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拋光墊窗的制作方法

文檔序號:10636937閱讀:269來源:國知局
拋光墊窗的制作方法
【專利摘要】拋光墊適合于拋光或平坦化半導(dǎo)體、光學(xué)和磁性襯底中的至少一個。拋光墊具有拋光表面、經(jīng)由拋光墊的開口和在拋光墊中的開口內(nèi)的透明窗。透明窗具有凹表面,其具有隨著拋光墊的使用而增大的深度。信號區(qū)域向下傾斜到中心區(qū)域內(nèi),用于促進殘渣去除,且殘渣排放凹槽延伸穿過中心區(qū)域到拋光墊內(nèi)。將拋光墊與殘渣排放凹槽中的拋光流體一起旋轉(zhuǎn)將殘渣從中心區(qū)域經(jīng)由殘渣排放凹槽發(fā)送到拋光墊內(nèi)。
【專利說明】
拋光墊窗
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本說明書涉及可用于監(jiān)視拋光率和檢測拋光端點的拋光墊窗。明確地說,其涉及一種可用于限制拋光缺陷或可用于減小信號傳輸?shù)淖兓拇芭渲谩?br>【背景技術(shù)】
[0002]聚胺基甲酸酯拋光墊為用于多種高要求精密拋光應(yīng)用的主要墊類型。舉例來說,聚胺基甲酸酯拋光墊具有高的抗撕裂強度;避免拋光期間磨損問題的耐磨性;以及抗強酸性和強堿性拋光溶液侵蝕的穩(wěn)定性。這些聚胺基甲酸酯拋光墊有效地用于拋光包含以下各者的多個襯底:矽晶片、砷化鎵和其它第III到V族半導(dǎo)體晶片、SiC、經(jīng)圖案化晶片、平板顯示器、例如藍寶石的玻璃和磁性存儲碟。明確地說,聚胺基甲酸酯拋光墊為用于制造集成電路的多數(shù)拋光操作提供機械完整性和耐化學(xué)性。遺憾地,這些聚胺基甲酸酯拋光墊傾向于缺乏足夠用于在拋光期間的激光或光學(xué)端點檢測的足夠透明度。
[0003]從從20世紀90年代中期以來,具有端點檢測的光學(xué)監(jiān)視系統(tǒng)已用以確定用于半導(dǎo)體應(yīng)用的通過激光或光學(xué)端點的拋光時間。這些光學(xué)監(jiān)視系統(tǒng)提供在通過光源和光檢測器的拋光期間的晶片襯底的原位端點檢測。光源導(dǎo)引光束,使其穿過透明窗朝向正被拋光的襯底。光檢測器測量從晶片襯底反射的光,光又一次返回穿過透明窗。光學(xué)路徑從光源形成,穿過透明窗,到正被拋光的襯底上,經(jīng)反射光再次穿過透明窗且到光檢測器內(nèi)。
[0004]通常,透明窗與拋光墊的拋光表面共平面。然而,替代性設(shè)計含有在窗與晶片襯底之間的凹座。在拋光期間,此凹座填充有漿料。如果凹座過深,那么漿料與拋光殘渣一起可阻塞或擴散光學(xué)路徑且可能存在不足夠的信號強度來達成可靠的端點檢測。在凹進的窗表面上的累積的拋光殘渣可刮擦晶片襯底且在所得半導(dǎo)體中創(chuàng)造缺陷。
[0005]存在對于具有改善的光學(xué)信號強度伴有減小的在晶片中創(chuàng)造拋光缺陷的風(fēng)險的窗的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的一方面提供一種適合于拋光或平坦化半導(dǎo)體、光學(xué)和磁性襯底中的至少一個的拋光墊,所述拋光墊具有拋光表面、穿過所述拋光墊的開口、從所述拋光墊的中心延伸到所述拋光墊的外圍的半徑和在所述拋光墊中的所述開口內(nèi)的透明窗,所述透明窗緊固到所述拋光墊且對磁性和光學(xué)信號中的至少一個透明,所述透明窗具有關(guān)于所述拋光表面的凹表面,所述凹表面在所述透明窗的中心區(qū)域中具有如從所述拋光表面的平面測量的最大深度,其隨著所述拋光墊的使用而增大;在所述透明窗中鄰近所述中心區(qū)域且在最靠近所述拋光墊的中心的一側(cè)上的信號區(qū)域,用于將光學(xué)和/或磁性信號中的至少一個傳輸?shù)骄?,所述信號區(qū)域向下傾斜到所述中心區(qū)域內(nèi)用于促進殘渣去除且殘渣排放凹槽延伸穿過所述中心區(qū)域到所述拋光墊內(nèi),其中將所述拋光墊與所述殘渣排放凹槽中的拋光流體一起旋轉(zhuǎn)將殘渣從所述中心區(qū)域經(jīng)由所述殘渣排放凹槽發(fā)送到所述拋光墊內(nèi),且其中所述殘渣排放凹槽的深度大于所述中心區(qū)域的所述深度。
[0007]本發(fā)明的另一方面提供一種適合于拋光或平坦化半導(dǎo)體、光學(xué)和磁性襯底中的至少一個的拋光墊,所述拋光墊含有流體填充的微粒且具有一拋光表面、穿過所述拋光墊的開口、從所述拋光墊的中心延伸到所述拋光墊的外圍的半徑和在所述拋光墊中的所述開口內(nèi)的透明窗,所述透明窗緊固到所述拋光墊,具有小于所述流體填充的微粒的平均直徑的側(cè)向間距且對磁性和光學(xué)信號中的至少一個透明,所述透明窗具有關(guān)于所述拋光表面的凹表面,所述凹表面在所述透明窗的中心區(qū)域中具有如從所述拋光表面的平面測量的最大深度,其隨著所述拋光墊的使用而增大;在所述透明窗中鄰近所述中心區(qū)域且在最靠近所述拋光墊的中心的一側(cè)上的信號區(qū)域,用于將光學(xué)和/或磁性信號中的至少一個傳輸?shù)骄鲂盘枀^(qū)域向下傾斜到所述中心區(qū)域內(nèi)用于促進殘渣去除且殘渣排放凹槽延伸穿過所述中心區(qū)域到所述拋光墊內(nèi),其中將所述拋光墊與所述殘渣排放凹槽中的拋光流體一起旋轉(zhuǎn)將殘渣從所述中心區(qū)域經(jīng)由所述殘渣排放凹槽發(fā)送到所述拋光墊內(nèi),且其中所述殘渣排放凹槽的深度大于所述中心區(qū)域的所述深度。
【附圖說明】
[0008]圖1為具有與圓周拋光墊凹槽鄰接的圓周凹槽的本發(fā)明的排放窗的示意圖。
[0009]圖1A為圖1的排放窗的放大示意圖。
[0010]圖1B為在拋光前的具有與圓周拋光墊凹槽鄰接的圓周凹槽的圖1的排放窗的徑向橫截面。
[0011]圖1C為在拋光多個晶片后的具有與圓周拋光墊凹槽鄰接的圓周凹槽的圖1的排放窗的徑向橫截面。
[0012]圖2為具有與徑向拋光墊凹槽鄰接的徑向凹槽的本發(fā)明的排放窗的示意圖。
[0013]圖2A為圖2的排放窗的放大示意圖。
[0014]圖2B為在拋光前的具有與徑向拋光墊凹槽鄰接的徑向凹槽的圖2的排放窗的徑向橫截面。
[0015]圖2C為在拋光多個晶片后的具有與徑向拋光墊凹槽鄰接的徑向凹槽的圖2的排放窗的徑向橫截面。
[0016]圖3為具有與圓周和徑向拋光墊凹槽兩者鄰接的圓周和徑向凹槽的本發(fā)明的排放窗的不意圖。
[0017]圖3A為圖3的排放窗的放大示意圖。
[0018]圖3B為在拋光前的具有與圓周和徑向拋光墊凹槽兩者鄰接的圓周和徑向凹槽的圖3的排放窗的徑向橫截面。
[0019]圖3C為在拋光多個晶片后的具有與圓周和徑向拋光墊凹槽兩者鄰接的圓周和徑向凹槽的圖3的排放窗的徑向橫截面。
【具體實施方式】
[0020]本發(fā)明的拋光墊適合于拋光或平坦化半導(dǎo)體、光學(xué)和磁性襯底中的至少一個。優(yōu)選地,所述墊拋光或平坦化半導(dǎo)體襯底。所述拋光墊可為多孔或無孔襯底。多孔襯底的實例包含發(fā)泡墊、含有溶解氣體的擠壓墊和嵌有中空聚合微粒的基體。對磁性和光學(xué)信號中的至少一個透明的透明窗緊固到拋光墊。優(yōu)選地,窗對光學(xué)信號透明。對于拋光半導(dǎo)體襯底,未填充的聚胺基甲酸酯材料可具有透明度、拋光能力與低缺陷度的優(yōu)異組合。通常這些聚胺基甲酸酯表示針對透明度的脂族聚胺基甲酸酯與針對強度的芳香族聚胺基甲酸酯的摻入口 O
[0021]在于窗與拋光墊之間無充分襯墊形成的CMP墊中,當(dāng)窗變得更凹時,形成淺空腔。在制造或拋光期間,透明窗形成關(guān)于拋光表面的凹表面。凹表面在透明窗的一中心區(qū)域中具有如從拋光表面的平面測量的最大深度,其隨著拋光墊的使用而增大。窗與拋光墊之間小的間距或無間距可加大凹透明窗的深度。此外,拋光墊中流體填充的聚合微粒可進一步加大凹透明窗的深度。舉例來說,壓縮填充有氣體、液體或氣體-液體混合物的微粒可使與窗相抵而施加的力集中。此淺空腔可填充有妨礙經(jīng)由窗的信號強度的漿料和拋光殘渣。隨著窗變得更凹,空腔變得更深,且額外漿料和拋光殘渣傾向于聚積,從而進一步減小信號強度。在本發(fā)明的拋光墊中,信號區(qū)域向下傾斜到中心區(qū)域內(nèi),用于促進漿料和拋光殘渣去除,且殘渣排放凹槽經(jīng)由中心區(qū)域延伸到拋光墊內(nèi)。將拋光墊與殘渣排放凹槽中的拋光流體一起旋轉(zhuǎn)將拋光殘渣從透明窗的中心區(qū)域發(fā)送到拋光墊凹槽內(nèi)。雖然所述圖說明矩形窗,但替代地,窗可具有圓形、正方形、橢圓形或其它形狀。
[0022]參看圖1和圖1A,具有圓形凹槽12的拋光墊10可拋光或平坦化半導(dǎo)體、光學(xué)或磁性襯底(未說明)。拋光墊通常包含多孔聚胺基甲酸酯基質(zhì),但基質(zhì)可為其它聚合物。任選地,拋光墊10的聚合基質(zhì)包含流體填充的微粒(未說明)。替代地,可將凹槽與螺旋、低流動性凹槽、X-Y凹槽、同心六邊形、同心十二邊形、同心十六邊形、多邊形或其它已知凹槽形狀組合。拋光墊10具有與半導(dǎo)體、光學(xué)或磁性襯底相互作用的拋光表面16。穿過拋光墊10的開口 18提供用于緊固透明窗20的位置。當(dāng)拋光墊10的聚合基質(zhì)包含流體填充的微粒時,將其優(yōu)選地按小于流體填充的微粒的平均直徑的側(cè)向間距緊固。舉例來說,在適當(dāng)位置處鑄造窗提供透明窗20與拋光墊10之間的直接結(jié)合,在透明窗20與拋光墊10之間基本上無空間。半徑Ri從中心22延伸到拋光墊10的外圍24。參看圖1A,圓形凹槽12延伸到弧形殘渣排放凹槽12A內(nèi)以促進殘渣去除。弧形殘渣排放凹槽12A在透明窗20的全部寬度上延行。
[0023]參看圖1B和圖1C,拋光墊10的窗20可具有與拋光表面16或凹表面32平行的平表面30,如關(guān)于拋光表面16所測量。下墊34支撐拋光墊10和窗20的外外圍。在拋光期間,窗20變形且變凹。通常,隨著拋光繼續(xù),窗20變得越來越凹。墊10任選地開始于凹表面32。凹表面32在透明窗20的中心區(qū)域36中具有如從拋光表面16的平面測量的最大深度Di ο在拋光期間,窗20變形以增大D1的高度。透明窗20中的信號區(qū)域38鄰近中心區(qū)域36且在最靠近拋光墊10的中心22(圖1)的側(cè)上。信號區(qū)域38將光學(xué)和/或磁性信號中的至少一個傳輸?shù)接删d體42固持的晶片40。信號區(qū)域38向下傾斜到中心區(qū)域36,用于促進殘渣去除?;⌒螝堅欧虐疾?2A延伸穿過中心區(qū)域36到拋光墊1內(nèi),其中將拋光墊1與弧形殘渣排放凹槽12A中的拋光流體一起旋轉(zhuǎn)將殘渣從中心區(qū)域36經(jīng)由弧形殘渣排放凹槽12A發(fā)送到拋光墊10內(nèi)?;⌒螝堅欧虐疾?2A的深度大于如從拋光表面16的平面測量的中心區(qū)域36的深度D1。
[0024]在拋光期間,端點檢測器50經(jīng)由透明窗20的信號區(qū)域38發(fā)送信號52,其中信號撞擊晶片40。信號52接著經(jīng)由信號區(qū)域38返回,其中端點檢測器50確定繼續(xù)或是停止晶片40的拋光。
[0025]參看圖2和圖2A,具有徑向凹槽114的拋光墊110可拋光或平坦化半導(dǎo)體、光學(xué)或磁性襯底(未說明)。拋光墊通常包含多孔聚胺基甲酸酯基質(zhì),但基質(zhì)可為其它聚合物。任選地,拋光墊110的聚合基質(zhì)包含流體填充的微粒(未說明)。替代地,可將凹槽與同心圓形、螺旋、低流動性凹槽、X-Y凹槽、同心十二邊形、同心六邊形、同心十六邊形、多邊形或其它已知凹槽形狀組合。拋光墊110具有與半導(dǎo)體、光學(xué)或磁性襯底相互作用的拋光表面116。穿過拋光墊110的開口 118提供用于緊固透明窗120的位置。當(dāng)拋光墊110的聚合基質(zhì)包含流體填充的微粒時,將其優(yōu)選地按小于流體填充的微粒的平均直徑的側(cè)向間距緊固。舉例來說,在適當(dāng)位置處鑄造窗提供透明窗120與拋光墊110之間的直接結(jié)合,在透明窗120與拋光墊110之間基本上無空間。半徑R2從中心122延伸到拋光墊110的外圍124。參看圖2A,圓形凹槽114從徑向殘渣排放凹槽114A延伸以促進殘渣去除。徑向殘渣排放凹槽114A的長度延伸透明窗120的長度的約一半。
[0026]參看圖2B和圖2C,拋光墊110的窗120可具有與拋光表面116或凹表面132平行的平表面130,如關(guān)于拋光表面116所測量。下墊134支撐拋光墊110和窗120的外外圍。在拋光期間,窗120變形且變凹。通常,隨著拋光繼續(xù),窗120變得越來越凹。墊110任選地開始于凹表面132。凹表面132在透明窗120的中心區(qū)域136中具有如從拋光表面116的平面測量的最大深度D2 ο在拋光期間,窗120變形以增大D2的高度。透明窗120中的信號區(qū)域138鄰近中心區(qū)域136且在最靠近拋光墊110的中心122(圖2)的側(cè)上。信號區(qū)域138將光學(xué)和/或磁性信號中的至少一個傳輸?shù)接删d體142固持的晶片140。信號區(qū)域138向下傾斜到中心區(qū)域136,用于促進殘渣去除。殘渣排放凹槽114A延伸穿過中心區(qū)域136到拋光墊110內(nèi),其中將拋光墊110與徑向殘渣排放凹槽114A中的拋光流體一起旋轉(zhuǎn)將殘渣從中心區(qū)域136經(jīng)由徑向殘渣排放凹槽114A發(fā)送到拋光墊110內(nèi)。徑向殘渣排放凹槽114A的深度大于如從拋光表面116的平面測量的中心區(qū)域136的深度D2。
[0027]在拋光期間,端點檢測器150經(jīng)由透明窗120的信號區(qū)域138發(fā)送信號152,其中信號撞擊晶片140。信號152接著經(jīng)由信號區(qū)域138返回,其中端點檢測器150確定繼續(xù)或是停止晶片140的拋光。
[0028]參看圖3和圖3A,具有同心圓形212和徑向凹槽214的拋光墊210可拋光或平坦化半導(dǎo)體、光學(xué)或磁性襯底(未說明)。拋光墊通常包含多孔聚胺基甲酸酯基質(zhì),但基質(zhì)可為其它聚合物。任選地,拋光墊210的聚合基質(zhì)包含流體填充的微粒(未說明)ο替代地,可將凹槽與同心圓形、螺旋、低流動性凹槽、X-Y凹槽、同心十二邊形、同心六邊形、同心十六邊形、多邊形或其它已知凹槽形狀組合。拋光墊210具有與半導(dǎo)體、光學(xué)或磁性襯底相互作用的拋光表面216。穿過拋光墊210的開口 218提供用于緊固透明窗220的位置。當(dāng)拋光墊210的聚合基質(zhì)包含流體填充的微粒時,將其優(yōu)選地按小于流體填充的微粒的平均直徑的側(cè)向間距緊固。舉例來說,在適當(dāng)位置處鑄造窗提供透明窗220與拋光墊210之間的直接結(jié)合,在透明窗220與拋光墊210之間基本上無空間。半徑R3從中心222延伸到拋光墊210的外圍224。參看圖3A,圓形凹槽212延伸到弧形殘渣排放凹槽212A內(nèi)以促進殘渣去除?;⌒螝堅欧虐疾?12A在透明窗220的全部寬度上延行,且與徑向殘渣排放凹槽214A連接以允許殘渣在殘渣去除通道之間流動。徑向凹槽214從徑向殘渣排放凹槽214A延伸以促進殘渣去除。徑向殘渣排放凹槽214A的長度延伸透明窗220的長度的約一半。
[0029]參看圖3B和圖3C,拋光墊210的窗220可具有與拋光表面216或凹表面232平行的平表面230,如關(guān)于拋光表面216所測量。下墊234支撐拋光墊210和窗220的外外圍。在拋光期間,窗220變形且變凹。通常,隨著拋光繼續(xù),窗220變得越來越凹。墊210任選地開始于凹表面232。凹表面232在透明窗220的中心區(qū)域236中具有如從拋光表面216的平面測量的最大深度D3 ο在拋光期間,窗220變形以增大D3的高度。透明窗220中的信號區(qū)域238鄰近中心區(qū)域236且在最靠近拋光墊210的中心222(圖3)的側(cè)上。信號區(qū)域238將光學(xué)和/或磁性信號中的至少一個傳輸?shù)接删d體242固持的晶片240。信號區(qū)域238向下傾斜到中心區(qū)域236,用于促進殘渣去除。殘渣排放凹槽212A和214A延伸穿過中心區(qū)域236到拋光墊210內(nèi),其中將拋光墊210與殘渣排放凹槽212A和214A中的拋光流體一起旋轉(zhuǎn)將殘渣從中心區(qū)域236經(jīng)由殘渣排放凹槽212A和214A發(fā)送到拋光墊210內(nèi)。殘渣排放凹槽212A和214A的深度大于如從拋光表面216的平面測量的中心區(qū)域236的深度D3。
[0030]在拋光期間,端點檢測器250經(jīng)由透明窗220的信號區(qū)域238發(fā)送信號252,其中信號撞擊晶片240。信號252接著經(jīng)由信號區(qū)域238返回,其中端點檢測器250確定繼續(xù)或是停止晶片240的拋光。
[0031]以上實例是針對圓形、徑向和組合圓形加徑向。這些實例通過將殘渣排放凹槽與拋光墊凹槽對準來操作。此概念也將對其它形狀的凹槽行得通,例如,螺旋、低流動性凹槽、X-Y凹槽、同心六邊形、同心十二邊形、同心十六邊形、多邊形或其它已知凹槽形狀或這些形狀的組合。在這些凹槽型樣中,殘渣排放凹槽與拋光墊凹槽對準以用于有效的殘渣去除。
[0032]本發(fā)明的窗提供用以為凹形拋光墊窗去除殘渣的凹槽通道。因為凹槽削弱了窗結(jié)構(gòu)以促使彎曲,所以削弱窗結(jié)構(gòu)是違反直覺的。本發(fā)明的窗設(shè)計去除殘渣,同時維持透明度以用于有效的信號強度和端點檢測。
【主權(quán)項】
1.一種適合于拋光或平坦化半導(dǎo)體、光學(xué)和磁性襯底中的至少一個的拋光墊,所述拋光墊具有拋光表面、穿過所述拋光墊的開口、從所述拋光墊的中心延伸到所述拋光墊的外圍的半徑和在所述拋光墊中的所述開口內(nèi)的透明窗,所述透明窗緊固到所述拋光墊且對磁性和光學(xué)信號中的至少一個透明,所述透明窗具有關(guān)于所述拋光表面的凹表面,所述凹表面在所述透明窗的中心區(qū)域中具有如從所述拋光表面的平面測量的最大深度,其隨著所述拋光墊的使用而增大;在所述透明窗中鄰近所述中心區(qū)域且在最靠近所述拋光墊的中心的一側(cè)上的信號區(qū)域,用于將光學(xué)和/或磁性信號中的至少一個傳輸?shù)骄鲂盘枀^(qū)域向下傾斜到所述中心區(qū)域內(nèi)用于促進殘渣去除且殘渣排放凹槽延伸穿過所述中心區(qū)域到所述拋光墊內(nèi),其中將所述拋光墊與所述殘渣排放凹槽中的拋光流體一起旋轉(zhuǎn)將殘渣從所述中心區(qū)域經(jīng)由所述殘渣排放凹槽發(fā)送到所述拋光墊內(nèi),且其中所述殘渣排放凹槽的深度大于所述中心區(qū)域的所述深度。2.根據(jù)權(quán)利要求書I所述的拋光墊,其中所述殘渣排放凹槽沿著所述半徑從所述拋光墊的所述中心延伸到所述拋光墊的所述外圍。3.根據(jù)權(quán)利要求書I所述的拋光墊,其中所述殘渣排放凹槽延伸穿過所述拋光墊的圓周。4.根據(jù)權(quán)利要求書I所述的拋光墊,其中所述窗為光學(xué)透明聚合物。5.根據(jù)權(quán)利要求書I所述的拋光墊,其中所述拋光墊為多孔的,所述透明窗為無孔,且圍繞所述透明窗的所述拋光墊的鑄造將所述透明窗緊固到所述拋光墊。6.—種適合于拋光或平坦化半導(dǎo)體、光學(xué)和磁性襯底中的至少一個的拋光墊,所述拋光墊含有流體填充的微粒且具有拋光表面、穿過所述拋光墊的開口、從所述拋光墊的中心延伸到所述拋光墊的外圍的半徑和在所述拋光墊中的所述開口內(nèi)的透明窗,所述透明窗緊固到所述拋光墊,具有小于所述流體填充的微粒的平均直徑的側(cè)向間距且對磁性和光學(xué)信號中的至少一個透明,所述透明窗具有關(guān)于所述拋光表面的凹表面,所述凹表面在所述透明窗的中心區(qū)域中具有如從所述拋光表面的平面測量的最大深度,其隨著所述拋光墊的使用而增大;在所述透明窗中鄰近所述中心區(qū)域且在最靠近所述拋光墊的中心的一側(cè)上的信號區(qū)域,用于將光學(xué)和/或磁性信號中的至少一個傳輸?shù)骄?,所述信號區(qū)域向下傾斜到所述中心區(qū)域內(nèi)用于促進殘渣去除且殘渣排放凹槽延伸穿過所述中心區(qū)域到所述拋光墊內(nèi),其中將所述拋光墊與所述殘渣排放凹槽中的拋光流體一起旋轉(zhuǎn)將殘渣從所述中心區(qū)域經(jīng)由所述殘渣排放凹槽發(fā)送到所述拋光墊內(nèi),且其中所述殘渣排放凹槽的深度大于所述中心區(qū)域的所述深度。7.根據(jù)權(quán)利要求書6所述的拋光墊,其中所述殘渣排放凹槽沿著所述半徑從所述拋光墊的所述中心延伸到所述拋光墊的所述外圍。8.根據(jù)權(quán)利要求書6所述的拋光墊,其中所述殘渣排放凹槽延伸穿過所述拋光墊的圓周。9.根據(jù)權(quán)利要求書6所述的拋光墊,其中所述窗為光學(xué)透明聚合物。10.根據(jù)權(quán)利要求書6所述的拋光墊,其中所述拋光墊為多孔的,所述透明窗為無孔,且圍繞所述透明窗的所述拋光墊的鑄造將所述透明窗緊固到所述拋光墊。
【文檔編號】B24B37/20GK106002608SQ201610161203
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月21日
【發(fā)明人】B·錢, E·S·西蒙, G·C·雅各布
【申請人】羅門哈斯電子材料Cmp控股股份有限公司, 陶氏環(huán)球技術(shù)有限責(zé)任公司
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