專利名稱：一種生產(chǎn)多晶硅的還原爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及生產(chǎn)多晶硅的還原爐。
背景技術(shù)：
生產(chǎn)多晶硅是一個高耗能的行業(yè)，其中用于生產(chǎn)多晶硅的還原爐是耗能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。還原爐的能耗主要體現(xiàn)在爐內(nèi)熱量的損失。還原爐的爐壁一般為水夾套或油夾套結(jié)構(gòu)，爐壁損失掉爐內(nèi)很大一部分熱量。在運(yùn)行或停爐過程中，經(jīng)常發(fā)生的硅棒倒棒會沖擊爐體，縮短還原爐使用壽命。在生產(chǎn)中還會在爐體內(nèi)壁產(chǎn)生無用的物質(zhì)或污垢，需要經(jīng)常清理，費(fèi)時費(fèi)力。清洗還原爐經(jīng)常會用到一些化學(xué)液體，對爐體內(nèi)壁有一定腐蝕作用，又降低了還原爐的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能耗低、使用壽命長，內(nèi)壁清潔的生產(chǎn)多晶硅的還原爐。本發(fā)明生產(chǎn)多晶硅的還原爐，爐體包括爐筒、底盤，底盤上具有電極，所述爐筒內(nèi)壁上固定有阻輻射抗力沖擊屏，所述的屏與爐筒內(nèi)壁間具有間隙。所述底盤上固定有阻輻射抗力沖擊屏，所述的屏與所述底盤間具有間隙。所述的屏分塊固定在爐筒內(nèi)壁或底盤上。所述的爐筒設(shè)有氫氣注入孔。所述的氫氣注入孔設(shè)在爐筒的下部。所述的屏材質(zhì)為氮化硅或碳化硅。所述的屏通過螺栓固定在爐筒內(nèi)壁或底盤上。所述螺栓材質(zhì)為鑰。螺栓外端面相對于阻輻射抗力沖擊屏的表面呈嵌入式。本發(fā)明在爐筒和底盤上設(shè)了阻輻射抗力沖擊屏，所述的屏為分塊布置，屏與爐筒內(nèi)壁間具有間隙，屏的材質(zhì)選用了耐高溫、耐腐蝕、抗強(qiáng)力沖擊的材料氮化硅或碳化硅，阻輻射抗力沖擊屏阻止了熱量向爐筒壁的輻射，避免了通過水夾套或油夾套爐筒散失的大量熱量，達(dá)到了節(jié)能降耗的目的。硅棒倒棒時阻輻射抗力沖擊屏承接了硅棒的沖擊，避免了對爐筒的損壞，延長了還原爐使用壽命。阻輻射抗力沖擊屏分塊安裝，可以隨時更換損壞的屏，節(jié)約了成本，經(jīng)濟(jì)方便。運(yùn)行中阻輻射抗力沖擊屏處于相對高溫狀態(tài)，不會在屏的表面產(chǎn)生污垢和廢物，而會形成一層多晶硅膜，大大降低了還原爐的清潔次數(shù)，減輕勞動強(qiáng)度，提高生產(chǎn)效率。爐筒設(shè)有氫氣注入孔，由此持續(xù)注入高純度氫氣，氫氣在爐筒內(nèi)壁與阻輻射抗力沖擊屏之間緩慢流動，阻止?fàn)t內(nèi)反應(yīng)氣體接觸爐筒內(nèi)壁與阻輻射抗力沖擊屏的背側(cè)，更好地避免了產(chǎn)生污垢與廢物，進(jìn)一步保證了還原爐的清潔。鑰螺栓抗高溫、抗腐蝕，在爐內(nèi)環(huán)境中起到很好的連接固定作用。螺栓外端面相對于屏的表面呈嵌入式，使得螺栓端面相對于屏表面呈現(xiàn)為一個凹坑，降低了螺栓端面產(chǎn)生多晶硅膜的機(jī)率，使得拆取螺栓比較·方便。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，大大降低生產(chǎn)多晶硅的能耗，爐體使用壽命長，不需要經(jīng)常清洗爐壁，工作效率高，運(yùn)行成本低。


圖I為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為阻輻射抗力沖擊屏與爐筒通過螺栓固定的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明爐頂結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為本發(fā)明底盤結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。圖中I-爐筒，2-底盤，3-阻輻射抗力沖擊屏，4-螺栓，5-氫氣注入孔。如圖I、圖3、圖4所示，阻輻射抗力沖擊屏3通過螺栓4固定在包括爐頂?shù)臓t筒I及底盤2上，阻輻射抗力沖擊屏3與爐筒及底盤間具有一定的間隙，如圖2所示。如圖I所示，爐筒下部設(shè)有氫氣注入孔5，注入的氫氣在阻輻射抗力沖擊屏3與爐筒或底盤的間隙中緩慢流動。阻輻射抗力沖擊屏3為分塊結(jié)構(gòu)便于更換損壞的屏。阻輻射抗力沖擊屏3材質(zhì)選用抗高溫、抗腐蝕、抗強(qiáng)力沖擊的材料，如采用氮化硅或碳化硅等。螺栓采用鑰質(zhì)螺栓是優(yōu)選方案。如圖2所示，鑰螺栓把阻輻射抗力沖擊屏3與爐筒或底盤固定好后，鑰螺栓的外端面較阻輻射抗力沖擊屏3的表面呈嵌入式。
權(quán)利要求
1.一種生產(chǎn)多晶硅的還原爐，爐體包括爐筒、底盤，底盤上具有電極，其特征在于所述爐筒內(nèi)壁上固定有阻輻射抗力沖擊屏，所述的屏與爐筒內(nèi)壁間具有間隙。
2.如權(quán)利要求I所述的生產(chǎn)多晶硅的還原爐，其特征在于所述底盤上固定有阻輻射抗力沖擊屏，所述的屏與所述底盤間具有間隙。
3.如權(quán)利要求I或2所述的生產(chǎn)多晶硅的還原爐，其特征在于所述的屏分塊固定在爐筒內(nèi)壁或底盤上。
4.如權(quán)利要求3所述的生產(chǎn)多晶硅的還原爐，其特征在于所述的爐筒設(shè)有氫氣注入孔。
5.如權(quán)利要求4所述的生產(chǎn)多晶硅的還原爐，其特征在于所述的氫氣注入孔設(shè)在爐筒的下部。
6.如權(quán)利要求3所述的生產(chǎn)多晶硅的還原爐，其特征在于所述的屏材質(zhì)為氮化硅或碳化娃。
7.如權(quán)利要求3所述的生產(chǎn)多晶硅的還原爐，其特征在于所述的屏通過螺栓固定在爐筒內(nèi)壁或底盤上。
8.如權(quán)利要求7所述的生產(chǎn)多晶硅的還原爐，其特征在于所述螺栓材質(zhì)為鑰。
9.如權(quán)利要求7所述的生產(chǎn)多晶硅的還原爐，其特征在于所述螺栓外端面相對于阻輻射抗力沖擊屏的表面呈嵌入式。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種生產(chǎn)多晶硅的還原爐，爐體包括爐筒、底盤，底盤上具有電極，爐筒內(nèi)壁和或底盤上固定有阻輻射抗力沖擊屏，屏與爐筒內(nèi)壁間具有間隙，屏分塊固定在爐筒內(nèi)壁或底盤上，爐筒設(shè)有氫氣注入孔，屏材質(zhì)為氮化硅或碳化硅，屏通過鉬螺栓固定在爐筒內(nèi)壁或底盤上。本發(fā)明阻輻射抗力沖擊屏阻止了熱量向爐筒壁的輻射，減少了熱量損失，避免硅棒倒棒對爐筒的損壞，并能隨時更換損壞的屏。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，大大降低生產(chǎn)多晶硅的能耗，爐體使用壽命長，不需要經(jīng)常清洗爐壁，工作效率高，運(yùn)行成本低。
文檔編號C01B33/021GK102923708SQ20121046204
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月4日
發(fā)明者張海峰 申請人:張海峰