本發(fā)明涉及一種類金剛石復合膜、其制備方法及超聲工具頭。

背景技術：

超聲工具頭是超聲振動系統(tǒng)的重要組成部分，超聲波通過超聲發(fā)生器產生，通過換能器，變幅桿傳導到工具頭上。工具頭在液體中高頻振動可以起到分離，乳化，清洗，降解及催化等作用，超聲振動在機械加工，化工，食品和環(huán)保等行業(yè)有廣泛的應用。但在水中的振動除了水的沖擊，還會引起空蝕現(xiàn)象，極大的影響著工具頭的使用壽命，而一旦工具頭前端被空蝕破壞，需要更換整個工具頭，浪費大量材料。

工具頭在水中超聲振動時由于傳導負壓會在水中形成空泡，空泡伴隨著壓力變化可以快速潰滅，將在瞬間產生高溫高壓，空蝕產生的沖擊波和微射流會對材料表面產生危害，長期以來空蝕廣泛影響著水力機械性能及使用壽命。

技術實現(xiàn)要素：

基于此，有必要提供一種抗空蝕效果較好的類金剛石復合膜、其制備方法及超聲工具頭。

一種類金剛石復合膜，其特征在于，包括：

金屬層；

過渡層，層疊于所述金屬層的表面；

類金剛石層，層疊于所述過渡層的表面；

其中，所述過渡層的材料包括硅的碳化物及鈦的碳化物。

上述類金剛石復合膜包括依次層疊的金屬層、過渡層及類金剛石層，抗空蝕效果較好；通過金屬層與超聲工具頭的工作面復合層疊，金屬層作為粘合層，可以增加類金剛石復合膜與超聲工具頭之間的結合力；過渡層位于金屬層及類金剛石層之間，過渡層的材料包括硅的碳化物及鈦的碳化物，能較好的連接金屬層及類金剛石層，從而可以降低類金剛石復合膜的內應力，增強類金剛石復合膜的抗剝落能力，增加與基體之間的結合力。

在其中一個實施例中，所述過渡層中所述鈦的碳化物的質量濃度自所述過渡層靠近所述金屬層的一側至靠近所述類金剛石層的一側逐漸降低。

在其中一個實施例中，所述過渡層包括第一過渡層及第二過渡層，所述第一過渡層及所述第二過渡層層疊于所述金屬層及所述類金剛石層之間，且所述第二過渡層位于所述第一過渡層靠近所述類金剛石層的一側，所述第二過渡層中所述硅的碳化物的質量百分含量高于所述第一過渡層中硅的碳化物的含量。

在其中一個實施例中，所述金屬層的厚度為30nm～500nm，所述過渡層的厚度為100nm～1000nm，所述類金剛石層的厚度為100nm～2000nm。

在其中一個實施例中，所述過渡層通過射頻化學氣相沉積輔助的反應性濺射法制備。

在其中一個實施例中，所述過渡層制備時，開啟鈦靶，通入硅源及碳源進行沉積；在沉積的過程中，進行持續(xù)增加硅源的相對流量及降低鈦靶的功率的操作中的一種。

在其中一個實施例中，所述類金剛石層為含硅類金剛石層。

一種類金剛石復合膜的制備方法，包括以下步驟：

在基體的表面沉積金屬層；

在所述金屬層的表面沉積過渡層，所述過渡層的材料包括硅的碳化物及鈦的碳化物；

在所述過渡層的表面沉積類金剛石層。

一種超聲工具頭，所述超聲工具頭具有工作面，所述工作面層疊有上述的類金剛石復合膜，所述金屬層層疊于所述工作面。

在其中一個實施例中，所述超聲工具頭包括本體及與所述本體可拆卸連接的端頭，所述工作面為所述端頭的表面。

附圖說明

圖1為一實施方式的超聲工具頭的結構示意圖；

圖2為圖1中超聲工具頭表面層疊的類金剛石復合膜的結構示意圖；

圖3為另一實施方式的超聲工具頭的結構示意圖；

圖4為一實施方式的空蝕實驗機的結構示意圖。

具體實施方式

為了便于理解本發(fā)明，下面將對本發(fā)明進行更全面的描述。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內容的理解更加透徹全面。

請參閱圖1，一實施方式的超聲工具頭100包括本體110及可與本體110可拆卸連接的端頭130。

在圖示的實施方式中，本體110的一端凸設有插桿112，插桿112表面設有外螺紋。

在圖示的實施方式中，端頭130大致為圓柱體，當然在其他實施例中，端頭130也可以為正方體或半球形等其他形狀。端頭130開設有與插桿112配合的螺孔132。螺孔132貫穿端頭130的其中一個端面，端頭130的其他表面為工作面。

端頭130通過螺接的方式與本體110固接。在其中一個實施例中，端頭130沿超聲工具頭的長度方向延伸的長度為聲音在端頭130的材料中傳導波長的一半。

工作面層疊有類金剛石復合膜。在其中一個實施例中，端頭130的材料為不銹鋼、鈦或鈦合金。

請參閱圖2，一實施方式的類金剛石復合膜200包括依次層疊的金屬層210、過渡層230及類金剛石層250。

在其中一個實施例中，金屬層210層疊于端頭130的工作面，當然在其他實施例中，不考慮成本等問題，在本體110的表面也可以層疊類金剛石復合膜200。在其中一個實施例中，金屬層210的材料為鈦。

在其中一個實施例中，金屬層210的厚度為30nm～500nm。

過渡層230層疊于金屬層210的表面。過渡層230的材料包括硅的碳化物及鈦的碳化物。

在其中一個實施例中，過渡層230中鈦的碳化物的質量濃度自過渡層230靠近金屬層210的一側至靠近類金剛石層250的一側逐漸降低。需要說明的是，過渡層230中硅的碳化物的質量濃度自過渡層230靠近金屬層210的一側至靠近類金剛石層250的一側逐漸增大。

在其中一個實施例中，過渡層230為多層結構。多層結構可以為兩層、三層或更多層。以下以過渡層230為兩層結構為例進行說明。過渡層230包括第一過渡層及第二過渡層，第一過渡層及第二過渡層層疊于金屬層210及類金剛石層250之間。第二過渡層位于第一過渡層靠近類金剛石層250的一側，第二過渡層中硅的碳化物的質量百分含量高于第一過渡層中硅的碳化物的含量。需要說明的是，此處碳化物的含量可以為質量含量也可以為摩爾含量。當然，當過渡層230為三層以上的結構時，自靠近金屬層210的一側至靠近類金剛石層250的一側，過渡層230中各層的硅的碳化物的含量遞增。

在其中一個實施例中，過渡層230的厚度為100nm～1000nm。

在其中一個實施例中，過渡層通過射頻化學氣相沉積輔助的反應性濺射法制備。過渡層制備時，開啟鈦靶，通入硅源及碳源進行沉積。進一步的，在沉積的過程中，進行持續(xù)增加硅源的相對流量及降低鈦靶的功率的操作中的一種，從而使得過渡層230中硅的碳化物的質量濃度自過渡層230靠近金屬層210的一側至靠近類金剛石層250的一側逐漸增大。在其中一個實施例中，硅源及碳源均為六甲基二硅氧烷氣體。

類金剛石層250層疊于過渡層230的表面。在其中一個實施例中，類金剛石層的厚度為100nm～2000nm。

在其中一個實施例中，類金剛石層250為含硅類金剛石層，類金剛石層250中含有碳化硅。在類金剛石層250中摻入硅元素，可以提高類金剛石復合膜在水中的承載能力，當然，不摻入硅的類金剛石層250，可以提高類金剛石復合膜表面硬度，增強抗變形能力。

在其中一個實施例中，類金剛石層250通過射頻化學氣相沉積制備。制備類金剛石層250時通入碳源進行沉積或同時通入硅源及碳源進行沉積。優(yōu)選的，碳源為甲苯，硅源為六甲基二硅氧烷氣體。在其中一個實施例中，同時通入硅源及碳源進行沉積，在沉積過程中，持續(xù)降低硅源的相對流量。

上述超聲工具頭，在端頭130的工作面沉積類金剛石復合膜200，包括依次層疊的金屬層、過渡層及類金剛石層，抗空蝕效果較好；類金剛石復合膜200通過金屬層210與端頭130的工作面復合層疊，金屬層210作為粘合層，可以增加類金剛石復合膜200與端頭130之間的結合力；過渡層230位于金屬層210及類金剛石層250之間，過渡層230的材料包括硅的碳化物及鈦的碳化物，能較好的連接金屬層210及類金剛石層250，從而可以降低類金剛石復合膜200的內應力，增強類金剛石復合膜200的抗剝落能力，增加與端頭130之間的結合力。類金剛石復合膜200抗空蝕能力較好，可以極大的提高超聲工具頭的使用壽命；端頭130與本體110可拆卸連接，一端端頭130損壞，僅需要更換端頭130即可。

請參閱圖3，另一實施方式的超聲工具頭300與超聲工具頭100大致相同，其不同在與，端頭330的工作面為球面。

當然，在其他實施例中，端頭的工作面還可以為錐面等其他形狀。

一實施方式的類金剛石復合膜的制備方法，包括以下步驟：

步驟s410、對基體進行清洗。

在其中一個實施例中，在端頭的工作面層疊類金剛石復合膜，則基體為端頭，當然在其他實施例中，基體可以為其他元件。

優(yōu)選的，基體的材料為不銹鋼、鈦或鈦合金。

優(yōu)選的，對基體進行清洗的步驟具體為：依次用丙酮、乙醇及去離子水對基體分別進行超聲清洗至少十分鐘。當然，在其他實施方式中，可以采用清洗劑如洗潔精對基體進行清洗，只要能除去基體表面的污物即可。

可以理解，基體表面干凈時，則步驟s410可以省略。

步驟s420、使用氬氣對基體進行清洗。

在其中一個實施方式中，將基體放入鍍膜機中，使用氬氣進行射頻清洗。

在其中一個實施方式中，將基體放入鍍膜機中，設置鍍膜環(huán)境氣壓為2×10^-4pa。開始鍍膜前通入氬氣，流量為15sccm，旋轉基臺，并在基臺上施加射頻功率120w，用氬離子對基體進行清洗10min。

步驟s430、在基體表面沉積金屬層。

在其中一個實施例中，金屬層為鈦層。

在其中一個實施例中，采用真空濺射技術，在金屬靶上施加電流，沉積金屬層，沉積時間為20分鐘～60分鐘。

在其中一個實施例中，金屬層采用射頻化學氣相沉積輔助的直流濺射法進行沉積。將基體放入鍍膜機中，設置鍍膜環(huán)境氣壓、基臺射頻功率及金屬靶施加功率即可沉積金屬層。具體的，將基體放入反應濺射與射頻化學氣相沉積鍍膜機中，設置鍍膜環(huán)境氣壓低于9×10^-4pa，基臺射頻功率到50w～120w，并在金屬靶上施加功率80w～180w，沉積金屬基層，時間持續(xù)20min～60min。當然，可以根據金屬層的厚度調整工藝參數(shù)，當金屬層的材料為鈦時，對應的金屬靶為鈦靶。

在其中一個實施例中，金屬層的厚度為30nm～500nm。

步驟s440、在金屬層的表面沉積過渡層。

過渡層的材料包括硅的碳化物及鈦的碳化物。

在其中一個實施例中，過渡層的厚度為100nm～1000nm。

在其中一個實施例中，過渡層通過射頻化學氣相沉積輔助的反應性濺射法制備。

在其中一個實施例中，過渡層中鈦的碳化物的質量濃度自過渡層靠近金屬層的一側至遠離金屬層的一側逐漸降低。過渡層制備時，開啟鈦靶，通入硅源及碳源進行沉積；在沉積的過程中，進行持續(xù)增加硅源的相對流量及降低鈦靶的功率的操作中的一種。在其中一個實施例中，硅源及碳源均為六甲基二硅氧烷氣體。

需要說明的是，持續(xù)增加硅源的相對流量及降低鈦靶的功率可以采用漸變的方式進行遞增或遞減，這樣制備的過渡層中硅的碳化物的含量漸變式增加，當然，持續(xù)增加硅源的相對流量及降低鈦靶的功率可以采用階梯式遞增或遞減的方式進行，這樣制備的過渡層為多層結構，每層中硅的碳化物的含量基本一致，越遠離金屬層的過渡層中硅的碳化物的含量越高。

在其中一個實施例中，金屬層制備結束后，通入硅源、碳源、氬氣，控制基臺射頻功率及鈦靶施加功率即可沉積過渡層。優(yōu)選的，保持硅源氣體與氬氣總流量一定，之后逐漸升高硅源氣體流量，降低氬氣流量，同時保持鈦靶濺射功率不變，以此來制備過渡層，沉積時間為50～100min。

在其中一個實施例中，金屬層制備結束后，鍍膜環(huán)境氣壓與步驟s430維持相同，通入硅源、碳源、氬氣，控制基臺射頻功率及鈦靶施加功率即可沉積過渡層。優(yōu)選的，保持硅源氣體與氬氣總流量一定，之后逐漸升高硅源氣體流量，降低氬氣流量，同時保持鈦靶濺射功率不變，沉積時間為50～100min；當硅源氣體流量達到最大時，增加碳源氣體的流量，并逐漸降低鈦靶功率進行沉積，沉積時間為20分鐘～40分鐘。

在其中一個實施例中，金屬層制備結束后，鍍膜環(huán)境氣壓與步驟s430維持相同，基臺射頻功率維持50w～120w，鈦靶上維持施加功率80w～180w，通入硅源氣體六甲基二硅氧烷來制備過渡層，保持硅源氣體與氬氣總流量為15sccm～20sccm。六甲基二硅氧烷流量初始為2sccm～7sccm，氬氣流量為8sccm～13sccm，持續(xù)10min～40min；升高六甲基二硅氧烷氣體流量為3sccm～8sccm，降低氬氣流量到7sccm～12sccm，持續(xù)10min～30min；升高六甲基二硅氧烷氣體流量為4sccm～9sccm，降低氬氣流量到6sccm～11sccm，持續(xù)10min～30min；升高六甲基二硅氧烷氣體流量為5sccm～10sccm，降低氬氣流量到5sccm～10sccm，持續(xù)10min～30min；然后保持六甲基二硅氧烷氣體流量為5sccm～10sccm，氬氣流量為5sccm～10sccm，通入主要碳源甲苯流量為5sccm～10sccm，并降低鈦靶功率到50w～120w，持續(xù)5min～20min；其他條件不變，再次降低鈦靶功率到40w～90w，持續(xù)5min～20min后，關閉鈦靶，關閉氬氣得到過渡層。

在另一個實施方式中，金屬層制備結束后，鍍膜環(huán)境氣壓與步驟s430維持相同，基臺射頻功率維持50w～120w，鈦靶上維持施加功率80w～180w，通入硅源氣體六甲基二硅氧烷來制備過渡層，保持硅源氣體與氬氣總流量為15sccm～20sccm。六甲基二硅氧烷流量初始為2sccm～7sccm，氬氣流量為8sccm～13sccm，持續(xù)10min～40min；升高六甲基二硅氧烷氣體流量為3sccm～8sccm，降低氬氣流量到7sccm～12sccm，持續(xù)10min～30min；升高六甲基二硅氧烷氣體流量為4sccm～9sccm，降低氬氣流量到6sccm～11sccm，持續(xù)10min～30min；升高六甲基二硅氧烷氣體流量為5sccm～10sccm，降低氬氣流量到5sccm～10sccm，持續(xù)10min～30min；然后保持六甲基二硅氧烷氣體流量為5sccm～10sccm，氬氣流量為5sccm～10sccm，通入主要碳源甲苯流量為5sccm～10sccm，并保持鈦靶功率不變，持續(xù)5min～20min得到過渡層。

步驟s450、在過渡層的表面沉積類金剛石層。

在其中一個實施例中，類金剛石層的厚度為100nm～2000nm。

在其中一個實施例中，類金剛石層為含硅類金剛石層，類金剛石層中含有碳化硅。在類金剛石層中摻入硅元素，可以提高類金剛石復合膜在水中的承載能力，當然，不摻入硅的類金剛石層，可以提高類金剛石復合膜表面硬度，增強抗變形能力。

在本實施方式中，類金剛石層通過射頻化學氣相沉積制備。制備類金剛石層時通入碳源進行沉積或同時通入硅源及碳源進行沉積。優(yōu)選的，碳源為甲苯，硅源為六甲基二硅氧烷氣體。在其中一個實施例中，同時通入硅源及碳源進行沉積，在沉積過程中，降低硅源的相對流量。

在其中一個實施例中，類金剛石層通過射頻化學氣相沉積制備，同時通入硅源及碳源進行沉積得到含硅類金剛石層。優(yōu)選的，硅源為六甲基二硅氧烷，碳源為甲苯。沉積時間為30min～100min。

在其中一個實施例中，類金剛石層通過射頻化學氣相沉積制備，同時通入硅源及碳源進行沉積，之后關閉硅源，增大碳源流量進行沉積20分鐘～90分鐘得到類金剛石層。

在其中一個實施例中，利用射頻化學氣相沉積技術來沉積類金剛石表層，鍍膜環(huán)境氣壓與步驟s440維持相同，保持六甲基二硅氧烷氣體流量為5sccm，甲苯流量為5sccm，持續(xù)10min，之后提高甲苯流量為10sccm，甲基二硅氧烷氣體流量仍為5sccm，持續(xù)30min，完成類金剛石表層的制備，最后關閉射頻電壓與氣體流量，停止旋轉基臺，讓薄膜自然冷卻8h后取出。

在其中一個實施例中，利用射頻化學氣相沉積技術來沉積類金剛石表層，鍍膜環(huán)境氣壓與步驟s440維持相同，保持六甲基二硅氧烷氣體流量為5sccm，甲苯流量為5sccm，持續(xù)10min，之后提高甲苯流量為10sccm，六甲基二硅氧烷氣體流量仍為5sccm，持續(xù)10min。關閉六甲基二硅氧烷，提高提高甲苯流量為15sccm，持續(xù)20min，完成類金剛石表層的制備，最后關閉射頻電壓與氣體流量，停止旋轉基臺，讓薄膜自然冷卻8h后取出。

上述類金剛石復合膜的制備方法，操作簡單，制備得到的類金剛石復合膜與基體之間結合力較好。薄膜在氣壓9×10-4pa以下的真空環(huán)境下制備，硅源與碳源氣體都具有經濟性，整體制備工藝與傳統(tǒng)抗空蝕涂層相比較為簡潔，可節(jié)約成本，具有良好的經濟與環(huán)保效應。

以下結合具體實施例進行說明。

實施例1

超聲工具頭，材質為304不銹鋼，結構如圖1所示。

在端頭130的工作面上制備類金剛石復合膜，類金剛石復合膜包括依次層疊的鈦層、過渡層及類金剛石層。

端頭在放入真空環(huán)境前，用丙酮，乙醇及去離子水分別進行超聲清洗10min以上，將工業(yè)油污等洗去。放入鍍膜環(huán)境后，對真空腔內抽氣到鍍膜環(huán)境氣壓為2×10^-4pa。開始鍍膜前通入氬氣，流量為15sccm，旋轉基臺，并在基臺上施加射頻功率120w，用氬離子對基體進行清洗10min。

金屬層采用射頻化學氣相沉積輔助的直流濺射法制備。開始鍍膜后降低基臺射頻功率到80w，并在鈦靶上施加功率110w，沉積金屬層鈦層，時間持續(xù)30min，金屬層鈦層可以很好的連接工具頭金屬表面與薄膜，提升薄膜的結合力。金屬層的厚度為100nm。

金屬層制備完成后，用射頻化學氣相沉積輔助的反應性濺射法制備過渡層。通入硅源氣體六甲基二硅氧烷來制備過渡層。六甲基二硅氧烷流量初始為2sccm，氬氣流量降為13sccm，持續(xù)20min。升高六甲基二硅氧烷氣體流量為3sccm，降低氬氣流量到12sccm，持續(xù)10min。升高六甲基二硅氧烷氣體流量為4sccm，降低氬氣流量到11sccm，持續(xù)10min。最后升高六甲基二硅氧烷氣體流量為5sccm，降低氬氣流量到10sccm，持續(xù)10min。在這個過程中，保持鈦靶濺射功率為110w，基臺上的射頻功率為80w，保持硅源氣體與氬氣總流量為15sccm。

然后保持六甲基二硅氧烷氣體流量為5sccm，氬氣流量為10sccm，通入碳源氣體甲苯流量為5sccm，并降低鈦靶功率到75w，持續(xù)10min。其他條件不變，再次降低鈦靶功率到50w，持續(xù)10min后，關閉鈦靶，關閉氬氣，得到過渡層。過渡層的厚度為500nm。

關閉鈦靶和氬氣后，利用射頻化學氣相沉積技術來沉積類金剛石表層，保持六甲基二硅氧烷氣體流量為5sccm，甲苯流量為5sccm，持續(xù)10min。之后提高甲苯流量為10sccm，甲基二硅氧烷氣體流量仍為5sccm，持續(xù)30min，完成類金剛石表層的制備，最后關閉射頻電壓與氣體流量，停止旋轉基臺，自然冷卻8h后取出。類金剛石層的厚度為1000nm。

實施例2

超聲工具頭，材質為316不銹鋼，結構如圖3所示。在端頭130的工作面上制備類金剛石復合膜，類金剛石復合膜包括依次層疊的鈦層、過渡層及類金剛石層。

端頭在放入真空環(huán)境前，用丙酮，乙醇及去離子水分別進行超聲清洗10min以上，將工業(yè)油污等洗去。放入鍍膜環(huán)境后，對真空腔內抽氣到鍍膜環(huán)境氣壓為2×10-4pa。開始鍍膜前通入氬氣，流量為15sccm，旋轉基臺，并在基臺上施加射頻功率120w，用氬離子對基體進行清洗10min。

金屬層采用射頻化學氣相沉積輔助的直流濺射法制備。開始鍍膜后降低基臺射頻功率到80w，并在鈦靶上施加功率110w，沉積金屬層鈦層，時間持續(xù)30min。金屬層的厚度為100nm。

金屬層制備完成后，用射頻化學氣相沉積輔助的反應性濺射法制備過渡層。通入硅源氣體六甲基二硅氧烷來制備過渡層。六甲基二硅氧烷流量初始為2sccm，氬氣流量降為13sccm，持續(xù)20min。升高六甲基二硅氧烷氣體流量為3sccm，降低氬氣流量到12sccm，持續(xù)10min。升高六甲基二硅氧烷氣體流量為4sccm，降低氬氣流量到11sccm，持續(xù)10min。最后升高六甲基二硅氧烷氣體流量為5sccm，降低氬氣流量到10sccm，持續(xù)10min。在這個過程中，保持鈦靶濺射功率為110w，基臺上的射頻功率為80w，保持硅源氣體與氬氣總流量為15sccm。

然后保持六甲基二硅氧烷氣體流量為5sccm，氬氣流量為10sccm，通入碳源氣體甲苯流量為5sccm，并保持鈦靶功率為110w，持續(xù)20min得到過渡層。過渡層的厚度為400nm。

關閉鈦靶和氬氣后，利用射頻化學氣相沉積技術來沉積類金剛石表層，保持六甲基二硅氧烷氣體流量為5sccm，甲苯流量為5sccm，持續(xù)10min。之后提高甲苯流量為10sccm，六甲基二硅氧烷氣體流量仍為5sccm，持續(xù)10min。關閉六甲基二硅氧烷，提高提高甲苯流量為15sccm，持續(xù)20min，完成類金剛石表層的制備，最后關閉射頻電壓與氣體流量，停止旋轉基臺，自然冷卻8h后取出。類金剛石層的厚度為1000nm。

實施例3

實施例3的測試片的制備方法及參數(shù)與實施例1大致相同，其不同在于，實施例3中用尺寸為20mm×20mm×1.5mm的316鏡面拋光不銹鋼片為基體替代端頭進行鍍膜。

實施例4

實施例4的測試片的制備方法及參數(shù)與實施例1大致相同，其不同在于，實施例2中用尺寸為20mm×20mm×1.5mm的316鏡面拋光不銹鋼片為基體替代端頭進行鍍膜。

對實施例1～2制備的端頭進行測試，測試結果見表1。

其中，表面硬度采用triboindenter型原位納米力學測試系統(tǒng)測試硬度及彈性模量。

表1

從表1可以看出，實施例1～2的端頭的表面硬度較高。

對實施例3～4制備的試樣進行空蝕實驗。

請參閱圖4，將實施例3及4制備的試樣分別使用圖4所示的空蝕實驗機進行測試。圖4中，將樣品600放置在測試臺710上，測試臺710及樣品600收容在殼體720中，殼體720中收容有測試液體710，測試臺710及樣品600浸沒在測試液體710中?？腕w720為雙層結構，兩層結構之間有冷卻水730循環(huán)冷卻，通過溫度控制器740控制冷卻水730的溫度。超聲工具頭750設于測試臺710的上方且浸沒在測試液體710中，超聲工具頭750與測試臺710間隔設置。

將實施例3～4制備的樣品及對比例的樣品(未經處理的不銹鋼片，大小與實施例3～4的樣品相同，材質與實施例3～4中使用的不銹鋼片相同)分別放置在測試臺710上進行測試。其中，超聲工具頭750的功率800w，超聲工具頭750與樣品600之間的間距為1.5mm，測試液體的溫度為25℃，超聲振動240min。

對比例的樣品空蝕后失重1.8mg，實施例3的樣品空蝕后失重0.4mg，實施例4的樣品空蝕后失重0.5mg。

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的一種或幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。