)置的料倉豎直側(cè)壁4A和4B，以及設(shè)置在二者之間的料倉斜側(cè)壁6，所述活動(dòng)底板3也設(shè)置在兩個(gè)料倉豎直側(cè)壁4A和4B之間，并與料倉斜側(cè)壁6相對(duì)設(shè)置，以形成中空的倒棱臺(tái)狀結(jié)構(gòu)的料倉本體，其頂部的進(jìn)料口為矩形口，且長(zhǎng)1260mm、寬225mm；其底部的出料口也為矩形口，且長(zhǎng)260mm、寬225mm，具體如圖2所示；其高度為620mm。

可見，料倉本體采用上大下小的結(jié)構(gòu)，其頂部開口(進(jìn)料口)大，是因?yàn)閬砹匣@的尺寸較大，進(jìn)料口大可方便來料籃倒料；其底部開口(出料口)小，是因?yàn)檎駝?dòng)加料器的尺寸較小，為防止硅料外溢，出料口尺寸需滿足振動(dòng)加料器的尺寸要求，出料口還采用收縮出口的設(shè)計(jì)，通過調(diào)節(jié)出料口的大小可以控制料倉內(nèi)硅料的下料速度，其速度可從0kg/min到40kg/min調(diào)節(jié)。所述防搭橋料倉的工作過程為：在多晶硅下料包裝時(shí)通過驅(qū)動(dòng)部件帶動(dòng)活動(dòng)底板3向下轉(zhuǎn)動(dòng)來擴(kuò)大出料口，從而使硅料順著活動(dòng)底板3和料倉斜側(cè)壁6加速向振動(dòng)加料器流動(dòng)；當(dāng)料倉內(nèi)的硅料出現(xiàn)搭橋、卡頓現(xiàn)象時(shí)，通過驅(qū)動(dòng)部件帶動(dòng)活動(dòng)底板3上下動(dòng)作以實(shí)現(xiàn)料倉的破橋效果；當(dāng)下料速度過快時(shí)，通過驅(qū)動(dòng)部件帶動(dòng)活動(dòng)底板3向上轉(zhuǎn)動(dòng)來關(guān)小出料口，從而減緩下料，等待接收籃接料；當(dāng)料倉內(nèi)硅料的量少到一定程度時(shí)，料倉的檢重裝置向包裝系統(tǒng)發(fā)出要料的信號(hào)，此時(shí)通過驅(qū)動(dòng)部件帶動(dòng)活動(dòng)底板3向上轉(zhuǎn)動(dòng)，準(zhǔn)備接料，如此循環(huán)往復(fù)。

所述料倉本體中設(shè)置的兩個(gè)豎直的側(cè)壁4A和4B可防止多晶硅塊料下降時(shí)堆積、卡堵，而所述料倉本體中設(shè)置的傾斜的側(cè)壁6和活動(dòng)底板3相配合可控制多晶硅塊料的下料速度，防止多晶硅塊料下料速度過快，使之均壓地下料。

較優(yōu)地，所述料倉斜側(cè)壁6與水平面所夾銳角α為67～90°；所述活動(dòng)底板3的底端處于預(yù)設(shè)的最低位置時(shí)其與水平面所夾銳角β為28～45°。

此外，所述驅(qū)動(dòng)部件在活動(dòng)底板3底面的連接位置與活動(dòng)底板3頂端之間的距離為活動(dòng)底板3長(zhǎng)度的三分之一，且活動(dòng)底板3的長(zhǎng)度方向與其傾斜方向相同。

所述料倉本體采用不銹鋼板材制成；所述料倉本體的外壁涂覆有防腐、防污染的納米陶瓷或塑料涂層；所述料倉本體的內(nèi)壁涂覆有PU涂層或陶瓷涂層；所述活動(dòng)底板3為表面包覆有潔凈非金屬材料的板狀件。至于料倉本體外壁和內(nèi)壁上涂層的厚度可由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實(shí)際情況決定。

本實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)部件采用氣缸1，且氣缸1的本體通過連接支架固定在兩個(gè)料倉豎直側(cè)壁4A和4B上，以更好地固定在料倉本體上，氣缸1的活塞桿的頂端連接在活動(dòng)底板3底面的中上部，即，氣缸1的活塞桿的頂端在活動(dòng)底板3底面的連接位置與活動(dòng)底板3頂端之間的距離為活動(dòng)底板3長(zhǎng)度的三分之一。而且，通過電磁閥、軟氣管等電氣附件實(shí)現(xiàn)氣缸進(jìn)排氣控制，通過電磁閥控制氣路切換從而控制氣缸中活塞桿的上下運(yùn)動(dòng)，從而帶動(dòng)與氣缸1的活塞桿頂端連接的活動(dòng)底板3繞底板轉(zhuǎn)軸2向上、向下做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。

較優(yōu)地，所述氣缸1為無油氣缸；所述底板轉(zhuǎn)軸2采用無油轉(zhuǎn)軸，以防止污染料倉本體內(nèi)的多晶硅塊料。

另外，所述防搭橋料倉還包括固定在料倉本體內(nèi)部的防自由落體擋板5，用于使多晶硅塊料在料倉本體內(nèi)部下降時(shí)減速。

本實(shí)施例中，由于上游來料是以長(zhǎng)方形敞口料籃傾斜倒料的方式供料，多晶硅塊料在自由落體距離過大時(shí)易發(fā)生相互碰撞，導(dǎo)致外觀品質(zhì)下降，而在料倉本體內(nèi)部設(shè)置防自由落體擋板5可使多晶硅塊料下落時(shí)減速，防止多晶硅塊料因高速碰撞而導(dǎo)致品質(zhì)下降的問題出現(xiàn)。

具體地，所述防自由落體擋板5包括兩塊頂端相連、底端為自由端的子板，且這兩塊子板與水平面所夾角度均為銳角；所述兩塊子板的位于兩側(cè)的側(cè)邊中位于一側(cè)的側(cè)邊固定在一個(gè)料倉豎直側(cè)壁4A或4B上，而位于另一側(cè)的側(cè)邊與另一個(gè)料倉豎直側(cè)壁4B或4A相接觸，或者所述兩塊子板的位于兩側(cè)的側(cè)邊分別固定在兩個(gè)料倉豎直側(cè)壁4A和4B上。較優(yōu)地，所述兩塊子板的底面所夾角度γ為90～120°。

本實(shí)施例所述防搭橋料倉的上述部件按照是否可動(dòng)可劃分為固定部分和可動(dòng)部分。具體地，固定部分包括氣缸1中的不動(dòng)件、底板轉(zhuǎn)軸2中的不動(dòng)件、料倉豎直側(cè)壁4A和4B、防自由落體擋板5、以及料倉斜側(cè)壁6；可動(dòng)部分包括氣缸1的活塞桿、底板轉(zhuǎn)軸2的轉(zhuǎn)動(dòng)軸和活動(dòng)底板3。

綜上所述，本實(shí)施例具有如下有益效果：

(1)采用所述防搭橋料倉可實(shí)現(xiàn)緩沖下料，保證硅料自動(dòng)包裝的連續(xù)性，提高自動(dòng)化運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性，避免因卡料造成的包裝中斷；

(2)采用所述防搭橋料倉可降低硅料自由落體的距離，減少碎料產(chǎn)生的幾率，提高包裝質(zhì)量，易于實(shí)現(xiàn)規(guī)?；B續(xù)生產(chǎn)；提高了生產(chǎn)效率。

(3)采用所述防搭橋料倉可降低對(duì)硅料的污染，防止各種金屬或非金屬雜質(zhì)混入硅料中。

(4)所述防搭橋料倉還具有占地面積小，空間利用率高，對(duì)空面積小，有利于減少外部空氣環(huán)境對(duì)料倉硅料的灰塵污染等優(yōu)點(diǎn)；并且其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的可動(dòng)部件少，易維護(hù)、保養(yǎng)。

可見，本實(shí)施例提供的應(yīng)用于多晶硅自動(dòng)包裝設(shè)備中的防搭橋料倉的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，不僅能完成多晶硅的硅料緩存中轉(zhuǎn)，還能防止大塊硅料下料時(shí)搭橋堵塞料倉出料口，因此有效解決了硅料自動(dòng)包裝過程中的下料不順暢問題，還能防止在下料過程中出現(xiàn)搭橋堵塞的現(xiàn)象。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。