專利名稱：算出搬送機構(gòu)的搬送偏差的方法及半導(dǎo)體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體處理裝置中，使用被處理的仿真基板作為被處理基板的替代物，算出搬送機構(gòu)的搬送偏差的方法，和為進行該方法而構(gòu)成的半導(dǎo)體處理裝置。這里，所謂半導(dǎo)體處理是指，在半導(dǎo)體晶片或LCD(液晶顯示)或FPD(平板顯示)用玻璃基板等被處理基板上通過以預(yù)定的圖案形成半導(dǎo)體層、絕緣層或?qū)щ妼拥龋糜谠诒惶幚砘迳现圃彀雽?dǎo)體器件，或包括與半導(dǎo)體器件連接的配線、電極等的構(gòu)造物所實施的各種處理。
背景技術(shù)：
為了制造半導(dǎo)體器件，要對作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片進行成膜、蝕刻、氧化、擴散、退火、改性等各種處理。在這種處理中，隨著半導(dǎo)體器件的微細化和高集成化，都在尋求提高生產(chǎn)率和成品率的方法。從這種觀點出發(fā)，眾所周知可通過公共的搬送室將進行相同處理的多個處理室、或進行不同處理的多個處理室相互連接，并可設(shè)定將晶片不暴露于大氣環(huán)境中的各種工序的連續(xù)處理，即，所謂多腔室型半導(dǎo)體處理裝置。
這種半導(dǎo)體處理裝置具有配設(shè)在搬送室內(nèi)的包括多關(guān)節(jié)臂型的搬送機械手的搬送機構(gòu)。使用搬送機構(gòu)是為了在多段收納多塊晶片的收納容器(例如被稱為FOUP(晶圓傳送盒front opening unified pod)的帶蓋的收納容器)和處理室之間搬送作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片。在使用這種搬送機構(gòu)之前，要對控制搬送機構(gòu)的計算機等的控制部進行教示這樣的操作。通過教示，掌握進行晶片交接的地點等重要的位置作為控制部的位置坐標。
為了有很好的處理均勻性，在利用搬送機構(gòu)向處理室搬送晶片時，需要有很高的精度。因此，毫無疑問，對搬送機構(gòu)的重復(fù)操作的精度或晶片偏差的補正功能有非常高的精度要求，而且對教示也要求非常高的精度。從現(xiàn)有技術(shù)來看，通過目測進行的教示以已達到界限，使用傳感器的自動教示系統(tǒng)正逐步實用化。此外，作為相關(guān)聯(lián)的技術(shù)，例如日本特開2000-127069號公報揭示有一種搬送系統(tǒng)的搬送定位方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種例如在教示中，可以減少裝置不必要的停機時間的算出搬送機構(gòu)的搬送偏差的方法及半導(dǎo)體處理裝置。
本發(fā)明的第一方面，是在半導(dǎo)體處理裝置中，使用在具有用于輔助其自身中心定位的第一引導(dǎo)體這一點與被處理基板不同，但作為上述被處理基板的替代物而被處理的仿真基板，算出搬送機構(gòu)的搬送偏差的方法，上述裝置包括用于對上述被處理基板實施處理的處理室；配設(shè)在上述處理室內(nèi)，在進行上述處理時裝載上述被處理基板的裝載臺；配設(shè)在上述處理室外，用于相對于上述裝載臺搬送上述被處理基板的上述搬送機構(gòu)；配設(shè)在上述處理室外，用于檢測上述被處理基板的偏心量和偏心方向的檢測器；以及用于輔助上述仿真基板中心定位的第二引導(dǎo)體，在將上述仿真基板從上述搬送機構(gòu)移載至上述裝載臺的期間，上述第二引導(dǎo)體與上述第一引導(dǎo)體結(jié)合，使上述仿真基板相對于上述裝載臺中心定位，上述方法包括在上述裝載臺的上面或上方的位置，通過上述第一和第二引導(dǎo)體的結(jié)合，使上述仿真基板相對于上述裝載臺中心定位的工序；利用上述搬送機構(gòu)接受上述已中心定位的仿真基板，并搬送至上述檢測器的工序；以及然后，利用上述檢測器，得到上述樣品折偏心量及偏心方向的檢測值，根據(jù)上述檢測值，算出上述搬送機構(gòu)的搬送偏差的工序。
本發(fā)明的第二方面是使用在具有用于輔助其自身中心定位的第一引導(dǎo)體這一點與被處理基板不同，但作為上述被處理基板的替代物而被處理的仿真基板，算出搬送機構(gòu)的搬送偏差而構(gòu)成的半導(dǎo)體處理裝置，上述裝置包括用于對上述被處理基板實施處理的處理室；配設(shè)在上述處理室內(nèi)，在進行上述處理時裝載上述被處理基板的裝載臺；配設(shè)在上述處理室外，用于相對于上述裝載臺搬送上述被處理基板的上述搬送機構(gòu)；配設(shè)在上述處理室外，用于檢測上述被處理基板的偏心量和偏心方向的檢測器；用于輔助上述仿真基板中心定位的第一引導(dǎo)體，在將上述仿真基板從上述搬送機構(gòu)移載至上述裝載臺的期間，上述第二引導(dǎo)體與上述第一引導(dǎo)體結(jié)合，使上述仿真基板相對于對上述裝載臺中心定位；以及控制上述裝置工作的控制部，其中，上述控制部執(zhí)行在上述裝載臺的上面或上方的位置，通過上述第一和第二引導(dǎo)體的結(jié)合，使上述仿真基板相對于上述裝載臺中心定位的工序；利用上述搬送機構(gòu)接受上述已中心定位的仿真基板，并搬送至上述檢測器的工序；以及然后，利用上述檢測器，得到上述仿真基板的偏心量及偏心方向的檢測值，根據(jù)上述檢測值，算出上述搬送機構(gòu)的搬送偏差的工序。


圖1是表示涉及本發(fā)明實施方式的半導(dǎo)體處理裝置的示意平面圖。
圖2是表示配設(shè)在圖1所示的裝置的處理室內(nèi)的，涉及本發(fā)明第一實施方式的用于對仿真基板進行中心定位的機構(gòu)的截面圖。
圖3是表示配設(shè)在圖1所示的裝置的處理室內(nèi)的，涉及本發(fā)明第二實施方式的用于對仿真基板進行中心定位的機構(gòu)的截面圖。
圖4是表示配設(shè)在圖1所示的裝置的處理室內(nèi)的，涉及本發(fā)明第三實施方式的用于對仿真基板進行中心定位的機構(gòu)的截面圖。
圖5是表示現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體處理裝置的處理室內(nèi)的搬送偏差的截面圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的發(fā)明者在研發(fā)本發(fā)明的過程中，對現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理裝置的搬送偏差進行了研究。結(jié)果，得到如下所述的知識。
圖5是表示現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體處理裝置的處理室內(nèi)的搬送偏差的截面圖。在該實例中，表示出在處理室2內(nèi)的裝載臺14上裝載的晶片W因搬送機構(gòu)的工作誤差而產(chǎn)生搬送偏差(中心偏差)Δd的狀態(tài)。一般來說，在半導(dǎo)體處理裝置運轉(zhuǎn)時很難確認處理室的內(nèi)部。因此，難以判斷在有任何一點點故障發(fā)生時是否是由搬送偏差而引起的。可以利用例如由設(shè)置在處理室內(nèi)的裝載臺上的固定晶片用的靜電卡盤產(chǎn)生的異常信號來檢測故障的發(fā)生。但是，利用來自靜電卡盤的信號很難檢測到如圖5所示的搬送偏差。
這種情況下，在處理裝置中有任何一點點故障發(fā)生時，都要打開處理室通過目測進行確認。于是，可以確認此時是否是最初的搬送偏差。在處理室為真空處理室的情況下，每次都要將處理室變?yōu)榇髿鉅顟B(tài)并打開確認，檢查故障原因，修復(fù)后，必須再將處理室抽成真空。因此，不得不長時間停止處理裝置，使得停機時間成為較大問題。
下面，根據(jù)這些知識，參照附圖對構(gòu)成的本發(fā)明的實施方式進行說明。此外，在下面的說明中，對具有大致相同的功能和構(gòu)成的結(jié)構(gòu)單元用相同的符號表示，只在必要時進行重復(fù)說明。
圖1是表示涉及本發(fā)明實施方式的半導(dǎo)體處理裝置的示意平面圖。該處理裝置1形成為在公共搬送室9的周圍連接有6個逐塊處理晶片W的處理室2的群組設(shè)備(cluster tool)型(也稱為多腔室型)。利用該處理室2，可以對被處理基板例如半導(dǎo)體晶片W進行一系列的處理。
具體地，該處理裝置1具有從裝載在加載倉4上的收納容器(例如稱為FOUP的帶蓋的收納容器)3中取出晶片W并在大氣壓下搬送的常壓搬送系統(tǒng)。此外，處理裝置1具有通過負載鎖定室7與常壓搬送系統(tǒng)的搬送室6連接的，在壓力降到預(yù)定的壓力下搬送晶片W的真空搬送系統(tǒng)8。在真空搬送系統(tǒng)8的公共搬送室(真空搬送室)9的周圍，連接有多個各容納一塊晶片W的，在預(yù)定的氣體環(huán)境下實施預(yù)定的處理，例如CVD處理等的真空處理室2。
在常壓搬送系統(tǒng)5的搬送室6內(nèi)配設(shè)有用于在加載倉4和負載鎖定室7之間進行晶片W搬送的多關(guān)節(jié)臂型的搬送機械手10。搬送室6形成為長方形，多關(guān)節(jié)臂型的搬送機械手10可移動地配設(shè)在搬送室6的長度方向。在搬送室6的一側(cè)配設(shè)有多個加載倉4，另一側(cè)通過閘閥TG與負載鎖定室7的一端連接。
在真空搬送系統(tǒng)8的搬送室9內(nèi)配設(shè)有用于在負載鎖定室7和處理室2之間進行晶片W搬送的多關(guān)節(jié)臂型的搬送機械手12。搬送室9形成為長方形，搬送機械手10可移動地配設(shè)在搬送室9的長度方向。搬送室9的一端通過閘閥TG與負載鎖定室7的另一端連接?？蓪?nèi)部壓力控制為預(yù)定壓力的真空排氣系統(tǒng)與負載鎖定室7、搬送室9和處理室2連接。圖示的實例中，負載鎖定室7是兩個并列設(shè)置，但也可以是一個。
在搬送室6的一端配設(shè)有用于進行晶片定位的定向器(也稱為檢測器或定位器)11。定向器11具有公知的結(jié)構(gòu)，具有裝載晶片W的旋轉(zhuǎn)基準臺(圖中未示出)和在旋轉(zhuǎn)基準臺旁邊配設(shè)的光學(xué)傳感器(圖中未示出)。在旋轉(zhuǎn)中利用光學(xué)傳感器光學(xué)檢測晶片W的周緣部，并將檢測信號傳送到控制部13的演算部。在演算部中，基于檢測信號算出晶片W的偏心量、偏心方向和作為晶片W上的切口標記的槽口或定位平面的位置，即晶片的方位。
利用控制處理裝置1的工作的控制部13控制搬送機械手10、12。在從定向器11接受晶片W時，操作搬送機械手10以消除晶片W的位置偏差。該操作是在控制部13的控制下，根據(jù)通過定向器11檢測的晶片的偏心量、偏心方向和方位來進行的。
在各處理室2內(nèi)配設(shè)有裝載晶片W的裝置臺14。在裝載臺14配設(shè)有通過搬送機械手12促使晶片相對于裝載臺加載/卸載的多根(例如3根)升降桿15。升降桿15利用配設(shè)在裝載臺14下方的驅(qū)動機構(gòu)(圖中未示出)，貫通裝載臺14上下移動。即升降桿15以支持晶片W的狀態(tài)升降，并和搬送機械手12之間進行晶片W的接受。
如上所述，在該處理裝置1中配設(shè)有用于在收納容器3和處理室2之間進行晶片W的搬送的具有兩臺搬送機械手10、12的搬送機構(gòu)TRM。常壓搬送系統(tǒng)的搬送機械手10的搬送偏差與真空搬送系統(tǒng)的搬送機械手12的搬送偏差相比，對晶片W搬送的影響極小。因此，可以將常壓搬送系統(tǒng)的搬送機械手10的搬送偏差忽略不計。理由如下所述。
例如，假定常壓搬送系統(tǒng)的搬送機械手10，在搬送臂伸展的狀態(tài)向左有1mm的偏差發(fā)生。此時，搬送機械手10在進行從收納容器3中取晶片W時，搬送臂的手柄中心相對于晶片W的中心向左錯位了1mm。在該狀態(tài)，如果搬送臂的手柄接受晶片W，則晶片W被裝載在相對于手柄的中心向右有1mm錯位的位置上。搬送機械手10在完成滑動動作、旋轉(zhuǎn)動作后，由伸縮動作在定向器11的載物臺(stage)上伸展搬送臂到目標。此時，搬送臂的手柄中心相對于定向器11的載物臺的中心有向左伸出1mm的錯位。因此，結(jié)果相對于手柄中心1mm向右的晶片W被放置在定向器11的載物臺上。
總之，即使搬送機械手10存在搬送偏差，從收納容器3向定向器11搬送的晶片W也不會顯現(xiàn)出搬送偏差的影響。同樣，在從定向器11向負載鎖定室7搬送晶片W時，也不會顯現(xiàn)出搬送機械手10的搬送偏差的影響。因此，在常壓搬送系統(tǒng)的搬送機械手10中，可以將搬送偏差作為零處理。
與此相反，在真空搬送系統(tǒng)8的一側(cè)，受到由加熱機構(gòu)的熱而使處理室2產(chǎn)生的位移，由伴有分解洗滌的定期維護而使處理室2產(chǎn)生的位移，或由真空壓力而使處理室2產(chǎn)生的位移等影響。因此，即使搬送機械手12相對于處理室2配送晶片W的位置與以前相同，也會引起晶片W從裝載臺14上的預(yù)定裝載位置錯位這樣的搬送偏差。因此，在包含兩臺搬送機械手10、12的搬送機構(gòu)TRM作為整體時，會由各種原因產(chǎn)生搬送偏差。因此，在如下面的實施方式說明的狀態(tài)中，能夠算出搬送機構(gòu)TRM的搬送偏差，將晶片W可靠地放置到裝載臺14上預(yù)定的裝載位置上。
圖2至圖4是表示配設(shè)在圖1所示的裝置的處理室內(nèi)的，涉及本發(fā)明不同的實施方式的用于對仿真基板進行中心定位的機構(gòu)的截面圖。在各種實施方式中，為了算出搬送機構(gòu)TRM的搬送偏差，使用了處理的仿真晶片(仿真基板)17作為被處理基板晶片W的替代物。仿真晶片17在具有用于輔助其自身中心定位的第一引導(dǎo)體G1這一點與晶片W不同，但是，調(diào)制該仿真晶片以便可以作為制品用的晶片W的替代物操作。另一方面，在處理裝置1的處理室2中，配設(shè)有用于輔助仿真晶片17中心定位的第二引導(dǎo)體G2。第二引導(dǎo)體G2在仿真晶片17從搬送機構(gòu)TRM移載到裝載臺14的期間，與第一引導(dǎo)體G1結(jié)合，具有使仿真晶片17相對于裝載臺14中心定位的功能。
為了算出搬送機構(gòu)TRM的搬送偏差，控制處理裝置1工作的控制部13執(zhí)行如下所述的工序。即，首先在裝載臺14的上面或上方的位置，通過結(jié)合第一和第二引導(dǎo)體G1、G2，使仿真晶片17相對于裝載臺14中心定位。這樣，利用搬送機構(gòu)TRM接受已中心定位的仿真晶片17并搬送到定向器11上。然后，利用定向器11得到仿真晶片17的偏心量和偏心方向的檢測值，根據(jù)檢測值算出搬送機構(gòu)TRM的搬送偏差。
優(yōu)選地，控制部13在將仿真晶片17相對于裝載臺14中心定位之前，將仿真晶片17搬送到定向器11上。再利用定向器11得到仿真晶片17的初始偏心量和初始偏心方向的初始檢測值。然后，在將仿真晶片17從定向器11搬送到裝載臺14的上面或上方的位置時，根據(jù)初始檢測值補正初始偏心量和初始偏心方向。此外，通常也利用搬送機構(gòu)TRM進行將仿真晶片17搬送到處理室2內(nèi)的作業(yè)(即相對于裝載臺14中心定位之前的仿真晶片17的搬送)。
第一實施方式圖2是表示涉及本發(fā)明第一實施方式的用于對仿真基板進行中心定位的機構(gòu)的截面圖。在第一實施方式中，仿真晶片(仿真基板)17由直徑比晶片W大的基板組成，形成其輪廓的外側(cè)緣17a具有作為用于輔助中心定位的第一引導(dǎo)體G1的功能。另一方面，在處理室2內(nèi)配設(shè)有作為用于輔助仿真晶片17中心定位的第二引導(dǎo)體G2的、包圍裝載臺14的引導(dǎo)環(huán)16。引導(dǎo)環(huán)16具有包括在上緣部形成的傾斜面(斜面)19和使仿真晶片17嵌入的下側(cè)部分的圓形開口18。
作為引導(dǎo)環(huán)16，可以改造并使用例如已有的聚焦環(huán)。引導(dǎo)環(huán)16的開口18的中心與圓形裝載臺14的中心一致，因此，與晶片W的預(yù)定裝載位置的中心一致。此外，開口18的上部的傾斜面19向上方以同心圓方式逐漸擴大直徑。這樣，即使搬送機構(gòu)TRM產(chǎn)生搬送偏差，在從搬送機構(gòu)TRM交接到升降桿15上的仿真晶片17的下降的過程中，仿真晶片17也能與裝載臺14上的晶片W的預(yù)定裝載位置中心定位(下面，簡單地稱為相對于裝載臺14中心定位)。
在晶片W的直徑為300mm時，仿真晶片17的直徑比該直徑稍大，例如設(shè)定為302mm。引導(dǎo)環(huán)16的開口18以直徑與仿真晶片17大致吻合的大小，例如302.2mm的直徑形成。作為仿真晶片17的材料，優(yōu)選為與晶片W相同的材料或石英。
確認搬送機構(gòu)TRM的搬送偏差時，在利用搬送機構(gòu)TRM相對于裝載臺14裝載仿真晶片17時，利用引導(dǎo)環(huán)16對仿真晶片17進行中心定位。然后，利用搬送機構(gòu)TRM接受這樣已經(jīng)中心定位的仿真晶片17，并搬送到定向器11。接著，利用定向器11得到仿真晶片17的偏心量和偏心方向的檢測值，根據(jù)檢測值算出搬送機構(gòu)TRM的搬送偏差。
更具體地，在本發(fā)明的實施方式中，通過常壓搬送系統(tǒng)5的搬送機械手10取出收納在例如收納容器3中的仿真晶片17，搬送到定向器11。然后，利用定向器11得到仿真晶片17的初始偏心量和初始偏心方向的初始檢測值。接著，在利用搬送機械手10從定向器11接受仿真晶片17時，根據(jù)初期檢測值補正初始偏心量和初始偏心方向。然后，利用搬送機械手10將仿真晶片17搬送到負載鎖定室7內(nèi)。
接著，通過搬送機械手12將樣品在17從負載鎖定室7搬送到處理室2內(nèi)，并通過升降桿15移載到裝載臺14上。此時，通過作為第一引導(dǎo)體G1的仿真晶片17的外側(cè)緣17a和作為第二引導(dǎo)體G2的引導(dǎo)環(huán)16的開口18結(jié)合，使仿真晶片17相對于裝載臺14中心定位。即，通過在引導(dǎo)環(huán)16的開口18中嵌入仿真晶片17，使仿真晶片17的中心與晶片W的預(yù)定裝載位置的中心一致。
接著，由升降桿15將這樣已經(jīng)中心定位的仿真晶片17向上舉起，利用搬送機械手12接受仿真晶片并搬送到負載鎖定室7中。下一步，通過搬送機械手10將仿真晶片17從負載鎖定室7搬送到定向器11上。接著，利用定向器11得到仿真晶片17的偏心量和偏心方向的檢測值，根據(jù)檢測值算出搬送機構(gòu)TRM的搬送偏差。即，在控制部13中，根據(jù)偏心量和偏心方向的檢測值算出搬送偏差量和偏差方向。偏心量為0時，不產(chǎn)生搬送偏差。
控制部13將這樣算出的搬送偏差作為教示位置的補正信息存儲起來。然后，以補正搬送偏差的方式控制搬送機構(gòu)TRM(通常是搬送機械手12)的動作。如果這樣的話，不用打開處理室2就可以確認搬送機構(gòu)TRM的搬送偏差，能夠進行補正(教示數(shù)據(jù)的補正)甚至于再教示。因此，能夠減少不需要的停機時間，對處理裝置是真空處理裝置的情形特別有效。
例如，用定向器11讀取的偏心量和偏心方向為1mm、60°時，該值為搬送原晶片時的偏差量和方向。因此，只要將真空搬送系統(tǒng)8的搬送機械手12進入處理室2的位置從之前的教示位置變更1mm、60°。此外，如本發(fā)明實施方式的定向器11是在大氣側(cè)(常壓側(cè))時，因為從真空側(cè)的機械手12將晶片交接到大氣側(cè)機械手10時位置反轉(zhuǎn)，因此，補正方向為考慮此的方向。
為了輔助仿真晶片17中心定位，配設(shè)在處理室2內(nèi)的第二引導(dǎo)體G2由簡單結(jié)構(gòu)的引導(dǎo)環(huán)16組成，即引導(dǎo)環(huán)16被配設(shè)成具有在上側(cè)形成向上方擴展的傾斜面19的開口18并且包圍裝載臺14。引導(dǎo)環(huán)16的開口18的下側(cè)部分的內(nèi)徑被設(shè)定成與仿真晶片17的直徑(比晶片W的直徑稍大)實質(zhì)上相同。這種結(jié)構(gòu)可以由改造已有的聚焦環(huán)而得到。
此外，因為仿真晶片17是由與晶片W相同的材料或石英制成，因此，引導(dǎo)環(huán)16能夠防止不需要的污染。此時，可以將仿真晶片17與晶片保管在同一個收納容器中，也容易保管。
控制部13通過定向器11檢測仿真晶片17的偏心量和偏心方向，根據(jù)該檢測值，補正搬送機構(gòu)TRM的搬送偏差。因此，能夠自動補正搬送機構(gòu)TRM的搬送偏差。
第二實施方式圖3是表示涉及本發(fā)明第二實施方式的用于對仿真基板進行中心定位的機構(gòu)的截面圖。在第二實施方式中，仿真晶片(仿真基板)17由具有與晶片W相同直徑的基板組成，在其底面形成的突部20具有作為用于輔助中心定位的第一引導(dǎo)體G1的功能。另一方面，在處理室2內(nèi)形成有作為用于輔助仿真晶片17中心定位的第二引導(dǎo)體2，并在裝載臺14上面與仿真晶片17的突部20結(jié)合的凹部21。
突部20為側(cè)面作為傾斜面20a形成的圓錐形狀或角錐形狀。其頂點位于仿真晶片17的中心。與此相反，凹部21也為側(cè)面作為傾斜面21a形成的圓錐形狀或角錐形狀，其頂點位于裝載臺14的中心位置。突部20和凹部21的圓錐形狀或角錐形狀相互具有相似的形狀。此外，突部20和凹部21形成的形狀也可以為切頭圓錐形狀或切頭角錐形狀。
在利用升降桿15將仿真晶片17降到裝載臺上時，突部20的傾斜面20a與凹部21的傾斜面21a結(jié)合，將仿真晶片17相對于裝載臺14中心定位。即，通過使突部20嵌入凹部21中，使仿真晶片17的中心與晶片W的預(yù)定裝載位置的中心一致。其它的方面，通過與第一實施方式相同的操作，能夠算出搬送機構(gòu)TRM的搬送偏差。
第三實施方式圖4是表示涉及本發(fā)明第三實施方式的用于對仿真基板進行中心定位的機構(gòu)的截面圖。在第三實施方式中，仿真晶片(仿真基板)17由具有與晶片W相同直徑的基板組成，在其底面形成的凹部23具有作為用于輔助中心定位的第一引導(dǎo)體G1的功能。另一方面，在處理室2內(nèi)形成有作為用于輔助仿真晶片17中心定位的第二引導(dǎo)體2，并在升降桿15的頂部與仿真晶片17的凹部結(jié)合的突部22。
在升降桿15的頂部形成的突部22為側(cè)面作為傾斜面22a形成的圓錐形狀或角錐形狀。此外，多個，例如3個升降桿15被配置成在周圍方向相互等間隔的并且與裝載臺14的中心等距離。與此相反，凹部23為具有與升降桿15的配置位置相對應(yīng)的直徑的圓形形狀，其周圍側(cè)面形成有向下側(cè)打開的傾斜面23a。此外，凹部23被配置成與仿真晶片17的輪廓成同心狀。突部22的傾斜面22a與凹部23的傾斜面23a為實質(zhì)上相同的傾斜角度。
在將仿真晶片17從搬送機械手12(參照圖1)移載到升降桿15上時，突部22的傾斜面22a與凹部23的傾斜面23a結(jié)合，使仿真晶片17相對于裝載臺14對準中心。即通過使升降桿15的突部22嵌入凹部23，使仿真晶片17的中心與晶片W的預(yù)定裝載位置的中心一致。其它的方面，通過與第一實施方式相同的操作，能夠算出搬送機構(gòu)TRM的搬送偏差。
第一至第三實施方式中共同的事項在第一至第三實施方式中，仿真晶片17經(jīng)由定向器11，以補正初始偏心量和初始偏心方向的狀態(tài)被搬送到處理室2內(nèi)，相對于裝載臺14中心定位。但是，在仿真晶片17的初始偏心量小時，也可以不經(jīng)由定向器11直接將仿真晶片17搬送到處理室2內(nèi)，相對于裝載臺14對準中心。此外，在通過突部和凹部的結(jié)合進行仿真基板(實施方式中的仿真晶片17)的中心定位時，在仿真基板的底面形成其中的一種結(jié)構(gòu)，另一種結(jié)構(gòu)可以形成在裝載臺的上面或升降桿的頂部。此時，突部和凹部的哪個部形成在仿真基板上取決于被處理基板和裝載臺的結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性根據(jù)本發(fā)明的算出搬送機構(gòu)的搬送偏差的方法及半導(dǎo)體處理裝置，能夠不打開處理室而算出搬送機構(gòu)的搬送偏差，減少了裝置不必要的停止時間。
權(quán)利要求
1.一種算出搬送機構(gòu)的搬送偏差的方法，其特征在于在半導(dǎo)體處理裝置中，使用在具有用于輔助其自身中心定位的第一引導(dǎo)體這一點與被處理基板不同，但作為所述被處理基板的替代物而被操作的仿真基板，其中，所述裝置包括用于對所述被處理基板實施處理的處理室；配設(shè)在所述處理室內(nèi)，在進行所述處理時裝載所述被處理基板的裝載臺；配設(shè)在所述處理室外，用于相對于所述裝載臺搬送所述被處理基板的所述搬送機構(gòu)；配設(shè)在所述處理室外，用于檢測所述被處理基板的偏心量和偏心方向的檢測器；和用于輔助所述仿真基板中心定位的第二引導(dǎo)體，在將所述仿真基板從所述搬送機構(gòu)移載至所述裝載臺的期間，所述第二引導(dǎo)體與所述第一引導(dǎo)體結(jié)合，使所述仿真基板相對于對所述裝載臺中心定位，所述方法包括在所述裝載臺的上面或上方的位置，通過所述第一和第二引導(dǎo)體的結(jié)合，使所述仿真基板相對于所述裝載臺中心定位的工序；利用所述搬送機構(gòu)接受所述已經(jīng)中心定位的仿真基板，并將其搬送至所述檢測器的工序；以及然后，利用所述檢測器得到所述仿真基板的偏心量及偏心方向的檢測值，根據(jù)所述檢測值，算出所述搬送機構(gòu)的搬送偏差的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在使所述仿真基板相對于所述裝載臺中心定位之前，將所述仿真基板搬送到所述檢測器上的工序；然后，利用所述檢測器得到所述仿真基板的初始偏心量和初始偏心方向的初始檢測值的工序；和接著，在將所述仿真基板從所述檢測器搬送到所述裝載臺的上面或上方的位置時，根據(jù)所述初始檢測值補正初始偏心量和初始偏心方向的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于利用所述搬送機構(gòu)進行使所述仿真基板相對于所述裝載臺中心定位之前的所述仿真基板的搬送。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第一引導(dǎo)體包括具有直徑大于所述被處理基板的所述仿真基板的側(cè)緣，所述第二引導(dǎo)體包括形成有開口并且以包圍所述裝載臺的方式配設(shè)的引導(dǎo)環(huán)，其中，所述開口在上側(cè)具有向上方擴展的傾斜面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述引導(dǎo)環(huán)的所述開口的下側(cè)部分被設(shè)定成具有與所述仿真基板的直徑實質(zhì)上相同的內(nèi)徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第一引導(dǎo)體包括第一傾斜面，所述第二引導(dǎo)體具有與所述第一傾斜面結(jié)合，并且使所述仿真基板相對于所述裝載臺中心定位的第二傾斜面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于使所述第一和第二傾斜面的其中一個形成為突部的側(cè)面，另一個形成為凹部的側(cè)面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述突部和所述凹部的其中一個在所述仿真基板的底面形成，另一個在所述裝載臺的上面形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述凹部在所述仿真基板的底面形成，所述突部在輔助所述被處理基板相對于所述裝載臺加載/卸載的升降桿的頂部形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述仿真基板實質(zhì)上由與所述被處理基板相同的材料或石英構(gòu)成。
11.一種半導(dǎo)體處理裝置，其構(gòu)成為使用在具有用于輔助其自身中心定位的第一引導(dǎo)體這一點與被處理基板不同，但作為所述被處理基板的替代物而被操作的仿真基板算出搬送機構(gòu)的搬送偏差，其特征在于，所述半導(dǎo)體處理裝置包括用于對所述被處理基板實施處理的處理室；配設(shè)在所述處理室內(nèi)，在進行所述處理時裝載所述被處理基板的裝載臺；配設(shè)在所述處理室外，用于相對于所述裝載臺搬送所述被處理基板的所述搬送機構(gòu)；配設(shè)在所述處理室外，用于檢測所述被處理基板的偏心量和偏心方向的檢測器；用于輔助所述仿真基板中心定位的第二引導(dǎo)體，在將所述仿真基板從所述搬送機構(gòu)移載至所述裝載臺的期間，所述第二引導(dǎo)體與所述第一引導(dǎo)體結(jié)合，使所述仿真基板相對于對所述裝載臺中心定位；和控制所述裝置工作的控制部，其中，所述控制部執(zhí)行在所述裝載臺的上觀或上方的位置，通過所述第一和第二引導(dǎo)體的結(jié)合，使所述仿真基板相對于所述裝載臺中心定位的工序；利用所述搬送機構(gòu)接受所述已經(jīng)中心定位的仿真基板，并將其搬送至所述檢測器的工序；和然后，利用所述檢測器得到所述仿真基板的偏心量及偏心方向的檢測值，根據(jù)所述檢測值算出所述搬送機構(gòu)的搬送偏差的工序。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于所述控制部還執(zhí)行在使所述仿真基板相對于所述裝載臺中心定位之前，將所述仿真基板搬送到所述檢測器上的工序；然后，利用所述檢測器得到所述仿真基板的初始偏心量和初始偏心方向的初始檢測值的工序；和接著，在將所述仿真基板從所述檢測器搬送到所述裝載臺的上面或上方的位置時，根據(jù)所述初始檢測值補正初始偏心量和初始偏心方向的工序。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于所述控制部利用所述搬送機構(gòu)進行在將所述仿真基板相對于所述裝載臺中心定位之前的所述仿真基板的搬送。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于所述第一引導(dǎo)體包括具有直徑大于所述被處理基板的所述仿真基板的側(cè)緣，所述第二引導(dǎo)體包括形成有開口并且以包圍所述裝載臺的方式配設(shè)的引導(dǎo)環(huán)，其中，所述開口在上側(cè)具有向上方擴展的傾斜面。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于所述引導(dǎo)環(huán)的所述開口的下側(cè)部分被設(shè)定成具有與所述仿真基板的直徑實質(zhì)上相同的內(nèi)徑。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于所述第一引導(dǎo)體包括第一傾斜面，所述第二引導(dǎo)體具有與所述第一傾斜面結(jié)合，并且使所述仿真基板相對于所述裝載臺中心定位的第二傾斜面。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于使所述第一和第二傾斜面的其中一個作為突部的側(cè)面形成，另一個作為凹部的側(cè)面形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于所述突部和所述凹部的其中一個在仿真基板的底面形成，另一個在所述裝載臺的上面形成。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于所述凹部在所述仿真基板的底面形成，所述突部在輔助所述被處理基板相對于所述裝載臺加載/卸載的升降桿的頂部形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于所述控制部以補正算出的所述搬送偏差的方式控制所述搬送機構(gòu)的工作。
全文摘要
仿真基板(17)在具有用于輔助中心定位的第一引導(dǎo)體(G1)這一點與被處理基板不同，但可以作為被處理基板的替代物而被操作。處理室(2)配設(shè)有用于輔助仿真基板(17)中心定位的第二引導(dǎo)體(G2)。為了算出搬送機構(gòu)(TRM)的搬送偏差，首先在裝載臺(14)的上面或上方，通過使第一和第二引導(dǎo)體(G1、G2)結(jié)合，使仿真基板(17)相對于裝載臺14中心定位。這樣，利用搬送機構(gòu)(TRM)接受已經(jīng)中心定位的仿真基板(17)并將其搬送到檢測器(11)。然后，利用檢測器(11)得到仿真基板(17)的偏心量和偏心方向的檢測值，根據(jù)檢測值，算出搬送機構(gòu)(TRM)的搬送偏差。
文檔編號B65G49/07GK1934692SQ200580008539
公開日2007年3月21日 申請日期2005年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月18日
發(fā)明者町山彌 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社