專利名稱：有機(jī)電場發(fā)光面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種有機(jī)電場發(fā)光面板，特別關(guān)于其外部連接用端子。
背景技術(shù)：
將發(fā)白光組件的電場發(fā)光組件(Electroluminescence以下簡稱EL)作為發(fā)光組件使用在各像素的EL面板，屬于自發(fā)光型，同時，因其具有電力消耗較少的優(yōu)點，而被視為一種可取代液晶顯示裝置(LCD)或CRT等顯示裝置的裝置受到矚目，并不斷進(jìn)行其相關(guān)研究。
有機(jī)EL組件的構(gòu)造在陽極與陰極之間夾置含有有機(jī)發(fā)光分子的有機(jī)層，其所利用的原理為使自陽極注入的空穴與自陰極注入的電子在有機(jī)層中再度結(jié)合而激起有機(jī)發(fā)光分子，并在該分子回到基底狀態(tài)時產(chǎn)生發(fā)光。
該種有機(jī)EL組件，可由有機(jī)發(fā)光分子獲得各種高亮度的光，另一方面，有機(jī)層對水分或氧氣等抵抗較弱，且機(jī)械強(qiáng)度也較低，因此，需要采取能夠保護(hù)有機(jī)層的措施，以避免水分或是氧氣等侵入有機(jī)層。
在保護(hù)的方法上，可利用保護(hù)膜覆蓋基板上所形成的有機(jī)EL組件的基板及其相反面，該種方法就薄型化、小型化、以及輕量化的觀點而言非常有利。
特開昭61-61397號公報為了實際上進(jìn)行有機(jī)EL面板的動作，必須在基板上形成外部連接用端子用以和驅(qū)動組件用的某種外部電源連接，同時必須使該端子露出。
另一方面，為了要形成具有良好覆蓋性的用以覆蓋有機(jī)EL組件用保護(hù)膜，一般認(rèn)為優(yōu)選在基板整個平面內(nèi)形成保護(hù)膜。因此，在端子的部分，采用在基板整個平面形成保護(hù)膜后，利用光刻法將保護(hù)膜以濕式蝕刻去除的方法，但為了確實保護(hù)有機(jī)層避免受到水分等的侵入，最好避免采用在有機(jī)層形成后再進(jìn)行濕蝕刻的方式。
因此，在形成上述保護(hù)膜時，不得不采用利用金屬掩模等選擇性地避免在端子部分形成保護(hù)膜的方式，若使用掩模而形成保護(hù)膜時，例如在旋轉(zhuǎn)涂布法等，保護(hù)膜的形成方法上，將不易采用可實現(xiàn)高度覆蓋性、平坦性的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題作出發(fā)明，其目的在于提供一種能夠連接形成在面板上的端子，又可避免對有機(jī)層造成不良影響的有機(jī)電場發(fā)光面板的制造方法。
本發(fā)明一種有機(jī)電場發(fā)光面板的制造方法，該有機(jī)電場發(fā)光面板在同一個面板基板上具有在下部電極與上部電極之間具備含有發(fā)光分子的有機(jī)層的有機(jī)電場發(fā)光組件；以及用以驅(qū)動該有機(jī)電場發(fā)光組件的外部連接用端子；該制造方法在覆蓋前述外部連接用端子的形成區(qū)域上，形成由激光吸收材料所組成的激光除去層，而在形成前述激光除去層之后，在基板整個平面形成保護(hù)膜，以覆蓋前述有機(jī)電場發(fā)光組件以及前述激光除去層并對前述激光除去層的形成區(qū)域，照射其波長可被前述激光吸收材料吸收的激光，以去除前述激光除去層以及形成其上的前述保護(hù)膜，并露出前述外部連接用端子的上面。
以可吸收激光的激光吸收材料覆蓋并形成于外部連接用端子上，再以激光選擇性照射由激光吸收材料所組成的激光除去層的形成區(qū)域時，在照射區(qū)域中，激光除去層會被加熱。而同時去除激光除去層以及形成于其上的保護(hù)膜，而得以露出激光除去層下面的端子。因此，可使保護(hù)膜無限制地形成于整個面板區(qū)域，并利用覆蓋性良好且均勻的保護(hù)膜覆蓋有機(jī)電場發(fā)光組件以確實保護(hù)有機(jī)層等。另一方面，由于利用激光照射的干蝕刻方式，故可在不對有機(jī)層造成影響的情況下，露出外部連接用端子。
本發(fā)明的其它方式形成有機(jī)絕緣層，以覆蓋分別形成于每一像素中的前述下部電極的各端部，同時在前述外部連接用端子的形成區(qū)域中形成前述有機(jī)絕緣層以作為前述的激光除去層。
根據(jù)本發(fā)明的其它方式，在面板基板上形成多個前述有機(jī)電場發(fā)光組件，并形成有機(jī)絕緣層，使該有機(jī)電場發(fā)光組件的前述有機(jī)層的至少一部分按每一個前述下部電極或前述上部電極分離，同時在前述外部連接用端子的形成區(qū)域中，形成前述的有機(jī)絕緣層以作為前述的激光除去層。
以此方式，即可將形成有機(jī)電場發(fā)光組件的步驟中所使用的有機(jī)絕緣層作為激光除去層來使用，而無須追加特別的工程，即可避免水分等侵入有機(jī)層內(nèi)部，并露出外部連接用端子。
此外，在本發(fā)明的其它形式中，前述有機(jī)絕緣層以及激光除去層，可以使用含有感光材料的平坦化絕緣層，由于使用含有感光材料的平坦化絕緣層，因而容易在基板整個平面形成平坦化絕緣層后，可在外部連接用端子的形成區(qū)域，與下部電極的端部區(qū)域以及下部或上部各電極的區(qū)域，選擇性地留下平坦化絕緣層。此外，因平坦化絕緣層的材料大多采用可選擇性吸收激光的材料，因此也可作為極佳的激光除去層。因此，可利用平坦化絕緣層使端子輕易露出。
另外，根據(jù)本發(fā)明的其它方式，前述保護(hù)膜可供前述激光穿透的激光穿透膜。因此，會減少在激光穿透膜的激光吸收，并由該激光穿透膜有效率地將激光照射于激光除去層，且同時去除該激光穿透膜與激光除去層。


圖1表示本發(fā)明的主動矩陣型有機(jī)EL面板的平面構(gòu)造。
圖2表示沿著1圖的A-A線的概略剖視圖。
圖3表示本發(fā)明的實施例1的主動矩陣型有機(jī)EL面板的制造步驟。
圖4說明本發(fā)明的實施例2的主動矩陣型有機(jī)EL面板的制造方法的概略剖視圖。
圖5表示本發(fā)明的實施例3的被動矩陣型有機(jī)EL面板的概略剖視圖。
符號說明10面板基板；12顯示部；14、14H、14V驅(qū)動電路；16層間絕緣層；18平坦化絕緣層；40平坦化絕緣層；42底層；50有機(jī)EL組件；52下部電極(陽極)；54上部電極(陰極)；60有機(jī)層；70端子；80保護(hù)膜；82第一保護(hù)膜；84第二保護(hù)膜；
具體實施例方式
以下，根據(jù)

本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式(以下簡稱為實施方式)。
實施例1圖1表示本發(fā)明實施方式的EL面板的概略平面構(gòu)造，圖2則表示沿著圖1的A-A線的剖視圖。
在玻璃等面板基板10上形成有排列多個像素的顯示部12，在各像素上分別設(shè)置有機(jī)EL組件50。有機(jī)EL組件50構(gòu)成為在下部電極與上部電極之間具有包含發(fā)光分子的有機(jī)層。
有機(jī)EL面板在本實施例1中屬于主動矩陣型，在各像素上形成可于每一像素中個別控制有機(jī)EL組件50的發(fā)光的開關(guān)組件(在此為薄膜晶體管TFT)。此外，以上下方的任一電極作為各像素的個別電極而與TFT連接，并使另一電極形成為共通電極。在本實施例中，下部電極52構(gòu)成個別電極并與TFT連接。下部電極52由ITO(氧化銦錫，Indium TinOxide)等透明導(dǎo)電材料組成以作為陽極使用，而上部電極54由Al等金屬材料組成以作為陰極使用，而由基板側(cè)依序?qū)臃e有下部電極52、有機(jī)層60、上部電極54，下部電極與上部電極分別發(fā)揮陽極與陰極的功能，由陽極注入空穴，而由陰極注入電子，使其在有機(jī)層中再度結(jié)合，并由此激發(fā)有機(jī)發(fā)光分子，使回到基底狀態(tài)所發(fā)出的光，得以穿透透明的下部電極52以及面板基板10側(cè)，而向外部射出。
在本實施方式的主動矩陣型有機(jī)EL面板中，在像素用的TFT中應(yīng)用在主動層中使用多晶硅的p-SiTFT，而在面板基板上10的顯示部分12的周圍，利用以與像素TFT相同的構(gòu)造同時形成的p-SiTFT來形成用以驅(qū)動該像素用的TFT的驅(qū)動電路14。
根據(jù)以上構(gòu)造，必須對一個玻璃基板上所構(gòu)成的有機(jī)EL面板供應(yīng)為了控制各像素的TFT而使用于驅(qū)動電路14的時鐘信號；為了決定各有機(jī)EL組件50的發(fā)光量而供給至像素TFT的數(shù)據(jù)信號；或是用以使電流實際流通于各有機(jī)EL組件50的陽極52、陰極54間的驅(qū)動電流源等外部信號以及功率。因此，如1圖所示，在面板基板10上的周邊部，設(shè)置外部連接用端子70(T1至Tn)，并使完成的面板端子70與外部的信號供給源或電源連接，以實際作為顯示裝置或發(fā)光裝置來使用。
外部連接用的端子70只要是導(dǎo)電性材料即可，并無特別的材料使用限制，但以使用形成于基板10上的配線以及電極材料等在面板制造工程中所使用的導(dǎo)電性材料，并在形成配線或電極時同時形成為佳。在本實施方式中，使用與有機(jī)EL組件50的下部電極52屬同一材料的ITO作為該端子材料，在ITO下部電極52的每一像素形成圖案時，同時于面板周邊區(qū)域形成端子70。但是，也可使用在下部電極52之前形成于基板10上的TFT的柵極電極材料(例如Cr)、以及源極或漏極電極或數(shù)據(jù)信號線材料(例如Al)。
如同前述，有機(jī)EL組件50的有機(jī)層特別容易受到水分或氧氣的破壞，因此為了提升組件的壽命及可靠性，必須防止水分或氧氣從外部侵入有機(jī)層。因此在本實施例中，同樣是在形成有機(jī)EL組件50的上部電極(在此為陰極)54后，才在基板10的組件形成面?zhèn)鹊恼麄€平面形成保護(hù)膜80以覆蓋有機(jī)EL組件50。
保護(hù)膜80采用多層構(gòu)造，因此會在組件側(cè)形成使用具備良好的表面覆蓋性且可形成厚層的TEOS(四乙基硅酸鹽)的SiO2層82，而在外側(cè)則形成厚度較厚，且較緊密(也即對水分等的遮蔽性較高)同時又具備良好的機(jī)械性強(qiáng)度的SiNX層84。
保護(hù)膜80雖不限于采用多層構(gòu)造，但是為了盡可能地確實覆蓋包含有機(jī)EL組件的基板上的錯層，最好采用可在基板整個平面一次形成的方式，在本實施方式中，首先形成保護(hù)膜80以覆蓋包含上述端子70在內(nèi)的整個基板。此外，保護(hù)膜80的材料不限于上述的TEOS(SiO2層)及SiNX層，但在本實施例中，如同后述者，端子露出時所使用的激光必須具有至少可到達(dá)平坦化絕緣層40的程度的激光穿透性。
在此，在本實施例1中，在端子70的形成區(qū)域上，選擇性地吸收照射于保護(hù)膜80與端子70之間以使端子露出的激光并引發(fā)燒蝕，由此在端子70上形成可自動移除的激光除去層。根據(jù)本實施例1，由采用該激光除去層，在基板整個平面形成保護(hù)膜80后，選擇性地以激光照射端子形成區(qū)域，而使激光除去層連同上述保護(hù)膜80一起去除，并露出端子70。
以下，進(jìn)一步參照3圖具體說明去除保護(hù)膜80，使端子露出的本實施例1的相關(guān)方法。
如3圖(a)所示，于玻璃等所構(gòu)成的面板基板10上，形成用以控制各有機(jī)EL組件50的TFT后，形成層間絕緣層16以覆蓋該TFT，在形成用以控制TFT的電極、配線后，以覆蓋基板整體的方式，形成平坦化絕緣層18。并在形成平坦化絕緣層18且在必要的位置形成接觸孔后，由層疊ITO層并進(jìn)行曝光、蝕刻，使之圖案化形成有機(jī)EL組件50的下部電極52與端子70的形狀。
接著，如3(b)圖所示，形成平坦化絕緣層40，以覆蓋下部電極52的端部。由于使用ITO并發(fā)揮陽極功能的下部電極52，分別與TFT連接，并依每一像素個別形成圖案，因此在每一像素中均存在有電極端部。在下部電極52的端部，較容易產(chǎn)生電場的集中現(xiàn)象。此外，一般而言有機(jī)層60較薄，因此可能導(dǎo)致陽極與陰極發(fā)生短路，而產(chǎn)生顯示不良的問題。為解決該問題，乃采用平坦化絕緣層40，并如3(b)圖所示，使之覆蓋下部電極52的各個端部，并填滿像素與像素間的空隙。此外，在本實施例中，在上述平坦化絕緣層40中，除了覆蓋下部電極52的端部覆蓋區(qū)域之外，為避免由真空蒸鍍法形成有機(jī)層60時所使用的蒸鍍掩模與已形成多層構(gòu)造的有機(jī)層的層接觸并造成損傷，而形成可支撐蒸鍍掩模的部分較厚的掩模支撐區(qū)域。當(dāng)然，除了由真空掩模所形成的有機(jī)層60之外，利用噴墨方式或其它印刷方式，在各像素形成有機(jī)層60時，為了覆蓋下部電極52的端部并使像素分離，最好使用相同的平坦化絕緣層40。
平坦化絕緣層40可以形成厚厚的一層，最好使用上方平坦性較高的材料，其中又以丙烯酸樹脂等有機(jī)絕緣材料等較佳。平坦化絕緣層40，首先在由旋轉(zhuǎn)涂布法層疊于覆蓋圖案化的各下部電極52的整個基板后，由選擇性蝕刻去除下部電極52的形成區(qū)域內(nèi)的端部以外的區(qū)域，以露出端部以外的下部電極52。然后在層疊的平坦化絕緣材料中事先混入感光劑，因含有感光劑之故，使平坦化絕緣層40圖案化時，無需另外形成光阻材料，而可利用掩模直接將平坦化絕緣層40予以曝光、蝕刻而獲得所希望的圖案。
在此，根據(jù)本實施例1，在作為各像素的發(fā)光區(qū)域的部分使平坦化絕緣層40開口以露出下部電極52的表面時，不將平坦化絕緣層40從面板周邊部的端子形成區(qū)域中予以去除，而繼續(xù)以平坦化絕緣層40加以覆蓋使端子70無法露出。
在平坦化絕緣層40的形成及圖案化后，于各像素中露出的下部電極52上形成有機(jī)層60。有機(jī)層60至少包含有機(jī)發(fā)光材料的層。舉例來說，具有自陽極(下部電極)52側(cè)，分別依照空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層等的順序?qū)盈B而成的多層構(gòu)造。由真空蒸鍍法形成有機(jī)層60的各層時，適當(dāng)?shù)卦诿恳幌袼刂惺褂镁邆溟_口部的蒸鍍掩模而成膜。由此，如3圖(C)所示一般，可由平坦化絕緣層40，形成依照每一像素隔開的有機(jī)層60。但是，要將有機(jī)層60作成單層構(gòu)造或多層構(gòu)造，或依照每一像素作成個別圖案，則可依照使用于有機(jī)層60的材料選擇最適當(dāng)?shù)臉?gòu)造、圖案。
在形成有機(jī)層60后，如3圖(d)所示，在各像素中形成共通的上部電極(陰極)54。上部電極54利用真空蒸鍍法層疊，例如Al而形成。面板的顯示部12外側(cè)等上部電極不需要的部分，會在蒸鍍Al時，以只在形成標(biāo)的區(qū)域開口的蒸鍍掩模加以覆蓋，并在蒸鍍Al的同時，將該Al層圖案化形成所希望的形狀。
如上所述，在有機(jī)EL組件50的上部電極54形成后，接著形成保護(hù)膜80，以自上部電極54上方覆蓋基板10的組件形成面?zhèn)鹊恼麄€平面。如上所述，保護(hù)膜80具有例如TEOS的SiO2所構(gòu)成的第1保護(hù)膜82與由SiNX層所構(gòu)成的第2保護(hù)膜84的疊層構(gòu)造，第1以及第2保護(hù)膜82，84均在不使用金屬掩模的情況下，分別形成于基板的組件形成面?zhèn)鹊恼麄€平面。因此在端子的形成區(qū)域中，端子70從覆蓋該端子70而形成的平坦化絕緣層40上，透過保護(hù)膜80加以覆蓋。
在保護(hù)膜80形成后，如3圖(e)所示，為了要使端子70露出，而從基板的組件形成側(cè)朝端子形成區(qū)域照射激光。由此，如2圖所示，可去除用以覆蓋端子70的平坦化絕緣層40與保護(hù)膜80。此外，在3圖(e)中，省略TFT的形成層，而顯示陽極52層的上一層。而照射的激光，選擇其波長不被保護(hù)膜80的材料的TOS(SiO2)或是SiNX所吸收，而可由平坦化絕緣層40的材料的合成樹脂選擇性地吸收，但無法到達(dá)形成于平坦化絕緣層40的下面的ITO端子的激光。
由照射該種波長的激光，覆蓋端子形成區(qū)域而形成的平坦化絕緣層40會吸收激光，使覆蓋端子70上方的平坦化絕緣層40迅速加熱并引發(fā)燒蝕，而將激光所照射的平坦化絕緣層40與其上方的保護(hù)膜80同時去除。如此即可將保護(hù)膜80連同平坦化絕緣層40進(jìn)行所謂的干蝕刻，而得以在平坦化絕緣層40的形成區(qū)域中，選擇性地使形成于其下層的端子70露出。然后，由在露出的端子70上連接必要的信號源、電源(例如驅(qū)動電源、陰極電源等)，即可使其發(fā)揮顯示裝置或是發(fā)光裝置的功能。此外，激光的照射區(qū)域由進(jìn)行光學(xué)系調(diào)整使其到成為預(yù)定的照射區(qū)域，或由端部進(jìn)行激光束掃描，或在激光光源與面板之間配置只在端子形成區(qū)域形成開口的掩模等方法來加以限定。
在本實施例中，關(guān)于將覆蓋端子70的平坦化絕緣層40與保護(hù)膜80選擇性去除的激光，可采用YAG激光或是準(zhǔn)分子激光，其中基于裝置成本低廉的理由而以YAG激光最佳。此外，YAG激光最好采用三次高諧波(355nm；基本波長1064nm)。透過使用355nm波長的激光，可如上述一般穿透保護(hù)膜80，并由平坦化絕緣層40所吸收，而無法到達(dá)由ITO等所組成的端子70，而得以在端子70與應(yīng)去除的平坦化絕緣層40之間取得充分的選擇比。因此不僅不會對端子70造成損害，且可確實去除用以覆蓋該端子70的平坦化絕緣層40與保護(hù)膜80。
此外，如上所述，由使用最適當(dāng)?shù)牟ㄩL作為照射用激光，在由保護(hù)膜80側(cè)進(jìn)行照射時，不會到達(dá)端子70，因此如上述一般，端子材料并不限于與有機(jī)EL組件50的上部電極(陽極)52相同的ITO，也可使用材質(zhì)與TFT的柵極電極或數(shù)據(jù)線等的信號配線相同的金屬材料。此外，也可由使用最適當(dāng)?shù)牟ㄩL作為照射用激光，而由玻璃基板側(cè)照射激光，并透過ITO膜在平坦化絕緣層40產(chǎn)生燒蝕，以同時去除保護(hù)膜與平坦化絕緣層。
實施例2接著，在實施例2方面，就在疊層構(gòu)造式保護(hù)膜80的任一層、例如最外層等中使用金屬材料時的端子露出方法進(jìn)行說明。
如上述一般，當(dāng)保護(hù)膜80內(nèi)含有金屬材料層時，激光便無法穿透保護(hù)膜80。因此，在本實施例21中，如4圖所示，并非由保護(hù)膜80側(cè)，而是由玻璃等透明面板基板10側(cè)向端子照射激光。
在該情況下使用的激光與實施例1相同，例如可采用YAG激光，其中又以例如2次高諧波(532mm)等具較長波長的激光為佳。此外，端子70的材料以采用例如ITO等透明導(dǎo)電材料為佳。另外，形成于有機(jī)EL組件50的下部電極52下層的平坦化絕緣層18的材料，最好使用TEOS(SiO2層)等不會吸收激光的材料。
在滿足上述條件時，從基板10側(cè)照射波長為532nm左右的激光時，激光會由玻璃基板10穿透到ITO端子70，并由用以覆蓋ITO端子70的平坦化絕緣層40所吸收。此外，該激光雖會穿透平坦化絕緣層40某種程度，但會在保護(hù)膜80的金屬層產(chǎn)生反射與吸收。
因此，在該情況下，用以覆蓋ITO端子70的平坦化絕緣層40同樣會吸收激光，而引發(fā)燒蝕，并且可同時去除上層的保護(hù)膜80，以露出ITO端子70的表面。
實施例3實施例3說明采用與實施例1以及實施例2的主動矩陣型有機(jī)EL面板不同的所謂被動矩陣型有機(jī)EL面板時的端子露出方法。
在被動矩陣型有機(jī)EL面板中，各像素上并不會形成上述實施例1、2的TFT，各像素由二極管構(gòu)造的有機(jī)EL組件所構(gòu)成，而該有機(jī)EL組件設(shè)在于基板上分別形成直條狀的下部電極與上部電極且在其中間夾置有機(jī)層并相互垂直的區(qū)域。
在上述的被動矩陣型有機(jī)EL面板中，為避免在像素間產(chǎn)生漏光、或在全彩面板上產(chǎn)生混色等問題，而將有機(jī)層中的至少發(fā)光層依各像素予以分離。此外，在該情況下，在形成下部電極(在此為透明陽極)52后，以實施例1與實施例2中使用于平坦化絕緣層40的包含感光劑的丙烯系樹脂形成有機(jī)絕緣層。
5圖表示本實施例3的沿著被動型有機(jī)EL面板的一個下部電極52位置的概略剖面構(gòu)造。在朝列方向延伸的下部電極52上，依照每1像素區(qū)域，形成由有機(jī)絕緣材料所構(gòu)成的剖面呈倒錐狀、且朝行方向延伸的底層42。此外，在形成有機(jī)EL組件50的下部電極52時，于面板基板的周邊，形成由與該下部電極52相同的例如ITO所構(gòu)成的端子70，并在上述底層42圖案化時，選擇性地在端子70的上保留用以吸收激光的底層42。
在底層42形成圖案后，由真空蒸鍍法等配合需要使用蒸鍍掩模，同時堆積有機(jī)層60。由于對應(yīng)一個下部電極52，于橫切下部電極52的方向形成多個底層42，因此有機(jī)層60由各底層42分割于各行中。
在由底層42分割的有機(jī)層60上，形成有沿著底層42朝行方向延伸的直條狀A(yù)l等所構(gòu)成的上部電極54，而在上部電極54與下部電極52之間夾置有機(jī)層60的交錯部位，則形成各像素。
于形成上部電極54后，形成與上述實施例1相同的保護(hù)膜80，而使之覆蓋包含上部電極54在內(nèi)的基板組件形成面并由該保護(hù)膜80覆蓋形成于端子70上方的底層42。
在保護(hù)膜80形成后，與實施例1相同，從保護(hù)膜80側(cè)對端子形成區(qū)域選擇性地照射例如YAG激光的3次高諧波。由此，與實施例1相同，會使由覆蓋端子70而形成的有機(jī)絕緣材料所構(gòu)成的底層42受到加熱，而引發(fā)燒蝕，而在去除上層保護(hù)膜80的同時去除底層42，使端子70露出。
如上述說明，根據(jù)本發(fā)明，由于可由選擇性地照射激光，使端子露出，因此得以在基板整個平面形成保護(hù)膜，并在覆蓋性良好的情況下，以保護(hù)膜覆蓋有機(jī)EL組件。
此外，可采用使用于有機(jī)EL組件的形成步驟的有機(jī)絕緣層以作為激光除去層，由此在不另外追加特別步驟的狀態(tài)下選擇性地在端子上形成激光除去層。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電場發(fā)光面板的制造方法，該有機(jī)電場發(fā)光面板在同一個面板基板上具有在下部電極與上部電極之間具備含有發(fā)光分子的有機(jī)層的有機(jī)電場發(fā)光組件；以及用以驅(qū)動該有機(jī)電場發(fā)光組件的外部連接用端子；其特征為，該制造方法包括在覆蓋前述外部連接用端子的形成區(qū)域，形成由激光吸收材料所組成的激光除去層，在形成前述激光除去層之后，在基板整個平面形成保護(hù)膜，以覆蓋前述有機(jī)電場發(fā)光組件以及前述激光除去層，對前述激光除去層的形成區(qū)域，照射其波長可被前述激光吸收材料吸收的激光，以去除前述激光除去層以及形成于其上的前述保護(hù)膜，并露出前述外部連接用端子的上面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電場發(fā)光面板的制造方法，其中，形成有機(jī)絕緣層以覆蓋個別形成于每一個像素上的前述下部電極的端部，同時，在前述外部連接用端子的形成區(qū)域中，形成前述有機(jī)絕緣層以作為前述激光除去層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電場發(fā)光面板的制造方法，其中，在面板基板上形成多個前述有機(jī)電場發(fā)光組件，再形成有機(jī)絕緣層，使該有機(jī)電場發(fā)光組件的前述有機(jī)層的至少一部分得以按各前述下部電極與前述上部電極而分離，同時，在前述外部連接用端子的形成區(qū)域中，形成前述有機(jī)絕緣層以作為前述激光除去層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電場發(fā)光面板的制造方法，其中，前述有機(jī)絕緣層以及激光除去層含有感光材料的平坦化絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的有機(jī)電場發(fā)光面板的制造方法，其中，前述保護(hù)膜可供穿過前述激光的激光穿透膜，當(dāng)照射前述激光光時即可與前述激光除去層同時去除。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)電場發(fā)光面板的制造方法，其目的在于使面板的端子得以在確實且高質(zhì)量地露出，在形成有機(jī)EL組件或是形成用以驅(qū)動有機(jī)EL組件的TFT時所形成的端子上，形成作為激光除去層發(fā)揮作用的有機(jī)絕緣材料，優(yōu)選是形成制造有機(jī)EL面板時所使用的有機(jī)絕緣材料。在形成有機(jī)EL組件后形成保護(hù)膜使其覆蓋面板基板整個平面上，對由保護(hù)膜所覆蓋的端子上的有機(jī)絕緣材料構(gòu)成的層照射該層可吸收的激光，使該層產(chǎn)生燒蝕，可同時去除由該有機(jī)絕緣材料所形成的層和位于其上方的保護(hù)膜，使端子得以露出。
文檔編號B05D5/12GK1501750SQ20031011364
公開日2004年6月2日 申請日期2003年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月14日
發(fā)明者西川龍司 申請人:三洋電機(jī)株式會社