專利名稱：一種氯化氫合成爐石墨底盤排酸結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種氯化氫合成爐，特別涉及一種氯化氫合成爐石墨底盤排酸結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
氯化氫合成爐用于將氯氣、氫氣燃燒制得氯化氫氣體，其在反應(yīng)時(shí)放出大量的熱， 爐內(nèi)溫度超過(guò)2000°C。爐內(nèi)的氯化氫氣體在上升過(guò)程中遇到爐內(nèi)換熱塊冷卻后，部分氯化氫氣體直接冷凝形成冷凝酸，落在石墨底盤內(nèi)，然后從石墨底盤上開(kāi)有排酸口排出。傳統(tǒng)的排酸結(jié)構(gòu)直接是在石墨底盤上鉆垂直通孔。這種結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)是由于石墨底盤的中心設(shè)石英燈頭座安裝孔，冷凝酸易從石墨底盤的石英燈頭座安裝孔內(nèi)壁與石英燈座之間的縫隙流出地面，不經(jīng)排酸口排出收集，造成環(huán)境的污染。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可改善工作環(huán)境的氯化氫合成爐石墨底盤排酸結(jié)構(gòu)。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案為一種氯化氫合成爐石墨底盤排酸結(jié)構(gòu)，包括環(huán)形石墨底盤，該石墨底盤的內(nèi)圈為石英燈頭座安裝孔，其創(chuàng)新點(diǎn)在于所述環(huán)形石墨底盤的上端面設(shè)有環(huán)形導(dǎo)流槽，所述環(huán)形導(dǎo)流槽的底部鉆有一貫穿石墨底盤上下端面的排酸孔。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于環(huán)形石墨底盤的上端面設(shè)有環(huán)形導(dǎo)流槽，絕大多數(shù)的冷凝酸通過(guò)該導(dǎo)流槽進(jìn)入排酸孔，由排酸孔排出合成爐外同一收集處理，不會(huì)造成環(huán)境的污

附圖1為本實(shí)用新型氯化氫合成爐石墨底盤排酸結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如附圖所示，包括石墨底盤1、石英燈頭座安裝孔2、環(huán)形導(dǎo)流槽3、排酸孔4，石墨底盤1為環(huán)形，其內(nèi)圈為石英燈頭座安裝孔2，在環(huán)形石墨底盤1的上端面設(shè)有環(huán)形導(dǎo)流槽 3，該環(huán)形導(dǎo)流槽3的底部鉆有一貫穿石墨底盤1上下端面的排酸孔4。當(dāng)氯化氫合成爐內(nèi)的氯化氫氣體部分冷凝成冷凝酸后落下，匯聚到環(huán)形導(dǎo)流槽3內(nèi)，通過(guò)排酸孔4排出爐體外同一收集處理。
權(quán)利要求1. 一種氯化氫合成爐石墨底盤排酸結(jié)構(gòu)，包括環(huán)形石墨底盤，該石墨底盤的內(nèi)圈為石英燈頭座安裝孔，其特征在于所述環(huán)形石墨底盤的上端面設(shè)有環(huán)形導(dǎo)流槽，所述環(huán)形導(dǎo)流槽的底部鉆有一貫穿石墨底盤上下端面的排酸孔。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種氯化氫合成爐石墨底盤排酸結(jié)構(gòu)，包括環(huán)形石墨底盤，該石墨底盤的內(nèi)圈為石英燈頭座安裝孔，其創(chuàng)新點(diǎn)在于所述環(huán)形石墨底盤的上端面設(shè)有環(huán)形導(dǎo)流槽，所述環(huán)形導(dǎo)流槽的底部鉆有一貫穿石墨底盤上下端面的排酸孔。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于環(huán)形石墨底盤的上端面設(shè)有環(huán)形導(dǎo)流槽，絕大多數(shù)的冷凝酸通過(guò)該導(dǎo)流槽進(jìn)入排酸孔，由排酸孔排出合成爐外同一收集處理，不會(huì)造成環(huán)境的污染。
文檔編號(hào)C01B7/01GK202007128SQ20112007874
公開(kāi)日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2011年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月23日
發(fā)明者夏斌, 孫建軍, 張藝, 張進(jìn)堯, 王俊飛, 趙榮欣 申請(qǐng)人:南通星球石墨設(shè)備有限公司