賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法以及賽隆系氧氮化物熒光體的制作方法
【專利摘要】提供光致發(fā)光熒光體的制造方法，其能夠在以α-賽隆為主成分的氧氮化物熒光體中實(shí)現(xiàn)以藍(lán)色LED為光源的白色LED的高亮度化。該α-賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法的特征在于將混合粉末在含有氮的惰性氣體氣氛中在1400～2000℃燒制，所述混合粉末含有松裝密度為0.16～0.22g/cm3的無定形氮化硅粉末，并且是按照生成物以式MxSi12-(m+n)Al(m+n)OnN16-n:Lny表示而配混的混合粉末，M為選自Li、Ca、Mg、Y或者除La、Ce以外的鑭系金屬的至少一種金屬，Ln為選自Eu、Dy、Er、Tb、Yb的至少一種鑭系金屬。
【專利說明】賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法以及賽隆系氧氮化物熒 光體
[0001] 本申請是申請日為2011年3月30日、申請?zhí)枮?01180011395.X、發(fā)明名稱為"賽 隆系氧氮化物熒光體的制造方法以及賽隆系氧氮化物熒光體"的中國專利申請的分案申 請。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及α -賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法以及賽隆系氧氮化物熒光體。 具體地說，涉及實(shí)現(xiàn)以藍(lán)色發(fā)光二極管（藍(lán)色LED)為光源的白色發(fā)光二極管（白色LED) 的高亮度化、用粉末狀態(tài)的稀土類金屬元素活化的α-賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法 以及賽隆系氧氮化物熒光體。

【背景技術(shù)】
[0003] 以硅酸鹽、磷酸鹽（例如磷灰石等）、鋁酸鹽為母體材料并向這些母體材料添加作 為活化材料的過渡金屬或稀土類金屬的熒光體是廣為人知的。特別是，近年來，通過使藍(lán)色 LED實(shí)用化，投入地進(jìn)行了利用該藍(lán)色LED的白色光源的開發(fā)。白色LED由于預(yù)計(jì)與現(xiàn)有的 白色光源相比功率消耗低，壽命長，進(jìn)行了面向液晶面板用背光、室內(nèi)照明器具、汽車面板 用背光等的應(yīng)用開發(fā)。
[0004] 目前開發(fā)中的白色LED是在藍(lán)色LED的表面涂布YAG(釔?鋁?石榴石）系熒光 體，被Ce活化的YAG系熒光體將藍(lán)色LED的藍(lán)色光變換成黃色光。藍(lán)色LED發(fā)射的波長 450nm的藍(lán)色光的一部分透過熒光體層，其余的遇到熒光體而被變換成黃色光。該藍(lán)色、黃 色的兩色光混合而表現(xiàn)為白色。
[0005] 但是，YAG系熒光體當(dāng)激發(fā)波長超過400nm時(shí)光譜強(qiáng)度降低，因此不但得到發(fā)藍(lán)的 白色光，而且存在由于藍(lán)色LED的激發(fā)能和YAG系熒光體的激發(fā)能不一致而發(fā)光效率低的 問題。此外，還存在涂覆的熒光體層的耐久性不充分的問題。因此，要求使用波長變換的熒 光體自身的性能改善。
[0006] 本 申請人:在專利文獻(xiàn)1中公開了一種α-賽隆系氧氮化物熒光體，該熒光體用通 式 MxSi12_(m+n)Al(m+n)O nN16_n:Lny(式中 0· 3 彡 x+y < 1. 5,0 < y < 0· 7,0. 3 彡 m < 4. 5,0 < η < 2. 25,金屬Μ的原子價(jià)為a、鑭系金屬Ln的原子價(jià)為b時(shí)m = ax+by)表示，固溶于α -賽 隆中的金屬Μ(Μ為選自Li、Ca、Mg、Υ或者除La、Ce以外的鑭系金屬的至少一種金屬）的一 部分或者全部被作為發(fā)光中心的鑭系金屬Ln(Ln為選自Eu、Dy、Er、Tb、Yb的至少一種鑭系 金屬）置換。
[0007] 該專利文獻(xiàn)1公開的α -賽隆系氧氮化物熒光體為一定的出色熒光體，但是希望 進(jìn)一步改善熒光體的發(fā)光強(qiáng)度。
[0008] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0009] 專利文獻(xiàn)
[0010] 專利文獻(xiàn)1特開2004-238505號公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】
toon] 發(fā)明要解決的問題
[0012] 本發(fā)明的目的是提供光致發(fā)光熒光體的制造方法，其能夠在以通式 MxSi12-(m+n) Al(m+n)0nN16_n:Lny(式中 0· 3 < x+y < 1. 5,0 < y < 0· 7,0· 3 < m < 4. 5,0 < η < 2. 25,金屬 Μ的原子價(jià)為a、鑭系金屬Ln的原子價(jià)為b時(shí)m = ax+by)表示的α -賽隆為主成分的氧氮 化物熒光體中實(shí)現(xiàn)以藍(lán)色LED為光源的白色LED的高亮度化。
[0013] 用于解決問題的手段
[0014] 本 申請人:發(fā)現(xiàn)，在氧氮化物熒光體的制造中使用松裝密度高的無定形氮化硅粉末 作為原料，能夠得到能實(shí)現(xiàn)以藍(lán)色LED為光源的白色LED的高亮度化的光致發(fā)光熒光體，從 而完成了本發(fā)明。
[0015] 即，本發(fā)明涉及粉末狀態(tài)的α-賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法，其特征在于 將混合粉末在含有氮的惰性氣體氣氛中在1400?2000°C燒制，所述混合粉末含有松裝密 度為0. 1?0. 3g/cm3的無定形氮化硅粉末，并且是代表性地進(jìn)一步將A1N和/或A1粉末、 金屬Μ的氧化物或通過熱分解成為氧化物的前體物質(zhì)以及鑭系金屬Ln的氧化物或通過熱 分解成為氧化物的前體物質(zhì)按照生成物以式M xSi12_(m+n)Al(m+n)OnN 16_n:Lny (式中Μ為選自Li、 Ca、Mg、Y或者除La、Ce以外的鑭系金屬的至少一種金屬，Ln為選自Eu、Dy、Er、Tb、Yb的至 少一種鑭系金屬，0· 3 < x+y < 1. 5,0 < y < 0· 7,0· 3 < m < 4. 5,0 < η < 2. 25)表示而計(jì) 算的配合比例組合成的混合粉末。
[0016] 此外，本發(fā)明涉及粉末狀態(tài)的α-賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法，其特征在 于所述無定形氮化娃粉末的比表面積為大于600?800m 2/g。
[0017] 發(fā)明效果
[0018] 本發(fā)明的以α-賽隆為主成分的氧氮化物熒光體發(fā)光強(qiáng)度高，光譜也為合適的波 長，因此可以作為以藍(lán)色LED為光源的高亮度、高可靠性白色LED使用。

【具體實(shí)施方式】
[0019] 本發(fā)明的粉末狀態(tài)的α-賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法的特征在于將混合 粉末在含有氮的惰性氣體氣氛中在1400?2000°C燒制，所述混合粉末含有松裝密度為 0. 1?0. 3g/cm3的無定形氮化硅粉末，并且是代表性地將A1N和/或A1粉末、金屬Μ的氧 化物或通過熱分解成為氧化物的前體物質(zhì)以及鑭系金屬Ln的氧化物或通過熱分解成為氧 化物的前體物質(zhì)按照生成物以式M xSi12_(m+n)Al(m+n)OnN 16_n:Lny (式中Μ為選自Li、Ca、Mg、Y或 者除La、Ce以外的鑭系金屬的至少一種金屬，Ln為選自Eu、Dy、Er、Tb、Yb的至少一種鑭系 金屬，0· 3彡x+y < 1. 5,0 < y < 0· 7,0· 3彡m < 4. 5,0 < η < 2. 25)表示而計(jì)算的配合比 例組合成的混合粉末。
[0020] 在表示本發(fā)明的制造方法制造的α-賽隆系氧氮化物熒光體的以下通式 MxSilMm+n)Al(m+n)0nN 16_n:Lny中，填隙固溶于α -賽隆的金屬Μ以及作為發(fā)光中心的鑭系金屬 Ln在每一個(gè)含有（Si，Α1)3(Ν，0)4的4式量的α-賽隆的大晶胞中最高固溶2個(gè)，因此從 固溶臨界的角度出發(fā)，在所述的通式中，〇. 3彡x+y < 1. 5,0 < y < 0. 7,0. 3彡m < 4. 5,0 < η < 2. 25,金屬Μ的原子價(jià)為a、鑭系金屬Ln的原子價(jià)為b時(shí)m = ax+by。例如，在填隙 金屬M(fèi)、Ln -共為2價(jià)時(shí)，0. 6彡m < 3. 0并且Ο < η < 1. 5,在填隙金屬M(fèi)、Ln -共為3價(jià) 時(shí)，0· 9 彡 m < 4· 5 并且 Ο < η < 2· 25。
[0021] 如果使用含有松裝密度為0. 1?0. 3g/cm3的無定形氮化娃粉末的起始原料制造 α -賽隆系氧氮化物熒光體，可以得到能實(shí)現(xiàn)以藍(lán)色LED為光源的白色LED的高亮度化的光 致發(fā)光突光體。無定形氮化娃粉末的松裝密度為0. 1?0. 3g/cm3,優(yōu)選為0. 16?0. 22g/ cm3。如果松裝密度不足0. lg/cm3,沒有提高熒光強(qiáng)度的效果，如果超過0. 3g/cm3,熒光特性 降低。
[0022] 在此，粉末的松裝密度按照J(rèn)IS R9301-2-3測定，具體地說，是使樣品通過溜槽慢 慢地落入測定容器中，由其重量和體積算出的值。
[0023] 此外，無定形氮化娃粉末的比表面積為大于600?800cm2/g，優(yōu)選為650? 800cm 2/g。如果比表面積為600cm2/g以下，α-賽隆的結(jié)晶性降低，熒光特性不提高。如果 比表面積比800cm 2/g大，生成α -賽隆以外的結(jié)晶相，熒光特性降低。
[0024] 用于本發(fā)明的松裝密度為0. 16?0. 22g/cm3的無定形氮化硅粉末不受限定，可以 將松裝密度為〇. 10?〇. 30g/cm3的含氮硅烷化合物粉末加熱處理而制造。此外，松裝密度 為0. 10?0. 30g/cm3的含氮硅烷化合物的粉末可以通過本 申請人:在特愿2009-82730號及 特愿2009-82747號中公開的制法得到。下面說明其制造方法。
[0025] 該松裝密度為0. 10?0. 30g/cm3的含氮硅烷化合物粉末可以通過具有如下特征 的制造方法制造：在使鹵化硅烷化合物與液氨混合而反應(yīng)時(shí)，將鹵化硅烷化合物以無溶劑 或者鹵化硅烷化合物濃度為5〇 V〇1%以上的惰性有機(jī)溶劑的溶液的形式從供給口輸出而供 給到液氨中。
[0026] 作為該含氮硅烷化合物粉末的制造方法使用的鹵化硅烷，可以使用SiF4、H 2SiF6、 HSiF3、H3SiF5H3SiF、H 5SiF3 等氟化硅烷，SiCl4、HSiCl3、H2SiCl2、H 3SiCl 等氯化硅烷，SiBr4、 HSifc3、H2Sifc2、H3Sifc等溴化硅烷，Sil 4、HSiI3、H2SiI2、H3SiI等碘化硅烷。此夕卜，也可以 使用1^&、1?如\、1?與乂〇?為烷基或烷氧基3為鹵素）等鹵化硅烷。
[0027] 在該含氮硅烷化合物的制造方法的實(shí)施中，可以將鹵化硅烷以無溶劑或者用少量 有機(jī)溶劑稀釋的溶液的形式供給。在將鹵化硅烷以無溶劑方式供給的情況下，將生成的含 氮硅烷化合物粉末從反應(yīng)漿液濾去而得到的濾液僅由液氨以及溶解于其中的齒化銨這兩 種成份構(gòu)成。
[0028] 用于稀釋鹵化硅烷的有機(jī)溶劑可以從能夠溶解鹵化硅烷、不與鹵化硅烷和液氨反 應(yīng)的溶劑中合適地選用。例如，可以列舉正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷等碳數(shù)為5?12 的鏈狀脂肪族烴，環(huán)己烷和環(huán)辛烷等環(huán)狀脂肪族烴，甲苯、二甲苯等芳香族烴等。
[0029] 有機(jī)溶劑和鹵化硅烷的混合溶液中的優(yōu)選的鹵化硅烷濃度為50vol %以上，更優(yōu) 選為66vol %以上。在不足50vol %的濃度下，對于生成的含氮娃燒化合物粉末，得不到表 觀密度的充分提高。
[0030] 在該含氮硅烷化合物的制造方法的實(shí)施中，將鹵化硅烷以無溶劑或者用少量有機(jī) 溶劑稀釋的溶液的形式供給時(shí)的輸出口設(shè)置在反應(yīng)器內(nèi)的液氨中。優(yōu)選將此時(shí)從供給口的 輸出線速度保持為5cm/秒以上。如果線速度不足，容易發(fā)生從輸出口向供給配管內(nèi)部微量 氨通過擴(kuò)散侵入。其結(jié)果是容易因輸出口附近生成氮硅烷化合物或者作為副產(chǎn)物的鹵化銨 的析出等引起供給配管的堵塞，因而不實(shí)用。更優(yōu)選將從供給口的輸出線速度保持為8cm/ 秒以上。
[0031] 在該含氮硅烷化合物的制造的實(shí)施中，將鹵化硅烷以無溶劑或用少量有機(jī)溶劑稀 釋的溶液形式供給時(shí)供給泵的輸出壓力優(yōu)選設(shè)置為輸出足夠的壓力差。例如，優(yōu)選的是具 有相對于反應(yīng)器的壓力輸出5. 9MPa以上、進(jìn)一步優(yōu)選7. 8MPa以上的壓力差的能力的裝置。
[0032] 在該含氮硅烷化合物的制造的實(shí)施中，反應(yīng)器中鹵化硅烷和液氨的混合比優(yōu)選為 鹵化硅烷體積/液氨體積=〇. 01?〇. 1。實(shí)施反應(yīng)的形式不受特別的限制，間歇式、連續(xù)式 均可。所述的混合比在以間歇式實(shí)施反應(yīng)的情況下是指在每一批次中供給到反應(yīng)器的鹵化 硅烷和液氨的總量之比，在連續(xù)式的情況下是指穩(wěn)定運(yùn)行狀態(tài)下鹵化硅烷和液氨的體積流 量之比。
[0033] 實(shí)施該含氮硅烷化合物的制造時(shí)的反應(yīng)溫度不受特別的限制，可以根據(jù)設(shè)備規(guī)格 在從低溫到常溫的范圍選擇，如果提高反應(yīng)溫度則液氨的蒸氣壓提高，需要提高反應(yīng)器的 壓力規(guī)格。另一方面，如果反應(yīng)溫度過低，則冷卻設(shè)備經(jīng)受過大的負(fù)荷。合適的反應(yīng)溫度范 圍為-10?40°C，更優(yōu)選0?30°C。
[0034] 實(shí)施該含氮硅烷化合物的制造時(shí)的壓力根據(jù)占反應(yīng)漿液大部分的液氨的蒸氣壓 實(shí)際地規(guī)定。由于反應(yīng)漿液中的液氨的蒸氣壓依賴于反應(yīng)溫度，實(shí)施反應(yīng)時(shí)的壓力是與反 應(yīng)溫度對應(yīng)的值。壓力的合適范圍為〇· 3?1. 6MPa，更優(yōu)選0· 4?1. 6MPa (絕對壓力）。在 這樣設(shè)定的壓力條件下，液氨處于接近沸點(diǎn)的溫度，合成含氮硅烷化合物時(shí)產(chǎn)生的大量反 應(yīng)熱可以通過附近存在的氨的蒸發(fā)而吸收。
[0035] 該含氮硅烷化合物是通常也稱為二亞胺硅的化合物，是能夠在室溫附近容易地吸 收或釋放NH 3、以Si6N13H15、Si6N 12H12、Si6NnH9等各種組成式存在的Si-N-H系化合物。該含 氮硅烷化合物或者二亞胺硅多以式Si (NH) 2表示，考慮為具有與硅結(jié)合的亞氨基或氨基的 化合物，也有用化合物Si(NHx) y(式中，X為1或2，y為2?4)表示的。
[0036] 如上所述，該含氮硅烷化合物的特征在于制造后的松裝密度為0. 10?0. 30g/cm3， 優(yōu)選0. 16?0. 22g/cm3,此外不受限制，但是一般可以使實(shí)際密度為1. 4?1. 9g/cm3,更優(yōu) 選1. 5?1. 7g/cm3,比表面積對于含氮硅烷化合物為700?1100m2/g，更優(yōu)選800?1000m 2/ g°
[0037] 通過對該松裝密度為0. 10?0. 30g/cm3的含氮硅烷化合物進(jìn)行熱處理，可以得到 松裝密度為0. 10?0. 30g/cm3的無定形氮化娃。作為用于從松裝密度為0. 10?0. 30g/cm3 的含氮硅烷化合物得到松裝密度為〇. 10?〇. 30g/cm3的無定形氮化硅的熱處理，可以通過 例如在惰性氣體或者氮?dú)鈿夥罩性?00?1200°C燒制而得到。
[0038] 在本發(fā)明的粉末狀態(tài)的α -賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法中，作為與上述無 定形氮化硅一起用作原料的鋁源，使用Α1Ν和/或Α1粉末，可以將金屬鋁粉末、氮化鋁粉末 分別單獨(dú)使用，也可以組合使用。氮化鋁粉末可以使用氧含量為〇. 1?8質(zhì)量％、比表面積 為1?100m2/g的一般的氮化鋁粉末。
[0039] 在本發(fā)明的粉末狀態(tài)的α -賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法中，除此以外可以 使用金屬Μ的氧化物或通過熱分解生成金屬Μ的氧化物的前體物質(zhì)，以及鑭系金屬Ln的氧 化物或通過熱分解生成鑭系金屬Ln的氧化物的前體物質(zhì)，作為通過熱分解生成金屬Μ或 者鑭系金屬Ln的氧化物的金屬鹽類，可以列舉各自的碳酸鹽、草酸鹽、檸檬酸鹽、堿式碳酸 鹽、氫氧化物等。
[0040] 此外，作為起始原料，可以進(jìn)行如下的變化方案：在按如上所述燒制則生成物以通 式MxSi 12_(m+n)Al(m+n)OnN16_ n:Lny (式中Μ為選自Li、Ca、Mg、Y或者除La、Ce以外的鑭系金屬的 至少一種金屬，Ln為選自Eu、Dy、Er、Tb、Yb的至少一種鑭系金屬，0· 3 < x+y < L 5,0 < y < 0. 7,0. 3彡m < 4. 5,0 < η < 2. 25)表示的配合比例的混合粉末中，添加預(yù)先合成的同 樣以通式虬 Sil2-(m+n)Al (m+n)〇nN16-η :Lny表示的α -賽隆粉末，將得到的混合物作為起始原料， 等等。
[0041] 對于將所述各起始原料混合的方法，沒有特別的限制，可以采用其自身公知的方 法，例如干式混合方法，將原料各成分在基本上不發(fā)生反應(yīng)的惰性溶劑中濕式混合后除去 溶劑的方法等。作為混合裝置，合適地使用V型混合機(jī)、搖滾式混合機(jī)、球磨機(jī)、振動磨機(jī)、 介質(zhì)攪拌磨等。但是，由于含氮硅烷化合物和/或無定形氮化硅粉末對水分、濕氣非常敏 感，起始原料的混合需要在受控的惰性氣體氣氛下進(jìn)行。
[0042] 將起始原料的混合物在1個(gè)大氣壓的含有氮?dú)獾亩栊詺怏w氣氛中在1400? 2000°C、優(yōu)選1500?1800°C燒制，得到作為目標(biāo)的α-賽隆粉末。如果燒制溫度低于 1400°C，為了生成期望的α-賽隆粉末需要長時(shí)間的加熱，不實(shí)用。此外，生成粉末中的 α -賽隆相的生成比例也降低。如果燒制溫度超過2000°C，氮化硅和賽隆發(fā)生升華分解，弓丨 起生成游離的硅這種不優(yōu)選的情況。
[0043] 進(jìn)一步，可以在將α -賽隆和Li化合物混合后在含有氮?dú)獾亩栊詺怏w氣氛中在 1000?1400°C再加熱。
[0044] 也可以將起始原料混合粉末在加壓氮?dú)鈿夥障略?600?2000°C、優(yōu)選1600? 1900°C的溫度范圍燒制。在這種情況下，通過氮?dú)饧訅?，可以抑制高溫下的氮化硅和賽隆?升華分解，用短時(shí)間得到期望的α-賽隆系氧氮化物熒光體。通過提高氮?dú)鈮海梢陨邿?制溫度，例如在5個(gè)大氣壓的氮?dú)饧訅合驴梢栽?600?1850°C燒制，在10個(gè)大氣壓的氮?dú)?加壓下可以在1600?2000°C燒制。
[0045] 進(jìn)一步，可以在將α -賽隆和Li化合物混合后在含有氮?dú)獾亩栊詺怏w氣氛中在 1000?1400°C再加熱。
[0046] 對于粉末混合物的燒制所使用的加熱爐，沒有特別的限制，例如可以使用利用高 頻感應(yīng)加熱方式或電阻加熱方式的間歇式電爐、回轉(zhuǎn)爐、流化燒制爐、推進(jìn)式電爐等。
[0047] 通過本發(fā)明的制造方法制造的粉末狀態(tài)的α -賽隆系氧氮化物熒光體包含上述 通式表示的α-賽隆系氧氮化物，而與以往的α-賽隆系氧氮化物熒光體相比熒光的發(fā)光 強(qiáng)度得到改善。
[0048] 優(yōu)選的是在α -賽隆系氧氮化物熒光體的粒度分布曲線中，中位粒徑為8μπι以 下，特別優(yōu)選1?6 μ m。
[0049] 本發(fā)明的用稀土類元素活化的α-賽隆系氧氮化物熒光體通過公知方法與環(huán)氧 樹脂或丙烯酸系樹脂等透明樹脂混煉而制造涂覆劑，將用該涂覆劑涂覆了表面的發(fā)光二極 管作為光變換元件使用。
[0050] 實(shí)施例
[0051] 下面示出具體的實(shí)例以更詳細(xì)地說明本發(fā)明。
[0052] 實(shí)施例1?5
[0053] 將四氯化硅以無溶劑或四氯化硅濃度為5〇V〇1%以上的惰性有機(jī)溶劑的溶液的形 式與液氨反應(yīng)得到的比表面積為ll〇4m2/g的二亞胺硅在600?1200°C加熱分解，得到松裝 密度為〇. 18?0. 22g/cm3、比表面積為689?782m2/g的無定形氮化娃粉末。通過反應(yīng)容 器材質(zhì)和粉末操作裝置中的粉體和金屬的互相摩擦狀態(tài)的公知改善方法，將本材料中混入 無定形氮化硅粉末中的金屬雜質(zhì)降低到lOppm以下。此外，將流通于加熱爐的氮?dú)庵械难?濃度控制在20ppm?lOOOppm的范圍。
[0054] 在確認(rèn)作為起始原料使用的無定形氮化硅粉末達(dá)到規(guī)定的值后，將氮化鋁粉末、 碳酸鋰粉末、氮化鋰粉末、氧化銪粉末按表1中的組成在氮?dú)鈿夥罩蟹Q量。在氮?dú)鈿夥罩杏?振動磨機(jī)混合1小時(shí)?；旌虾?，在用氮?dú)獯祾哌^的輝光箱（夕'' 13 - 77 )中取出粉末 填充于坩堝，置于電阻加熱式電爐中，在常壓的氮?dú)鈿夥罩邪凑諒氖覝刂?200°C用2小時(shí)， 從1200°C至1440°C用4小時(shí)，進(jìn)一步從1440°C至1725°C用2小時(shí)的進(jìn)度升溫，保持12小 時(shí)而使之結(jié)晶，得到α-賽隆粉末。進(jìn)一步在將α-賽隆和氧化鋰混合后，在常壓的氮?dú)鈿?氛中在1400°C加熱處理。
[0055] 將得到的粉末使用瑪瑙研缽、干式粉碎機(jī)、濕式粉碎機(jī)進(jìn)行粉碎。達(dá)到規(guī)定的粒徑 后，使用日本分光社制的帶積分球的FP-6500以450nm的激發(fā)波長評價(jià)熒光特性。
[0056] 測定的熒光特性為熒光的主波長（由CIE色度圖中經(jīng)過白色點(diǎn)坐標(biāo)X = 0. 33、y =0. 33和試樣的發(fā)光光譜坐標(biāo)這兩點(diǎn)的直線和單色軌跡的交點(diǎn)求得的波長）及其主波長 的強(qiáng)度（在表1、2中示出相對強(qiáng)度）。
[0057] 本發(fā)明的粉末的松裝密度用根據(jù)JIS R9301-2-3的手段求出。比表面積通過用氮 氣吸附法的BET法測定。
[0058] 比較例1?4
[0059] 首先，將四氯化硅濃度為33vol %的甲苯溶液與液氨反應(yīng)得到的松裝密度為 0. 08g/cm2、比表面積為869m2/g的二亞胺硅在600?1200°C加熱分解，得到松裝密度為 0. 09g/cm2、比表面積為463m2/g的無定形氮化娃粉末。
[0060] 接著，與實(shí)施例1同樣地，但是以表1的比較例1?4所示的配合比例，制作并評 價(jià)α -賽隆。
[0061] 比較例5
[0062] 與實(shí)施例1同樣地，但是以表1的比較例5所示的配合比例，制作并評價(jià)α -賽隆。
[0063] 表 1
[0064] MxSi12_(m+n)Al (m+n)OnN16-n：Lny M = Li, Ln = Eu
[0065]

【權(quán)利要求】
1. α -賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法，其特征在于將混合粉末在含有氮的惰性氣 體氣氛中在1400?2000°C燒制，所述混合粉末含有松裝密度為0. 1?0. 3g/cm3的無定形 氮化娃粉末，并且是按照生成物以式MxSi12_ (m+riAl (m+ri0nN16_n: Lny表不而配混的混合粉末，Μ為 選自Li、Ca、Mg、Y或者除La、Ce以外的鑭系金屬的至少一種金屬，Ln為選自Eu、Dy、Er、Tb、 Yb的至少一種鑭系金屬。
2. 權(quán)利要求1所述的α-賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法，其特征在于所述混合粉 末含有所述無定形氮化硅粉末，以及Α1Ν和/或Α1粉末、金屬Μ的氧化物或通過熱分解成 為氧化物的前體物質(zhì)以及鑭系金屬Ln的氧化物或通過熱分解成為氧化物的前體物質(zhì)。
3. 權(quán)利要求1或2所述的α-賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法，其特征在于所述 混合粉末是在將無定形氮化硅粉末、Α1Ν和/或Α1粉末、金屬Μ的氧化物或通過熱分解成 為氧化物的前體物質(zhì)以及鑭系金屬Ln的氧化物或通過熱分解成為氧化物的前體物質(zhì)組 合而成的混合粉末中添加預(yù)先合成的以通式M xSi12_(m+n)Al(m+n)OnN 16_n或通式MxSi12_(m+n)Al (m+n) 0nN16_n:Lny表不的α -賽隆粉末而得到的混合物，式中的符號與上述式中相同。
4. 權(quán)利要求1?3中任意一項(xiàng)所述的α -賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法，其特征 在于所述無定形氮化硅粉末的比表面積為大于600且小于等于800m2/g。
5. 權(quán)利要求1?4中任意一項(xiàng)所述的α -賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法，其特征 在于無定形氮化娃粉末具有〇. 1?〇. 3g/cm3的松裝密度和650?800m2/g的比表面積。
6. 權(quán)利要求1?5中任意一項(xiàng)所述的α -賽隆系氧氮化物突光體的制造方法，其特征 在于在1個(gè)大氣壓的含有氮?dú)獾亩栊詺怏w氣氛中在1400?1800°C燒制。
7. 權(quán)利要求1?6中任意一項(xiàng)所述的α-賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法，其特征 在于將松裝密度為〇. 10?〇. 30g/cm3的含氮硅烷化合物粉末加熱處理而制造松裝密度為 0. 16?0. 22g/cm3的所述無定形氮化娃粉末。
8. 權(quán)利要求7所述的α-賽隆系氧氮化物熒光體的制造方法，其特征在于松裝密度 為0. 10?0. 30g/cm3的所述含氮娃燒化合物的粉末通過如下制造方法制造：在使齒化娃 烷化合物與液氨混合而反應(yīng)時(shí)，將齒化硅烷化合物以無溶劑或者齒化硅烷化合物濃度為 5〇 V〇1%以上的惰性有機(jī)溶劑的溶液的形式從供給口輸出而供給到液氨中。
9. α -賽隆系氧氮化物熒光體，其特征在于通過權(quán)利要求1?8中任意一項(xiàng)所述的 α-賽隆系氧氮化物突光體的制造方法制造。
【文檔編號】C09K11/64GK104087291SQ201410206550
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2011年3月30日 優(yōu)先權(quán)日:2010年3月31日
【發(fā)明者】藤永昌孝, 上田孝之, 治田慎輔 申請人:宇部興產(chǎn)株式會社