本發(fā)明涉及銀納米線技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種室溫下一步合成銀納米線的制備方法。
背景技術(shù):
常用的一維金屬納米材料,如納米線、納米棒、納米管等,因其具有獨(dú)特的光學(xué)、電學(xué)、力學(xué)和催化性質(zhì)受到廣泛關(guān)注。一維納米材料將成為納米集成電路、納米半導(dǎo)體器件重要部件。銀納米線具有較高的電導(dǎo)和熱導(dǎo)效應(yīng),可作為電路的導(dǎo)線、化學(xué)反應(yīng)的催化劑、表面增強(qiáng)拉曼散射基底、光波導(dǎo)介質(zhì)。目前,銀納米線的制備方法主要包括:納米光刻技術(shù)、模板法(氧化鋁或聚合物膜,碳納米管、dna等)、種子生長方法和一定條件下實(shí)現(xiàn)的一步合成方法。這些方法還存在不足:合成操作需要一定的環(huán)境溫度才能進(jìn)行,需要的設(shè)備多,操作麻煩,制備成本高,銀納米線的生長過程監(jiān)測難度大。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種操作簡單、需要設(shè)備少、制備成本低、在室溫條件下就能制備、銀納米線的生長過程監(jiān)測容易的室溫下一步合成銀納米線的制備方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案:一種室溫下一步合成銀納米線的制備方法,包括以下步驟:
(1)取硝酸銀原液加入0.1mmctab水溶液中稀釋,其中硝酸銀原液的濃度為4mm,稀釋后的濃度0.4mm;
(2)稱取無水葡萄糖和氫氧化鈉分別溶于水中,葡萄糖和氫氧化鈉的濃度質(zhì)量比均為1%;
(3)分別取900μl葡萄糖和300μl氫氧化鈉溶液順次加入硝酸銀溶液中,輕輕晃動,使溶液充分混合。
作為優(yōu)選的,步驟(1),新鮮配制0.1mmctab水溶液備用,然后加入硝酸銀原液進(jìn)行稀釋。
作為優(yōu)選的,步驟(2),中葡萄糖的濃度質(zhì)量比為:1%,氫氧化鈉的初始濃度質(zhì)量比為:1%。
作為優(yōu)選的,步驟(3)中,依次加入900μl葡萄糖溶液和300μl氫氧化鈉溶液,輕輕晃動,使溶液充分混合。
作為優(yōu)選的,所述ctab水溶液為表面活性劑,作為合成銀納米線的模板。
作為優(yōu)選的,在室溫或較低溫度下均可以進(jìn)行實(shí)驗(yàn),完全反應(yīng)時間需要1.5—3天。
作為優(yōu)選的,無水葡萄糖的化學(xué)式為:c6h12o6,硝酸銀的化學(xué)式為:agno3,氫氧化鈉的化學(xué)式為:naoh。
作為優(yōu)選的,
(a)在離心管中配制10ml,濃度為0.4mm的agno3及0.1mm的ctab混合溶液,輕輕搖動使其混合均勻,待用;
(b)分別取900μl質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%葡萄糖溶液和300μl質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%氫氧化鈉溶液順次加入硝酸銀溶液中,輕輕晃動,使溶液充分混合;
(c)觀察液體顏色變化,隨著反應(yīng)的進(jìn)行液體由無色變?yōu)榈S色。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明方案更加便利,表面活性劑ctab可視為結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑,作為合成銀納米線的模板。葡萄糖在加入氫氧化鈉溶液后表現(xiàn)出較好的還原性(室溫或較低溫度下亦可完成實(shí)驗(yàn)),反應(yīng)溫和有序,完全反應(yīng)時間需要2天左右,便于實(shí)時監(jiān)測銀納米線的生長過程。
下面結(jié)合說明書附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實(shí)施例銀納米線生長原理圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施例實(shí)時監(jiān)測銀納米線生長過程紫外吸收光譜圖;
圖3為本發(fā)明實(shí)施例銀納米線不同生長階段的tem圖。
具體實(shí)施方式
參見圖1、圖2和圖3,本發(fā)明公開的一種室溫下一步合成銀納米線的制備方法,包括以下步驟:
(1)取硝酸銀原液加入0.1mmctab水溶液中稀釋,其中硝酸銀原液的濃度為4mm,稀釋后的濃度0.4mm;
(2)稱取無水葡萄糖和氫氧化鈉分別溶于水中,葡萄糖和氫氧化鈉的濃度質(zhì)量比均為1%;
(3)分別取900μl葡萄糖和300μl氫氧化鈉溶液順次加入硝酸銀溶液中,輕輕晃動,使溶液充分混合。
步驟(1),新鮮配制0.1mmctab水溶液備用,然后加入硝酸銀原液進(jìn)行稀釋。
步驟(2),中葡萄糖的濃度質(zhì)量比為:1%,氫氧化鈉的初始濃度質(zhì)量比為:1%。
步驟(3)中,依次加入900μl葡萄糖溶液和300μl氫氧化鈉溶液,輕輕晃動,使溶液充分混合。
所述ctab水溶液為表面活性劑,作為合成銀納米線的模板。
在室溫或較低溫度下均可以進(jìn)行實(shí)驗(yàn),完全反應(yīng)時間需要1.5—3天。
作為優(yōu)選的,本實(shí)施例所述的無水葡萄糖(d-glucose)-化學(xué)式c6h12o6,硝酸銀-化學(xué)式agno3,氫氧化鈉-化學(xué)式為naoh,十六烷基三甲基溴化銨(ctab)。
室溫下一步合成銀納米線方法,包括以下步驟:
(a)在離心管中配制10ml,濃度為0.4mm的agno3及0.1mm的ctab混合溶液,輕輕搖動使其混合均勻,待用;
(b)分別取900μl質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%葡萄糖溶液和300μl質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%氫氧化鈉溶液順次加入硝酸銀溶液中,輕輕晃動,使溶液充分混合;
(c)觀察液體顏色變化,隨著反應(yīng)的進(jìn)行液體由無色變?yōu)榈S色。
圖1表示銀納米線的成核生長過程;圖2給出了實(shí)時監(jiān)測的銀納米晶體的紫外-可見光吸收光譜圖像,紫外吸收峰由初始的413nm單峰(銀納米粒子的四極表面等離子體共振峰)演變?yōu)?13nm和323nm(銀線橫向共振峰)雙峰.表明溶液中的銀納米粒子逐漸生長成為銀納米線。
本發(fā)明在一步法還原的基礎(chǔ)上制備各向異性銀納米結(jié)構(gòu),反應(yīng)條件溫和,實(shí)驗(yàn)操作簡單易行。同時,該方法有利于對銀納米線的成核生長過程進(jìn)行實(shí)時監(jiān)測,為揭示納米結(jié)構(gòu)的生長機(jī)理研究提供先決條件。此方法同樣適用于金、金銀合金納米粒子的制備與生長過程監(jiān)測。操作簡單、需要設(shè)備少、制備成本低、在室溫條件下就能制備、使用方便、實(shí)用性好。
上述實(shí)施例對本發(fā)明的具體描述,只用于對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說明,不能理解為對本發(fā)明保護(hù)范圍的限定,本領(lǐng)域的技術(shù)工程師根據(jù)上述發(fā)明的內(nèi)容對本發(fā)明作出一些非本質(zhì)的改進(jìn)和調(diào)整均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。