一種mocvd系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)、化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，特別是一種可清掃碎肩的MOCVDo
【背景技術(shù)】
[0002]金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(M0CVD)是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種化學(xué)氣相沉積工藝，用于生長(zhǎng)外延晶片。它是以III族、II族元素的有機(jī)化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)的反應(yīng)氣體，以熱分解反應(yīng)方式在藍(lán)寶石襯底或其他襯底上進(jìn)行外延沉積工藝，生長(zhǎng)各種II1-V族、I1-VI族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的外延材料層。
[0003]如圖1所示，現(xiàn)有的M0CVD系統(tǒng)包括，反應(yīng)腔(即第一腔室)、排氣孔和外殼，現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)化的M0CVD都有旋轉(zhuǎn)功能，在高速旋轉(zhuǎn)外延片離旋轉(zhuǎn)中心距離越遠(yuǎn)，所受的離心力越大，很容易使外延片飛離反應(yīng)腔，跌落到氣孔的位置而堵塞。尤其在生長(zhǎng)4寸或者更大尺寸的襯底時(shí)，碎片尺寸更大，堵塞會(huì)更加嚴(yán)重。這種堵塞會(huì)引起流場(chǎng)的不均勻，而需要打開(kāi)反應(yīng)腔室清理碎片。從而帶來(lái)工藝的不穩(wěn)定以及產(chǎn)能的降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決上述不足，包括第一腔室和外殼，第一腔室包含環(huán)形襯板和排氣孔，排氣孔位于環(huán)形襯板內(nèi)，系統(tǒng)用于生長(zhǎng)外延晶片。
[0005]根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，所述環(huán)形襯板由復(fù)數(shù)塊子襯板和移動(dòng)件組成，所述子襯板分別通過(guò)移動(dòng)件移動(dòng)，所述子襯板通過(guò)移動(dòng)實(shí)現(xiàn)晶片碎片的清除功能。
[0006]根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，所述子襯板一端具有弧形結(jié)構(gòu)，相鄰兩子襯板具有弧形結(jié)構(gòu)的一端連接組成孔狀結(jié)構(gòu)，所述孔狀結(jié)構(gòu)與所述排氣孔的進(jìn)氣口對(duì)應(yīng)。
[0007]根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，所述排氣孔與排氣管相連，所述排氣管管壁上分布有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞。
[0008]根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，所述環(huán)形襯板下方設(shè)有第二腔室，用于承載從子襯板清理下來(lái)的晶片碎片。
[0009]根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，所述第二腔室具有排肩孔。
[0010]根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，所述第二腔室底部具有波浪狀起伏，排肩孔位于波浪狀的波谷，便于晶片的碎片排出。
[0011 ] 根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，所述排肩孔數(shù)目與移動(dòng)件數(shù)目相同。
[0012]根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，所述排肩孔位于對(duì)應(yīng)移動(dòng)件的正下方。
[0013]根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，所述移動(dòng)件固定在外殼上，通過(guò)電路受外部控制。
[0014]根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的，所述移動(dòng)件優(yōu)選為旋轉(zhuǎn)件。
[0015]本發(fā)明的一種M0CVD系統(tǒng)，與傳統(tǒng)的M0CVD機(jī)臺(tái)相比，至少包括以下技術(shù)效果:通過(guò)子襯板可繞旋轉(zhuǎn)件做旋轉(zhuǎn)，通過(guò)子襯板的旋轉(zhuǎn)形成傾倒角度、改變孔狀結(jié)構(gòu)的面積，而將碎片從環(huán)形襯板上傾倒在第二腔室內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)不需打開(kāi)第一腔室，而能解決碎片堵塞排氣孔的問(wèn)題，提高工藝穩(wěn)定性、減少維護(hù)時(shí)間。除了上述有益效果，本發(fā)明的其他有益效果將在說(shuō)明書(shū)【具體實(shí)施方式】中體現(xiàn)。
【附圖說(shuō)明】
[0016]附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，與本發(fā)明實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。此外，附圖數(shù)據(jù)是描述概要，不是按比例繪制。
[0017]圖1:現(xiàn)有技術(shù)的M0CVD系統(tǒng)示意圖；
圖2:實(shí)施例1的M0CVD系統(tǒng)示意圖；
圖3:實(shí)施例2的M0CVD系統(tǒng)示意圖；
圖4:實(shí)施例2的M0CVD系統(tǒng)的透視圖；
圖5:實(shí)施例3的M0CVD系統(tǒng)示意圖；
圖6:實(shí)施例3的M0CVD系統(tǒng)的透視圖；
圖7:實(shí)施例4的M0CVD系統(tǒng)示意圖；
圖8:實(shí)施例4的M0CVD系統(tǒng)的透視圖。
[0018]圖中標(biāo)注:11、第一腔室，12、第二腔室，121、排肩孔，122、第二腔室底部，21、排氣孔，22、排氣管，221、孔洞，3、外殼，41、第一子襯板，42、第二子襯板，431、旋轉(zhuǎn)件，432、伸縮件。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述，在進(jìn)一步介紹本發(fā)明之前，應(yīng)當(dāng)理解，由于可以對(duì)特定的實(shí)施例進(jìn)行改造，因此，本發(fā)明并不限于下述的特定實(shí)施例。還應(yīng)當(dāng)理解，由于本發(fā)明的范圍只由所附權(quán)利要求限定，因此所采用的實(shí)施例只是介紹性的，而不是限制性的。除非另有說(shuō)明，否則這里所用的所有技術(shù)和科學(xué)用語(yǔ)與本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所普遍理解的意義相同。
[0020]實(shí)施例1
參看圖2，本實(shí)施例的M0CVD反應(yīng)系統(tǒng)包括:第一腔室11和外殼3，第一腔室11包含環(huán)形襯板和排氣孔21，排氣孔21位于環(huán)形襯板內(nèi)。第一腔室11為金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)腔，環(huán)形襯板由復(fù)數(shù)塊子襯板和旋轉(zhuǎn)件431組成，本實(shí)施例子襯板優(yōu)選為8塊，其中相鄰的兩塊襯板分別為第一子襯板41和第二子襯板42，第一子襯板41和第二子襯板42各自與旋轉(zhuǎn)件431連接，構(gòu)成一碎片清除裝置，用于清理生長(zhǎng)晶片過(guò)程中因工作異常產(chǎn)生的碎片。旋轉(zhuǎn)件431固定在外殼3上，旋轉(zhuǎn)件431通過(guò)電路受外部控制，帶動(dòng)第一子襯板41和第二子襯板42旋轉(zhuǎn)，形成傾倒角度。第一子襯板41和第二子襯板42的一端具有弧形結(jié)構(gòu)，在水平位置時(shí)兩子襯板具有弧形結(jié)構(gòu)的一端連接組成孔狀結(jié)構(gòu)，孔狀結(jié)構(gòu)與排氣孔21的進(jìn)氣口對(duì)應(yīng)，當(dāng)?shù)谝蛔右r板41和第二子襯板42旋轉(zhuǎn)時(shí)，擴(kuò)大所述孔狀結(jié)構(gòu)的面積，利用傾倒角度清理晶片碎片。排氣孔21下方與排氣管22連接。
[0021]環(huán)形襯板下方設(shè)有第二腔室12，用于承載碎片清除裝置清理下來(lái)的晶片碎片。
[0022]實(shí)施例2 參看圖3，本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于排氣管22的管壁上分布有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞221，本實(shí)施例單根排氣管優(yōu)選設(shè)置10個(gè)孔洞221，排氣管22位于第二腔室12中，以利于第二腔室12中廢氣更快速排出，提高晶片生長(zhǎng)質(zhì)量。
[0023]參看圖4，排氣管22管壁上的孔洞221，優(yōu)選設(shè)置在遠(yuǎn)離碎片滑落位置的管壁上，避免碎片掉入排氣管22內(nèi)，造成排氣管22堵塞。
[0024]實(shí)施例3
參看圖5和圖6，本實(shí)施例與實(shí)施例2的區(qū)別在于第二腔室底部122具有波浪狀起伏，旋轉(zhuǎn)件431正下方的第二腔室底部122設(shè)有排肩口 121，排肩孔121數(shù)目與旋轉(zhuǎn)件431數(shù)目相同，排肩口 121位于波浪狀起伏的波谷處，而排氣管22位于波浪狀起伏的波峰處，波浪狀起伏有利于第二腔室底部122上的晶片碎片在重力引導(dǎo)下滑向排肩口 121，減少人工打開(kāi)第二腔室12的次數(shù)。
[0025]實(shí)施例4
參看圖7和圖8，本實(shí)施例與實(shí)施例3的區(qū)別在于通過(guò)伸縮件432替代旋轉(zhuǎn)件431，伸縮件432控制第一子襯板41和第二子襯板42伸縮移動(dòng)，當(dāng)子襯板縮進(jìn)伸縮件432時(shí)，晶片碎片從子襯板上掉落到第二腔室底部122。
[0026]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種MOCVD系統(tǒng)，包括第一腔室和外殼，第一腔室包含環(huán)形襯板和排氣孔，排氣孔位于環(huán)形襯板內(nèi)，系統(tǒng)用于生長(zhǎng)外延晶片，其特征在于，所述環(huán)形襯板由復(fù)數(shù)塊子襯板和移動(dòng)件組成，所述子襯板分別通過(guò)移動(dòng)件移動(dòng)，所述子襯板通過(guò)移動(dòng)實(shí)現(xiàn)晶片碎片的清除功能。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種M0CVD系統(tǒng)，其特征在于，所述子襯板一端具有弧形結(jié)構(gòu)，相鄰兩子襯板具有弧形結(jié)構(gòu)的一端連接組成孔狀結(jié)構(gòu)，所述孔狀結(jié)構(gòu)與所述排氣孔的進(jìn)氣口對(duì)應(yīng)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種M0CVD系統(tǒng)，其特征在于，所述排氣孔與排氣管相連，所述排氣管管壁上分布有復(fù)數(shù)個(gè)孔洞。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種M0CVD系統(tǒng)，其特征在于，所述環(huán)形襯板下方設(shè)有第二腔室，用于承載從子襯板清理下來(lái)的晶片碎片。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種M0CVD系統(tǒng)，其特征在于，所述第二腔室具有排肩孔。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種M0CVD系統(tǒng)，其特征在于，所述第二腔室底部具有波浪狀起伏，所述排肩孔位于波浪狀的波谷，便于晶片的碎片排出。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種M0CVD系統(tǒng)，其特征在于，所述排肩孔數(shù)目與移動(dòng)件數(shù)目相同。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種M0CVD系統(tǒng)，其特征在于，所述排肩孔位于對(duì)應(yīng)移動(dòng)件的正下方。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種M0CVD系統(tǒng)，其特征在于，所述移動(dòng)件固定在外殼上，通過(guò)電路受外部控制。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種M0CVD系統(tǒng)，其特征在于，所述移動(dòng)件優(yōu)選為旋轉(zhuǎn)件。
【專利摘要】一種MOCVD系統(tǒng)，包括第一腔室和外殼，第一腔室包含環(huán)形襯板和排氣孔，排氣孔位于環(huán)形襯板內(nèi)，系統(tǒng)用于生長(zhǎng)外延晶片，所述環(huán)形襯板由復(fù)數(shù)塊子襯板和移動(dòng)件組成，所述子襯板分別通過(guò)移動(dòng)件移動(dòng)，所述子襯板通過(guò)移動(dòng)實(shí)現(xiàn)晶片碎片的清除功能。
【IPC分類】C23C16/44
【公開(kāi)號(hào)】CN105420687
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610000710
【發(fā)明人】劉建明, 張潔, 朱學(xué)亮, 杜成孝, 徐宸科
【申請(qǐng)人】廈門市三安光電科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2016年1月4日