為l_2h。
[0047] 本發(fā)明的有益效果為：通過采用凝膠流延法制備鋁基氮化鋁，得到的產(chǎn)品成分分 布均勻，氣孔率低，導(dǎo)熱率高，且通過引入鎂粉，改善燒結(jié)性能，降低燒結(jié)溫度。本發(fā)明涉及 的工藝簡單，能耗較少。
[0048] 本發(fā)明的實(shí)施例中用到的碳化硅微粉、鋁粉和鎂粉，可以是片狀、球形、類球形或 無規(guī)則形貌，但優(yōu)選地，以球形或者類球形為佳。
[0049] 下面結(jié)合優(yōu)選的實(shí)施例，具體說明本發(fā)明方案。
[0050] 實(shí)施例1 :
[0051] -種鋁基碳化硅的制備方法：
[0052] 1)制備 SiC/Al 漿料：
[0053] 首先按照SiC微粉50wt %、7wt %的塑化劑、3wt %的分散劑、10 %和40wt %的水比 例配制得到固含量為50%的SiC漿料，其中塑化劑為聚乙二醇，分散劑為聚甲基丙烯酸胺； SiC微粉的平均粒徑為7微米；
[0054] 然后按照SiC : Al = I : 1的質(zhì)量比加入鋁粉，鋁粉的平均粒徑為13微米，球磨 16h，混合均勻，得到SiC/Al漿料。
[0055] 2)流延成型：
[0056] 對步驟1)中得到的SiC/Al漿料真空除泡后，加入漿料重量的1%的過硫酸銨引發(fā) 劑和2%的丙烯酰胺單體，混合均勻后，進(jìn)行流延，得到SiC/Al流延膜。
[0057] 3)將流延膜在300°C素?zé)玫絊iC/Al素坯；
[0058] 4)將SiC/Al素坯在1000°C真空燒結(jié)，保溫時(shí)間為2h，得到的鋁基碳化硅。
[0059] 實(shí)施例2
[0060] 一種鋁基碳化硅的制備方法：
[0061] 1)制備 SiC/Al 漿料：
[0062] 首先按照SiC微粉55wt %、IOwt %的塑化劑、Iwt %的分散劑和34wt %的水比例 配制得到固含量為55%的SiC漿料，其中塑化劑由聚乙烯吡咯烷酮：聚乙烯醇：甘油= I : 1 : 2的體積比組成，分散劑為檸檬酸銨；SiC微粉平均粒徑為10微米；
[0063] 然后按照SiC : Al : Mg = 2 : 1 : 0.4的質(zhì)量比加入鋁粉和鎂粉，其中鋁粉平 均粒徑為20微米，鎂粉的平均粒徑為16微米，球磨20h，混合均勻，得到SiC/Al漿料。
[0064] 2)流延成型：
[0065] 對步驟1)中得到的SiC/Al漿料真空除泡后，加入漿料重量的3 %的過硫酸銨引發(fā) 劑和4%的丙烯酰胺單體，混合均勻后，進(jìn)行流延，得到SiC/Al流延膜。
[0066] 3)將流延膜在360°C進(jìn)行素?zé)?，得到SiC/Al素坯。
[0067] 4)將SiC/Al素坯在950°C真空燒結(jié)，保溫時(shí)間為lh，得到的鋁基碳化硅。
[0068] 實(shí)施例3
[0069] 一種鋁基碳化硅的制備方法：
[0070] 1)制備 SiC/Al 漿料：
[0071] 首先按照SiC微粉60wt %、2wt %的塑化劑、5wt %的分散劑和33wt %的水比例配 制得到固含量為60%的SiC漿料，其中塑化劑由聚乙二醇：甘油=1 : 1的體積比組成，分 散劑為聚丙烯酸銨；SiC微粉的平均粒徑為3微米；
[0072] 然后按照SiC : Al : Mg= 1.5 : 1 : 0.37的質(zhì)量比加入鋁粉和鎂粉，其中鋁粉 的平均粒徑為5微米，鎂粉的平均粒徑為5微米，球磨10h，混合均勻，得到SiC/Al漿料。
[0073] 2)流延成型：
[0074] 對步驟1)中得到的SiC/Al漿料真空除泡后，加入漿料重量的2 %的過硫酸銨引發(fā) 劑和3%的丙烯酰胺單體，混合均勻后，進(jìn)行流延，得到SiC/Al流延膜。
[0075] 3)將流延膜在400°C進(jìn)行素?zé)玫絊iC/Al素坯。
[0076] 4)將SiC/Al素坯在900°C真空燒結(jié)，并保溫I. 5h，得到的鋁基碳化硅。
[0077] 對實(shí)施例1-3中得到的鋁基碳化硅樣品，打磨拋光，進(jìn)行測試，測試結(jié)果如表1所 不。
[0078] 熱導(dǎo)率> 190W/m. K(25°C )，在200W/m. K，接近鋁基板的導(dǎo)熱率（238W/m. K)，遠(yuǎn)遠(yuǎn) 高于氧化鋁基板的熱導(dǎo)率（17W/m. K)，而且得到的散熱基板致密、氣孔少，具有良好的機(jī)械 強(qiáng)度，可以滿足中高端LED產(chǎn)品的散熱需求。
[0079] 請參考表1，表1為本發(fā)明各實(shí)施例得到的鋁基碳化硅性能測試結(jié)果表。
[0081] 表 1
[0082] 本發(fā)明的實(shí)施例是為了示例和描述起見而給出的，而并不是無遺漏的或者將本發(fā) 明限于所公開的形式。很多修改和變化對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言是顯而易見的。選 擇和描述實(shí)施例是為了更好說明本發(fā)明的原理和實(shí)際應(yīng)用，并且使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 能夠理解本發(fā)明從而設(shè)計(jì)適于特定用途的帶有各種修改的各種實(shí)施例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種鋁基碳化硅的制備方法，其特征在于，包括： 步驟一、制備SiC/Al漿料，首先使用SiC微粉配制得到固含量為50-60%的SiC漿料， 然后按照SiC:A1 :Mg為（1-2) : 1 : (0-0.4)的質(zhì)量比加入鋁粉和鎂粉，混合均勻，得 至IJSiC/Al漿料； 步驟二、流延成型，對步驟一中得到的SiC/Al漿料除泡后，加入SiC/Al漿料總重量 1-3%的引發(fā)劑和2-4%的單體，混合均勻后，進(jìn)行流延得到SiC/Al流延膜； 步驟三、流延膜素?zé)?，對步驟二得到的流延膜進(jìn)行素?zé)?，得到SiC/Al素坯； 步驟四、真空燒結(jié)，將SiC/Al素坯在真空狀態(tài)下燒結(jié)，得到鋁基碳化硅。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁基碳化硅的制備方法，其特征在于，在步驟一中，所述SiC 漿料是由50-60wt%的SiC微粉、2-lOwt%的塑化劑、l-5wt%的分散劑和余量的水混合均 勻球磨10-20h得到的。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋁基碳化硅的制備方法，其特征在于，在步驟一中，所述SiC 微粉的平均粒徑為3-10微米。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋁基碳化硅的制備方法，其特征在于，所述塑化劑為聚乙二 醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇和甘油中的任意一種或者幾種的混合物。5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋁基碳化硅的制備方法，其特征在于，所述分散劑為檸檬酸 銨、聚丙烯酸銨、聚乙二醇和聚甲基丙烯酸胺中的任意一種。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁基碳化硅的制備方法，其特征在于，在步驟二中，所述引發(fā) 劑為過硫酸銨，單體為丙烯酰胺單體。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁基碳化硅的制備方法，其特征在于，在步驟三中，素?zé)郎囟?為 300-400 °C。8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的鋁基碳化硅的制備方法，其特征在于，在步驟一 中，鎂粉和鋁粉的平均粒徑為5-20微米。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的鋁基碳化硅的制備方法，其特征在于，在步驟四中，真空燒結(jié) 溫度為 900-1000 °C。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的鋁基碳化硅的制備方法，其特征在于，在步驟四中，對SiC/ A1素坯燒結(jié)后對其進(jìn)行l(wèi)-2h的保溫，之后得到鋁基碳化硅。
【專利摘要】一種鋁基碳化硅的制備方法，包括步驟：步驟一、制備SiC/Al漿料，使用SiC微粉配制得到SiC漿料，然后按比例加入鋁粉和鎂粉并混合均勻；步驟二、流延成型，對SiC/Al漿料除泡后加入SiC/Al漿料總重量1-3％的引發(fā)劑和2-4％的單體，混合均勻后，進(jìn)行流延得到SiC/Al流延膜；步驟三、流延膜素?zé)?，對步驟二得到的流延膜進(jìn)行素?zé)?，得到SiC/Al素坯；步驟四、真空燒結(jié)，將SiC/Al素坯在真空狀態(tài)下燒結(jié)，得到鋁基碳化硅。本發(fā)明通過采用凝膠流延法制備鋁基氮化鋁，得到的產(chǎn)品成分分布均勻，氣孔率低，導(dǎo)熱率高，且通過引入鎂粉，改善燒結(jié)性能，降低燒結(jié)溫度。本發(fā)明涉及的工藝簡單，能耗較少。
【IPC分類】C22C32/00, C22C1/05, C22C30/00, C22C29/06
【公開號】CN105400977
【申請?zhí)枴緾N201510765904
【發(fā)明人】李大海, 彭建勛, 李鈺
【申請人】李大海
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2015年11月12日