專利名稱：電配線的形成法、配線基板和電光元件及電子儀器的制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電配線的形成方法、配線基板的制造方法、電光元件的制造方法、電子儀器的制造方法、配線基板、電光元件和電子儀器，特別是涉及應(yīng)用噴墨法適宜的電配線的形成方法。
背景技術(shù)：
利用液滴噴出裝置，用噴墨法形成電配線的技術(shù)，已經(jīng)知道專利文獻(xiàn)1所公開的技術(shù)。此技術(shù)，是對(duì)墨水接納層上給與含有無(wú)電解電鍍催化劑的墨水，形成圖案，其后，利用無(wú)電解電鍍法，在相應(yīng)圖案上形成導(dǎo)電性金屬的技術(shù)。
近幾年，為了形成更微細(xì)的配線，正在開發(fā)如下的技術(shù)。是在基板上，以應(yīng)該配置的配線圖案鑲邊的方式形成叫做圍堰(bank)圖案的隔壁，向由此圍堰圖案和基板表面所制作的溝槽，給與金屬墨水而形成電配線的技術(shù)。根據(jù)這樣的技術(shù)，由圍堰圖案間隔決定配線的寬度，所以和不利用圍堰圖案的情況相比可以形成更微細(xì)的配線。
在此，為了形成均勻厚度的電配線，有必要將給予上述溝槽底部的金屬墨水均勻濕潤(rùn)展開在所述底部。為此，作為圍堰圖案的材料，利用對(duì)金屬墨水具有疏液性的材料或?qū)邎D案表面進(jìn)行等離子體處理而使其具有對(duì)金屬墨水的疏液性的方式，使上述底部對(duì)金屬墨水的疏液性相對(duì)高于圍堰圖案對(duì)金屬墨水的親液性。
特開2000-311527號(hào)公報(bào)然而，在上述的方法中，在形成圖案圍堰圖案之際，如果溝槽的底部產(chǎn)生殘?jiān)?，則存在不能使所述底部的親液性相對(duì)高于圍堰圖案，金屬墨水不能均勻濕潤(rùn)擴(kuò)展在所述底部的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述的情形而進(jìn)行的，其目的之一，提供一種通過使隔壁具有疏液性的同時(shí)使溝槽的底部確實(shí)具有親液性的方式，將金屬墨水沒有偏差地以均勻厚度給與所述底部可能的電配線的形成方法。
根據(jù)本發(fā)明，利用液滴噴出裝置的電配線的形成方法，包括在基板上，以使基板的表面成為溝槽的底部的方式，形成規(guī)定所述溝槽的隔壁的工序A；在所述底部上，形成親液層的工序B，該親液層具有對(duì)第一功能液的親液性高于所述隔壁對(duì)所述第一功能液的親液性；和在所述親液層上，利用液滴噴出裝置配置含有金屬的所述第一功能液的工序C。
根據(jù)上述的構(gòu)成所獲得的效果之一，是可以均勻厚度形成導(dǎo)電性材料。
優(yōu)選上述構(gòu)成中的工序B包括在所述底部上配置含有二氧化硅(SiO2)的第二功能液而形成所述親液層的工序。此第二功能液，還可以含有由氧化鈦(TiO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2)、鈦酸鍶(SrTi3)、氧化鎢(WO3)、氧化鉍(Bi2O3)、以及氧化鐵(Fe2O3)中的至少一種所構(gòu)成的微粒。
另外，所述工序B也可以包括在所述底部上配置由二氧化硅、氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、鈦酸鍶、氧化鎢、氧化鉍、以及氧化鐵中的至少一種以上的組成的組合所構(gòu)成的微粒的第二功能液，形成所述親液層的工序。或者所述工序B也可以包括在所述底部上配置含有由二氧化硅，與氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、鈦酸鍶、氧化鎢、氧化鉍、以及氧化鐵中的至少一種以上的組成的組合所構(gòu)成的微粒的第二功能液，形成所述親液層的工序。
根據(jù)上述的構(gòu)成所獲得的效果之一，親液層對(duì)導(dǎo)電性材料具有親液性。
并且，優(yōu)選上述的微粒的平均粒徑是1μm以下。
通過滿足上述的條件而所獲得的效果之一，是利用液滴噴出裝置噴出功能液之際，不會(huì)堵塞，可以向所希望的方向噴出功能液。
另外，所述工序A可以包括由含有氟的高分子化合物或含有氟的有機(jī)分子所混合的光致抗蝕劑形成所述隔壁的工序。
根據(jù)上述的構(gòu)成所獲得的效果之一，是能進(jìn)而提高可以均勻厚度形成導(dǎo)電性材料的本發(fā)明的效果。
根據(jù)本發(fā)明，利用液滴噴出裝置的電配線的形成方法，包括在基板上，形成親液層的工序A，此親液層具有對(duì)第一功能液的親液性高于所述隔壁對(duì)所述第一功能液的親液性；在所述親液層上，以所述親液層成為溝槽的底部的方式，形成規(guī)定所述溝槽的隔壁的工序B；在所述底部上，和利用液滴噴出裝置配置含有金屬的所述第一功能液的工序C。
根據(jù)上述的構(gòu)成所獲得的效果之一，是可以以均勻厚度形成導(dǎo)電性材料。
優(yōu)選上述構(gòu)成中的工序A包括在所述底部上配置含有二氧化硅(SiO2)微粒的第二功能液而形成所述親液層的工序。所述第二功能液還可以含有氧化鈦(TiO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2)、鈦酸鍶(SrTi3)、氧化鎢(WO3)、氧化鉍(Bi2O3)、以及氧化鐵(Fe2O3)中的至少一種所構(gòu)成的微粒。
另外，所述工序A還可以包括在所述底部上配置含有由二氧化硅、氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、鈦酸鍶、氧化鎢、氧化鉍、以及氧化鐵中的至少一種以上的組成的組合所構(gòu)成的微粒的第二功能液，形成所述親液層的工序?；蛘咚龉ば駻還可以包括在所述底部上配置含有由二氧化硅，與氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、鈦酸鍶、氧化鎢、氧化鉍、以及氧化鐵中的至少一種以上的組成的組合所構(gòu)成的微粒的第二功能液，形成所述親液層的工序。
根據(jù)上述構(gòu)成所獲得的效果之一是親液層具有對(duì)導(dǎo)電性材料的親液性。
并且，上述微粒的平均粒徑希望是1μm以下。
滿足上述的條件而所獲得的效果之一，是利用液滴噴出裝置噴出功能液之際，不會(huì)堵塞，可以向所希望的方向噴出功能液。
另外，所述工序B還可以包括由含有氟的高分子化合物或含有氟的有機(jī)分子所混合的光致抗蝕劑形成所述隔壁的工序。
根據(jù)上述的構(gòu)成所獲得的效果之一，是可以進(jìn)而能提高以均勻厚度形成導(dǎo)電性材料的本發(fā)明的效果。
本發(fā)明的某一方式中包括向所述親液層照射光的工序，優(yōu)選此時(shí)的光的波長(zhǎng)是400nm。
根據(jù)上述構(gòu)成所獲得的效果之一，是提高親液層對(duì)導(dǎo)電性材料的親液性。
本發(fā)明的其他方式中，所述隔壁是包括含有氟的有機(jī)分子。
根據(jù)上述構(gòu)成所獲得的效果之一，是隔壁具有對(duì)導(dǎo)電性材料的親液性。
本發(fā)明的其他方式中，包括利用碳氟化合物類化合物的反應(yīng)氣體而進(jìn)行所述隔壁表面的等離子體處理的工序。
根據(jù)上述構(gòu)成所獲得的效果之一是進(jìn)而提高隔壁對(duì)導(dǎo)電性材料的疏液性。
另外，可以用種種方式來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。具體地，可以作為配線基板的制造方法、電光元件的制造方法和電子儀器的制造方法來實(shí)現(xiàn)。另外，根據(jù)本發(fā)明的配線基板的制造方法所制造的配線基板是具有均勻厚度的電配線。具備這些基板的電光元件和電子儀器具有均勻厚度的電配線，所以可以實(shí)現(xiàn)良好的電特性。


圖1是表示配線基板的構(gòu)成的模式圖。
圖2是表示電配線的制造裝置的模式圖。
圖3是表示液滴噴出裝置的模式圖。
圖4(a)和(b)是表示液滴噴出裝置中的噴頭的模式圖。
圖5是表示液滴噴出裝置的控制部功能的框圖。
圖6(a)～(d)是說明第一實(shí)施方式的電配線的形成方法的圖。
圖7(a)(b)是說明第一實(shí)施方式的電配線的形成方法的圖。
圖8是表示第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的模式圖。
圖9是表示第一實(shí)施方式移動(dòng)電話的模式圖。
圖10是表示第一實(shí)施方式的個(gè)人用計(jì)算機(jī)的模式圖。
圖11(a)～(d)是說明第二實(shí)施方式的電配線的形成方法的圖。
圖12是說明第二實(shí)施方式的電配線的形成方法的圖。
圖13(a)和(b)說明第三實(shí)施方式的電配線的形成方法的圖。
圖中1-配線基板，2-制造裝置，10-支持基板，11-基體，20-圍堰圖案，20A-樹脂有機(jī)薄膜，20B-抗蝕劑層，30-親液層，30A-親液材料，40-導(dǎo)電層，40A-導(dǎo)電性材料，50-被噴出部，60-液晶顯示裝置，61-液晶面板，62-半導(dǎo)體元件，101-箱子，103-噴頭部，104-第一位置控制裝置，104a-支持部，106-載物臺(tái)，108-第二位置控制裝置，110-管，111-液態(tài)材料，112-控制部，114-頭，118-噴嘴，120-腔室，122-隔壁，124-振子，124A-電極，124C-壓電元件，126-振動(dòng)板，127-噴出部，128-噴嘴板，130-供給口，131-孔，200-輸入緩沖存儲(chǔ)器，202-存儲(chǔ)裝置，204-處理部，206-掃描驅(qū)動(dòng)部，208-噴頭驅(qū)動(dòng)部，270-輸送裝置，300L、300C-液滴噴出裝置，350L、350C-干燥裝置，400L-光照射裝置，500-移動(dòng)電話機(jī)，600-個(gè)人用計(jì)算機(jī)。
具體實(shí)施例方式
下面，結(jié)合圖說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
(第一實(shí)施方式)(A、配線基板)圖1是配線基板1的立體圖，所述配線基板具有利用本實(shí)施方式的電配線的形成方法所形成的電配線。另外，圖1中的C-C′線位置的X-Z平面是對(duì)應(yīng)于圖7(b)所表示的平面。
配線基板1包括由聚酰亞胺構(gòu)成的支持基板10、圍堰圖案20、親液層30和導(dǎo)電層40。在此，圍堰圖案20和親液層30均位于支持基板10上。另外，導(dǎo)電層40位于親液層30上。這樣，圍堰圖案20是加工由含有氟的有機(jī)分子所構(gòu)成的有機(jī)薄膜而形成的。更具體地，在這個(gè)有機(jī)分子利用了作為硅烷偶合劑的一種的CF3CF2CF2CF2CF2CF2CF2CF2CH2CH2-Si(OCH3)3。含有這些材料的圍堰圖案20對(duì)后面要敘述的導(dǎo)電性材料40A(圖7(b))具有疏液性。另外，支持基板10對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的「基板」，圍堰圖案20對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的「隔壁」。
親液層30和導(dǎo)電層40是從支持基板10的表面一側(cè)按照這個(gè)順序充填在圍堰圖案20所劃區(qū)的溝槽中。
親液層30是含有由二氧化硅(SiO2)和氧化鈦(TiO2)所構(gòu)成的微粒的親液材料30A(圖7(a))所構(gòu)成，對(duì)后面要敘述的導(dǎo)電性材料40A具有親液性。并且還含有氧化鈦(TiO2)的微粒，所以，如果照射波長(zhǎng)為400nm的光，則由于光催化反應(yīng)更能提高親液性。這樣，親液層30對(duì)導(dǎo)電性材料40A(圖7(b))的親液性被設(shè)定為，高于圍堰圖案20對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性。這樣的、作為分散在氧化鈦分散劑狀態(tài)的親液材料30A，可以舉出例如，鹽酸解膠型的銳鈦礦型氧化鈦溶膠(石原產(chǎn)業(yè)(株)制STS-02(平均粒徑7nm)、石原產(chǎn)業(yè)(株)制ST-K01)、硝酸解膠型的銳鈦礦型氧化鈦溶膠(日產(chǎn)化學(xué)(株)制TA-15(平均粒徑12nm))等。
導(dǎo)電層40是含有金屬的導(dǎo)電性材料40A作為原料而形成的。導(dǎo)電性材料40A是金屬微粒分散液，其具有平均粒徑為10nm的銀粒子和作為分散介質(zhì)的水。為了防止銀粒子的互相凝結(jié)，銀粒子是由聚合物或表面活性劑被覆。通過這樣的結(jié)構(gòu)，在導(dǎo)電性材料40A中，銀粒子穩(wěn)定分散在分散介質(zhì)中。優(yōu)選導(dǎo)電性材料40A所含有的金屬微粒的平均粒徑為500nm以下，平均粒徑為1nm左右到幾百nm的特別表記為「納米粒子」。根據(jù)此表記，導(dǎo)電性材料40A含有銀的納米粒子。另外，此液態(tài)的導(dǎo)電性材料40A也叫做「金屬墨水」。
層狀地涂布導(dǎo)電性材料40A之后，如果以高溫?zé)苫蛘丈涔?，就在銀粒子之間產(chǎn)生熔合或熔敷，生成作為低電阻導(dǎo)電性物質(zhì)的導(dǎo)電層40。導(dǎo)電層40承擔(dān)配線基板1的電導(dǎo)通，由導(dǎo)電層40在圖1中的A-A′之間和B-B′之間導(dǎo)通。
另外，導(dǎo)電性材料40A對(duì)應(yīng)于本發(fā)明中的「第一功能液」，親液材料30A(圖7(a)對(duì)應(yīng)本發(fā)明的「第二功能液」。親液材料30A和導(dǎo)電性材料40A均為后面要敘述的液態(tài)材料111(圖3、圖4)的一種。
由圍堰圖案20所劃區(qū)的溝槽以下也叫做「被噴出部50(圖6(d))」。被噴出部50被圍堰圖案20規(guī)定其側(cè)面，支持基板10的表面或親液層30規(guī)定其底部。具體地，「被噴出部50」是均含有側(cè)面為圍堰圖案20、底部為支持基板10的表面的溝槽；和側(cè)面為圍堰圖案20、底部為親液層30的溝槽的概念。
另外，實(shí)施本發(fā)明時(shí)，所形成的電配線的格式不限于圖1所示的形態(tài)。配線的寬度、條數(shù)、配置間隔、形狀包括在內(nèi)的電配線的格式是可以按照目的而自由改變。
本實(shí)施方式的圍堰圖案20具有露出支持基板10表面的多個(gè)開口部。并且，這些多個(gè)開口部的各自的形狀大體和多個(gè)電配線(導(dǎo)電層40)的各自的2維形狀一致。即，在本實(shí)施方式中，圍堰圖案20具有完全包圍以后形成的多個(gè)電配線的各自的周圍的形狀。
當(dāng)然，圍堰圖案20可以由各自互相分離的多個(gè)圍堰部所構(gòu)成。例如，也可以只離開規(guī)定距離、且在位于大體平行的一對(duì)圍堰部之間，取一個(gè)電配線的2維形狀的邊框。此種情況下，在對(duì)應(yīng)電配線的兩端部的部分，也可以沒有圍堰部。即，圍堰圖案20沒有必要完全包圍電配線的2維的形狀。
(B、制造裝置)結(jié)合圖2說明，利用于制造配線基板1的制造裝置2。下面將設(shè)置導(dǎo)電層40之前的配線基板1表記為基體11(圖6)。
制造裝置2是用于對(duì)支持基板10的被噴出部50配置親液材料30A和導(dǎo)電性材料40A而形成親液層30和導(dǎo)電層40的裝置。制造裝置2備有對(duì)構(gòu)成所有被噴出部50之底部的支持基板10的表面，給與親液材料30A的液滴噴出裝置300L；干燥支持基板10表面上的親液材料30A而獲得親液層30的干燥裝置350L；向親液層30照射光的光照射裝置400L；對(duì)所有親液層30給與導(dǎo)電性材料40A的液滴噴出裝置300C；和干燥親液層30上的導(dǎo)電性材料40A而獲得導(dǎo)電層40的干燥裝置350C。
并且，制造裝置2還備有將基體11按順序向液滴噴出裝置300L、干燥裝置350L、光照射裝置400L、液滴噴出裝置300C、干燥裝置350C輸送的輸送裝置270。這樣，本實(shí)施方式的電配線的形成方法利用兩個(gè)液滴噴出裝置。
(C、液滴噴出裝置的全體構(gòu)成)圖3所示的液滴噴出裝置300L基本上是為了噴出親液材料30A的噴墨裝置。更具體地，液滴噴出裝置300L備有保持液態(tài)材料111的箱子101、管110、基地臺(tái)GS、噴頭部103、載物臺(tái)106、第一位置控制裝置104、第二位置控制裝置108、控制部112、支持部104a。另外，另一個(gè)液滴噴出裝置300C的結(jié)構(gòu)和功能，基本上和液滴噴出裝置300L結(jié)構(gòu)和功能相同，所以省略液滴噴出裝置300C的結(jié)構(gòu)和功能的說明。
噴頭部103保持著頭114(圖4)。此頭114按照來自控制部112的信號(hào)，噴出液態(tài)材料111的液滴。另外，在噴頭部103的頭114，通過管110聯(lián)結(jié)在箱子101上，因此，從箱子101向頭114供給液態(tài)材料111。
載物臺(tái)106提供，為了固定基體11(圖6)的平面。并且，載物臺(tái)106還具有，利用吸引力來固定基體11位置的功能。
第一位置控制裝置104，通過支持部104a，被固定在離開基地臺(tái)GS規(guī)定高度的位置。該第一位置控制裝置104具有按照來自控制部112的信號(hào)，沿著X軸方向、正交于X軸方向的Z軸方向移動(dòng)噴頭部103的功能。并且，第一位置控制裝置104還具有以圍繞平行于Z軸的軸旋轉(zhuǎn)來旋轉(zhuǎn)噴頭部103的功能。在此，本實(shí)施方式中，Z軸方向是平行于垂直方向(即重力加速度方向)的方向。
第二位置控制裝置108，按照來自控制部112的信號(hào)，在基地臺(tái)GS上向Y軸方向移動(dòng)載物臺(tái)106。在此，Y軸方向是指，既正交于X軸方向又正交于Z軸方向的方向。
具有上述功能的第一位置控制裝置104的構(gòu)成和第二位置控制裝置108的構(gòu)成，可以利用線形電動(dòng)機(jī)或伺服電動(dòng)機(jī)的眾所周知的XY機(jī)械手來實(shí)現(xiàn)。因此，在此省略其構(gòu)成的詳細(xì)說明。
如上所述，通過第一位置控制裝置104，噴頭部103向X軸方向移動(dòng)。并且，通過第二位置控制裝置108，基體11和載物臺(tái)106一起向Y軸方向移動(dòng)。其結(jié)果，頭114對(duì)基體11的相對(duì)位置可以變化。更具體地，通過這些工作，噴頭部103、頭114或噴嘴118(圖4)對(duì)基體11一邊在Z軸方向保持規(guī)定距離，一邊向X軸方向和Y軸方向相對(duì)移動(dòng)即相對(duì)掃描。所謂「相對(duì)移動(dòng)」或「相對(duì)掃描」是指使噴出液態(tài)材料111的一側(cè)、和來自那里的噴出物彈落的一側(cè)(被噴出部50)的至少一方，相對(duì)于另一方相對(duì)移動(dòng)。
控制部112構(gòu)成為從外部信息處理裝置接收表示應(yīng)該噴出液態(tài)材料111之液滴的相對(duì)位置的噴出數(shù)據(jù)?？刂撇?12將所接收的噴出數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在內(nèi)部存儲(chǔ)裝置，并且，按照所存儲(chǔ)的噴出數(shù)據(jù)來控制第一位置控制裝置104、第二位置控制裝置108、頭114。另外，所謂噴出數(shù)據(jù)，是在基體11上以規(guī)定圖案給與液態(tài)材料111用的數(shù)據(jù)。在本實(shí)施方式中，具有位圖數(shù)據(jù)的形態(tài)。
具有上述構(gòu)成的液滴噴出裝置300L，按照噴出數(shù)據(jù)，使頭114的噴嘴118(圖4)對(duì)基體11相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)，從噴嘴118向被噴出部50噴出液態(tài)材料111。
另外，所謂利用噴墨法形成層、膜或圖案是指利用液滴噴出裝置300L在規(guī)定的物體上形成層、膜或圖案。
(D、頭)如圖(a)和(b)所示，在液滴噴出裝置300L的頭114是具有多個(gè)噴嘴118的噴墨頭。具體地，頭114備有振動(dòng)板126、貯液處129、多個(gè)隔壁122、多個(gè)振子124、規(guī)定多個(gè)噴嘴118的開口的噴嘴板128、供給口130和孔131。貯液處129位于振動(dòng)板126與噴嘴板128之間，從省略圖示的外部箱子通過孔131所供給的液態(tài)取向材料111總是充填在這個(gè)貯液處129。
多個(gè)隔壁122位于振動(dòng)板126與噴嘴板128之間的。另外，由振動(dòng)板126、噴嘴板128、一對(duì)的隔壁122所包圍的部分就是腔室120。腔室120是對(duì)應(yīng)噴嘴118設(shè)置的，所以腔室120的個(gè)數(shù)和噴嘴118個(gè)數(shù)相同。在腔室120上，通過位于一對(duì)隔壁122的供給口130，從貯液處129，供給液態(tài)取向材料111。另外，在本實(shí)施方式中，噴嘴118的直徑約為27μm。
在振動(dòng)板126上，對(duì)應(yīng)各自的腔室120分別設(shè)有振子124。各自的振子124包括壓電元件124C、夾住壓電元件124C的一對(duì)電極124A、124B。通過控制部112對(duì)該一對(duì)電極124A、124B給與驅(qū)動(dòng)波形的方式，從對(duì)應(yīng)的噴嘴118噴出液態(tài)取向材料111的液滴。在此，從噴嘴118噴出的材料的體積是在0pl以上42pl(微微升)以下之間可以變化。另外，從噴嘴118向Z軸方向噴出液態(tài)的取向材料111的液滴的方式，調(diào)整了噴嘴118的形狀。
在本說明書中，將含有一個(gè)噴嘴118、對(duì)應(yīng)于噴嘴118的腔室120、對(duì)應(yīng)于腔室120的振子124的部分表記為「噴出部127」。根據(jù)此表記，一個(gè)頭114具有和噴嘴118的數(shù)目相同數(shù)目的噴出部127。另外，噴出部127具有電熱轉(zhuǎn)換元件來可以替代壓電元件。即噴出部127的構(gòu)成可以具有利用電熱轉(zhuǎn)換元件材料的熱膨脹來噴出材料的構(gòu)成。
(E、控制部)下面，說明控制部112的構(gòu)成。如圖5所示，控制部112備有輸入緩沖存儲(chǔ)器200、存儲(chǔ)裝置202、處理部204、掃描驅(qū)動(dòng)部206、頭驅(qū)動(dòng)部208。輸入緩沖存儲(chǔ)器200與處理部204之間是相互通信可能地連接著。處理部204、存儲(chǔ)裝置202、掃描驅(qū)動(dòng)部206、頭驅(qū)動(dòng)部208之間是用省略圖示的總線來相互通信可能地連接著的。
掃描驅(qū)動(dòng)部206是與第一位置控制裝置104、第二位置控制裝置108相互通信可能地連接著的。同樣，頭驅(qū)動(dòng)部208是與頭114相互通信可能地連接著的。
輸入緩沖存儲(chǔ)器200，從位于液滴噴出裝置300L外部的外部信息處理裝置(省略圖示)，接收用于噴出液態(tài)材料111的液滴的噴出數(shù)據(jù)。輸入緩沖存儲(chǔ)器200向處理部204供給噴出數(shù)據(jù)，處理部204將噴出數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置202。在圖5中，存儲(chǔ)裝置202是RAM。
處理部204根據(jù)存儲(chǔ)裝置202內(nèi)的噴出數(shù)據(jù)，將表示噴嘴118對(duì)被噴出部50的相對(duì)位置的數(shù)據(jù)給與掃描驅(qū)動(dòng)部206。掃描驅(qū)動(dòng)部206將與此數(shù)據(jù)、噴出周期相應(yīng)的掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)給與第一位置控制裝置104和第二位置控制裝置108。其結(jié)果，噴頭部103對(duì)被噴出部50的相對(duì)位置在變化。另一方面，處理部204根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置202的噴出數(shù)據(jù)，噴出液態(tài)材料111所必要的噴出信號(hào)給與頭114。其結(jié)果，從頭114的對(duì)應(yīng)噴嘴118噴出液態(tài)材料111的液滴D。
控制部112是含有CPU、ROM、RAM、總線的計(jì)算機(jī)。從而，控制部112的上述功能是利用計(jì)算機(jī)可以執(zhí)行的軟件程序來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)然，控制部112可以用專用電路(硬件)來實(shí)現(xiàn)。
(F、液態(tài)材料)上述的「液態(tài)材料111」是指從頭114的噴嘴118作為液滴D而噴出的有粘度的材料。在此，不管液態(tài)材料111是液性還是油性，只要從噴嘴118能夠噴出的流動(dòng)性(粘度)就可以，即使混入固體物質(zhì)作為全體具有流動(dòng)體就可以。在此，優(yōu)選液態(tài)材料111粘度為1mPa·s以上50mPa·s以下。粘度為1mPa·s以上的情況下，噴出液態(tài)材料111之際，噴嘴118的周圍部不易被液態(tài)材料111污染。另一方面，粘度為50mPa·s以下的情況下，噴嘴118的堵塞頻度小，因此，可以實(shí)現(xiàn)液滴D的順利的噴出。親液材料30A和導(dǎo)電性材料40A均為滿足上述條件的液狀體材料。
另外，這些液態(tài)材料111含有微粒的情況下，優(yōu)選其微粒的平均粒徑為1μm以下。滿足這個(gè)條件的液態(tài)材料111是從頭114的噴嘴118不會(huì)堵塞向所要方向噴出。例如，如上所述，親液材料30A含有二氧化硅(SiO2)和氧化鈦(TiO2)所構(gòu)成的微粒，但該微粒的平均粒徑是1μm以下。另外，導(dǎo)電性材料40A也含有銀粒子，如上所述，其平均粒徑為10nm左右，滿足這個(gè)條件。
另外，「液態(tài)材料111」給與被噴出部50后發(fā)揮固有的功能，所以也叫做「功能液」。
(G、形成方法)接著，結(jié)合圖6和圖7，說明利用了上述的液滴噴出裝置300L、300C的電配線的形成方法。
首先，對(duì)支持基板10進(jìn)行UV清洗。然后，如圖6(a)所示，利用旋轉(zhuǎn)涂布法，以覆蓋支持基板10的方式，涂布含有氟有機(jī)分子的硅烷偶合劑的樹脂有機(jī)材料。這樣，在支持基板10上形成樹脂有機(jī)薄膜20A。并且，以覆蓋樹脂有機(jī)薄膜20A全面的方式，通過涂布負(fù)片型丙烯類化學(xué)增幅型感光性抗蝕劑，在樹脂有機(jī)薄膜20A上形成抗蝕劑層20B。
接著，用光刻法對(duì)抗蝕劑層20B和樹脂有機(jī)薄膜20A進(jìn)行圖案形成。具體地，如圖6(b)所示，在應(yīng)該形成導(dǎo)電層40的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部位，通過具有遮光部AB的光掩模PM，向抗蝕劑層20B照射光hv。然后，顯影抗蝕劑層20B后，通過利用規(guī)定的蝕刻液進(jìn)行蝕刻，去掉沒有照射光hv的部分即對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電層40部分的抗蝕劑層20B和對(duì)應(yīng)的樹脂有機(jī)薄膜20A。由此，如圖6(c)所示，具有包圍以后應(yīng)該形成導(dǎo)電層40形狀的、由樹脂有機(jī)薄膜所構(gòu)成的圍堰圖案20和抗蝕劑層20B殘留在支持基板10上。然后，利用規(guī)定的藥液剝離抗蝕劑層20B，在支持基板10上，如圖6(d)所示，形成由圍堰圖案20和支持基板10的表面所規(guī)定的被噴出部50。在此，所謂支持基板10的表面和圍堰圖案20具有溝槽形狀。支持基板10的表面構(gòu)成其溝槽的底部。
如上所述，形成圍堰圖案20，使支持基板10的表面成為溝槽底部。
接著，對(duì)圍堰圖案20的表面進(jìn)行等離子體處理。等離子體處理是將已形成圍堰圖案20的基體11，暴露在含有碳氟類化合物的氣體中，將能量給與相應(yīng)氣體而等離子體化，與圍堰圖案20的表面進(jìn)行反應(yīng)來進(jìn)行。由于該等離子體處理，可以更能提高圍堰圖案20對(duì)導(dǎo)電性材料40A的疏液性。
接著，在支持基板10上已形成的被噴出部50上，按照順序配置親液材料30A、和導(dǎo)電性材料40A。這些工序由圖2所示的制造裝置2進(jìn)行。
通過輸送裝置270將具有被噴出部50的基體11輸送到液滴噴出裝置300L的載物臺(tái)106。然后，如圖7(a)所示，滴噴出裝置300L從頭114的噴出部127噴出親液材料30A，以便在被噴出部50的全部上形成親液材料30A的層。更具體地，滴噴出裝置300L向構(gòu)成被噴出部50底部的支持基板10的表面，噴出親液材料30A。在基體11的所有的被噴出部50上已形成親液材料30A的層的情況下，輸送裝置270使基體11位于干燥裝置350L內(nèi)。然后，通過完全干燥被噴出部50上的親液材料30A，在被噴出部50上形成親液層30，如圖7(a)所示，形成以親液層30為底部的被噴出部50。
已形成親液層30的基體11，通過輸送裝置270將輸送到光照射裝置400L。然后，光照射裝置400L對(duì)基體11照射波長(zhǎng)為400nm以下的光。親液層30具有在這樣波長(zhǎng)的光下起反應(yīng)，使親液性提高的性質(zhì)。從而，經(jīng)過此光照射工序的親液層30提高對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性。
另外，如上所述，光照射裝置400L照射波長(zhǎng)為400nm以下的光，但是，根據(jù)親液層30所含有的微粒的種類，對(duì)實(shí)際反應(yīng)起作用的波長(zhǎng)是不同的。具體地，含有二氧化硅(SiO2)的微粒和含有金屬微粒等的親液層30，與波長(zhǎng)為400nm以下的光中的、含有其金屬的微粒作為光催化劑發(fā)揮功能的光進(jìn)行反應(yīng)。例如，本實(shí)施方式中利用的，含有由二氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)所構(gòu)成的微粒的親液層30，與氧化鈦(TiO2)微粒起光催化劑的功能的、380nm以下的光進(jìn)行反應(yīng)。另外，只含有二氧化硅(SiO2)的微粒的親液層30，與波長(zhǎng)250nm的光進(jìn)行反應(yīng)。
接著，通過輸送裝置270，將具有親液層30的機(jī)體11輸送到液滴噴出裝置300C的載物臺(tái)106。然后，如圖7(b)所示，滴噴出裝置300C從頭114的噴出部127噴出導(dǎo)電性材料40A以便在被噴出部50全部上形成導(dǎo)電性材料40A的層。更具體地，滴噴出裝置300C向構(gòu)成被噴出部50底部的親液層30的表面，噴出導(dǎo)電性材料40A。在基體11的所有被噴出部50上已形成導(dǎo)電性材料40A的層的情況下，輸送裝置270使基體11位于干燥裝置350C內(nèi)。然后，如果高溫氣氛中干燥被噴出部50上的導(dǎo)電性材料40A，則含有在導(dǎo)電性材料40A的銀粒子之間產(chǎn)生熔合或熔敷，生成低電阻的導(dǎo)電性物質(zhì)的導(dǎo)電層40。這樣，獲得導(dǎo)電層40作為電配線的配線基板1。
但是，親液層30對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性高于圍堰圖案20對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性。這是因?yàn)樵趪邎D案20中含有了作為含有氟的有機(jī)分子的硅烷偶合劑等，且將圍堰圖案20進(jìn)行等離子體處理而提高了疏液性，對(duì)含有二氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)所構(gòu)成的微粒的親液性高的親液層30，進(jìn)一步照射光而提高了親液性。因此，彈落在構(gòu)成被噴出部50的親液層30表面的導(dǎo)電性材料40A的液滴，相對(duì)于圍堰圖案20進(jìn)行排斥的同時(shí)，濕潤(rùn)擴(kuò)展在親液層30上。通過這樣的作用，導(dǎo)電性材料40A均勻濕潤(rùn)擴(kuò)展在親液層30上，干燥這些而獲得的導(dǎo)電層40變成具有均勻厚度的層。
另外，即使在被噴出部50的底部存在圍堰圖案20的殘?jiān)那闆r下，已形成了覆蓋該殘?jiān)挠H液層30，所以，由于上述同樣的理由，可以形成均勻厚度的導(dǎo)電層40。
這樣獲得的電配線具有均勻厚度的導(dǎo)電層40，所以具有良好的導(dǎo)電特性。并且，即使電配線具有極其微細(xì)的圖案的情況下，由于親液層30對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性高于圍堰圖案20對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性，導(dǎo)電性材料40均勻濕潤(rùn)擴(kuò)展在被噴出部50的底部。因此，也可以形成具有均勻厚度的導(dǎo)電層40的、極其微細(xì)圖案的電配線。
(G、安裝工序)下面，如圖8所示，在上述工序來已制造的配線基板1上，安裝液晶面板61和半導(dǎo)體元件62。具體地，在配線基板1上的導(dǎo)電層40的圖案上適當(dāng)粘接液晶面板61所對(duì)應(yīng)的焊盤(pad)或半導(dǎo)體元件62所對(duì)應(yīng)的焊盤。這樣，本實(shí)施方式的電配線的形成方法可以應(yīng)用于液晶顯示裝置60的制造。另外，在本實(shí)施方式中，半導(dǎo)體元件62是液晶驅(qū)動(dòng)電路。
并且，本實(shí)施方式的電配線的形成方法，不僅應(yīng)用于液晶顯示裝置的制造還可以應(yīng)用于各種電光學(xué)裝置的制造。在此所說的「電光學(xué)裝置」是指并不限定在利用雙折射性變化、旋光性變化或光散射性變化等的光學(xué)特性變化(所謂電光學(xué)效果)的裝置，而意味著適應(yīng)信號(hào)電壓的施加而射出、透過或反射光的所有裝置。
具體地，所謂電光學(xué)裝置是含有液晶顯示裝置、電致發(fā)光顯示裝置、等離子體顯示裝置、利用表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件的顯示器(SEDSurface-Conduction Electron-Emitter Display)、場(chǎng)致發(fā)射顯示器(FEDFieldEmission Display)的用語(yǔ)。
另外，本實(shí)施方式的電配線的形成方法也可以應(yīng)用于含有上述電光學(xué)裝置的電光元件的制造。具體地，可以應(yīng)用于電光學(xué)裝置像素部形成的TFT(薄膜晶體管)元件、掃描線或信號(hào)線和像素電極的形成等。
并且，本實(shí)施方式的電配線的形成方法可以應(yīng)用于各種電子儀器的制造方法。例如，本實(shí)施方式的電配線的形成方法可以應(yīng)用于圖9所示的、具備電光學(xué)裝置520的移動(dòng)電話機(jī)500的制造方法，也可以應(yīng)用于圖10所示的、具備電光學(xué)裝置620的個(gè)人用計(jì)算機(jī)的制造方法。
(第二實(shí)施方式)在第一實(shí)施方式中，形成了圍堰圖案20后，在被噴出部50上形成了親液層30。另一方面，在本實(shí)施方式中，在支持基板10的表面全體上涂布親液層30后，在親液層30的表面上形成圍堰圖案20。除了這一點(diǎn)以外，本實(shí)施方式和第一實(shí)施方式基本上相同。另外，如上所述，在本實(shí)施方式中，將設(shè)置導(dǎo)電層40以前的配線基板1表記為基體11。
首先，對(duì)支持基板10上面進(jìn)行UV清洗。然后，由制造裝置2的輸送裝置270將支持基板10輸送到液滴噴出裝置300L的載物臺(tái)106。在此，液滴噴出裝置300L，從頭114的噴出部127噴出親液材料30A，以便在支持基板10上形成親液材料30A的層。這樣，如果在支持基板10上已形成親液材料30A的層，則輸送裝置270使基體11位于干燥裝置350L內(nèi)。然后，如圖11(a)所示，完全干燥親液材料30A而在支持基板10的表面形成親液層30。
已形成親液層30的基體11，由輸送裝置270被輸送到光照射裝置400L。然后，光照射裝置400L對(duì)基體11照射波長(zhǎng)400nm以下的光。親液層30具有在這樣波長(zhǎng)的光下起反應(yīng)而提高親液性的性質(zhì)。從而，經(jīng)過該工序的親液層30提高對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性。
另外，光照射裝置400L雖然照射如上述的波長(zhǎng)為400nm的光，但是，根據(jù)親液層30中所含的微粒的種類，實(shí)際上對(duì)反應(yīng)起作用的光的波長(zhǎng)是不同的。具體地，含有二氧化硅(SiO2)的微粒和含有金屬微粒等的親液層30，與波長(zhǎng)為400nm以下的光中的、含有其金屬的微粒作為光催化劑功能的光進(jìn)行反應(yīng)。例如，本實(shí)施方式中所利用的、含有由二氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)所構(gòu)成的微粒的親液層30是與氧化鈦(TiO2)微粒起光催化劑的功能的、380nm以下的光進(jìn)行反應(yīng)。另外，只含有二氧化硅(SiO2)的微粒的親液層30與波長(zhǎng)250nm的光進(jìn)行反應(yīng)。
在此，基體11從制造裝置2被取出后，經(jīng)過形成圍堰圖案20用的工序。即，首先，如圖11(b)所示，利用旋轉(zhuǎn)涂布法在親液層30的表面形成樹脂有機(jī)薄膜20A。并且，以覆蓋樹脂有機(jī)薄膜20A的全面的方式，通過涂布負(fù)片型丙烯化學(xué)增幅型感光性抗蝕劑層，在樹脂有機(jī)薄膜20A上，形成抗蝕劑層20B。
其次，如圖11(c)和(d)所示，通過光刻法進(jìn)行抗蝕劑層20B和樹脂有機(jī)薄膜20A的圖案形成，然后，剝離抗蝕劑層20B而形成圍堰圖案20。
接著，對(duì)圍堰圖案20的表面，進(jìn)行為了提高疏液性的等離子體處理?？刮g劑層20B和樹脂有機(jī)薄膜20A的圖案形成法、抗蝕劑層20B的剝離法、和等離子體處理的方法和第一實(shí)施方式相同，所以省略詳細(xì)的說明。
這樣，如圖11(d)所示，在支持基板10上形成親液層30為底部的被噴出部50。
已形成被噴出部50的基體11再度返回到制造裝置2，由輸送裝置270輸送到液滴噴出裝置350C的載物臺(tái)106。然后，如圖12所示，滴噴出裝置300C從頭114的噴出部127噴出導(dǎo)電性材料40A，以便在所有被噴出部50形成導(dǎo)電性材料40A的層。更具體地，滴噴出裝置300C向構(gòu)成被噴出部50底部的親液層30的表面，噴出導(dǎo)電性材料40A。在基體11的所有被噴出部50已形成導(dǎo)電性材料40A的層的情況下，輸送裝置270使基體11位于干燥裝置350C內(nèi)。然后，如果高溫氣氛中干燥被噴出部50上的導(dǎo)電性材料40A，則含有在導(dǎo)電性材料40A的銀粒子之間產(chǎn)生熔合或熔敷，生成低電阻的導(dǎo)電性物質(zhì)的導(dǎo)電層40。這樣獲得導(dǎo)電層40作為電配線的配線基板1。
但是，親液層30對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性，高于圍堰圖案20對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性。這是因?yàn)樵趪邎D案20中含有了作為含有氟的有機(jī)分子的硅烷偶合劑等，且將圍堰圖案20進(jìn)行等離子體處理而提高了疏液性，對(duì)含有二氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)所構(gòu)成的微粒的親液性高的親液層30進(jìn)一步照射光而提高了親液性。因此，彈落在構(gòu)成被噴出部50的親液層30的表面的導(dǎo)電性材料40A的液滴，相對(duì)于圍堰圖案20進(jìn)行排斥的同時(shí)，濕潤(rùn)擴(kuò)展在親液層30上。由于這樣的作用，導(dǎo)電性材料40A均勻濕潤(rùn)擴(kuò)展在親液層30上，干燥這些而獲得的導(dǎo)電層40成為具有均勻厚度的層。
另外，即使在被噴出部50的底部存在圍堰圖案20的殘?jiān)那闆r下，已形成了覆蓋該殘?jiān)挠H液層30，所以，由于和上述同樣的理由，可以形成均勻厚度的導(dǎo)電層40。
這樣獲得的電配線具有均勻厚度的導(dǎo)電層40，所以具有良好的導(dǎo)電特性。并且，即使電配線具有極其微細(xì)的圖案的情況下，由于親液層30對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性高于圍堰圖案20對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性，導(dǎo)電性材料40均勻濕潤(rùn)擴(kuò)展在被噴出部50的底部。因此，也可以形成具有均勻厚度的導(dǎo)電層40的、極其微細(xì)圖案的電配線。
(第三實(shí)施方式)在第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中，為了形成圍堰圖案20而涂布的抗蝕劑層20B是在樹脂有機(jī)薄膜20A和抗蝕劑層20B圖案形成后剝離的，但是，使抗蝕劑層20B自體具有對(duì)導(dǎo)電性材料40A的疏液性，而不剝離抗蝕劑層20B也可以制造抗蝕劑層20B。在下面，說明利用此方式的第三本實(shí)施方式的電配線的形成方法是除了后面要敘述的事項(xiàng)以外和第二實(shí)施方式的電配線的形成方法相同。因此，對(duì)于和第二實(shí)施方式相同的部分省略其說明。
圖13是表示本實(shí)施方式的電配線的形成方法的圖。圖13(a)是表示在支持基板10上設(shè)置親液層30、樹脂有機(jī)薄膜20A和抗蝕劑層20B后，向抗蝕劑層20B照射光后通過光刻法進(jìn)行圖案形成狀態(tài)的基體11。
在此，在抗蝕劑層20B中利用了由含有氟的高分子化合物所構(gòu)成的光致抗蝕劑。由這樣的材料所形成的抗蝕劑層20B具有對(duì)導(dǎo)電性材料40A的疏液性。
在本實(shí)施方式中，此后，不剝離抗蝕劑層20B。從而，相當(dāng)于第二實(shí)施方式的圍堰圖案20的構(gòu)成要素變成為樹脂有機(jī)薄膜所構(gòu)成的圍堰圖案20和抗蝕劑層20B加在一起的構(gòu)成。下面，將圍堰圖案20和抗蝕劑層20B加在一起的稱為圍堰圖案20′。本實(shí)施方式中的被噴出部50的側(cè)面，由圍堰圖案20′所規(guī)定。并且，圍堰圖案20′在表面具有疏液性的抗蝕劑層20B，所以，也可以不進(jìn)行為了提高圍堰圖案20′的疏液性的等離子體處理。
接著，如圖13(b)所示，和第二實(shí)施方式同樣的工序，在被噴出部50上形成導(dǎo)電層40。
這樣獲得的電配線中，導(dǎo)電層40變?yōu)榫鶆蚝穸鹊膶印＿@是因?yàn)橛H液層30對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性高于圍堰圖案20′對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性，其結(jié)果，導(dǎo)電性材料40A排斥圍堰圖案20′的同時(shí)、要濕潤(rùn)擴(kuò)展在親液層30的緣故。
用本實(shí)施方式的形成方法所形成的電配線，可以獲得和第二實(shí)施方式的形成方法所形成的電配線同樣的效果。但是在本實(shí)施方式中沒有必要進(jìn)行抗蝕劑層20B的剝離工序和圍堰圖案20′的等離子體處理工序，所以可以簡(jiǎn)化電配線的形成工序。
如上，說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)對(duì)上述的實(shí)施方式可以進(jìn)行種種變形。作為變形例可以考慮如下的。
(變形例1)在上述的每一個(gè)實(shí)施方式中，兩個(gè)不同的液滴噴出裝置300L、300C分別噴出親液材料30A和導(dǎo)電性材料40A。但也可以使一個(gè)液滴噴出裝置(例如，液滴噴出裝置300L)全部噴出這些液態(tài)材料，以替代上述的構(gòu)成。此種情況下，這些液態(tài)材料可以是由液滴噴出裝置300L的不同的噴嘴118噴出，也可以是從液滴噴出裝置300L的一個(gè)噴嘴118噴出。從一個(gè)噴嘴118噴出這些兩種液態(tài)材料的情況下，轉(zhuǎn)換液態(tài)材料之際，只要追加清洗自箱子101到噴嘴118為止的路徑的工序就可以。
(變形例2)在第二實(shí)施方式和第三實(shí)施方式中，用液滴噴出裝置300L，利用噴墨法形成了親液層30，但是，除此之外，只要是涂布液態(tài)材料的方法，哪種方法都可以。在親液層30的形成方面應(yīng)用可能的方法，可以舉例出擠壓涂布法、旋轉(zhuǎn)涂布法、影印涂布法、雙面涂膠輥涂布法、棒涂布法、微縫涂布法(slit coating)、顯微照相凹版涂布法、浸漬涂布法、苯胺印刷法和網(wǎng)板印刷法等。
(變形例3)在上述的每一個(gè)實(shí)施方式中，親液材料30A含有二氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)所構(gòu)成的微粒，但也可以是含有獨(dú)立的二氧化硅(SiO2)粒子和獨(dú)立的氧化鈦(TiO2)粒子。另外，也可以是只含有二氧化硅(SiO2)微粒的材料。或可以用氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2)、鈦酸鍶(SrTi3)、氧化鎢(WO3)、氧化鉍(Bi2O3)、以及氧化鐵(Fe2O3)中的至少一種所構(gòu)成的微粒來替代氧化鈦(TiO2)。這樣的親液材料30A具有對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性。
另外，親液材料30A可以含有二氧化硅、氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、鈦酸鍶、氧化鎢、氧化鉍、以及氧化鐵中的至少一種以上的組成的組合所構(gòu)成的微粒。進(jìn)一步地，可以利用含有由氧化鈦、氧化鋅等的上述金屬被二氧化硅涂布的微粒的材料。這樣的親液材料30A也具有對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性。
(變形例4)
在上述的變形例中，為了提高親液層30的親液性，對(duì)親液層30照射了波長(zhǎng)為400nm以下的光，但也可以省略此工序。此種情況下，即使親液層30對(duì)導(dǎo)電性材料40A親液性降低，但還是高于圍堰圖案20對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性。從而，根據(jù)這個(gè)變形例，可以省略光照射工序，所以可以簡(jiǎn)化電配線的形成工序。
(變形例5)在上述的每一個(gè)實(shí)施方式中，圍堰圖案20利用了含有氟的有機(jī)分子，具體地利用了含有硅烷偶合劑的一種的CF3CF2CF2CF2CF2CF2CF2CF2-CH2CH2-Si(OCH3)3，但也可以利用除此之外的硅烷偶合劑。所謂硅烷偶合劑是用R1siX1mX2(3-m)表示的化合物，在此，R1是表示有機(jī)基，X1和X2是表示-OR2、-R2、-Cl，R2是表示碳原子數(shù)1至4的任意一種的烷基，m是表示1至3的任意整數(shù)。為了使圍堰圖案20具有疏液性，作為含在圍堰圖案20中的合適的硅烷偶合劑的例子，可以舉出CF3(CF2)3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)6-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)6-CH2CH2-Si(OC2H6)3、CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)11-CH2CH2-Si(OC2H6)3、CF3(CF2)3-CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2)8-CH2CH2-Si(CH3)(OC2H6)2、CF3(CF2)8-CH2CH2-Si(C2H6)(OC2H6)2、CF3O(CF2O)6-CH2CH2-Si(OC2H5)3、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C3F6O)2(CF2O)3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C3F6O)8-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C4F8O)6-CH2CH2-Si(OCH3)3、-CF3O(C4F8O)6-CH2CH2-Si(CH3)(OC2H5)2、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-Si(C2H6)(OCH3)2、等。
另外，利用含有氟的表面活性劑來可以替代上述的硅烷偶合劑。所謂的表面活性劑是用R1Y1來表示的化合物，在此，Y1是疏液性的極性基，即-OH-(CH2CH2O)nH、-COOH、-COOK、-COONa、-PO3H2、-PO3Na2、-PO3K2、-NO2、-NH2、-NH3Cl(銨鹽)、-NH3Br(銨鹽)、≡NHCl(吡啶鎓鹽)、≡NHBr(吡啶翁鹽)等。作為為了使圍堰圖案20具有疏液性而在圍堰圖案20中可含有的適宜的表面活性劑，例如，可以舉出CF3-CH2CH2-COONa、CF3(CF2)6-CH2CH2-COONa、CF3(CF2)6-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)2-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)7-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)11-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)3-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)7-CH2CH2-OSO3Na、CF3(CF2)5-CH2CH2-OSO3Na、CF3(CF2)8-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(CF2O)6-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C3F6O)2(CF2O)3-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C3F6O)5-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C4F8O)5-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-OSO3Na等。
上述的硅烷偶合劑、和表面活性劑是分子末端官能團(tuán)化學(xué)性地吸附在構(gòu)成基板表面的原子上，所以對(duì)金屬或絕緣體為首的廣泛的材料的氧化物表面上呈現(xiàn)反應(yīng)性。因此，可以利用于作為疏液性作貢獻(xiàn)的有機(jī)分子。特別是，含有在這些硅烷偶合劑或表面活性劑的R1含有全氟烷基結(jié)構(gòu)CnF2n+1或全氟烷基醚結(jié)構(gòu)CpF2p+1O(CpF2pO)r(n、p、r是整數(shù))那樣含有氟原子情況下，可以適宜利用于疏液性物質(zhì)。這是因?yàn)檫@樣的硅烷偶合劑或表面活性劑所修飾的固體表面的表面自由能低于25mj/m2，所以具有充分的疏液性。
另外，疏液性高的高分子化合物也可以利用于圍堰圖案20。作為疏液性高的高分子化合物可以利用分子內(nèi)含有氟原子的、低聚物或聚合物。具體地，可以利用聚4氟乙烯(PTFE)、乙烯4氟化乙烯共聚物、6氟化丙烯4氟化乙烯共聚物、聚偏氟乙烯(PVdF)、聚(十五氟代庚基乙基甲基丙烯酸酯)(PPFMA)、和聚(全氟辛基乙基丙烯酸酯)等的長(zhǎng)鏈全氟烷基結(jié)構(gòu)的聚乙烯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯化合物(polyvinyl)、聚氨酯、聚硅氧烷、聚酰亞胺、和聚碳酸酯類的高分子化合物等。
(變形例6)在第三實(shí)施方式中，在抗蝕劑層20B中利用了含有由氟的高分子化合物所構(gòu)成的抗蝕劑，但可以利用混合含有氟的有機(jī)分子的抗蝕劑。由這樣的抗蝕劑所形成的抗蝕劑層20B對(duì)導(dǎo)電性材料40A具有疏液性。因此，和第三實(shí)施方式同樣，可以以均勻的厚度形成導(dǎo)電層40。作為含有氟的有機(jī)分子優(yōu)選上述的表面活性劑。具體地，可以利用日本サ一フアクタント工業(yè)制造的NIKKOL BL、BC、BO、BB的每一個(gè)系列等的烴類、杜邦公司制造的ZOZYL、FSN、FSO、旭硝子制造的薩富隆S-141，145、大日本油墨公司制造的メガフアク F-141、144、NEOS(ネオス)制造的Ftergent(フタ一ジエント)F-200、F251、DAIKIN(ダイキン)工業(yè)制造的Unidyne(ユニダイン)DS-401、402、3M制造的Frorard(フロラ一ド)FC-170、176、JEMCO制造的氟表面活性劑(Fluoro Surfactantsエフトツプ)EF-系列等的氟系的非離子表面活性劑或陽(yáng)離子系、陰離子系、兩性表面活性劑。這些表面活性劑，通過調(diào)整添加在抗蝕劑的種類和量，可以任意設(shè)定抗蝕劑的疏液性。
(變形例7)在上述的每一個(gè)實(shí)施方式中，對(duì)樹脂有機(jī)薄膜20A和抗蝕劑層20B進(jìn)行圖案形成而形成了圍堰圖案20，但在抗蝕劑層20B中利用有疏液性材料的情況下，也可以只由抗蝕劑層20B形成圍堰圖案20。更具體地，對(duì)有機(jī)薄膜20A不涂布樹脂而涂布抗蝕劑層20B，然后，圖案形成抗蝕劑層20B的作為圍堰圖案20就可以。即使用這樣的方法形成圍堰圖案20的情況下，也是親液層30對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性，高于圍堰圖案20對(duì)導(dǎo)電性材料40A的親液性，所以，可以形成均勻厚度的導(dǎo)電層40。
(變形例8)在第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中，對(duì)圍堰圖案20的表面進(jìn)行了等離子體處理，但也可以省略此工序。此種情況下，雖然圍堰圖案20對(duì)導(dǎo)電性材料40A的疏液性降低，但是省略了等離子體處理，所以可以簡(jiǎn)化電配線的形成工序。
(變形例9)在上述的每一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電性材料40A是金屬微粒分散液，其具有銀的粒子和作為分散介質(zhì)的水，但是，除了銀粒子以外還可以利用其他材料所構(gòu)成的種種材料。具體地，可以利用由含有金、白金、銀、銅、鎳、鉻、銠、鈀、鋅、鈷、鉬、釕、鎢、鋨、銥、鐵、錳、鍺、錫、銻、鎵和銦中的一種以上元素的金屬、合金、金屬氧化物所構(gòu)成的粒子，特別是利用由金、銀、銅、鎳、錳、ITO(銦錫氧化物)、ATO(銻錫氧化物)所構(gòu)成的粒子為優(yōu)選。另外，為了使這些粒子穩(wěn)定分散在分散介質(zhì)中，優(yōu)選用聚合物或表面活性劑來被覆。
導(dǎo)電性材料40A可以是水為溶劑的金屬絡(luò)合物的溶液。金屬絡(luò)合物又叫做配位化合物，在中心具有由金屬離子、金屬、合金或金屬氧化物所構(gòu)成的導(dǎo)電性粒子，并由離子或分子包圍其周圍的化合物。具體地，可以利用在中心具有由含有金、白金、銀、銅、鎳、鉻、銠、鈀、鋅、鈷、鉬、釕、鎢、鋨、銥、鐵、錳、鍺、錫、銻、鎵和銦中的一種以上元素的金屬離子、金屬、合金、金屬氧化物所構(gòu)成的、具有導(dǎo)電性粒子的金屬絡(luò)合物。配位子可以任意選擇。由這樣的金屬絡(luò)合物溶液所構(gòu)成的導(dǎo)電性材料40A，如果涂布之后用高溫?zé)苫蛘丈涔猓瑒t中心的導(dǎo)電性粒子之間也產(chǎn)生熔合或熔敷，生成作為低電阻導(dǎo)電性物質(zhì)的導(dǎo)電層40。
另外，雖然構(gòu)成導(dǎo)電性材料40A的金屬微粒分散液的分散介質(zhì)和金屬絡(luò)合物溶液的溶劑為水，但是，只要可以分散銀粒子等的導(dǎo)電性粒子而不產(chǎn)生凝聚的物質(zhì)，就沒有特別的限制。例如，除了水以外，還可以舉出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、己醇、辛醇、環(huán)己醇等的醇類；正庚烷、正辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、十六烷、甲苯、二甲苯、甲基異丙基苯、杜烯、茆、雙戊烯、四氫化萘、十氫化萘、環(huán)己烷、環(huán)己基苯等的烴類化合物；乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1，2二甲氧基乙烷、雙(2-甲氧基乙基)醚、對(duì)二噁烷等的醚類化合物；還有碳酸丙烯酯、γ-丁內(nèi)酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N二甲基甲酰胺、二甲亞砜、α-萜品醇、環(huán)己酮等的極性化合物。其中，從提高與圍堰圖案20間的疏液性的角度而言表面張力大的為優(yōu)選，另外，導(dǎo)電性粒子的分散性和分散液的穩(wěn)定性或液滴噴出法(噴墨法)的應(yīng)用容易程度而言水、醇類、烴類化合物、醚類化合物為優(yōu)選。作為更好的分散介質(zhì)可以舉出水、烴類化合物。
(變形例10)在上述的實(shí)施方式中，在由聚酰亞胺所構(gòu)成的支持基板10上，設(shè)置多層結(jié)構(gòu)。然而，利用陶瓷基板、玻璃基板、環(huán)氧樹脂基板、玻璃環(huán)氧樹脂基板或二氧化硅基板來替代這樣的支持基板10也可以獲得上述實(shí)施方式中所說明的同樣效果。
權(quán)利要求
1.一種電配線的形成方法，通過利用液滴噴出裝置配置功能液而形成電配線，其特征在于，其中具有在基板上，使基板的表面成為溝槽的底部的方式，形成規(guī)定所述溝槽的隔壁的工序A；在所述底部上，形成親液層的工序B，該親液層具有對(duì)第一功能液的親液性高于所述隔壁對(duì)所述第一功能液的親液性；和在所述親液層上，利用液滴噴出裝置配置含有金屬的所述第一功能液的工序C。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述工序B包括在所述底部上配置含有二氧化硅的第二功能液而形成所述親液層的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述第二功能液還含有由氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、鈦酸鍶、氧化鎢、氧化鉍、以及氧化鐵中的至少一種所構(gòu)成的微粒。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述工序B包括在所述底部上配置含有由二氧化硅、氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、鈦酸鍶、氧化鎢、氧化鉍、以及氧化鐵中的至少一種以上的組成的組合所構(gòu)成的微粒的第二功能液，形成所述親液層的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述工序B包括在所述底部上配置含有由二氧化硅，與氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、鈦酸鍶、氧化鎢、氧化鉍、以及氧化鐵中的至少一種以上的組成的組合所構(gòu)成的微粒的第二功能液，形成所述親液層的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至5的任一項(xiàng)中所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述微粒的平均粒徑是1μm以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6的任一項(xiàng)中所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述工序A包括由含有氟的高分子化合物所混合的光致抗蝕劑形成所述隔壁的工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6的任一項(xiàng)中所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述工序A包括由含有氟的有機(jī)分子所混合的光致抗蝕劑形成所述隔壁的工序。
9.一種電配線的形成方法，通過利用液滴噴出裝置配置功能液而形成電配線，其特征在于，其中具有在基板上，形成親液層的工序A，該親液層具有對(duì)第一功能液的親液性高于所述隔壁對(duì)所述第一功能液的親液性；在所述親液層上，以使所述親液層成為溝槽的底部的方式，形成規(guī)定所述溝槽的隔壁的工序B；在所述底部上，利用液滴噴出裝置配置含有金屬的所述第一功能液的工序C。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述工序A包括在所述底部上配置含有二氧化硅的第二功能液，形成所述親液層的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述第二功能液還含有由氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、鈦酸鍶、氧化鎢、氧化鉍、以及氧化鐵中的至少一種所構(gòu)成的微粒。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述工序A包括在所述底部上配置含有由二氧化硅、氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、鈦酸鍶、氧化鎢、氧化鉍、以及氧化鐵中的至少一種以上的組成的組合所構(gòu)成的微粒的第二功能液，形成所述親液層的工序。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述工序A包括在所述底部上配置含有由二氧化硅，與氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、鈦酸鍶、氧化鎢、氧化鉍、以及氧化鐵中的至少一種以上的組成的組合所構(gòu)成的微粒的第二功能液，形成所述親液層的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求10至13的任一項(xiàng)中所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述微粒的平均粒徑是1μm以下。
15.根據(jù)權(quán)利要求9至14的任一項(xiàng)中所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述工序B包括由含有氟的高分子化合物所混合的光致抗蝕劑形成所述隔壁的工序。
16.根據(jù)權(quán)利要求9至14的任一項(xiàng)中所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述工序B包括由含有氟的有機(jī)分子所混合的光致抗蝕劑形成所述隔壁的工序。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16的任一項(xiàng)中所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中還包括向所述親液層照射光的工序。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述光的波長(zhǎng)是400nm以下。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至16的任一項(xiàng)中所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中所述隔壁包括含有氟的有機(jī)分子。
20.根據(jù)權(quán)利要求1至16的任一項(xiàng)中所述的電配線的形成方法，其特征在于，其中包括反應(yīng)氣體中利用碳氟化合物類化合物而進(jìn)行所述隔壁表面的等離子體處理的工序。
21.一種配線基板的制造方法，其特征在于，其中包含了權(quán)利要求1至20的任一項(xiàng)中所述的電配線的形成方法。
22.一種電光元件的制造方法，其特征在于，其中包含了權(quán)利要求1至20的任一項(xiàng)中所述的電配線的形成方法。
23.一種電子儀器的制造方法，其中包含了權(quán)利要求1至20的任一項(xiàng)中所述的電配線的形成方法。
24.一種配線基板，其特征在于，其中利用權(quán)利要求21所述的配線基板的制造方法來制造。
25.一種電光元件，其特征在于，其中具備權(quán)利要求24所述的配線基板。
26.一種電子儀器，其特征在于，其中具備權(quán)利要求24所述的電光學(xué)裝置。
全文摘要
本發(fā)明利用液滴噴出裝置，形成具有均勻厚度的導(dǎo)電層的電配線。本發(fā)明的電配線的形成方法包括以使基板的表面成為溝槽的底部的方式，形成規(guī)定所述溝槽的隔壁的工序A；在所述底部上，形成親液層的工序B，該親液層具有對(duì)第一功能液的親液性高于所述隔壁對(duì)所述第一功能液的親液性；在所述親液層上，利用液滴噴出裝置付與含有金屬的所述第一功能液的工序C。
文檔編號(hào)B05C5/00GK1791306SQ20051002281
公開日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2005年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月10日
發(fā)明者豐田直之, 平井利充 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社