一種磁控濺射鍍膜的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明屬于高分子化合物技術領域，具體涉及一種磁控濺射鍍膜。
【背景技術】
[0002] 隨著電子信息、新材料、新能源等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，薄膜晶體管、太陽能電池、主動 有機發(fā)光二極管等取得較大進步，當前作為前端材料，主要采用玻璃基底、不銹鋼基底等， 未來這一發(fā)展趨勢將主要集中在柔性可彎曲產(chǎn)品上，特別是柔性太陽能電池、柔性顯示屏、 智能手機、平板電腦等產(chǎn)品的出現(xiàn)，勢必增加對柔性基底材料的巨大需求。柔性基底材料主 要包含PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯），PI (聚酰亞胺）、PE (聚乙烯）、超薄玻璃等，當前主要 采用PET基底，作為透明導電膜的柔性基底，相對而言，PI具有最高級別的耐熱性、不燃燒、 高韌性、低介電損耗、耐寒性、抗氧化性、耐輻射性、耐化學性、良好的機械和電氣特性，成為 未來在微電子、柔性太陽能電池、柔性顯示器、智能手機、平板電腦等領域取代PET基底的 更優(yōu)秀材料。
[0003] 以柔性太陽能電池為例，其一般結構為：柔性基底/導電膜層/CIGS或PIN結 (a-Si或μ-Si)，作為前端材料，在柔性基底上沉積透明導電膜層是最重要組成部分，其他 應用方向結構類似。目前在柔性基底上的沉積方法包含CVD (化學氣相沉積）、PVD (物理氣 相沉積）[6-8]等，其中化學方法在生產(chǎn)過程中會帶來較大的有毒化學氣體排放，從而造成 污染。非平衡磁控濺射[9,10]是PVD的一種，具有低溫（基底需加熱至200度以上）、沉 積速率高、膜層附著力強等優(yōu)點，且在生產(chǎn)過程中，僅有少量工藝氣體排放，相對化學方法 而言可忽略不計。柔性基底磁控濺射鍍膜目前主要采用PET基底，為提高附著力、降低方塊 電阻等性能要求，一般需要對基底進行加熱，但PET在150度以上其本身性能參數(shù)會大幅下 降，由于加熱可能引起基底扭曲，導致薄膜厚度不均勻，方塊電阻和透光率等其它參數(shù)也將 受到較大影響，另一方面，基底的變形也會造成機械性能的損失。
[0004] 鑒于PET基底以上缺點，未來產(chǎn)品應用將主要選擇透明聚酰亞胺作為基底，聚酰 亞胺具有更加優(yōu)秀的耐熱性、物理化學穩(wěn)定性，耐高溫高達400度以上，且在-200~300度 內(nèi)可長期使用，這一范圍為低溫甚至常溫磁控濺射鍍膜提供了便利條件，但考慮到下游應 用要求（如太陽能電池、柔性顯示器等），對透明導電薄膜主要求為均勻性高、非晶結構等， 應采用更低的基底溫度。從磁控濺射角度來看，考慮到濺射過程本身基底的加熱問題帶來 的諸如均勻性、生產(chǎn)效率、良品率等要求，國內(nèi)外研宄團隊已經(jīng)開始著力研宄低溫（100~ 200度基底溫度）磁控濺射鍍膜工藝，甚至開始進行常溫鍍膜工藝的探索研宄。一方面用于 解決基底加熱問題，另一方面用于提高產(chǎn)品性能。但對于非平衡磁控濺射鍍膜工藝研宄，尚 存在幾個缺點：（1)研宄主要限于某一單一應用上的膜層；如僅研宄金屬膜層、ΙΤ0(氧化銦 錫）膜層、AZO(氧化鋅鋁）膜層；（2)缺乏常溫磁控濺射鍍膜工藝的統(tǒng)一整體的理論規(guī)律探 索；（3)在大面積鍍膜工藝的實際應用上尚有欠缺，主要集中在實驗室階段。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種磁控濺射鍍膜。
[0006] 本發(fā)明的目的還在于提供一種磁控濺射鍍膜的制備方法。
[0007] -種磁控濺射鍍膜，該鍍膜包括如下重量份數(shù)的物質：15-2500份聚酰亞胺，磁粉 2-5份，偶聯(lián)劑2-8份，1-2份碳納米管。
[0008] 所述偶聯(lián)劑為硅烷、鈦酸酯或三異硬脂酰基鈦酸異丙酯。
[0009] 所述聚酰亞胺由40摩爾份的第一雙胺，60摩爾份的第二雙胺，與100摩爾份的雙 酸酐共聚而成，
[0010] 其中，該第一雙胺的結構如下：
【主權項】
1. 一種磁控瓣射鍛膜，其特征在于，該鍛膜包括如下重量份數(shù)的物質；15-2500份聚酷 亞胺，磁粉2-5份，偶聯(lián)劑2-8份，1-2份碳納米管。
2. 根據(jù)權利要求1所述一種磁控瓣射鍛膜，其特征在于，所述偶聯(lián)劑為硅烷、鐵酸醋或 =異硬脂酷基鐵酸異丙醋。
3. 根據(jù)權利要求1所述一種磁控瓣射鍛膜，其特征在于，所述聚酷亞胺由40摩爾份的 第一雙胺，60摩爾份的第二雙胺，與100摩爾份的雙酸酢共聚而成， 其中，該第一雙胺的結構如下：
4. 權利要求1所述磁控瓣射鍛膜的制備方法，其特征在于，按照如下步驟進行： (1) 在室溫下，將40摩爾份的第一雙胺，60摩爾份的第二雙胺與100摩爾份的雙酸酢 加入到反應蓋，氮氣保護下溶解到1-1.化的間甲酪溶液中，攬拌均勻后，加入0. 3-0. 5g異 嗟咐，升溫至200°C，反應4-8小時，冷卻后將反應液倒入己醇析出，制成聚酷亞胺樹脂； (2) 將2-5g磁粉和3-5g碳納米管放在20g有機溶劑中，加入3-8g偶聯(lián)劑，經(jīng)高剪切分 散機加W高溫處理后預先分散，處理溫度為200-800°C; (3) 將合成的聚酷亞胺樹脂和處理好的磁粉，碳納米管經(jīng)攬拌反應蓋攬拌，攬拌速度 1000巧m，攬拌時間1-化制成膜液； (4) 將膜液壓入脫泡蓋，在真空條件下脫去膜液中的氣泡； (5) 將脫泡后的膜液放入流延機加W流延形成厚度均勻的聚酷亞胺薄膜基片； (6) 將聚酷亞胺薄膜基片放入磁控瓣射鍛膜裝置中瓣射，制成磁控瓣射鍛膜。
5. 根據(jù)權利要求4所述磁控瓣射鍛膜的制備方法，其特征在于，所述有機溶劑為二甲 基己酷胺，二甲亞諷、N，N-二甲基己酷胺、N，N-二甲基甲酯胺、二甲基亞諷或N-甲基化咯 焼酬。
【專利摘要】本發(fā)明公開了屬于高分子化合物技術領域的一種磁控濺射鍍膜。該鍍膜包括如下重量份數(shù)的物質：15-2500份聚酰亞胺，磁粉2-5份，偶聯(lián)劑2-8份，1-2份碳納米管。本發(fā)明制備的磁控濺射鍍膜膜厚大于700nm時，可見光平均透過率大于80％，方塊電阻小于10Ω.m，ITO-Glass電阻低至20Ω.m以內(nèi)，ITO-PET方塊電阻低至35Ω.m，透光率達85-88％以上，可滿足大多數(shù)光電產(chǎn)品的要求。
【IPC分類】C08K7-24, C23C14-35, C08G73-10, C08L79-08, C08J5-18, C08K9-04, C08K9-06
【公開號】CN104788954
【申請?zhí)枴緾N201510209818
【發(fā)明人】徐偉偉, 劉戰(zhàn)合, 張克杰, 李秋影
【申請人】江蘇亞寶絕緣材料股份有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2015年4月29日