專(zhuān)利名稱(chēng)：對(duì)向異材磁控濺射靶制備合金薄膜工藝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于利用磁控濺射靶制備合金薄膜之工藝方法。
目前，利用磁控濺射制備合金薄膜傳統(tǒng)的方法是采用合金靶及復(fù)合靶，而且合金靶及復(fù)合靶要求事先制備好符合合金比例要求的合金靶材及復(fù)合靶材，然后以濺射靶制備合金薄膜層或化合物薄膜，此種薄膜形成容易，工藝也較簡(jiǎn)單，但其不足之處是合金比例難于控制，而且最大缺點(diǎn)是無(wú)法做到隨時(shí)或任意調(diào)整合金比例，這樣難于達(dá)到對(duì)產(chǎn)品薄膜形成的高技術(shù)要求。
為解決以上合金薄膜形成方法之不足，本發(fā)明的目的提供一種對(duì)向異材磁控濺射靶制備合金薄膜工藝方法，分別利用控制各靶濺射功率來(lái)控制單一靶材的濺射速率，以達(dá)到隨時(shí)控制合金比例的目的。
本發(fā)明對(duì)向?qū)Р拇趴貫R射靶制備合金薄膜工藝是這樣實(shí)現(xiàn)的此工藝方法是由對(duì)向異材磁控濺射靶裝置及控制工藝方法兩部分組成，其中濺射靶之結(jié)構(gòu)是由一對(duì)向磁控濺射靶組成，其中一個(gè)為靶1，另一個(gè)為靶2，兩個(gè)靶互相對(duì)應(yīng)，中間留有一定間隔，在其中一個(gè)靶的上面設(shè)有靶材A，另一個(gè)靶上設(shè)有靶材B(如

圖1所示)，則濺射在表面上的合金薄膜成份為A+B，其加工工藝過(guò)程是用控制每個(gè)靶的濺射功率的方法控制每個(gè)靶材不同的濺射速率，從而可以得到基片上任一金屬比例100∶5～100∶100之間任意比例的合金，并可在工作過(guò)程中隨時(shí)調(diào)節(jié)改變合金比例。
本發(fā)明之優(yōu)點(diǎn)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，安裝使用方便，在對(duì)靶上設(shè)有兩種不同金屬的靶材就可以在一定范圍內(nèi)(100∶5～100∶100)制備任意比例的合金薄膜。
本發(fā)明之詳細(xì)結(jié)構(gòu)與工藝方法由以下實(shí)施例及附圖給出。
圖1為對(duì)向異材磁控濺射靶制備合金及化合物工藝方法對(duì)向靶結(jié)構(gòu)圖。
其結(jié)構(gòu)由附圖所示，1為靶1，2為靶材A，3為靶材B，4為靶2，工作時(shí)控制各靶的濺射功率，這時(shí)兩種靶材的濺射速率不同，就可以在基片表面形成A+B不同比例的合金，其任一種金屬比例范圍為100∶5～100∶100。
例靶材A為Fe靶材B為Cu在靶材為Fe的靶與基片之間加功率300W在靶材為Cu的靶與基片之間加功率230W則可以在基片上得Fe和Cu比例為100∶70的合金。
權(quán)利要求
1.一種對(duì)向異材磁控濺射靶制備合金薄膜之工藝方法，它是由對(duì)向?yàn)R射靶組成，其特征是在其中一個(gè)靶(1)的上面設(shè)有靶材A，另一個(gè)靶(2)上設(shè)有靶材B，則濺射基片表面上的合金薄膜成份為A+B。
2.按照權(quán)利要求1所述的工藝方法，其特征是工藝過(guò)程是利用控制每個(gè)靶的濺射功率的方法控制每個(gè)靶材不同的濺射速率，從而可得到任一合金比例為100∶5～100∶100之間任意比例的合金薄膜，并可在工作中隨時(shí)調(diào)節(jié)改變合金比例。
全文摘要
本裝置屬于利用磁控濺射靶制備合金及化合物薄膜之工藝方法,結(jié)構(gòu)為一對(duì)向磁控濺射靶,其中一個(gè)靶上設(shè)有靶材A,另一靶上設(shè)有靶材B,則在基片上形成的薄膜合金為A+B,在加工過(guò)程中由于改變每個(gè)靶的濺射速率可以隨時(shí)和任意改變合金的比例,其比例范圍在100∶5～100。優(yōu)點(diǎn):結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,安裝使用方便,在對(duì)靶上設(shè)有兩種不同金屬的靶材就可以在一定范圍內(nèi)(100∶5～100)制備任意比例的合金及化合物薄膜。
文檔編號(hào)C23C14/35GK1247906SQ9811430
公開(kāi)日2000年3月22日 申請(qǐng)日期1998年9月14日 優(yōu)先權(quán)日1998年9月14日
發(fā)明者張振厚, 黃文符 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心