實施方式涉及在肩部具有改進(jìn)的晶體質(zhì)量的單晶硅錠、以及用于制造該單晶硅錠的方法。
背景技術(shù)：
：通常，主要采用浮區(qū)法(floatingzonemethod,fz)或丘克拉斯基法(czochralskimethod,cz)作為用于制造單晶硅的方法。如果單晶硅錠采用fz法進(jìn)行生長，很難制造具有大直徑的硅晶片并且工藝成本非常高。因此，單晶硅錠通常采用cz法進(jìn)行生長。根據(jù)cz法，將多晶硅加入到石英坩鍋中，并通過加熱石墨加熱元件進(jìn)行熔融，將晶種浸沒于所獲得的熔融硅液中，在熔融液界面上發(fā)生結(jié)晶，從而，旋轉(zhuǎn)并牽拉晶種，由此生長單晶硅錠。在使用cz法的單晶生長過程中，進(jìn)行縮頸過程(其中，由晶種生長細(xì)長晶體)，在縮頸過程后進(jìn)行放肩過程(其中，晶體沿直徑方向生長以具有所期望的直徑)，然后，進(jìn)行主體生長過程(其中，晶體進(jìn)行生長以具有均勻直徑)。在完成主體生長至指定長度之后，進(jìn)行收尾過程(其中，晶體直徑緩慢降低以使得晶體與熔融硅液分離)。特別是，在硅單獨(dú)生長期間，在單晶直徑快速增長的放肩過程中，根據(jù)工藝條件，錯位發(fā)生率可能增加，因此，需要優(yōu)化牽拉速度、熔融硅液的溫度條件等。技術(shù)實現(xiàn)要素：技術(shù)問題實施方式提供用于制造單晶硅錠的方法以及由該方法制造的單晶硅錠，所述方法可以控制肩部形狀以降低肩部的錯位。技術(shù)方案在一種實施方式中，用于使用單晶硅生長裝置制造單晶硅錠的方法包括生長頸部、生長肩部、以及生長主體部，其中，肩部的生長包括：第一操作，其將肩部的牽拉速度從第一牽拉速度降低到第二牽拉速度、并將過程溫度下降管理值從第一管理值降低到第二管理值；以及第二操作，其維持肩部的第二牽拉速度并維持第二管理值，所述裝置包括腔室、設(shè)置在所述腔室內(nèi)并容納熔融硅液的坩堝、設(shè)置在坩堝外以加熱坩堝的加熱器、設(shè)置在所述腔室內(nèi)的熱屏蔽部件、以及用于牽拉由熔融硅液生長的單晶的牽拉部件。在一個實施方式中，通過上述單晶硅錠制造方法制造的單晶硅錠包括頸部、肩部和主體部。有益效果單晶硅錠和用于根據(jù)實施方式制造該單晶硅錠的方法同時改變了單晶的牽拉速度和溫度條件，并由此可以反復(fù)重現(xiàn)肩部形狀，并且由于反復(fù)重現(xiàn)肩部形狀，可以獲得質(zhì)量改進(jìn)且錯位發(fā)生頻率低的單晶硅錠。附圖說明圖1是顯示根據(jù)一個實施方式的單晶硅生長裝置的圖。圖2是顯示根據(jù)肩部的生長過程進(jìn)展時間的過程管理值比例的曲線圖。圖3是顯示根據(jù)熔融間隙的肩部熱應(yīng)力分布圖。圖4a是顯示單晶硅錠構(gòu)型的圖。圖4b是顯示根據(jù)一個實施方式的肩部的圖。圖5a和5b是顯示根據(jù)肩部形狀的熱應(yīng)力分布圖。圖6是顯示根據(jù)一個實施方式的肩部形狀的圖。圖7是顯示根據(jù)肩部形狀的熱應(yīng)力分布圖。圖8是顯示根據(jù)肩部形狀的熱應(yīng)力值曲線圖。圖9是顯示主體部電阻率值分布的圖表。具體實施方式下面，將參考附圖和說明書對實施方式進(jìn)行描述。在以下說明中，顯示各種具體元件，例如組成元件。這些元件的說明僅是為了更好地理解本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解可以在不背離所附權(quán)利要求書揭示的本發(fā)明精神和范圍的基礎(chǔ)上，對本發(fā)明進(jìn)行各種改良、補(bǔ)充以及替代具體元件。在實施方式的以下說明中，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)描述一種元件在另一元件“之上”或“之下”形成的時候，兩個元件可以直接接觸或可存在位于這兩者之間的一個或多個插入元件。此外，還應(yīng)理解在一個元件“之上”或“之下”可以包括元件的下方以及上方。附圖中，為了方便且清楚地進(jìn)行說明，各層的厚度和尺寸可能夸大、省略、概略顯示。進(jìn)一步，各元件的尺寸并不是指其實際尺寸。圖1顯示了根據(jù)一個實施方式的單晶硅生長裝置，其中，實施了用于制造單晶硅錠的方法。根據(jù)該實施方式的單晶硅生長裝置1000包括：腔室10、容納熔融硅液(sm)的坩堝30、位于坩堝外的加熱器20、位于所述腔室內(nèi)的熱屏蔽部件、固定用于生長單晶硅錠的晶種(未顯示)的晶種夾頭、以及用于使得單晶硅錠向上移動的牽拉部件(未顯示)?？梢孕纬蓤A柱形腔室10，設(shè)置有在其內(nèi)形成的腔體，并且牽拉室(未顯示)可以位于腔室10以上，以與腔室10連通。容納熔融硅液(sm)的坩堝30位于腔室10內(nèi)。坩堝30可以位于腔室10的中心區(qū)域，并且具有常規(guī)的凹形容器形狀。進(jìn)一步，坩堝30可以包括直接接觸熔融硅液(sm)的石英坩堝部件、以及圍繞石英坩堝部件外表面且支撐石英坩堝部件的石墨坩堝部件。晶種夾頭可以位于坩堝30上方。晶種夾頭用于固定晶種，該晶種用于生長單晶硅錠，并且晶種夾頭可以包括牽拉部件以在單晶錠生長過程期間向上牽拉所生長的錠。向坩堝30供熱的加熱器20可以位于坩堝30側(cè)面處。加熱器20可以與坩堝30的外周表面間隔開，并位于坩堝30外側(cè)，并且加熱器20可以具有圓柱形形狀以圍繞坩堝30的側(cè)面部分。進(jìn)一步，用來冷卻已生長的單晶錠的水冷卻管60可以位于腔室10的上部。熱屏蔽部件40可以位于單晶生長裝置的腔室10內(nèi)，以保存由加熱器20加熱的坩堝30內(nèi)的熱量。熱屏蔽部件40可以位于加熱器20和腔室10之間，并且包括位于坩堝30上部的上熱屏蔽部件、位于坩堝30側(cè)面的側(cè)熱屏蔽部件、以及位于坩堝30下部的下熱屏蔽部件，但是，熱屏蔽部件40的位置不限于此。熱屏蔽部件40可以使用材料設(shè)計為一個形狀，以在加熱器20和坩堝30中獲得最佳熱分布，并最大程度利用熱能而沒有損耗。在使用如圖1所示單晶硅生長裝置制造單晶硅錠時，單晶硅錠以頸部、肩部和主體部的順序進(jìn)行連續(xù)生長。在用于根據(jù)該實施方式制造單晶硅錠的方法中，肩部的生長包括：第一操作，其將肩部的牽拉速度從第一牽拉速度降低到第二牽拉速度、并將過程溫度下降管理制度從第一管理值降低到第二管理值；以及第二操作，其維持肩部的第二牽拉速度并維持第二管理值。在肩部生長的第一操作中，肩部的牽拉速度隨著過程進(jìn)展時間流逝而逐步降低。也就是說，隨著肩部生長的高度增加，肩部的牽拉速度可以降低。進(jìn)一步，在肩部生長的第一操作中，過程管理溫度可以連續(xù)降低，并且降低溫度的下降管理值可以隨著過程進(jìn)展時間流逝而降低。在肩部生長的第二操作中，肩部的牽拉速度可以進(jìn)行控制以保持均一。進(jìn)一步，同時，在肩部生長的第二操作中，過程管理溫度可以連續(xù)降低，但是降低溫度的下降管理值可以進(jìn)行控制以保持均一。以下表1描述了在肩部生長期間牽拉速度和過程溫度下降管理值隨過程進(jìn)展時間流逝而改變。表1參見表1，時間表示肩部生長期間的過程進(jìn)展時間，并且溫度下降管理值表示在肩部生長期間的溫度控制值，即，表示溫度管理值的下降。例如，在肩部生長的同時，溫度管理值降低35點(diǎn)，并且隨著過程進(jìn)展時間流逝，溫度管理值另外降低26點(diǎn)、22點(diǎn)和20點(diǎn)。此處，通過溫度管理值控制的肩部過程溫度隨時間流逝而連續(xù)降低。溫度管理值是過程管理值中的一個，可以是控制肩部生長的裝置中的溫度管理值，即，自動溫度控制器(atc)的溫度管理值。例如，1點(diǎn)的變化可以對應(yīng)于0.5℃的變化。參見表1，例如，如果在肩部生長開始點(diǎn)處的溫度為1800℃，在肩部生長初始階段的過程溫度管理值下降35點(diǎn)，即，可以控制溫度從1800℃降低17.5℃。接著，額外實施26點(diǎn)的溫度下降，并且由此，可以控制溫度進(jìn)一步下降13℃。也就是說，表1的溫度下降管理值可以是連續(xù)降低過程溫度的管理值。表1的牽拉速度可以是肩部的牽拉速度。可以根據(jù)過程進(jìn)展時間控制初始階段的肩部牽拉速度降低，并且在指定時間后，牽拉速度可以保持在指定值。例如，參考表1，從肩部生長開始直到過去36分鐘為止，肩部的牽拉速度從0.88mm/min線性降低至0.81mm/min。進(jìn)一步，在生長過程中，在36分鐘之后，牽拉速度可保持在0.80mm/min。在表1中，牽拉速度降低且過程溫度下降管理值降低的第一操作可以是直至過程進(jìn)展時間過去24分鐘為止的操作。也就是說，第一牽拉速度可以是在牽拉速度保持均一之前的肩部牽拉速度，即，是隨時間流逝而降低的值，并且第二牽拉速度可以是保持均一的肩部牽拉速度，例如，表1所公開實施方式中的0.80mm/min。進(jìn)一步，作為過程溫度下降管理值，第一管理值可以是溫度值，其降低以使得溫度降低程度隨時間流逝下降，并且保持均一的第二管理值可以是在溫度降低程度保持均勻的區(qū)域內(nèi)的管理值。在24分鐘后進(jìn)行的生長過程可對應(yīng)于肩部生長的第二操作，在該生長過程中保持第二牽拉速度并保持第二管理值。然而，表1中所述牽拉速度值和溫度下降管理值僅是示例性的，并且在根據(jù)實施方式制造單晶硅錠的方法中，牽拉速度和溫度下降管理值并不限于此。在表1中，比例可以是通過將牽拉速度除以溫度下降管理值獲得的值。也就是說，比例可以是牽拉速度相對于溫度管理值變化的比例。例如，如果溫度下降管理值定義為△t，那么比例等于(牽拉速速)/(△t)。參見表1的結(jié)果，直到過程進(jìn)展時間達(dá)到24分鐘為止，牽拉速度相對溫度變化值的比例趨向于逐步增加，并且在24分鐘后，該比例趨向于保持均一。因此，在表1的實施方式中，直至過程進(jìn)展時間達(dá)到24分鐘為止的操作可以對應(yīng)于肩部生長過程的第一操作，并且在24分鐘過程進(jìn)展時間后的操作可以對應(yīng)于肩部生長過程的第二操作。也就是說，肩部生長可以包括比例值逐步增加的第一操作和比例值保持均一的第二操作。圖2是表示比例(牽拉速度/△t)值隨時間推移變化的曲線圖。也就是說，參考表1和圖2，第一操作中牽拉速度相對過程溫度下降管理值的比例可以隨肩部高度增加而增加，并且，例如，該比例隨肩部高度增加而線性增加。進(jìn)一步，在指定時間過去后，不管肩部生長過程的進(jìn)展時間，該比例可以保持均一。此處，在增加的比例值開始保持均一的位置可以是肩部的一個部位(portionoftheshoulderpart)，在該部位，在水平方向上單晶生長快速增加，例如，如下文所述，肩部的一個部位對應(yīng)于根據(jù)實施方式的單晶硅錠的上肩部和下肩部之間的界限。在根據(jù)上述實施方式制造單晶硅錠的方法中，肩部的生長可包括：將熔融間隙控制在大于30mm且小于38mm。再次參考圖1，熔融間隙g可以是在熱屏蔽部件40和熔融硅液sm之間的間隙。在肩部生長時，肩部邊緣處的熱分布通過控制熔融間隙進(jìn)行控制。例如，在肩部邊緣處的熱應(yīng)變可以通過將熔融間隙g調(diào)整在30mm～38mm進(jìn)行最小化。進(jìn)一步，更優(yōu)選，熔融間隙控制在33mm～35mm的范圍內(nèi)。圖3是顯示肩部熱應(yīng)力分布的圖。在圖3中，(a)顯示了熔融間隙小于30mm情況下的肩部熱應(yīng)力分布，(b)顯示了熱間隙為33mm～35mm情況下的肩部熱應(yīng)力分布，并且(c)顯示了熔融間隙超過38mm情況下的肩部熱應(yīng)力分布。參考圖3，在熔融間隙低于30mm或超過38mm的(a)和(c)的情況下，肩部邊緣的熱應(yīng)力值分別為12.82mpa和11.83mpa，皆大于(b)，并且這表示邊緣的熱分布是密集的。也就是說，可以理解在圖3的(b)的情況下，肩部的溫度分布簡單，并且肩部的熱應(yīng)力值最低，即，10.15mpa。因此，通過將熔融間隙g調(diào)整在30mm～38mm，可以降低肩部的熱應(yīng)力，由此可改進(jìn)晶體質(zhì)量。在下文中，通過上述單晶硅錠制造方法制造的根據(jù)實施方式的單晶硅錠將參考附圖進(jìn)行說明，并且大體上與單晶硅錠制造方法相同的詳細(xì)說明部分由于被認(rèn)為是不需要的而被略去。圖4a是簡略顯示單晶硅錠構(gòu)型的圖。參考圖4a，單晶硅錠可以包括頸部100、肩部110和主體部120。也就是說，單晶硅錠的生長可以從頸部開始，并以頸部、肩部和主體部的順序進(jìn)行，如該附圖中示例性地顯示。在圖4a中，單晶的直徑可以從頸部和肩部之間的界限105開始進(jìn)行增加，具有均一直徑的單晶硅可以從肩部和主體部之間的界限116開始生長，并且肩部的側(cè)面形狀可以在上肩部111和下肩部115之間的界限113處發(fā)生變化。圖4b是簡略顯示如圖4a所示單晶硅錠的肩部110的圖。例如，圖4b可以對應(yīng)于牽拉方向上的肩部橫截面圖。參考圖4b，肩部110可以包括上肩部111和下肩部115。在圖4b的實施方式中，肩部可以包括上肩部111和下肩部115，所述上肩部111具有直線側(cè)面111a且直徑沿著朝向主體部的方向徑逐步增加，所述下肩部115從上肩部開始延伸，具有凸形彎曲表面，且直徑沿著朝向主體部的方向逐步遞增。進(jìn)一步，上肩部的高度a可以是肩部總高度b的20％～30％。在圖4b中，上肩部111的橫截面形狀可以是三角形，其中，對應(yīng)于肩部側(cè)面的兩側(cè)邊彼此對稱，并且上肩部可以制造為錐形。上肩部111的直徑隨著肩部生長而增加。例如，上肩部直徑可隨著肩部高度的增加而線性增加。也就是說，上肩部的側(cè)面111a可以生長以成為直線型。下肩部115的直徑可以隨著肩部高度增加而逐步增加。進(jìn)一步，下肩部的側(cè)面115a可以是彎曲的，即，具有向上凸起的形狀。在圖4b中，上肩部和下肩部之間的界限可以是水平方向上單晶硅生長的部分。也就是說，如果單晶硅的生長方向是方向{100},則上肩部111和下肩部115之間的界限113可以是單晶硅的表面{111}從其上開始生長的部分。在圖4b中，上肩部的高度a可以是肩部總高度b的20％～30％，并且該上肩部比例可以在上述單晶硅錠制造方法的第一操作中進(jìn)行控制。例如，根據(jù)牽拉速度降低且溫度下降管理值逐步降低的第一操作控制上肩部高度。在圖4b中，下肩部的曲率可以在上述單晶硅錠制造方法的第二操作中進(jìn)行控制。例如，在其中牽拉速度對溫度下降管理值的比例保持均一的操作中，可以形成具有凸形彎曲表面的下肩部。圖5a和5b是顯示根據(jù)肩部形狀的熱應(yīng)力分布圖。圖5a顯示肩部形狀以及其中的熱應(yīng)力分布，肩部通過用于制造單晶硅錠的僅控制肩部牽拉速度的常規(guī)方法制造。在圖5a中，在肩部側(cè)面的梯度發(fā)生變化的位置(顯示為虛線)，可將肩部形狀劃分為上肩部111和下肩部115，并且上肩部的側(cè)面111a和下肩部的側(cè)面115a可以是直線的。進(jìn)一步，當(dāng)具有圖5a形狀的肩部生長到直徑160mm時，肩部的邊緣具有15.43mpa的熱應(yīng)力值。圖5b顯示根據(jù)一個實施方式的單晶硅錠的肩部形狀以及其中的熱應(yīng)力分布，所述單晶硅錠通過上述單晶硅錠制造方法制造。在圖5b中，肩部可以劃分為上肩部111和下肩部115，并且下肩部的側(cè)面115a可以是彎曲的，即，具有凸形形狀。進(jìn)一步，當(dāng)肩部生長到直徑160mm時，肩部邊緣具有10.87mpa的熱應(yīng)變值。亦即，與如圖5a所示常規(guī)肩部相比，通過控制肩部牽拉速度以及肩部生長過程中溫度管理值制造的根據(jù)如圖5所示實施方式的肩部可以具有有曲率的下肩部，并且具有降低的熱應(yīng)力值。形成下肩部側(cè)面的彎曲表面的曲率半徑r可以按如下限定：0.95d≤r≤1.05d此處，d對應(yīng)于從肩部延伸的主體部的直徑。圖6是顯示根據(jù)一個實施方式的肩部形狀側(cè)面曲率半徑的圖。從肩部的橫截面形狀來看，形成肩部兩側(cè)面的凸形彎曲面115a可以與圓的圓周的一些部分重疊，所述圓具有不同的中心，并且使用側(cè)面的曲率半徑r作為其半徑。亦即，下肩部的側(cè)面115a可以與具有不同中心的圓的圓周相符，并且在該情況下，與具有不同中心的圓重疊的側(cè)表面的曲率半徑是相同的。進(jìn)一步，并未顯示在圖中的是，在肩部的橫截面中，肩部的兩個側(cè)面可以與具有一個中心的一個圓的圓周部分相符。如果如圖6所示的肩部用于制造直徑200mm的主體部，則下肩部的側(cè)面115a的曲率半徑r可以是195mm～205mm。例如，如果主體部的直徑超過200mm，則下肩部的曲率半徑可以超過205mm，并且如果主體部的直徑低于200mm，則下肩部的曲率半徑可低于195mm。圖7是顯示根據(jù)不同肩部形狀的熱應(yīng)力分布圖。在圖7中，x軸表示肩部的直徑，并且其兩側(cè)圍繞原點(diǎn)o對稱。進(jìn)一步，在圖7中，y軸表示肩部的生長長度。在圖7中，(a)顯示其中上肩部側(cè)面111a和下肩部側(cè)面115a是直線的肩部，(b)顯示其中上肩部側(cè)面111a是直線且下肩部側(cè)面115a是彎曲(即，凸形)的肩部，(c)顯示其中上肩部側(cè)面111a是直線且下肩部側(cè)面115a是彎曲的(即，凹形)的肩部。進(jìn)一步，在圖7(a)～(c)的情況中，上肩部高度相對肩部總高度的比例可以是不同的。例如，在圖7(a)和(c)的情況中，上肩部高度相對肩部總高度的比例可以是40％～50％，并且在圖7(b)的情況中，上肩部高度相對肩部總高度的比例可以是20％～30％。8是顯示在圖7(a)～7(c)的情況下根據(jù)肩部生長的熱應(yīng)力變化值曲線圖。在圖8中，x軸對應(yīng)于肩部的直徑，并且y軸對應(yīng)于熱應(yīng)力值。在以“ref”表示的(a)的情況中，熱應(yīng)力隨著肩部直徑增加而逐漸增加，但是，在表示為“case1”的(b)的情況中，熱應(yīng)變高于(a)，直至肩部直徑到達(dá)100mm但是熱應(yīng)力幾乎沒有上升并維持在100mm～150mm區(qū)域內(nèi)，并因此與(a)相比，熱應(yīng)力降低。另一方面，可以理解在表示為“case2”的(c)的情況下，熱應(yīng)力值在所有區(qū)域中是最高的。因此，在根據(jù)其中控制肩部形狀的實施方式的單晶硅錠中，在100mm～150mm肩部直徑范圍內(nèi)的熱應(yīng)力可以是大于10mpa且小于15mpa。例如，如果肩部直徑(其包括具有曲率的彎曲側(cè)面的下肩部)在100mm～150mm，則肩部邊緣處的熱應(yīng)力值在可以是大于10mpa且小于12mpa。亦即，從圖7和圖8的結(jié)果可以理解，如果下肩部具有向上凸起形狀的彎曲形狀，則熱應(yīng)力可以最小化，并因此可以制造高質(zhì)量的單晶硅錠。表2說明了在肩部的錯位發(fā)生的頻率。表2部分常規(guī)肩部實施方式的肩部錯位發(fā)生頻率/批(lot)0.840.35參考表2，在未控制形狀的常規(guī)肩部中錯位發(fā)生頻率為0.84次/批，但是在根據(jù)上述實施方式(其中對上肩部的長度比例和下肩部的彎曲形狀進(jìn)行控制)的肩部中錯位發(fā)生頻率為0.35次/批，與常規(guī)肩部相比顯著降低。亦即，根據(jù)該實施方式其形狀受到控制的肩部降低了錯位發(fā)生頻率，并由此可以改進(jìn)肩部處的晶體質(zhì)量。圖9是顯示單晶硅錠主體部電阻率值分布的圖表。在圖9中，在比較例中，肩部進(jìn)行生長，而并未僅通過調(diào)整肩部生長期間的牽拉速度控制肩部形狀，隨后主體部進(jìn)行生長。隨后，測定主體部的電阻率值。進(jìn)一步，在測試實施例1和測試實施例2中，在通過調(diào)整肩部生長期間的牽拉速度對溫度下降管理值的比例控制下肩部形狀的同時，肩部進(jìn)行生長，隨后主體部進(jìn)行生長。隨后，測定主體部的電阻率值。在圖9中，x軸表示主體部的長度。在圖9中，區(qū)域“a”是表示低電阻率值的區(qū)域，即判斷為具有良好電阻率值的區(qū)。參考圖9，在測試實施例1和測試實施例2中，主體部的開始部分具有在區(qū)域“a”中的電阻率值，并且因此，可以獲得具有良好質(zhì)量的主體部晶體。然而，在比較例的情況中，當(dāng)主體部長度為1400mm或更高時，電阻率值并不在區(qū)域“a”中，并且因此產(chǎn)生具有良好質(zhì)量主體部的產(chǎn)率低。亦即，如上所述實施方式中，肩部劃分為上肩部和下肩部，以使得上肩部占全部肩部的20％～30％，并控制下肩部，以獲得具有曲率的凸形形狀，由此降低肩部的錯位發(fā)生頻率，并由此改進(jìn)肩部的質(zhì)量，并進(jìn)一步在后續(xù)主體部生長過程中獲得改進(jìn)的質(zhì)量。根據(jù)一個實施方式的單晶硅錠可以包括選自下組的任意一種摻雜元素：銻(sb)、砷(as)、和磷(p)。例如，在用于制造單晶硅錠的方法中，以高濃度將銻(sb)、砷(as)、和磷(p)中的任意一種加入熔融硅液中作為摻雜劑，并且從含有摻雜劑的熔融硅液生長的單晶硅可以是n型低電阻率單晶。此處，所生長單晶硅的電阻率值可以為0.05ωcm或更低。亦即，如果在具有低電阻率的單晶硅錠中，如上述實施方式對肩部形狀進(jìn)行控制，則抑制了肩部的錯位發(fā)生，并可以獲得高質(zhì)量單晶硅。雖然參考多個說明性實施方式對所釋放進(jìn)行描述，但是，應(yīng)當(dāng)理解本領(lǐng)域技術(shù)人員在落入本發(fā)明原理的精神和范圍內(nèi)可以設(shè)計很多其它修改和實施方式。更具體地說，在本發(fā)明公開、附圖和權(quán)利要求書的范圍內(nèi)可以對組成部件和/或物體組合安排的設(shè)置進(jìn)行各種改變和修改。除了組成部件和/或設(shè)置中的改變和修改之外，替代用途對本領(lǐng)域技術(shù)人員也是顯而易見。工業(yè)適用性單晶硅錠和用于根據(jù)實施方式制造該單晶硅錠的方法同時改變了單晶的牽拉速度和溫度條件，并由此可以反復(fù)重現(xiàn)肩部形狀，因此具有工業(yè)適用性。當(dāng)前第1頁12