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還原爐錐形硅芯沉積基體的制作方法

文檔序號:3444353閱讀:310來源:國知局
專利名稱:還原爐錐形硅芯沉積基體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種還原爐錐形硅芯沉積基體,它屬于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的還原爐硅芯沉積基體為兩根長硅芯下端分別插在兩個石墨電極,上端丫口 成弧形,用一短硅芯(通常稱為橋架)放置在兩長硅芯頂端,形成一閉合回路,生產(chǎn)時分別在兩硅芯沉積基體上加載高壓電源,對硅芯進(jìn)行加熱,硅芯表面溫度達(dá)1000°c左右時,氫氣與三氯氫硅反應(yīng)生成的硅在硅芯表面沉積,使得硅芯逐漸長粗,最終長成直徑180mm左右的成品。對于硅芯沉積基體工藝目前國內(nèi)普遍面臨以下問題1、長硅芯弧形丫口與硅芯橋架的接觸面積小,電阻大,擊穿困難,導(dǎo)致電耗高;同時,擊穿過程中局部溫度過高,易倒?fàn)t,致多晶硅生產(chǎn)成本居高不下。2、長硅芯頂端的弧形丫口對硅芯橋架固定效果欠佳,還原爐進(jìn)料時,氣流大,可能把橋架吹落導(dǎo)致停爐。3、長硅芯與硅芯橋架需要的硅芯生產(chǎn)方法不同,使得生產(chǎn)工藝復(fù)雜,致生產(chǎn)成本提尚。三
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種新型的還原爐錐形硅芯沉積基體,其具有優(yōu)點一、 增大長硅芯與硅芯橋架的接觸面積,降低長硅芯和硅芯橋架的接觸電阻,縮短預(yù)熱時間,降低功耗,減少倒?fàn)t;二、硅芯橋架兩端的孔固定住兩根長硅芯,保證硅芯橋架的穩(wěn)定性,減少倒?fàn)t率;三、長硅芯和硅芯橋架加工容易,降低生產(chǎn)成本。本實用新型的目的是這樣來實現(xiàn)的它包括硅芯橋架、兩根相同的長硅芯,硅芯橋架的兩端設(shè)有錐形孔,在長硅芯頂端設(shè)有錐形頂部,其錐形頂部與硅芯橋架兩端錐形孔相對應(yīng),兩根長硅芯頂端的錐形頂部分別插進(jìn)硅芯橋架兩端的錐形孔內(nèi),所述的長硅芯的錐度與硅芯橋架兩端錐形孔的錐度相同。本實用新型還原爐錐形硅芯沉積基體,其具有以下優(yōu)點其一增大長硅芯與硅芯橋架的接觸面積,降低長硅芯和硅芯橋架的接觸電阻,縮短預(yù)熱時間,降低功耗,減少倒?fàn)t;其二長硅芯與硅芯橋架的接口完全接觸,使得接觸電阻降低,縮短擊穿時間,降低能耗。其三、硅芯橋架的孔與長硅芯的錐度完全相同,保證了進(jìn)料時硅芯橋架的穩(wěn)定性, 大大降低了還原爐的倒?fàn)t率。其四整套硅芯結(jié)構(gòu)簡單,生產(chǎn)方便,安裝容易,降低了生產(chǎn)成本。 四
附圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)圖。附圖2為本實用新型的分解圖。[0016]其中1――硅芯橋架,2――錐形孔,3――錐形頂部,4――兩根長硅芯。 五具體實施方式
以下結(jié)合附圖,來對本實用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)描述參照附圖,本實用新型還原爐錐形硅芯沉積基體,它包括硅芯橋架1、兩根相同的長硅芯4,硅芯橋架1的兩端設(shè)有錐形孔2,在長硅芯4頂端設(shè)有錐形頂部3,其錐形頂部 3與硅芯橋架1兩端錐形孔2相對應(yīng),兩根長硅芯4頂端的錐形頂部3分別插進(jìn)硅芯橋架1 兩端的錐形孔2內(nèi);所述的長硅芯4的錐度與硅芯橋架兩端錐形孔2的錐度相同。硅芯橋架1把兩根長硅芯連接成一閉合回路,加載到長硅芯兩端的電流把整套硅芯沉積基體加熱到合適的反應(yīng)溫度,硅芯橋架1兩端的錐形孔2固定住兩根長硅芯,使得整套硅芯沉積基體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,實際生產(chǎn)中,倒?fàn)t率接近于零。
權(quán)利要求1. 一種還原爐錐形硅芯沉積基體,它包括硅芯橋架(1)、兩根相同的長硅芯,其特征在于硅芯橋架(1)的兩端設(shè)有錐形孔O),在長硅芯(4)頂端設(shè)有錐形頂部(3),其錐形頂部C3)與硅芯橋架(1)兩端錐形孔( 相對應(yīng),兩根長硅芯(4)頂端的錐形頂部(3)分別插進(jìn)硅芯橋架⑴兩端的錐形孔(2)內(nèi),所述的長硅芯⑷的錐度與硅芯橋架⑴兩端錐形孔⑵的錐度相同。
專利摘要本實用新型涉及一種還原爐錐形硅芯沉積基體,它屬于多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域。它包括硅芯橋架、兩根相同的長硅芯,硅芯橋架的兩端設(shè)有錐形孔,在長硅芯頂端設(shè)有錐形頂部,其錐形頂部與硅芯橋架兩端錐形孔相對應(yīng),兩根長硅芯頂端的錐形頂部分別插進(jìn)硅芯橋架兩端的錐形孔內(nèi);其具有以下優(yōu)點其一增大長硅芯與硅芯橋架的接觸面積,降低長硅芯和硅芯橋架的接觸電阻,縮短預(yù)熱時間,降低功耗,減少倒?fàn)t;其二長硅芯與硅芯橋架的接口完全接觸,使得接觸電阻降低,縮短擊穿時間,降低能耗。其三、硅芯橋架的孔與長硅芯的錐度完全相同,保證了進(jìn)料時硅芯橋架的穩(wěn)定性,大大降低了還原爐的倒?fàn)t率。其四整套硅芯結(jié)構(gòu)簡單,生產(chǎn)方便,安裝容易。
文檔編號C01B33/03GK202175563SQ20112032670
公開日2012年3月28日 申請日期2011年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月24日
發(fā)明者劉建中, 劉松林, 劉毅, 葉軍, 張玉泉, 李偉, 李波, 翁博豐 申請人:陜西天宏硅材料有限責(zé)任公司
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